JPS60133535A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は基体上に真空蒸着、イオンブレーティング、ス
パッタリング又はメッキ法等により設けた強磁性金属薄
膜の磁性層を有する磁気記録媒体の表面改質に関するも
のである。

強磁性金属薄膜の磁性層を有する磁気記録媒体は高密度
の磁気記録性に優れているため、近年オーディオ録音、
ビデオ録画用テープとして特に注目されている。しかし
、この金属磁性層は腐食し易く、また磁気ヘッド等の接
触走行により摩耗し易い。そこで、該テープの表面に対
し電磁変換特性を低下させることなく、耐食性、耐摩耗
性を向上し低摩擦性で薄く均一な厚さを有し強固な密着
力と平面性を付与する表面処理剤と処理方法が多く研究
開発されている。

従来提案されている方法のひとつとして、金属薄膜表面
にマグネシウム、アルミニウム、白金、バナジウム、ク
ロム、チタン又はＳｉｎ、等の如き無機金属又は無機酸
化物の膜を形成する方法がある。

しかし、この方法は生成した膜の欅擦性および耐食性並
びにコスト面において特に問題がある。また、磁性金属
表面に潤滑性向上のためワックスや脂肪酸／脂肪酸エス
テル界面活性剤等を化学的に吸着させる方法も提案され
ている。この場合、膜の形成は容易に行なうことができ
、摩擦性は低いけれど、単に吸着のみによって形成され
ているため耐摩耗性、耐食性に劣り、また繰り返し走行
によって変化するという欠点がある。

このため、磁性層上に高分子化合物の被膜を形成１ろ方
法が一般的に採用されている。この被膜は耐食性につい
ては若干の効果を示す。しかし、基体としてポリエチレ
ンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド等の薄いフ
ィルムが用いられているため、高温で反応する高分子化
合物を使用することができない。従って、高分子化合物
としては常温か低温で反応する化合物だけが使用されて
いるにすぎない。一般に、常温又は低温で反応する高分
子化合物は分子量が大きいため、生成する膜の架橋密度
は低くなる。また、被膜の厚さが厚くなるため、電磁変
換特性の観点から好ましい結果が得られない。被膜の許
容厚みはスペーシングロスと称する電磁変換特性の点か
らたかだか５００λ、望ましくは２００λ程度である。

その上、架橋密度が低いために、耐摩耗性、耐薬品性の
点で問題がある。

高分子化合物の被膜を熱の利用なしで紫外線又は放射線
を利用した反応により形成することが特許公開公報５４
−１２３９２２．５４−１２３９２３．５７−’８９２
７および５７−１８０２８号等に提案されている。

しかし、これらの方法でも生成した被膜が２００〜５０
０人の厚みでは完全に水分の侵入を防止することは困難
であり、更に滑剤等を添加しても耐食性を向上させ、低
摩擦で耐摩耗性等の耐久性を維持することも困難である
。また、ブロッキング現象を起し易く、十分満足な走行
安定性および耐久性を有する磁気記録媒体を得ることが
できなかった。

本発明の目的は上述した従来技術の諸欠点を解消し、基
体上に設けた強磁性金属薄膜の磁性層を有する記録媒体
の表面又は表裏両面を処理して電磁変換特性を低下させ
ることなく低摩擦性で耐摩耗性、耐食性、走行安定性お
よび耐久性が優れた磁気記録媒体を提供せんとするにあ
る。

本発明は、ポリエチレンテレフタレートフィルム（以下
ＰＥＴフィルムと称する）、ポリイミドフィルム又はポ
リアミドフィルム等の如き基体上に真空蒸着、イオンブ
レーティング、スパッタリング又はメッキ法等によりＦ
ｅ　、　Ｃｏ　、　Ｎｌ又はこれらを主成分とする合金
の強磁性金属薄膜を磁性層として設けた後、その表面又
は表裏両面にα、β−エチレン性不飽和カルボニル基を
２個以上有する平均分子量が５００〜３，０００のイソ
シアヌル誘導体化合物（５）と、重合反応性基を有する
シリコーンモノマー又はオリゴマー（Ｂ）との反応生成
物よりなる保護膜を設けたことを特徴とする。

本発明においては、磁性層を設けた後所要に応じて該磁
性層の耐久性および一密着性を向上させるため高分子化
合物又は無機物（８％０１等）の塗布、磁性体自体の合
金化等の下地処理を施して磁性層表面上に下地層を形成
することができる。

