JPS60131963A - スパツタリング用タ−ゲツト板 - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツト板Info
- Publication number
- JPS60131963A JPS60131963A JP23992383A JP23992383A JPS60131963A JP S60131963 A JPS60131963 A JP S60131963A JP 23992383 A JP23992383 A JP 23992383A JP 23992383 A JP23992383 A JP 23992383A JP S60131963 A JPS60131963 A JP S60131963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- powder
- sintering
- target plate
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、スパッタリング用ターケ゛ット板に関する
。
。
電子工業、電気工業等の分野で用いられるＢｉ。
８ｅ 、 Ｔｅ 、Ｓｂ 、 Ｉｎ 、 Ｓｎ等の金属
または半金属あるいはこれらの合金の薄膜は、一般に真
空蒸着法ま１こはスフ４ツタリング法によって基板上へ
形成される。
または半金属あるいはこれらの合金の薄膜は、一般に真
空蒸着法ま１こはスフ４ツタリング法によって基板上へ
形成される。
ところで、上記スパッタリング時法いられるテルルもし
くはテルル合金等のターケ８ット板は、従来前記金属等
を真空中や不活性ガス中で溶融し、鋳型に鋳造する鋳造
法や前記金属等の粉末を押型で高い成形圧下で加圧成形
後、加熱して焼結する。
くはテルル合金等のターケ８ット板は、従来前記金属等
を真空中や不活性ガス中で溶融し、鋳型に鋳造する鋳造
法や前記金属等の粉末を押型で高い成形圧下で加圧成形
後、加熱して焼結する。
コールドプレス法で製造されている。
しかし、鋳造法では、上記金属等の蒸気圧が高いため製
造中、蒸発量が多く歩留りが低下する問題、及び、これ
ら蒸気は有毒なので、除害や安全上に問題がある。また
、鋳造した金属等は、ガラス質のため製造時の冷却やス
パッタリング時の発熱に伴って割れやガス発生が生じ易
い問題がある。
造中、蒸発量が多く歩留りが低下する問題、及び、これ
ら蒸気は有毒なので、除害や安全上に問題がある。また
、鋳造した金属等は、ガラス質のため製造時の冷却やス
パッタリング時の発熱に伴って割れやガス発生が生じ易
い問題がある。
さらに、１コールドプレス法は、高密度焼結体を得るに
は高い成形圧が必要であり圧縮性の悪い粉体に対しては
押型Ｊ、り取り出す際に圧縮割れやスプリングバックに
よって割れる危険性が高い。そして、蒸気圧の高い金属
等葡焼結させるには、表面積が大きいので黒画ロスが多
いなどの問題がある。
は高い成形圧が必要であり圧縮性の悪い粉体に対しては
押型Ｊ、り取り出す際に圧縮割れやスプリングバックに
よって割れる危険性が高い。そして、蒸気圧の高い金属
等葡焼結させるには、表面積が大きいので黒画ロスが多
いなどの問題がある。
この発明は、以上の点に鑑みてなされたものであって、
すなわちテルル粉末あるいはテルル合金粉末を加圧下で
成形焼結し、密度比勿７０〜９０チに調整することに、
Ｊ：９強い曲げ強さを有して割れにくいテルルもしくは
テルル合金よりなるスパッタリング用ターダット板？提
供するものである。
すなわちテルル粉末あるいはテルル合金粉末を加圧下で
成形焼結し、密度比勿７０〜９０チに調整することに、
Ｊ：９強い曲げ強さを有して割れにくいテルルもしくは
テルル合金よりなるスパッタリング用ターダット板？提
供するものである。
ここで、密度比とは、金属の真比重に対する焼結体の見
掛密度の百分比ｒいう。
掛密度の百分比ｒいう。
加圧成形ν工び焼結は通常行われる粉末冶金的方法で良
いが、比較的低い成形圧で粉体勿加圧成形したのちに、
加圧下で焼結する方が一般に好結果が得られる。
いが、比較的低い成形圧で粉体勿加圧成形したのちに、
加圧下で焼結する方が一般に好結果が得られる。
加圧子焼結のためには、圧縮焼結法あるいはホットプレ
ス法があるが、粉体會充填した押型全加熱する際の熱膨
張や熱歪み全利用して加圧子焼結ケ実施する方法も簡便
な方法である。
ス法があるが、粉体會充填した押型全加熱する際の熱膨
張や熱歪み全利用して加圧子焼結ケ実施する方法も簡便
な方法である。
焼結温度は原料の融点の帆７５〜０．９５倍、好ましく
は帆９倍がよく、テルルターゲツト板製造の際の焼結温
度は３４０〜４３０℃、好ましくは４１０℃とする。
は帆９倍がよく、テルルターゲツト板製造の際の焼結温
度は３４０〜４３０℃、好ましくは４１０℃とする。
第１６結時の雰囲気は水素あるいはアルゴン雰囲気とす
ることが望ましい。
ることが望ましい。
以下、実施例に基づいてこの発明ケ説明する。
市販されているテルルノヨツ） ｆ −ｅｆｏ ｍｅｓ
ｈであり、７Ｊｓつ−３２５ｍｅｓｈの比率が４０％程
度となる工うに粉砕し１こテルル粉末ｒ、所足の形状た
とえば薄肉厚の円盤状に成形圧力１０〜５００ Ｋｆ／
讐好ましくは１５０〜２５０ Ｋｙ／−において加圧成
形したのち、加圧下で焼結することにＪ：ｖ密度比７０
〜９０％の焼結体とした。密度比ｔ７０〜９０チとする
理由は、密度比７０％以下では曲げ強さが弱く、９０チ
以上では気孔が少なくなるのでクラックが発生し易く、
且つ気孔が閉鎖されたものとなり通気孔とならないので
ス・ぐツタリング時に割れやガスが発生しやすくなるか
らである。本発明に係るターゲツト板は１強い曲げ強さ
葡有し、割れにくいものとなっているので、スノクツタ
リング時に急熱されても割れやガスの発生がなく、ター
ケ゛ット板として良好な性状葡有している。
ｈであり、７Ｊｓつ−３２５ｍｅｓｈの比率が４０％程
度となる工うに粉砕し１こテルル粉末ｒ、所足の形状た
