JPS6013077A - 無電解メツキ処理方法及び装置 - Google Patents
無電解メツキ処理方法及び装置Info
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- JPS6013077A JPS6013077A JP11815183A JP11815183A JPS6013077A JP S6013077 A JPS6013077 A JP S6013077A JP 11815183 A JP11815183 A JP 11815183A JP 11815183 A JP11815183 A JP 11815183A JP S6013077 A JPS6013077 A JP S6013077A
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- plating
- plating solution
- plated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
- C23C18/1669—Agitation, e.g. air introduction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1617—Purification and regeneration of coating baths
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１１１」
本発明は、メッキ処理方法及び装置に関するものであり
、より詳細には、金属の無電解メッキ液中に被メツキ物
体を浸漬してメッキ反応を起こさせ被メツキ物体上の金
属を析出させて皮膜を形成させる無電解メッキ処理方法
及び装置に関するものである。
、より詳細には、金属の無電解メッキ液中に被メツキ物
体を浸漬してメッキ反応を起こさせ被メツキ物体上の金
属を析出させて皮膜を形成させる無電解メッキ処理方法
及び装置に関するものである。
ｉ迷１３Ｌ
一般に、所望の物体上に薄い付着した金属の皮膜を形成
するメッキ技術は、外部から電流を流して溶液中の金属
イオンを陰極上に還元析出させる電気メッキと、外部電
流を用いず溶液中の金属イオンを被メツキ物体表面へ還
元析出させる化学メッキとに大別される。化学メッキ技
術は、更に、イオン置換を基礎とする浸漬メッキと化学
還元剤を使用する無電解メッキとに分類され、後者の無
電解メッキには非触媒型のものを触媒反応型のものとが
ある。触媒反応型無電解メッキ技術は、ニッケル、銅、
コバルト等の金属に対するものが広く使用されており、
この技術は、プラスチック等の非導電体上にもメッキが
できるとか、又析出金属自体がメッキ反応の触媒として
働く自己触媒反応である為メッキ膜は時間と共に成長し
任意の厚さに膜厚を制御可能である等の特徴を有してい
る。
するメッキ技術は、外部から電流を流して溶液中の金属
イオンを陰極上に還元析出させる電気メッキと、外部電
流を用いず溶液中の金属イオンを被メツキ物体表面へ還
元析出させる化学メッキとに大別される。化学メッキ技
術は、更に、イオン置換を基礎とする浸漬メッキと化学
還元剤を使用する無電解メッキとに分類され、後者の無
電解メッキには非触媒型のものを触媒反応型のものとが
ある。触媒反応型無電解メッキ技術は、ニッケル、銅、
コバルト等の金属に対するものが広く使用されており、
この技術は、プラスチック等の非導電体上にもメッキが
できるとか、又析出金属自体がメッキ反応の触媒として
働く自己触媒反応である為メッキ膜は時間と共に成長し
任意の厚さに膜厚を制御可能である等の特徴を有してい
る。
この様な無電解メッキ処理技術は、ポリゴンミラー等の
高精度反射面が必要な部品の鏡面加工用下地処理や、磁
気ディスクのメモリ剤コーティング面処理や、ＶＴＲ回
転ヘッド等の厳密な平面性と耐摩耗性が要求される表面
処理等に応用されている。しかしながら、被メツキ物体
をメッキ液中に浸漬してメッキ処理を行なう従来のメッ
キ技術では、ビット、ブッ等と呼ばれる欠陥がメッキ膜
中に形成されることが多く、歩留り低下の原因となって
いた。更に、メッキ膜の適用範囲の拡大と共に、メッキ
膜組成の均一性の向上や高品質化が要求される様になり
、又処理速度の高速化等が期待されている。
