JPS60134440A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS60134440A
JPS60134440A JP58242009A JP24200983A JPS60134440A JP S60134440 A JPS60134440 A JP S60134440A JP 58242009 A JP58242009 A JP 58242009A JP 24200983 A JP24200983 A JP 24200983A JP S60134440 A JPS60134440 A JP S60134440A
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wiring
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wirings
interlayer insulating
pair
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雅一 山本
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亮 正木
Ryotaro Kamikawai
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置に係り、特に大規模高速
集積回路装置の配線構造の改良に関する。
〔発明の背景〕
従来の半導体集積回路装置における装置内の信号伝送は
、回路の出力の近傍に抵抗を置くいわゆる送端終端によ
る信号伝送が行なわれてきた。この伝送方式では、配線
長の２乗に比例して伝播遅れが大きくなる。第１図の破
線１はこの状態を示したもので、従来プリント基板等で
用いられてきた遠端終端による信号伝送を示す破線２に
比べると、配線長が長くなると、送端終端は非常に不利
になる。
一方、遠端終端を用いるためには、配線抵抗を小さくし
なければ、信号振幅が小さくなるためマージンが不足す
る。第１図の実Ｉ％３および実線４は、エミッタカップ
ルドロジック回路を例に、信号の高レベルと低レベルの
配線長による電圧変化を示したものである。配線抵抗が
１０Ω／ｃＩ１１、終端抵抗が５０Ωの場合、配線長が
１０ｃｍで振幅は１／２になってしまい正常な動作は期
待出来なくなる。
信号振幅の減少を助ける方法としては、相補の信号を伝
送し、差動回路を駆動することにより、実効的に振幅を
２倍にして使う方法がある。第２図は、エミッタカップ
ルドロジック回路の例を示したもので、左側の第１の回
路の相補する２倍号（ＯＲ信号５．ＭＯＲ信号６）で、
右側の第２の回路を駆動している。この回路形式では、
２倍号間の電位差が数１０ｍＶあれば第２の回路は正し
く動作することができる。
しかしながら、従来この伝送方式を実現する配線構造と
して考えられていたのは、第３図に示すように、相補す
る２信号を伝送する配線７および配線８が、電源・接地
層９に対して平行な同一平面上にある構造である。（例
えば、関他；昭和５７年度電子通信学会総合全国大会８
３−３）この構成では配線７と配線８の間の電磁気的結
合が弱くなるため、隣接する配線との間で、漏話が大き
くなるという欠点があり、またこの構成では。
第３図（ｂ）に示すように多層化する場合、上下の配線
間の漏話を防ぐため、必ず接地・電源層９を設けなけれ
ばならないため、層数が増加してしまうという欠点があ
った。
【発明の目的〕
本発明の目的とするところは、サイズの大きい半導体集
積回路装置上において、相補する信号を２本伝送すると
きに、漏話の少ない配線構造を提供するところにある。
〔発明の概要〕
本発明は、電源・接地層の面に垂直な方向に配線を２本
重ねて形成し、上下の配線の間の強い電磁気結合を利用
して、隣接する配線との漏話を小さくしようとするもの
である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第４図により説明する。第４
図（ａ）は本発明による配線の基本的な構造を示す断面
図で、電源・接地層１０の上に層間絶縁膜（図示せず）
を隔てて配線１１を形成し、さらに、配線１１層間絶縁
膜を介して配線１２を形成し、さらにその上に層間絶縁
膜を介して電源・接地層１３を重ねる。本実施例によれ
ば、配線１１と配線１２の間の対向面積が大きくとれる
ため、上下配線間の電磁気的結合が大きくなり、隣接す
る配線への漏話は小さくなるという効果がある。各配線
の寸法を第５図のように定義し、例えば、表１に示す寸
法で配線を作成するｌと、特性は、表２のようになる。
表　１ 表２ 第４図（ｂ）は、直交または斜行する２方向の配線があ
る場合のスルーホール部を示したもので、第１の方向の
配線１４の上に第２の方向の配線１５を置き、さらに第
１の方向の配線１６．第２の方向の配線１７を重ねる。
このように配線層を構成することにより、第１と第２の
方向につなぐスルーホール１８は、上下同じ位置にあけ
ればよく、全体のスルーホール数を少なくすることがで
き、歩留りの向上に役立てることができる。
また配線の特性インピーダンスは、高いほうが消費電力
が少なくてすみ望ましいが、配線の幅。
厚さを同じにした場合、同量の配線チャネルをもつ従来
例の第３図（ｂ）と比較した場合、同じ厚さの基板では
インピーダンスは、本実施例のぼうが高くなるという効
果がある。また層数も少なく、製造プロセスが容易にな
るという効果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、大規模集積回路上に相補信号を伝送す
る２本ペアの配線を効率よく作成することができ、配線
間の漏話を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は配線長と信号電圧、伝播遅れ時間を示すグラフ
、第２図は相補信号を伝送する差動回路の回路図、第３
図は従来の配線構造を示す縦断面７．８・・・配線ペア
、９・・・接地・電源層、１０゜１３・・・接地・電源
層、１１．１２・・・配線ペア、１４．１６・・・第１
の方向の配線ペア、１５．１７第１図 −ｙ　−ｖ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板と層間絶縁膜および信号配線、電源・接地層
    からなる半導体集積回路装置において、上記信号配線を
    、上記半導体基板に垂直な方向に２本ずつペアーとなる
    ように設け、これらのペアの信号配線に相補の信号を伝
    送することを特徴とする半導体集積回路装置。
JP58242009A 1983-12-23 1983-12-23 半導体集積回路装置 Granted JPS60134440A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62181448A (ja) * 1986-02-04 1987-08-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
JPH04109624A (ja) * 1990-08-29 1992-04-10 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路
US5146119A (en) * 1989-01-13 1992-09-08 Hitachi, Ltd. Switching circuit and its signal transmission method
