JPS609661B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS609661B2 JPS609661B2 JP54085686A JP8568679A JPS609661B2 JP S609661 B2 JPS609661 B2 JP S609661B2 JP 54085686 A JP54085686 A JP 54085686A JP 8568679 A JP8568679 A JP 8568679A JP S609661 B2 JPS609661 B2 JP S609661B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- semiconductor wafer
- manufacturing
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- semiconductor device
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ＰＮ接合を有する半導体ウェハから複数の
半導体べレットを打ち抜き、抜き取る半導体装置の製造
方法に関するものである。
半導体べレットを打ち抜き、抜き取る半導体装置の製造
方法に関するものである。
従来、１枚の半導体ウェハから複数個の半導体装置を製
造する場合、半導体ゥェハを打ち抜き、抜き取って複数
個の半導体べレットを得た後、この各半導体べレットに
それぞれ電極金属をろう付けして製造していた。
造する場合、半導体ゥェハを打ち抜き、抜き取って複数
個の半導体べレットを得た後、この各半導体べレットに
それぞれ電極金属をろう付けして製造していた。
第１図〜第５図によって、従来の半導体装置の製造方法
について説明する。
について説明する。
第１図は半導体ウェハ１の平面図であり、この半導体ゥ
ェハ１は半導体基板にフオト・エッチング法などにより
選択拡散を行なって作られ、１個以上のＰＮ接合を有し
ている。第２図は同じく半導体ゥェハ１の平面図である
が、半導体ウェハ１表面上の抜き取ろうとするべレット
部分２ａを示すものである。第３図は半導体べレット２
の平面図、第４図はその側面図である。この半導体べレ
ット２は半導体ゥェハ１のべレット部分２ａを超音波、
スクラィブ、し−ザなどによって打ち抜き、抜き取るこ
とによって得られる。このようにして半導体ウヱハ１か
ら分割された半導体べレット２には、次に電極金属が取
り付けられて半導体装置が製造される。第５図はこの半
導体装置の側面図である。半導体べレツト２の下面には
モリブデン、タングステンなどからなる電極金属４がア
ルミニウム、アルミニウムシリコンなどからなるろう材
５を介してろう付けされている。このような、従釆の半
導体装置の製造方法においては、半導体ウェハから打ち
抜き、抜き取った半導体べレットに１個づつ電極金属を
ろう付けするために製造工数が長くかかり、また打ち抜
き時やろう付け時に半導体べレツトが割れ易いために製
造歩留が低下して生産性が悪くなるという欠点があった
。
ェハ１は半導体基板にフオト・エッチング法などにより
選択拡散を行なって作られ、１個以上のＰＮ接合を有し
ている。第２図は同じく半導体ゥェハ１の平面図である
が、半導体ウェハ１表面上の抜き取ろうとするべレット
部分２ａを示すものである。第３図は半導体べレット２
の平面図、第４図はその側面図である。この半導体べレ
ット２は半導体ゥェハ１のべレット部分２ａを超音波、
スクラィブ、し−ザなどによって打ち抜き、抜き取るこ
とによって得られる。このようにして半導体ウヱハ１か
ら分割された半導体べレット２には、次に電極金属が取
り付けられて半導体装置が製造される。第５図はこの半
導体装置の側面図である。半導体べレツト２の下面には
モリブデン、タングステンなどからなる電極金属４がア
ルミニウム、アルミニウムシリコンなどからなるろう材
５を介してろう付けされている。このような、従釆の半
導体装置の製造方法においては、半導体ウェハから打ち
抜き、抜き取った半導体べレットに１個づつ電極金属を
ろう付けするために製造工数が長くかかり、また打ち抜
き時やろう付け時に半導体べレツトが割れ易いために製
造歩留が低下して生産性が悪くなるという欠点があった
。
さらに、半導体べレットが割れ易くなると半導体装置に
紙立ててから特性が劣化するという問題もあった。この
発明はこのような従来の欠点を除去するためになされた
もので、その目的とするところは、生産性が良く、特性
劣化もなくなるような半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
紙立ててから特性が劣化するという問題もあった。この
発明はこのような従来の欠点を除去するためになされた
もので、その目的とするところは、生産性が良く、特性
