JPS60135571A - スパツタリングにおけるタ−ゲツト取付方法 - Google Patents
スパツタリングにおけるタ−ゲツト取付方法Info
- Publication number
- JPS60135571A JPS60135571A JP24267483A JP24267483A JPS60135571A JP S60135571 A JPS60135571 A JP S60135571A JP 24267483 A JP24267483 A JP 24267483A JP 24267483 A JP24267483 A JP 24267483A JP S60135571 A JPS60135571 A JP S60135571A
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- JP
- Japan
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- target
- sputtering
- shield plate
- retainer
- periphery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はスパッタリングにおけるターゲット取付方法に
係り、特に絶縁物ターゲットを使用して高周波スパッタ
リングを行う場合のスパッタリングにおけるターゲット
取付方法に関する。
係り、特に絶縁物ターゲットを使用して高周波スパッタ
リングを行う場合のスパッタリングにおけるターゲット
取付方法に関する。
（ロ）従来技術
第１図は従来技術を説明するためのターゲット付近の模
式的説明図である。
式的説明図である。
図において、ＩＯはバンキングプレート３０の上に載置
したターゲットであって、このターゲットは例えばＡｌ
２Ｏ３等からなる絶縁物の円板である。
したターゲットであって、このターゲットは例えばＡｌ
２Ｏ３等からなる絶縁物の円板である。
２０は前記ターゲットの周辺を固定してこれを保持する
リテーナであって、例えばステンレス等の金属からなっ
ている。
リテーナであって、例えばステンレス等の金属からなっ
ている。
そして、前記リテーナ２０は金属なるバッキングプレー
ト３０に取りつけられてあり、従って前記ターゲットは
バッキングプレート３０とリテーナ２ｏの間隙に挟持さ
れる状態になっている。
ト３０に取りつけられてあり、従って前記ターゲットは
バッキングプレート３０とリテーナ２ｏの間隙に挟持さ
れる状態になっている。
４０は前記リテーナ及びターゲットの周辺部を囲むよう
に設けた金属からなるシールド板４０である。
に設けた金属からなるシールド板４０である。
５０は前記ターゲットを構成する物質、すなわちＡｌ２
Ｏ３をその上に堆積するべき基板であり、この基板は前
記ターゲットから所定距離離隔して空間に保持される。
Ｏ３をその上に堆積するべき基板であり、この基板は前
記ターゲットから所定距離離隔して空間に保持される。
なお、６Ｏは真空容器であって、この真空容器には排気
孔６１、ガス導入孔６２、高周波導入用のコネクタ６３
等が設けられている。
孔６１、ガス導入孔６２、高周波導入用のコネクタ６３
等が設けられている。
７０は高周波電源であって、その一端は前記シールド板
４Ｏ及び基板５０とともに接地される一方、その他端は
バンキングプレート３０に接続されている。
４Ｏ及び基板５０とともに接地される一方、その他端は
バンキングプレート３０に接続されている。
しかして、重要なことは従来技術にあっては第１図に図
示したようにシールド板４０とターゲット１０の表面に
はかなりの隙間りがあることである。
示したようにシールド板４０とターゲット１０の表面に
はかなりの隙間りがあることである。
かかる従来のスパッタリングの方法では、スパッタした
際に、基板上には本来堆積すべきＡｌ２Ｏ、のほかに前
記シールド板４０の成分が不純物として微少ではあるが
堆積することとなり、その痕跡はたとえばＥＳＣＡ等の
検出手段で容易にネ★出できる程度である。かかる僅か
な不純物成分は前記基板の物理的特性を大変に損ねるこ
ととなるので、不純物の全く含まれないスパッタリング
の方法が要請されている。
際に、基板上には本来堆積すべきＡｌ２Ｏ、のほかに前
記シールド板４０の成分が不純物として微少ではあるが
堆積することとなり、その痕跡はたとえばＥＳＣＡ等の
検出手段で容易にネ★出できる程度である。かかる僅か
な不純物成分は前記基板の物理的特性を大変に損ねるこ
ととなるので、不純物の全く含まれないスパッタリング
の方法が要請されている。
（ハ）目的
本発明は絶縁物からなるターゲットを高周波スパッタリ
ングする際に、本来堆積すべきターゲットの物質のみを
純粋にスパッタしうるスパッタリングにおけるターゲッ
ト取付方法を提供することを目的としている。
ングする際に、本来堆積すべきターゲットの物質のみを
純粋にスパッタしうるスパッタリングにおけるターゲッ
ト取付方法を提供することを目的としている。
に）構成
本発明に係るスパッタリングにお＋Ｊるターゲット取付
方法は絶縁物ターゲットを高周波スパッタする場合にお
いて、前記ターゲットの周辺を保持するリテーナを覆う
とともに、その周辺部が前記ターゲットの表面に当接ま
たは極めて近接せしめた状態でシールド板を被せるよう
にしたものである。
方法は絶縁物ターゲットを高周波スパッタする場合にお
いて、前記ターゲットの周辺を保持するリテーナを覆う
とともに、その周辺部が前記ターゲットの表面に当接ま