高精度反射面が必要な部品の鏡面加工用下地処理や、磁
気ディスクのメモリ剤コーティング面処理や、ＶＴＲ回
転ヘッド等の厳密な平面性と耐摩耗性が要求される表面
処理等に応用されている。しかしながら、被メツキ物体
をメッキ液中に浸漬してメッキ処理を行なう従来のメッ
キ技術では、ビット、ブッ等と呼ばれる欠陥がメッキ膜
中に形成されることが多く、歩留り低下の原因となって
いた。更に、メッキ膜の適用範囲の拡大と共に、メッキ
膜組成の均一性の向上や高品質化が要求される様になり
、又処理速度の高速化等が期待されている。
目 的
本発明は、以上の点に鑑みなされたものであり、高品質
のメッキ膜を形成することが可能なメッキ処理方法及び
装置を提供することを目的とする。
のメッキ膜を形成することが可能なメッキ処理方法及び
装置を提供することを目的とする。
構 成
以下、本発明の実１ＭＭ様を添付の図面を参照して詳細
に説明する。図面に示す本メツキ処理装置は無電解ニッ
ケルメッキに適用した場合の実施例であり、所定量のメ
ッキ液を貯留するメッキ処理槽１を有しており、この槽
１は、例えば、５Ｕｓ３０４ステンレスの材質で構成さ
れている。処理槽１の外面にはガラスウール（不図示）
が被着されている。処理槽１に隣接して補正槽２が配設
されており、処理１１１からオーバフローしたメッキ液
が流入される様に形番されている。補正槽２は、処理槽
１から流入されたメッキ液を所定の状態に補正する為に
設けられたものである。メッキ液を所定の温度に加熱す
るヒータ３が補正槽２内に配設されている。又、エアパ
イプ４の細孔から補正槽２内のメッキ液中に空気を放出
し補正槽２内のメッキ液を攪拌可能としている。サーモ
スタット（不図示）等によりメッキ液の温度を制御室５
で検知してその検知温度に応じてヒータ３の加熱を調整
しメッキ液の温度を一定に保持可能としている。
に説明する。図面に示す本メツキ処理装置は無電解ニッ
ケルメッキに適用した場合の実施例であり、所定量のメ
ッキ液を貯留するメッキ処理槽１を有しており、この槽
１は、例えば、５Ｕｓ３０４ステンレスの材質で構成さ
れている。処理槽１の外面にはガラスウール（不図示）
が被着されている。処理槽１に隣接して補正槽２が配設
されており、処理１１１からオーバフローしたメッキ液
が流入される様に形番されている。補正槽２は、処理槽
１から流入されたメッキ液を所定の状態に補正する為に
設けられたものである。メッキ液を所定の温度に加熱す
るヒータ３が補正槽２内に配設されている。又、エアパ
イプ４の細孔から補正槽２内のメッキ液中に空気を放出
し補正槽２内のメッキ液を攪拌可能としている。サーモ
スタット（不図示）等によりメッキ液の温度を制御室５
で検知してその検知温度に応じてヒータ３の加熱を調整
しメッキ液の温度を一定に保持可能としている。
メッキ液分析装Ｎ６は補正槽２内のメッキ液をサンプリ
ングパイプ７を介して採取し、メッキ液の濃度及びｐＨ
を測定する。尚、測定が終了したメッキ液は返送パイプ
８を介して補正４１１２内に返送される。メッキ液分析
装Ｎ６により測定した濃度やＩＩＨが基準の値から逸れ
ている場合は、メッキ液分析装’１１６から補正液供給
装置９にメッキ液を基準状態に補正する補正液を補正槽
２内に供給させる信号が伝達される。この為、補正液供
給装置９では、メッキ液分析装置６からの分析結果に応
じて所定の薬液を所定量補正液供給装置９内のポンプに
より薬液供給パイプ１０を介して補正槽２内に供給する
。この様にメッキ液分析装置６及び補正液供給装置９に
より補正槽２内のメッキ液の濃度及びｐＨを常に所定の
値に維持可能である。
ングパイプ７を介して採取し、メッキ液の濃度及びｐＨ
を測定する。尚、測定が終了したメッキ液は返送パイプ
８を介して補正４１１２内に返送される。メッキ液分析
装Ｎ６により測定した濃度やＩＩＨが基準の値から逸れ
ている場合は、メッキ液分析装’１１６から補正液供給
装置９にメッキ液を基準状態に補正する補正液を補正槽
２内に供給させる信号が伝達される。この為、補正液供
給装置９では、メッキ液分析装置６からの分析結果に応
じて所定の薬液を所定量補正液供給装置９内のポンプに
より薬液供給パイプ１０を介して補正槽２内に供給する
。この様にメッキ液分析装置６及び補正液供給装置９に
より補正槽２内のメッキ液の濃度及びｐＨを常に所定の
