JPS60127742A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60127742A JPS60127742A JP58235509A JP23550983A JPS60127742A JP S60127742 A JPS60127742 A JP S60127742A JP 58235509 A JP58235509 A JP 58235509A JP 23550983 A JP23550983 A JP 23550983A JP S60127742 A JPS60127742 A JP S60127742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- main surface
- junction
- cut
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に係り、特に第１主面のろう淋の形
状に関する。
状に関する。
従来、予めペレッタイズ工程以前に第１主面全面にろう
戦を蒸着等により形成した場合、そのろう才Ｘが第１主
面全面を覆うためダイシング等で切削溝を形成したのち
のブレーキング時に、ろうネ曵が軟性を有するため第−
生血のろう叔を完全に分離することが困傭であった。
戦を蒸着等により形成した場合、そのろう才Ｘが第１主
面全面を覆うためダイシング等で切削溝を形成したのち
のブレーキング時に、ろうネ曵が軟性を有するため第−
生血のろう叔を完全に分離することが困傭であった。
本発明の目的は保る欠点を除去し良好な半導体装置を提
供することにある。
供することにある。
本発明は第１の主面のろう肱’ Ｋ 第２の主面の切削
溝と平行な切り込みｔｌ−複数個入れろうネＸを切断し
、ベレッタイズを容易にすることを特徴としている。
溝と平行な切り込みｔｌ−複数個入れろうネＸを切断し
、ベレッタイズを容易にすることを特徴としている。
次に、図面により詳細に説明する。
第１図は従来の半導体装置の一例であｌ；ｌ、ＰＮ接合
を有する半導体基板１にろう ４を設は切削溝３をダイ
シング等により設けた後、ブレーキングしていた。
を有する半導体基板１にろう ４を設は切削溝３をダイ
シング等により設けた後、ブレーキングしていた。
しかし、半導体素子相互間を分離する際ろう戟４が完全
に分離せず半導体を単体にすることが峻かしかった。
に分離せず半導体を単体にすることが峻かしかった。
第２図は本発明の一実施例である。
本発明はＰＮ接合を有する半導体基板１にろうべ４を設
けたのちに、ろうｊｆ〜は第２の切Ａｌｊ溝と平行な切
り込み５を数μｍから数十μｍの間隔て設
けたのちに、ろうｊｆ〜は第２の切Ａｌｊ溝と平行な切
り込み５を数μｍから数十μｍの間隔て設
第１図は従来のベレッタイズ前の半導体の断面図、第２
図は本発明の実施例のベレッタイズ前の半導体の断面図
。 １・・・・・・ＰＮ接合、２・・・・・・５ｉｏｈａ・
・・・・・切刷溝、４・・・・・・ろ５．ｇ、ｓ・・・
・・・ろう剤の切り込み切断部。 第２図
図は本発明の実施例のベレッタイズ前の半導体の断面図
。 １・・・・・・ＰＮ接合、２・・・・・・５ｉｏｈａ・
・・・・・切刷溝、４・・・・・・ろ５．ｇ、ｓ・・・
・・・ろう剤の切り込み切断部。 第２図
Claims (1)
- 少なくとも１つのＰＮ接合を有する半導体基板の第一の
主面にろうネＸを有し、第二主面にダイシング等で切削
溝をもうけブレーキングしてなる半導体装置において、
第一の主面のろう腰に第二の主面の切削婢と平行な切り
込みを複数個有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235509A JPS60127742A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235509A JPS60127742A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127742A true JPS60127742A (ja) | 1985-07-08 |
Family
ID=16987048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58235509A Pending JPS60127742A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127742A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1160853A3 (en) * | 2000-05-31 | 2005-03-02 | NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Method of producing a semiconductor device |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP58235509A patent/JPS60127742A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1160853A3 (en) * | 2000-05-31 | 2005-03-02 | NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Method of producing a semiconductor device |
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