たは極めて近接せしめた状態でシールド板を被せるよう
にしたものである。
（ホ）実施例
実差利↓
第２図は本発明の一実施例の方法を説明するためのター
ゲット付近の模式的説明図である。
ゲット付近の模式的説明図である。
第２図において第１図と同一物は同一符号で示す。
第２図において重要なことは本発明にあっては第２図に
図示したようにシールド板４０はターゲット１０の表面
に当接或いは極めて近接した状態にある。
図示したようにシールド板４０はターゲット１０の表面
に当接或いは極めて近接した状態にある。
次１劃１
第３図は本発明の他の実施例の方法を説明するためのタ
ーゲット付近の模式的説明図である。
ーゲット付近の模式的説明図である。
第３図において第２図と同一物は同一符号で示す。特に
第３図においては、前記シールド板４０はターゲットの
上表面を覆ってはなく、その側面部分を覆っており、こ
の場合においてもターゲット１０はバンキングプレート
３０に接着されている。
第３図においては、前記シールド板４０はターゲットの
上表面を覆ってはなく、その側面部分を覆っており、こ
の場合においてもターゲット１０はバンキングプレート
３０に接着されている。
また前記シールド板４０はターゲソ目Ｏの側面の表面に
当接或いは極めて近接した状態にある。
当接或いは極めて近接した状態にある。
スパッタリングの工程、特にターゲットが絶縁物であっ
て、これに高周波を与える、所謂高周波スパッタリング
の物理的解明は充分にはなされていないが、本発明の構
成における真空容器内での電子やイオンのふるまいは凡
そ以下のようであると推察される。
て、これに高周波を与える、所謂高周波スパッタリング
の物理的解明は充分にはなされていないが、本発明の構
成における真空容器内での電子やイオンのふるまいは凡
そ以下のようであると推察される。
■真空容器内に導入した例えばアルゴンガスは高周波電
界によって電子とアルゴンイオン（Ａｒ＋）に電離され
る。
界によって電子とアルゴンイオン（Ａｒ＋）に電離され
る。
■■で電離された電子はその質量が小さいので、前記高
周波電界に応じてターゲットが正電位の期間、ターゲッ
トの方向に移動するが、計＋は質量大のためそのモビリ
ティは小さく移動しにくい状態にある。
周波電界に応じてターゲットが正電位の期間、ターゲッ
トの方向に移動するが、計＋は質量大のためそのモビリ
ティは小さく移動しにくい状態にある。
■ターゲットの正電位の期間にターゲットの方向に移動
した電子は絶縁物であるターゲットの表面に次第に堆積
し、ターゲットの表面電位を負の方向に帯電し、一定の
負電位で平衡する。
した電子は絶縁物であるターゲットの表面に次第に堆積
し、ターゲットの表面電位を負の方向に帯電し、一定の
負電位で平衡する。
■■のプロセスでターゲットの表面は負に帯電するので
、＾ｒ＋はターゲットの方向に移動しやすくなり、ター
ゲットをスパッタして、絶縁物を基板上に堆積する。
、＾ｒ＋はターゲットの方向に移動しやすくなり、ター
ゲットをスパッタして、絶縁物を基板上に堆積する。
■従来のスパッタリング方法では、上記した通りシール
ド板４０はターゲットから浮き上がっていたため、スパ
ッタしたＡｌ２Ｏ３はシールド板４０の表面に被着する
が、静子のシールド板４０への衝突により被着したＡ１
２ Ｏｇ Ｗ外にシールド板４０の構成成分をもスパッ
タされ、基板」−にこれらが堆積する。しかし、本発明
の場合は、シールド板４０はターゲット表面に当接また
は近接しているので、ターゲソ］・表面にある電子がシ
ールド板４０の表面に移動し、したがってシールド板４
Ｏは負の電位に成りやず＜ 、Ａ１２０３が厚く堆積し
、シールド板４０の構成成分はたとえＡｒ＋が衝突して
もスパッタされない状態となる。
ド板４０はターゲットから浮き上がっていたため、スパ
ッタしたＡｌ２Ｏ３はシールド板４０の表面に被着する
が、静子のシールド板４０への衝突により被着したＡ１
２ Ｏｇ Ｗ外にシールド板４０の構成成分をもスパッ
タされ、基板」−にこれらが堆積する。しかし、本発明
の場合は、シールド板４０はターゲット表面に当接また
は近接しているので、ターゲソ］・表面にある電子がシ
ールド板４０の表面に移動し、したがってシールド板４
Ｏは負の電位に成りやず＜ 、Ａ１２０３が厚く堆積し
、シールド板４０の構成成分はたとえＡｒ＋が衝突して
もスパッタされない状態となる。
（へ）効果
実施例で述べた■〜■の事柄は単に推察にすぎないもの
である。
である。
しかし、実験の結果では本発明のスパッタリングでは、
従来方法に比較して基板上には殆どシールド板４０の構
成成分の堆積は見られないことが判明している。すなわ
ち、ＥＳＣＡの検出レベルで不純物たるシールド板４０
構成成分は発見できないものであり、本発明の方法はよ
り純粋なスパッタリング手段を提供できるものである。
従来方法に比較して基板上には殆どシールド板４０の構
成成分の堆積は見られないことが判明している。すなわ
ち、ＥＳＣＡの検出レベルで不純物たるシールド板４０
構成成分は発見できないものであり、本発明の方法はよ
り純粋なスパッタリング手段を提供できるものである。
第１図は従来技術を説明するためのターゲット付近の模
式的説明図、第２図は本発明の一実施例の方法を説明す
るためのターゲット付近の模式的説明図、第３図は本発
明の他の実施例の方法を説明するためのターゲット付近
の模式的説明図である。 １０・・・ターゲット、２０・・・リテーナ、３０・・
・バッキングプレート、４０・・・シールド板、５０・