値に維持可能である。
尚、メッキ液は通常、金属塩、還元剤及び緩衝剤から構
成されているので、夫々に対応した薬液及び液量が補正
液供給装置９により供給される。
成されているので、夫々に対応した薬液及び液量が補正
液供給装置９により供給される。
この様にしてメッキ液の温度、濃度、及びｐＨが所定の
値に維持されたメッキ液はパイプ１１を介して濾過ｔ１
１１２へ供給される構成となっている。
値に維持されたメッキ液はパイプ１１を介して濾過ｔ１
１１２へ供給される構成となっている。
この濾過機１２はポンプとカートリッジフィルタ一部か
ら構成されており、カートリッジフィルタ一部によりメ
ッキ液が濾過される様になっている。
ら構成されており、カートリッジフィルタ一部によりメ
ッキ液が濾過される様になっている。
この為、ゴミや反応生成物等の微細粒子がフィルター表
面に捕捉される。畔遇されたメッキ液がポンプにより供
給パイプ１３及びノズル１４を介して処理槽１内へ供給
される。ノズル１４及び濾過機１２内のポンプにより、
駆動手段（不図示）により回転する駆動軸１５に取付け
られた被メツキ物体１６（本実施例ではポリゴンミラー
基体）の処理面に、メッキ液を噴射吹付可能としている
。
面に捕捉される。畔遇されたメッキ液がポンプにより供
給パイプ１３及びノズル１４を介して処理槽１内へ供給
される。ノズル１４及び濾過機１２内のポンプにより、
駆動手段（不図示）により回転する駆動軸１５に取付け
られた被メツキ物体１６（本実施例ではポリゴンミラー
基体）の処理面に、メッキ液を噴射吹付可能としている
。
処理槽１にはメッキ液が常に所定量貯えられており、過
剰のメッキ液は処理槽１から溢流して補正槽２内に流入
する。
剰のメッキ液は処理槽１から溢流して補正槽２内に流入
する。
次に、上述した本発明装置を使用した無電解メッキ処理
方法について説明する。前述した如く、本実施例では、
無電解メッキの代表的な例であるニッケルメッキについ
て説明し、ポリゴンミラーのニッケルメッキ処理の場合
について説明する。
方法について説明する。前述した如く、本実施例では、
無電解メッキの代表的な例であるニッケルメッキについ
て説明し、ポリゴンミラーのニッケルメッキ処理の場合
について説明する。
アルミニウム合金からなるポリゴンミラー基体の処理面
に脱脂、アルカリエツチング、酸洗等の表面清浄化処理
を施し、更に、亜鉛置換処理によってニッケルをポリゴ
ンミラー基体に析出させる為に触媒膜を基体の処理面に
形成させる。以上の如き前処理を施した後、駆動軸１５
にポリゴンミラー基体１６を取付けて処理槽１内のメッ
キ液中に浸漬させる。浸漬させたポリゴンミラー基体１
６を、濾過したメッキ液がノズル１４から基体のメッキ
処理面に吹ぎ付けられる様に、ノズル１４と相対的位置
関係を保持して配設する。そして、駆動軸１５により基
体を回転状態に維持する。この際に、メッキ液の加熱、
攪拌、液組成の調整（濃度やＩＩＨ）及びメッキ液の濾
過を行なって、メッキ液を処理槽１．補正槽２及び濾過
機１２を介して循環させる。濾過機１２よりノズル１４
を介して基体１６の処理面に濾過したメッキ液を噴射状
に吹き付ける。
に脱脂、アルカリエツチング、酸洗等の表面清浄化処理
を施し、更に、亜鉛置換処理によってニッケルをポリゴ
ンミラー基体に析出させる為に触媒膜を基体の処理面に
形成させる。以上の如き前処理を施した後、駆動軸１５
にポリゴンミラー基体１６を取付けて処理槽１内のメッ
キ液中に浸漬させる。浸漬させたポリゴンミラー基体１
６を、濾過したメッキ液がノズル１４から基体のメッキ
処理面に吹ぎ付けられる様に、ノズル１４と相対的位置
関係を保持して配設する。そして、駆動軸１５により基
体を回転状態に維持する。この際に、メッキ液の加熱、
攪拌、液組成の調整（濃度やＩＩＨ）及びメッキ液の濾
過を行なって、メッキ液を処理槽１．補正槽２及び濾過
機１２を介して循環させる。濾過機１２よりノズル１４
を介して基体１６の処理面に濾過したメッキ液を噴射状
に吹き付ける。
この様にポリゴンミラー基体１６をメッキ液内で回転さ
せながらメッキ液を噴射状に吹き付けることによりポリ
ゴンミラー基体１６上にニッケル膜が析出する。この様
に、メッキ液をノズル１４から噴射させて処理面に吹き
付ける為、メッキ処理面上の気泡９反応生成物、ガス等