とえば薄肉厚の円盤状に成形圧力１０〜５００ Ｋｆ／
讐好ましくは１５０〜２５０ Ｋｙ／−において加圧成
形したのち、加圧下で焼結することにＪ：ｖ密度比７０
〜９０％の焼結体とした。密度比ｔ７０〜９０チとする
理由は、密度比７０％以下では曲げ強さが弱く、９０チ
以上では気孔が少なくなるのでクラックが発生し易く、
且つ気孔が閉鎖されたものとなり通気孔とならないので
ス・ぐツタリング時に割れやガスが発生しやすくなるか
らである。本発明に係るターゲツト板は１強い曲げ強さ
葡有し、割れにくいものとなっているので、スノクツタ
リング時に急熱されても割れやガスの発生がなく、ター
ケ゛ット板として良好な性状葡有している。
次に、本発明に係るスノヤツタリング用ターゲットと、
高圧圧縮成形常圧焼結したターゲツト板の物性値の測定
比較を表−１に示す。
高圧圧縮成形常圧焼結したターゲツト板の物性値の測定
比較を表−１に示す。
本発明に係るターゲツト板においては、押型に装填され
た粉末’１１５８Ｋｇ／冨の成形圧で圧縮成形したのち
、水素雰囲気中で４１０℃において加圧焼結することに
よって製造した。一方、従来法に明刹書の６）書（内容
に変更なし） する萬圧圧縮成形常圧焼結ターｒット板においては、粉
末ｗ ５００ Ｋｔｉ−の成形圧で常温において圧縮し
て成形体を製造し、水素雰囲気中で４１０℃において常
圧下で焼結し友。
た粉末’１１５８Ｋｇ／冨の成形圧で圧縮成形したのち
、水素雰囲気中で４１０℃において加圧焼結することに
よって製造した。一方、従来法に明刹書の６）書（内容
に変更なし） する萬圧圧縮成形常圧焼結ターｒット板においては、粉
末ｗ ５００ Ｋｔｉ−の成形圧で常温において圧縮し
て成形体を製造し、水素雰囲気中で４１０℃において常
圧下で焼結し友。
なお、υ６給する粉末としては１両省とも一６０ｍｅｓ
ｈでＰ ツー ３２５ ｍｅｓｈの比率が４０１程度と
なる工うに粉砕されたテルルの粉末ｒ使用した。ま７ζ
。
ｈでＰ ツー ３２５ ｍｅｓｈの比率が４０１程度と
なる工うに粉砕されたテルルの粉末ｒ使用した。ま７ζ
。
物性値のうち１曲は強さは、炭素協会規格ＪＣＡＳ−１
０−１９６８−４４Ｋｍつて測定ｔ、、 密ｉ比はＪｌ
ｓＺ２５００−３１９に準じ訓足を行ない評価を竹なつ
１ζ、表−１ 表−１〃）ら判るＬうに、この発明に係るターゲツト板
は、従来の方法に１９焼結し１ζターゲツト板に比べて
、成形圧で１／３と低いにも刀＞ｐ＞わらず曲げ強さは
２０倍以上となっており、刀）つ密度比においても同等
以上の値が得られている。
０−１９６８−４４Ｋｍつて測定ｔ、、 密ｉ比はＪｌ
ｓＺ２５００−３１９に準じ訓足を行ない評価を竹なつ
１ζ、表−１ 表−１〃）ら判るＬうに、この発明に係るターゲツト板
は、従来の方法に１９焼結し１ζターゲツト板に比べて
、成形圧で１／３と低いにも刀＞ｐ＞わらず曲げ強さは
２０倍以上となっており、刀）つ密度比においても同等
以上の値が得られている。
なおターケ゛ット板の原料としては、テルル粉末に限ら
すテルル合金の粉末も用いられる。
すテルル合金の粉末も用いられる。
以上説明し′ｆｃように、本発明に係るスノソツタリン
グ用ターゲット板は、テルルもしくはテルル合金の粉末
の加圧成形焼結に工って製造され、密度比７０〜９０％
で強い曲げ強さヶ有し、スノやツタリング時に急熱して
も割れやガスの発生がなくス／Ｊ’ツタリング作業を確
実に行なえる効果がある。
グ用ターゲット板は、テルルもしくはテルル合金の粉末
の加圧成形焼結に工って製造され、密度比７０〜９０％
で強い曲げ強さヶ有し、スノやツタリング時に急熱して
も割れやガスの発生がなくス／Ｊ’ツタリング作業を確
実に行なえる効果がある。
また、焼結法であるので、溶製法に比して揮発ロスが少
なくてすむ利点がある。
なくてすむ利点がある。
特許出願人 日本鉱業株式会社
手続補正書（方幻
特許庁長官 若杉 和犬 殿
１ 事件の表示
昭和５８年特許願第２３９９２３号
２ 発明の名称
スパッタリング用ターゲツト板
３ 補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 東京都港区虎）門二丁目ｌＯ′＃ｒ１号代表取締
役社長 Ｖ誠 苗に ４ 代理人 住所 〒１０５ 東京都港区虎ノ門１丁目１９番１４号 昭和５９年３月７日（発送日昭和５９年３月２７１）６
補正により増加する発明の数 ０ ７ 補正の対象 明細書第５頁 ８ 補正の内容 別紙の通り全文補正する。
役社長 Ｖ誠 苗に ４ 代理人 住所 〒１０５ 東京都港区虎ノ門１丁目１９番１４号 昭和５９年３月７日（発送日昭和５９年３月２７１）６
補正により増加する発明の数 ０ ７ 補正の対象 明細書第５頁 ８ 補正の内容 別紙の通り全文補正する。
Claims (1)
- （１） テルルもしくはテルル合金の粉末ケ加圧成形し
たのち、焼結して密歴比を７０〜９０％の間に調整した
ことケ特徴とするスパッタリング用ターケゝット板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23992383A JPS60131963A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23992383A JPS60131963A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131963A true JPS60131963A (ja) | 1985-07-13 |