JPH04271390A (ja) * 1991-02-27 1992-09-28 Sharp Corp 表示装置駆動用半導体装置
US5214318A (en) * 1990-01-12 1993-05-25 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having a signal transmission line pair interconnected by propagation delay time control resistance
JP2008537849A (ja) * 2005-04-08 2008-09-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション オンチップのミリメートル波用途のための集積回路変圧器デバイス

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198753A (ja) * 1983-12-13 1985-10-08 フェアチャイルド　セミコンダクタ　コーポレーション 超ｌｓｉ集積回路における信号伝播損失を減少させる方法及び装置
US4833521A (en) * 1983-12-13 1989-05-23 Fairchild Camera & Instrument Corp. Means for reducing signal propagation losses in very large scale integrated circuits
DE3706251A1 (de) * 1986-02-28 1987-09-03 Canon Kk Halbleitervorrichtung
JPS62243345A (ja) * 1986-04-15 1987-10-23 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
CA1320006C (en) * 1986-06-02 1993-07-06 Norio Hidaka Package for integrated circuit
US5097232A (en) * 1989-06-16 1992-03-17 Environmental Research Institute Of Michigan Transmission lines for wafer-scale integration and method for increasing signal transmission speeds
JPH088321B2 (ja) * 1987-01-19 1996-01-29 住友電気工業株式会社 集積回路パツケ−ジ
KR0130776B1 (ko) * 1987-09-19 1998-04-06 미다 가쓰시게 반도체 집적회로 장치
JP2601867B2 (ja) * 1988-03-31 1997-04-16 株式会社東芝 半導体集積回路実装基板、その製造方法および半導体集積回路装置
US4831283A (en) * 1988-05-16 1989-05-16 Bnr Inc. Terminator current driver with short-circuit protection
US5043792A (en) * 1989-04-17 1991-08-27 Nec Corporation Integrated circuit having wiring strips for propagating in-phase signals
JPH0750708B2 (ja) * 1989-04-26 1995-05-31 株式会社東芝 半導体装置
US5063432A (en) * 1989-05-22 1991-11-05 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit lead assembly structure with first and second lead patterns spaced apart in parallel planes with a part of each lead in one lead pattern perpendicular to a part of each lead in the other lead pattern
US5157477A (en) * 1990-01-10 1992-10-20 International Business Machines Corporation Matched impedance vertical conductors in multilevel dielectric laminated wiring
US5329155A (en) * 1990-04-24 1994-07-12 Xerox Corporation Thin film integrated circuit resistor
JPH04267586A (ja) * 1991-02-22 1992-09-24 Nec Corp 同軸配線パターンおよびその形成方法
JPH05143535A (ja) * 1991-10-18 1993-06-11 Toshiba Corp 半導体集積回路
US5258661A (en) * 1992-04-20 1993-11-02 International Business Machines Corporation High noise tolerance receiver
US5338970A (en) * 1993-03-24 1994-08-16 Intergraph Corporation Multi-layered integrated circuit package with improved high frequency performance
US5389735A (en) * 1993-08-31 1995-02-14 Motorola, Inc. Vertically twisted-pair planar conductor line structure
US5459284A (en) * 1993-08-31 1995-10-17 Motorola, Inc. Twisted-pair wire bond and method thereof
US5397862A (en) * 1993-08-31 1995-03-14 Motorola, Inc. Horizontally twisted-pair planar conductor line structure
US5471010A (en) * 1993-08-31 1995-11-28 Motorola, Inc. Spatially separated uninsulated twisted wire pair
US5376902A (en) * 1993-08-31 1994-12-27 Motorola, Inc. Interconnection structure for crosstalk reduction to improve off-chip selectivity
US5430247A (en) * 1993-08-31 1995-07-04 Motorola, Inc. Twisted-pair planar conductor line off-set structure
JP3160198B2 (ja) * 1995-02-08 2001-04-23 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション デカップリング・コンデンサが形成された半導体基板及びこれの製造方法