がメッキ処理面から吹き飛ばされ、メッキ処理面上から
除去される。従って、メッキ処理面上にビット（凹部）
やブツ（凸部）等の欠陥を殆ど発生させることなしにメ
ッキ膜が析出される。又、反応生成物やゴミ等は濾過機
のフィルターにより捕捉されるので、メッキ処理面上に
は汚染物等のないメッキ液が供給される。又、補正槽２
に於いて常に液の組成。
せながらメッキ液を噴射状に吹き付けることによりポリ
ゴンミラー基体１６上にニッケル膜が析出する。この様
に、メッキ液をノズル１４から噴射させて処理面に吹き
付ける為、メッキ処理面上の気泡９反応生成物、ガス等
がメッキ処理面から吹き飛ばされ、メッキ処理面上から
除去される。従って、メッキ処理面上にビット（凹部）
やブツ（凸部）等の欠陥を殆ど発生させることなしにメ
ッキ膜が析出される。又、反応生成物やゴミ等は濾過機
のフィルターにより捕捉されるので、メッキ処理面上に
は汚染物等のないメッキ液が供給される。又、補正槽２
に於いて常に液の組成。
濃度等を所定の状態に維持してメッキ処理面に供給して
いるので、基体１６のメッキ処理面上に於いて、ニッケ
ル析出反応が均一に進行する。メッキ液の吹き付けによ
り、ニッケル膜の析出速度が速くなると共に処理面に常
に所望の組成のメッキ液を供給するのでメッキ膜の品質
は均一化され且つ高品質化される。以上のことにより、
析出ニッケル組織が微細化され光沢の良好なメッキ膜が
得られる。加えて、均一な膜厚を有する平滑性の優れた
メッキ膜が析出される。
いるので、基体１６のメッキ処理面上に於いて、ニッケ
ル析出反応が均一に進行する。メッキ液の吹き付けによ
り、ニッケル膜の析出速度が速くなると共に処理面に常
に所望の組成のメッキ液を供給するのでメッキ膜の品質
は均一化され且つ高品質化される。以上のことにより、
析出ニッケル組織が微細化され光沢の良好なメッキ膜が
得られる。加えて、均一な膜厚を有する平滑性の優れた
メッキ膜が析出される。
効 果
以上、詳述した如く、本発明に基づきメッキ処理を施せ
ば、ビット（凹部）やブツ（凸部）等の欠陥の殆ど存在
しないメッキ膜を析出させることが可能であり、更に、
平滑性の優れたメッキ膜を析出させることが可能である
。又、膜厚の均一なメッキ膜を析出させることが可能で
あると共に、光沢の優れたメッキ膜を析出させることが
可能である。更に、本発明によりメッキ液の液管理を行
なうことによりメッキ膜の品質を更に向上させることが
可能である。
ば、ビット（凹部）やブツ（凸部）等の欠陥の殆ど存在
しないメッキ膜を析出させることが可能であり、更に、
平滑性の優れたメッキ膜を析出させることが可能である
。又、膜厚の均一なメッキ膜を析出させることが可能で
あると共に、光沢の優れたメッキ膜を析出させることが
可能である。更に、本発明によりメッキ液の液管理を行
なうことによりメッキ膜の品質を更に向上させることが
可能である。
尚、本発明は上記の特定の実施例に限定されるべきもの
ではなく、本発明の技術的範囲内に於いて種々の変形が
可能であることは勿論である。
ではなく、本発明の技術的範囲内に於いて種々の変形が
可能であることは勿論である。
図面は本発明の１実施例を示す模式図である。
（符号の説明）
１： 処理槽 ２： 補正槽
３： ヒータ ４： エアバイブ
５： 制御室 ６： メッキ液分析装置９： 補正液供
給装置 １２： 濾過機 １４： ノズル １５： 駆動軸 特許出願人 株式会社 リ コ −
給装置 １２： 濾過機 １４： ノズル １５： 駆動軸 特許出願人 株式会社 リ コ −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被メツキ物体をメッキ液中に浸漬してメッキを行な
うメッキ処理方法に於いて、前記被メツキ物体に対しメ
ッキ液の噴射流を吹き付けながらメッキ処理する事を特
徴とするメッキ処理方法。 ２、上記第１項に於いて、前記メッキ液が無電解メッキ
であることを特徴とする方法。 ３、上記第２項に於いて、前記無電解メッキ液が無電解
ニッケルメッキ液であることを特徴とする方法。 ４、メッキ液を収納する処理槽と、前記処理槽中のメッ
キ液に浸漬させて被メツキ物体を回転自在に保持可能な
保持手段と、前記処理槽から流出したメッキ液を所定の
状態に制御する制御手段と、前記制御手段によって所定
の状態に制御されたメッキ液を前記被メツキ物体に対し