| JPH0344145B2 JPH0344145B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=17051853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23992383A Granted JPS60131963A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131963A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6213569A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-22 | Mitsubishi Metal Corp | ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツト |
| JPS62148362A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-02 | 三菱マテリアル株式会社 | スパツタリング用タ−ゲツト材の製造法 |
| JPS6348632A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
| JPS63143258A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPH02170969A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Mitsubishi Metal Corp | ターゲット材の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP23992383A patent/JPS60131963A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6213569A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-22 | Mitsubishi Metal Corp | ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツト |
| JPS62148362A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-02 | 三菱マテリアル株式会社 | スパツタリング用タ−ゲツト材の製造法 |
| JPS6348632A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
| JPS63143258A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPH02170969A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Mitsubishi Metal Corp | ターゲット材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344145B2 (ja) | 1991-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960011244B1 (ko) | 텅스텐-티탄 스퍼터링 타겟트의 제조방법 | |
| US7829200B2 (en) | Magnesium-based composite material and method for making the same | |
| JPS59136480A (ja) | 陰極スパツタリング用タ−ゲツト | |
| KR910001833A (ko) | 성형체의 제조방법 | |
| JP4729253B2 (ja) | 一酸化けい素焼結体および一酸化けい素焼結ターゲット | |
| KR20030007448A (ko) | 고밀도 성형 부품의 제조를 위한 분말 야금 방법 | |
| CN112974774A (zh) | 一种银基复合材料及其制备方法 | |
| JP2000216278A (ja) | 半導体パッケ―ジと、それに用いる放熱基板の製造方法 | |
| JPS60131963A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト板 | |
| GB2074609A (en) | Metal binder in compaction of metal powders | |
| JP3325390B2 (ja) | 圧縮成形と焼結による部品製造のための金属粉末並びに該粉末の製造方法 | |
| JPH0135914B2 (ja) | ||
| JP2006207007A (ja) | タングステン合金の製造方法とそのタングステン合金 | |
| JP3710021B2 (ja) | 酸化錫−酸化第一アンチモン焼結体ターゲットおよびその製造方法 | |
| CN109355541B (zh) | 一种制备高密度钨铜合金的方法 | |
| JPS62501860A (ja) | 鉄合金の成形品の製造方法 | |
| CN105525260A (zh) | Mo靶坯及Mo靶材的制作方法 | |
| TW219354B (en) | Strengthening of multi-layer ceramic/glass articles | |
| JPH055139A (ja) | 銀又は銀銅合金−金属酸化物複合材料の製造方法 | |
| JPH0360914B2 (ja) | ||
| JPH04180534A (ja) | 高熱伝導低膨脹率金属部材及びその製造方法 | |
| US4050620A (en) | Method of welding a friction material to a reinforcing member | |
| JP5199091B2 (ja) | ＳｉＣ質焼結体及びその製造方法 | |
| JPS62222846A (ja) | 長繊維金属複合材料の製造方法 | |
| JPH07278693A (ja) | タングステン基焼結重合金の製造方法 |