・・基板、６０・・・真空容器、７０・・・高周波電源
。 特許出願人 株式会社島津製作所 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第１図 第２図
式的説明図、第２図は本発明の一実施例の方法を説明す
るためのターゲット付近の模式的説明図、第３図は本発
明の他の実施例の方法を説明するためのターゲット付近
の模式的説明図である。 １０・・・ターゲット、２０・・・リテーナ、３０・・
・バッキングプレート、４０・・・シールド板、５０・
・・基板、６０・・・真空容器、７０・・・高周波電源
。 特許出願人 株式会社島津製作所 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）絶縁物ターゲソ１−を高周波スパツクする場合に
おいて、前記ターゲットの周辺を保持するリテーナを覆
うとともに、その周辺部が前記ターゲットの表面に当接
したシールド板を被せるようにしたことを特徴とするス
パッタリングにおけるターゲット取付方法。 - （２）絶縁物ターゲットを高周波スパッタする場合にお
いて、前記ターゲットの周辺を保持するリテーナを覆う
とともに、その周辺部が前記ターゲットの表面に極めて
近接したシールド板を被せるようにしたことを特徴とす
るスパッタリングにおけるターゲット取付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24267483A JPS60135571A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | スパツタリングにおけるタ−ゲツト取付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24267483A JPS60135571A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | スパツタリングにおけるタ−ゲツト取付方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60135571A true JPS60135571A (ja) | 1985-07-18 |
Family
ID=17092548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24267483A Pending JPS60135571A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | スパツタリングにおけるタ−ゲツト取付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60135571A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62260057A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-12 | ウエスチングハウス エレクトリック コ−ポレ−ション | スパツタ被覆装置のタ−ゲツト構造 |
| EP0254168A3 (de) * | 1986-07-19 | 1990-01-17 | Leybold Aktiengesellschaft | Zerstäubungskatode für Vakuum-Beschichtungsanlagen |
| FR2677043A1 (fr) * | 1991-05-29 | 1992-12-04 | Solems Sa | Procede, dispositif et appareil pour traiter un substrat par un plasma basse pression. |
| CN105980595A (zh) * | 2014-02-19 | 2016-09-28 | 堺显示器制品株式会社 | 溅射装置 |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP24267483A patent/JPS60135571A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62260057A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-12 | ウエスチングハウス エレクトリック コ−ポレ−ション | スパツタ被覆装置のタ−ゲツト構造 |
| EP0254168A3 (de) * | 1986-07-19 | 1990-01-17 | Leybold Aktiengesellschaft | Zerstäubungskatode für Vakuum-Beschichtungsanlagen |
| FR2677043A1 (fr) * | 1991-05-29 | 1992-12-04 | Solems Sa | Procede, dispositif et appareil pour traiter un substrat par un plasma basse pression. |
| CN105980595A (zh) * | 2014-02-19 | 2016-09-28 | 堺显示器制品株式会社 | 溅射装置 |
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