劣化もなくなるような半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
このような目的を達成するために、この発明は、半導体
ウェハにろう材を介して電極金属を取付け、しかる後半
導体ゥェハから半導体べレットを打ち抜き、抜き取るよ
うにしたものである。
ウェハにろう材を介して電極金属を取付け、しかる後半
導体ゥェハから半導体べレットを打ち抜き、抜き取るよ
うにしたものである。
以下、この発明を実施例にもとづいて第６図〜第１０図
にて詳細に説明する。なお、各図におし、て、第１図〜
第５図と同一または相当部分には同一符号を付してある
。第６図はこの発明に係る半導体装置の製造方法の一実
施例に用いる半導体ウヱハ１の平面図を示す。
にて詳細に説明する。なお、各図におし、て、第１図〜
第５図と同一または相当部分には同一符号を付してある
。第６図はこの発明に係る半導体装置の製造方法の一実
施例に用いる半導体ウヱハ１の平面図を示す。
この半導体ゥェハ１は、位置決め用の溝３を形成した半
導体基板にフオトェッチング法により選択拡散を行ない
１個以上のＰＮ接合を形成して作られたものである。次
に、第７図の側面図に示すように、モリブデン、タング
ステンなどの材料を円柱形に形成した複数個（本実施例
では４個）の電極金属４を円板のろう材５を介して半導
体ウェハ１の下面に設けてろう付け前の組立てを行ない
、しかる後、温度を上げてろう材５を溶解し半導体ゥェ
ハーと電極金属４とのろう付け接合を行なう。次に、半
導体ゥェハ１の打ち抜き作業を行なう。第８図は打ち抜
き時の半導体ゥェハ１の平面図、第９図はその側面図で
ある。半導体ウェハ１のべレット部分２ａは電極金属４
と同一円形に形成されている。したがって、超音波、ス
クラィプ、レーザなどを用いた打ち抜き方法によってべ
レット部分２ａを打ち抜くと、半導体ウェハ１から分離
されて半導体べレット２と電極金属４がろう材５でろう
付けされた状態で取りり出せる。第１０図は、このよう
にして取り出された半導体装置の側面図である。この実
施例では、１個の半導体ウハから４個の半導体装置が取
り出せる。この数は半導体ゥェハの大きさおよび取り出
す半導体装置の大きさなどによって任意に設定される。
以上の実施例では、半導体べレットの径は電極金属の径
と同一にして打ち抜いたが、これより大きくてもまた小
さくてもよい。また、以上の実施例では、半導体ウェハ
の径よりかなり小さい径の電極金属を複数個用いたが、
半導体ウェハとほぼ同一径の電極金属をろう材で接合し
、その後、任意の大きさに半導体ウェハと電極金属を同
時に打ち抜いて複数個の半導体装置を取り出すこともで
きる。
導体基板にフオトェッチング法により選択拡散を行ない
１個以上のＰＮ接合を形成して作られたものである。次
に、第７図の側面図に示すように、モリブデン、タング
ステンなどの材料を円柱形に形成した複数個（本実施例
では４個）の電極金属４を円板のろう材５を介して半導
体ウェハ１の下面に設けてろう付け前の組立てを行ない
、しかる後、温度を上げてろう材５を溶解し半導体ゥェ
ハーと電極金属４とのろう付け接合を行なう。次に、半
導体ゥェハ１の打ち抜き作業を行なう。第８図は打ち抜
き時の半導体ゥェハ１の平面図、第９図はその側面図で
ある。半導体ウェハ１のべレット部分２ａは電極金属４
と同一円形に形成されている。したがって、超音波、ス
クラィプ、レーザなどを用いた打ち抜き方法によってべ
レット部分２ａを打ち抜くと、半導体ウェハ１から分離
されて半導体べレット２と電極金属４がろう材５でろう
付けされた状態で取りり出せる。第１０図は、このよう
にして取り出された半導体装置の側面図である。この実
施例では、１個の半導体ウハから４個の半導体装置が取
り出せる。この数は半導体ゥェハの大きさおよび取り出
す半導体装置の大きさなどによって任意に設定される。
以上の実施例では、半導体べレットの径は電極金属の径
と同一にして打ち抜いたが、これより大きくてもまた小
さくてもよい。また、以上の実施例では、半導体ウェハ
の径よりかなり小さい径の電極金属を複数個用いたが、
半導体ウェハとほぼ同一径の電極金属をろう材で接合し
、その後、任意の大きさに半導体ウェハと電極金属を同
時に打ち抜いて複数個の半導体装置を取り出すこともで
きる。
さらに、半導体べレットの抜き取り形状は円形のほか、
楕円、多角形など任意の形状にすることができる。
楕円、多角形など任意の形状にすることができる。
以上のように、この発明に係る半導体装置の製造方法に
よると、電極金属をろう材を介して半導体ゥェハにろう
付けした後に半導体べレットを抜き取るようにしたため
、製造工数が短縮され、また工程中に半導体べレットが
割れたりして製造歩留が低下することがなくなり、さら
に半導体装置に縦立ててからの歩蟹低下もなくなり、生
産性が向上してコスト低減がはかれ、かつ品質が安定し
て信頼性も増すなどの効果がある。
よると、電極金属をろう材を介して半導体ゥェハにろう