本発明によれば、磁性層表面又は下地層の表面ヒに直接
若しくは記録媒体の表裏両面に密着性を有し低分子量で
高架橋密度で耐摩耗性および耐食性等を向上し得るイソ
シアヌル誘導体化合物図と、低摩擦性、溌水溌油性およ
び非粘着性等を有するシリコーンモノマー又はオリゴマ
ー（Ｂ）とをラジカル反応等により迅速に反応させて保
護膜を形成する。このようにして形成した保護膜は磁性
層に悪影響を及ぼさず、電磁変換特性を低下させること
なく低摩擦性で耐食性および耐摩耗性等が優れているの
で、走行安定性および耐久性に優れた磁気記録媒体が得
られる。

本発明に用いるインシアヌル誘導体化合物（５）は２個
以上のα、β−エチレン性不飽和カルボニル基、好まし
くはアクリロイル又はメタクリロイル基と、５００〜ａ
、ｏｏｏの平均分子量とを有するもので、その一つは次
の一般式 ０ ある）で表わされるトリス（ポリオキシアルキレンエー
テルアルキル）イソシアヌレートージ又はトリアクリレ
ートである。式（Ｉ）で表わされる化合物（ａ）を例示
すれば、トリス（２−ヒドロキシエチル）インシアヌレ
ート−ジアクリレート、トリスも２−ヒドロキシプロピ
ル）イソシアヌレート−ジアクリレート、トリスそ２−
ヒドロキシエチル）インシアヌレート−トリアクリレー
ト又はトリメタクリレート、トリス（２−ヒドロキシプ
ロピル）インシアヌレート−トリアクリレート又はトリ
メタクリレート等がある。化合物（ａ）の出発原料とし
ては保護膜に適度の硬度を与えるエチレンオキサイド又
はプロピレンオキサイドが好ましい。式中のｎは１５を
越えると、硬度が低下し、耐摩耗性および耐食性が劣化
するので好ましくなく、特にｎは１〜７の範囲が好適で
ある。本発明では上記化合物＋８）単独又はこれと２．
４−　）リレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイ
ンシアネート、イソホロンジイソシアネートの如きポリ
イソシアネート、末端イソシアネート基含有ウレタンプ
レポリマー等との反応によって得た化合物をイソシアヌ
ル誘導体化合物（Ａ）として用いる。後者の化合物を生
成する際には、２．４−　）リレンジイソシアネート又
はクレタンプレポリマーを用いるのが耐食性および耐摩
耗性の点で好ましい。ところで、これら物性は後述する
化合物（Ｂ）、式（Ｔｌ中のｎおよびアクリロイル基等
によって変化するので、化合物（３）の特性は分子量と
反応基に左右される。特に、反応基が多くなると、架橋
密度が高くなり、耐摩耗性等が向上するが、クラックが
発生したり密着性が悪くなることがある。後者の問題を
解決するため平均分子量を５００〜３，０００、好まし
くは５００〜２．０００位にする。

本発明に用いる化合物（Ｂ）は重合反応性基を有するシ
リコーンモノマー又はオリゴマーで、フィルム１、プラ
スチック、金属等の表面処理に適用して耐熱性、溌水祝
油性、非粘着性、低摩擦性、防汚性を付与するものであ
る。かかる化合物（Ｂ）を例示すれば、ビニル基含有シ
ランカップリング剤（たとえば、ビニル）ＩＪエトキシ
シラン等）末端にアクリロイル基含有紫外線硬化型シリ
コーンオリゴマーを反応させたもの、アクリル又はメタ
クリル酸クロライドとオルガノクロルシランとの反応生
成物およびその誘導体等がある。

本発明によれば、化合物（Ａ）と化合物の）とを混合し
てうυカル反応により被膜を形成する。この混合物はル
４３＝１．０以上の混合比（重量％）を有するものであ
る。被膜を熱によるラジカル反応で形成する場合、混合
物に一般的に使用されるケトンパーオギサイド、ハイド
ロパーオキサイド等の有機過酸化物又はアゾビスイソブ
チルニトリル等のジアゾ化合物を開始剤として添加する
。紫外線硬化反応により被膜を形成する場合、混合物に
ベンゾイルアルキルエーテル、ベンゾフェノン系開始剤
、チオキナントン系開始剤又はジントキンアセトフエノ
ンを添加する。放射線重合反応の場合には、かかる開始
剤を混合物に添加する必要はない。

混合物を塗布する際の手段によっては、反応性モノマー
をはじめとして粘度低下のための各種の溶剤あるいは帯
電防止剤、レベリング剤等の添加剤を混合物に添加して
もよい。

混合物を記録媒体の裏面に塗布する場合、該混合物にワ
ックス、体質顔料、金属酸化物および固体潤滑剤等を添
加すると、所期の効果がより向上する。

上述した種々の組成を有する混合物の塗布は公知の方法
、たとえばグラビヤコート、グラビヤオフセットコート
、スリットリバースコート、スプレーコート、カーテン
フローコートまたはナイフコート等の方法により表面の
膜厚は約２００人、裏面の膜厚は数μｍ以下になるよう
実施する。

