JPS60134470A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS60134470A
JPS60134470A JP58242994A JP24299483A JPS60134470A JP S60134470 A JPS60134470 A JP S60134470A JP 58242994 A JP58242994 A JP 58242994A JP 24299483 A JP24299483 A JP 24299483A JP S60134470 A JPS60134470 A JP S60134470A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
source
si3n4
silicon
shaped
Prior art date
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Pending
Application number
JP58242994A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP58242994A priority Critical patent/JPS60134470A/ja
Publication of JPS60134470A publication Critical patent/JPS60134470A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
    • H10D30/6732—Bottom-gate only TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
    • H10D30/6743—Silicon
    • H10D30/6745—Polycrystalline or microcrystalline silicon

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  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｒ技術分野〕 本発明は薄膜半導体装置（ＴＰＴ　）の構造に関す札 〔従来技術〕 従来、ＴＰＴＨ１石英基板上にシリコン膜を形成シ、該
シリコン膜にトランジスタを形成するのが通例であ一六
。
しかし、上記従来技術によると１石英基板がコスト高に
なる車及びもしガラス基板を用いると、ガラス中に含有
されるＮｃｌ、によりＴＦＴの特性が変動すること、等
の欠点がちりた。
〔目的〕
本発明は、かかる従来技術の欠点を？Ｃくし、廉価なガ
ラス基板上に安定なＴＰＴを製作できる構造を提供する
ことを目的とする。
〔概要〕
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、ガラス基板上には第１のシリコン窒化
膜が形成され、該第１のシリコン窒化膜上にはシリコン
膜が形成され、該シリコン膜上には第２のシリコン窒化
膜が形成され、前記シリコン膜がシリコン窒什膜で全面
被覆されて成ることを特徴とする。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＭＯＥ型ＦＥＴによろ
ＴＦＴのＷ′ｌ而図面ある、ナなもち、コーニング７０
５９　等のガラス基板１の表面には、けゲ−）　ＴＩｆ
　ｉ　２が形成され、更に、その上に光ＣＶＤ竹１（よ
り年１のシリコン９化１［３がＹ成され、核第１のシリ
コン窒化１１１Ｊ　５４′）Ｎ面１Ｆ冬結晶化ｐｉＩｌ
醒４トなるアモルフ了スＳｉ　ｉｌｌを７“ラズマＯＶ
Ｄで形成後ホト・工・ノチ（Ｃより部分的に残在させ、
竿２のシリコン窒什嘩５を一：Ｉｔ　（！　Ｖ　Ｄ等に
より形成後前記アモルファスＢｉＮＬＸｆランプアニー
ル等により少なくとも所要部１を多結晶シリコン１α４
となし、＋ｔ　２のシリコン窒化膜５をホト・エッチし
てコンタクト穴開けし、〕−ス、ドレイン雷啄６，７を
印刷で形成【２て成る。
尚、　本発明は多結晶Ｐｉ　ｔＩｔＸによヌ）Ｔ　Ｐ　
Ｔのみならずアモルフ了ス５ｉ１１か及ヒ４　Ｄ　晶Ｆ
＋？：　ト−／　モＡ＝　ｙ了スＲｓ　１１４によるＴ
　Ｆ　Ｔ　Ａ！ＦＩＣも適用されることは言うまでもｔ
［い。
更に、本発明はシリコン窒化ｌＩα単層のみｌｔらずシ
リコン窒化膜とシリコン酸化膜の多層構造にも適用され
ることは言うまでもない。
〔効果〕
本発明のととぐ、シリコン瞳を全面シリコン伊化膜によ
る惺護障で神）夏すＡことにより、ガラス基板１からの
Ｎａ汚染が防止でもＴＰＴ特性の安定化が削れると共に
、ガラス基板１け石英基板より廉価にできるという効果
があみ。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すＴＰＴの断面（財）で
ある、 １・・・・・・ガラス基板　２・・・・・・ゲート′７
ｆｔ　極５・・・・・・第１の５ｉｓＮ＋膜　４・・山
シリコン膜５・・・・・・第２の８ｊａＮｓ嘩 ６．７・・・・・・ソース、ドレイン電極ｈＪ、　−） 出願人　株式会社　諏訪精工舎

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ガラス基板上にｌ−を第１のシリコン空化月算が形成さ
    れ、該第１のシリコン９化膜上にはシリコン膜が形成さ
    れ、該シリコン膜十には第２のシリコン窒化膜が形成さ
    れ、前記シリコン膜がシリコン窒化膜で全面被覆されて
    成ることを特徴とする半導体装置。
JP58242994A 1983-12-22 1983-12-22 半導体装置 Pending JPS60134470A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2573916A1 (fr) * 1984-11-26 1986-05-30 Sony Corp Procede de fabrication d'un film semi-conducteur mince et film ainsi obtenu
JPH02234438A (ja) * 1989-03-08 1990-09-17 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58118154A (ja) * 1982-01-07 1983-07-14 Seiko Epson Corp 半導体集積回路装置
JPS58134476A (ja) * 1982-02-05 1983-08-10 Mitsubishi Electric Corp 薄膜トランジスタ

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