噴射流として吹き付ける噴射手段とを有することを特徴
とするメッキ処理装置。 ５、上記第４項に於いて、前記メッキ液が無電解ニッケ
ルメッキ液である事を特徴とする装置。 ６、上記第５項に於いて、前記制御手段が、メッキ液の
液組成を制御する液組成制卸手段と、メッキ液の温度を
制御する温度制御手段と、メッキ液を濾過する濾過手段
とを有することを特徴とする装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11815183A JPS6013077A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 無電解メツキ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11815183A JPS6013077A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 無電解メツキ処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013077A true JPS6013077A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14729347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11815183A Pending JPS6013077A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 無電解メツキ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013077A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0368780A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-25 | Tokyo Kagaku Sochi Kk | 無電解ニッケルめっき方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349769U (ja) * | 1976-10-01 | 1978-04-26 | ||
| JPS53146933A (en) * | 1977-05-27 | 1978-12-21 | Hitachi Ltd | Chemical plating method |
| JPS569263A (en) * | 1979-06-30 | 1981-01-30 | Matsushita Electric Works Ltd | Manufacture of glass fiber reinforced cement product |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP11815183A patent/JPS6013077A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349769U (ja) * | 1976-10-01 | 1978-04-26 | ||
| JPS53146933A (en) * | 1977-05-27 | 1978-12-21 | Hitachi Ltd | Chemical plating method |
| JPS569263A (en) * | 1979-06-30 | 1981-01-30 | Matsushita Electric Works Ltd | Manufacture of glass fiber reinforced cement product |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0368780A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-25 | Tokyo Kagaku Sochi Kk | 無電解ニッケルめっき方法 |
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