次に本発明を実施例につき説明するが、これに限定せん
とするものではｔｘい。

実施例　１ １２μｍ厚のＰＥＴフィルム上に強制的に酸素ガスを導
入しながら真空蒸着法により８０％Ｃｏ−２０％歯より
なる強磁性合金薄膜の磁性層を形成して蒸着テープを得
た。

この蒸着テープの表面に下記の組成よりなる処理剤をス
リットリバースコート法により塗布して約２００λ厚の
保護膜を有する磁気記録媒体を得た。

（重量部） ネオペンチルグリコールジアクリレート２５部実施例　
２ 実施例１と同様にして得た蒸着テープの表面に下記の組
成よりなる処理剤を塗布し、紫外線照射（りＶオ電機製
の高圧水銀灯を使用）により硬化させて約２００λ厚の
保護膜を有する磁気記録媒体を得た。

実施例　３ 実施例１と同様にして得た蒸着テープの表面に下記の組
成を有する処理剤を塗布し、実施例２と同様に処理して
約２００λ厚の保綾膜を有する磁気記録媒体を得た。

紫外線開始剤（実施例２と同じ）　５部添加剤（レベリ
ング剤）　２部 実施例　４ 実施例３に用いた組成から紫外線開始剤を除いた処理剤
を蒸着テープの表面Ｃニ塗布して電子線照射して硬化さ
せることにより約２００λ厚の保護膜を有する磁気記録
媒体を得た。

実施例　５ 蒸着テープの表面に実施例３と同様の処理を行う一方、
その裏面に下記の組成を有する処理剤をクラビヤコート
法により塗布して紫外線により硬化させて約１μ厚の裏
面保護膜を含む磁気記録媒体を得た。

実施例３の組成物　９６部 ＰＲワックス　３部 脂肪酸エステル　１部 （実施例１と同様の混合溶剤で希釈） 実施例　６ 実施例４と同様にして得た磁気記録媒体の裏面に実施例
５と同様の組成でＰＲワックスの代りにＰＴＦＥ粒子を
用いた処理剤をグラビヤコート法により塗布し、電子線
照射により硬化させて約１μ厚の裏面保護膜を含む記録
媒体を得た。

比較例　１ 実施例１と同様にして得た蒸着テープの表面にステアリ
ン酸をスリットリバースコート法により塗布して約２０
０λ厚の保護膜を有する磁気記録媒体を得た。

比較例　２ 蒸着テープの表面に下記の組成を有する処理剤を実施例
２と同様にして塗布し、硬化させて約２００λ厚の保Ｗ
ｒｌ膜を有する磁気記録媒体を得た。

比較例　３ 比較例２の磁気記録媒体の裏面に実施例５と同様の処理
を施して約１μ厚の裏面保護膜を含む記録媒体を得た。

このようにして得た実施例１〜６および比較例１〜３の
各磁気記録媒体に対し、電磁変換特性、耐食性、動摩擦
係数、耐摩耗性および密着性を後述する方法に従って評
価して次の第１表に示す結果を得た。

電磁変換特性：　ビデオデツキを使用し、１〜４ＭＨｚ
の周波数における未処理物に対する出力変動を観察した
。

耐食性：　試料を６０チおよび９０１　ＲＨの加湿雰囲
気中に保存して、その表面の経時変化を顕微鏡により観
察した。

動摩擦係数（μ）：　ステンレス棒に対する試料表面の
動摩擦係数を測定した。

耐摩耗性：　試料をビデオデツキに装着し、５分間走行
させた後、表裏面のキズ、剥離の種度を顕微値で観察し
、判定した。

密着性：　ゴパン目セロテープ試験を行って判定した。

（以下余白） 第　１　表 耐摩耗性および密着性はＸ〜◎で評価した。

第１表の結果から明らかなように、本発明に係る化合物
置と化合物−）との反応生成物よりなる保護膜を具えた
磁気記録媒体は電磁変換特性を低下させることなく、低
摩擦性で、耐食性および耐摩耗性が優れており、また耐
久性および走行安定性も極めて良好である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　基体上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層を設け
   た磁気記録媒体において、該磁気記録媒体の表面又は表
   裏両面にα、β−エチレン性不飽和カルボニル基を２個
   以上有する平均分子量が５００〜３，０００のインシア
   ヌル誘導体化合物（Ａ）と、重合反応性基を有するシリ
   コーンモノマー又はオリゴマー（Ｂ）との反応生成物よ
   りなる保護膜を設けたことを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）　α、β−エチレン性不飽和カルボニル基はアク
   リロイル基又はメタクリロイル基である特許請求の範囲
   第１項記載の磁気記録媒体。