付けした後に半導体べレットを抜き取るようにしたため
、製造工数が短縮され、また工程中に半導体べレットが
割れたりして製造歩留が低下することがなくなり、さら
に半導体装置に縦立ててからの歩蟹低下もなくなり、生
産性が向上してコスト低減がはかれ、かつ品質が安定し
て信頼性も増すなどの効果がある。
第１図、第２図は従来の製造方法に用いる半導体ゥェハ
の平面図、第３図は半導体べレットの平面図、第４図は
その側面図、第５図は半導体装置の側面図、第６図はこ
の発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例に用いる
半導体ウェハの平面図、第７図はろう付け時の半導体ゥ
ェハの側面図、第８図は抜き取き時の半導体ウェハの平
面図、第９図はその側面図、第１０図は半導体装置の側
面図である。 各図において、同一または相当部分には同一符号を付し
てある。１・・・・・・半導体ゥェハ、２・・・・・・
半導体べレット、２ａ・・・・・・ベレツト部分、３・
・…・溝、４・・・・・・電極金属、５……ろう材。 氷１欧 沙２図 オ３図 才４図 オ５図 才６図 オ？図 オ８図 才９図 第１０図
の平面図、第３図は半導体べレットの平面図、第４図は
その側面図、第５図は半導体装置の側面図、第６図はこ
の発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例に用いる
半導体ウェハの平面図、第７図はろう付け時の半導体ゥ
ェハの側面図、第８図は抜き取き時の半導体ウェハの平
面図、第９図はその側面図、第１０図は半導体装置の側
面図である。 各図において、同一または相当部分には同一符号を付し
てある。１・・・・・・半導体ゥェハ、２・・・・・・
半導体べレット、２ａ・・・・・・ベレツト部分、３・
・…・溝、４・・・・・・電極金属、５……ろう材。 氷１欧 沙２図 オ３図 才４図 オ５図 才６図 オ？図 オ８図 才９図 第１０図
Claims (1)
- １ ＰＮ接合を有する半導体ウエハから複数個の半導体
ペレツトを打ち抜き、抜き取る半導体装置の製造方法に
おいて、上記半導体ウエハにろう材を介して電極金属を
ろう付けし、しかる後前記半導体ウエハから半導体ペレ
ツトを打ち抜き、抜き取るようにしたことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54085686A JPS609661B2 (ja) | 1979-07-03 | 1979-07-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54085686A JPS609661B2 (ja) | 1979-07-03 | 1979-07-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS568845A JPS568845A (en) | 1981-01-29 |
| JPS609661B2 true JPS609661B2 (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=13865723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54085686A Expired JPS609661B2 (ja) | 1979-07-03 | 1979-07-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609661B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61152460U (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-20 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969151A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-19 | Unitika Ltd | 球状イオン交換樹脂とその製造法及び吸着処理法 |
| JPH0610234B2 (ja) * | 1985-07-05 | 1994-02-09 | ユニチカ株式会社 | 微小球状硬化メラミン樹脂粒子及びその製造法 |
-
1979
- 1979-07-03 JP JP54085686A patent/JPS609661B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61152460U (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS568845A (en) | 1981-01-29 |
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