JPH09107048A (ja) 1995-03-30 1997-04-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
JPH097373A (ja) * 1995-06-20 1997-01-10 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置
EP0837503A3 (en) * 1996-10-16 1998-07-15 Digital Equipment Corporation Reference plane metallization on an integrated circuit
US6054758A (en) * 1996-12-18 2000-04-25 Texas Instruments Incorporated Differential pair geometry for integrated circuit chip packages
JP3500268B2 (ja) * 1997-02-27 2004-02-23 京セラ株式会社 高周波用入出力端子ならびにそれを用いた高周波用半導体素子収納用パッケージ
US6215373B1 (en) * 1998-05-19 2001-04-10 Sun Microsystems, Inc. Method for edge termination of parallel conductive planes including estimating the characteristic impedance of the structure
US6104258A (en) * 1998-05-19 2000-08-15 Sun Microsystems, Inc. System and method for edge termination of parallel conductive planes in an electrical interconnecting apparatus
US6133621A (en) * 1998-10-15 2000-10-17 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated shielded electric connection
US6118350A (en) * 1998-11-10 2000-09-12 Gennum Corporation Bus through termination circuit
US6094062A (en) * 1998-11-12 2000-07-25 International Business Machines Corporation Coupled noise reduction circuitry
JP4363716B2 (ja) * 1999-06-25 2009-11-11 株式会社東芝 Ｌｓｉの配線構造の設計方法
EP1113497A3 (en) 1999-12-29 2006-01-25 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with conductor impedance selected during assembly
US7170361B1 (en) 2000-04-13 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Method and apparatus of interposing voltage reference traces between signal traces in semiconductor devices
US6727774B1 (en) 2000-06-19 2004-04-27 Sun Microsystems, Inc. Bypass capacitor methods for achieving a desired value of electrical impedance between parallel planar conductors of an electrical power distribution structure, and associated electrical power distribution structures
US6462423B1 (en) 2000-08-31 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Flip-chip with matched lines and ground plane
US6627999B2 (en) 2000-08-31 2003-09-30 Micron Technology, Inc. Flip-chip with matched signal lines, ground plane and ground bumps adjacent signal bumps
JP3487283B2 (ja) * 2000-10-31 2004-01-13 三菱電機株式会社 差動ストリップ線路垂直変換器および光モジュール
US6525622B1 (en) 2000-11-17 2003-02-25 Sun Microsystems, Inc. Adding electrical resistance in series with bypass capacitors to achieve a desired value of electrical impedance between conducts of an electrical power distribution structure
US7397320B1 (en) * 2001-05-16 2008-07-08 Cadence Design Systems, Inc. Non-uniform transmission line for reducing cross-talk from an aggressor transmission line
US7061342B2 (en) * 2001-12-28 2006-06-13 Molex Incorporated Differential transmission channel link for delivering high frequency signals and power
KR100779431B1 (ko) * 2007-07-19 2007-11-26 브로콜리 주식회사 전자파 차폐기능을 갖는 평면 균일 전송선로
DE202008009225U1 (de) * 2008-07-09 2008-09-18 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Streifenleitung mit Durchkontaktierung
US8058953B2 (en) 2008-12-29 2011-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Stacked coplanar waveguide having signal and ground lines extending through plural layers
US9131604B1 (en) * 2011-04-01 2015-09-08 Altera Corporation Intertwined pair of conductive paths arranged in a dielectric stack and having at least three metal layers
WO2014015913A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) An improved quadrature hybrid
US20140184350A1 (en) * 2012-12-27 2014-07-03 Texas Instruments Incorporated Two layer differential pair layout, and method of making thereof, for reduced crosstalk
US9270002B2 (en) * 2013-07-22 2016-02-23 Raytheon Company Differential-to-single-ended transmission line interface
US10153238B2 (en) * 2014-08-20 2018-12-11 Samsung Display Co., Ltd. Electrical channel including pattern voids
JP7091862B2 (ja) * 2018-06-14 2022-06-28 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 可変減衰器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5870554A (ja) * 1981-10-23 1983-04-27 Hitachi Ltd 半導体集積回路

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3329835A (en) * 1964-11-20 1967-07-04 Rca Corp Logic arrangement
US3543198A (en) * 1967-07-21 1970-11-24 Telefunken Patent Conductor arrangement for gigahertz frequency range circuits
US3723761A (en) * 1971-09-21 1973-03-27 Hitachi Ltd Emitter-emitter coupled logic circuit device
US3742468A (en) * 1972-05-03 1973-06-26 Electric Processors Inc Means for the reliable transmission of digital signals across slip rings and the like
US3918148A (en) * 1974-04-15 1975-11-11 Ibm Integrated circuit chip carrier and method for forming the same
US3985597A (en) * 1975-05-01 1976-10-12 International Business Machines Corporation Process for forming passivated metal interconnection system with a planar surface
US4210885A (en) * 1978-06-30 1980-07-01 International Business Machines Corporation Thin film lossy line for preventing reflections in microcircuit chip package interconnections
NL7810942A (nl) * 1978-11-03 1980-05-07 Philips Nv Ondersteunde microstriplijn voor de propagatie van een oneven golfmodus.
US4379307A (en) * 1980-06-16 1983-04-05 Rockwell International Corporation Integrated circuit chip transmission line
EP0053214B1 (fr) * 1980-11-28 1987-08-26 International Business Machines Corporation Système de distribution de signaux numériques
JPS594231A (ja) * 1982-06-30 1984-01-11 Hitachi Ltd 高速論理回路
US4514749A (en) * 1983-01-18 1985-04-30 At&T Bell Laboratories VLSI Chip with ground shielding

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5870554A (ja) * 1981-10-23 1983-04-27 Hitachi Ltd 半導体集積回路

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62181448A (ja) * 1986-02-04 1987-08-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
US5146119A (en) * 1989-01-13 1992-09-08 Hitachi, Ltd. Switching circuit and its signal transmission method
US5214318A (en) * 1990-01-12 1993-05-25 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having a signal transmission line pair interconnected by propagation delay time control resistance
JPH04109624A (ja) * 1990-08-29 1992-04-10 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路
JPH04271390A (ja) * 1991-02-27 1992-09-28 Sharp Corp 表示装置駆動用半導体装置
JP2008537849A (ja) * 2005-04-08 2008-09-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション オンチップのミリメートル波用途のための集積回路変圧器デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
DE3446614A1 (de) 1985-07-11
DE3446614C2 (ja) 1990-05-23
US4626889A (en) 1986-12-02
JPH0576782B2 (ja) 1993-10-25

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