JPH11236663A - スパッタリングターゲット、スパッタリング装置およびスパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット、スパッタリング装置およびスパッタリング方法Info
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- JPH11236663A JPH11236663A JP4407398A JP4407398A JPH11236663A JP H11236663 A JPH11236663 A JP H11236663A JP 4407398 A JP4407398 A JP 4407398A JP 4407398 A JP4407398 A JP 4407398A JP H11236663 A JPH11236663 A JP H11236663A
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリング装置において、スパッタリン
グターゲットから叩き出された原子の一部がスパッタリ
ングターゲットに膜として付着した場合に、この付着し
た膜の剥がれを抑制する。 【解決手段】 スパッタリングターゲット1として、側
面にブラスト処理が施されたものを使用し、膜の剥がれ
を抑制する。
グターゲットから叩き出された原子の一部がスパッタリ
ングターゲットに膜として付着した場合に、この付着し
た膜の剥がれを抑制する。 【解決手段】 スパッタリングターゲット1として、側
面にブラスト処理が施されたものを使用し、膜の剥がれ
を抑制する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラス基板、半
導体ウエハ等の被処理対象の表面に金属膜等を成膜する
際に使用するスパッタリングターゲット、スパッタリン
グ装置およびスパッタリング方法に関する。
導体ウエハ等の被処理対象の表面に金属膜等を成膜する
際に使用するスパッタリングターゲット、スパッタリン
グ装置およびスパッタリング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】質の良い金属膜等を形成し得る成膜装置
の1つとしてスパッタリング装置が知られている。図5
はこの種のスパッタリング装置の一般的な構成例を示す
ものである。図5において、1は成膜のための材料であ
る金属等の原子を放出するスパッタリングターゲットで
あり、2はこのスパッタリングターゲット1を支持する
バッキングプレートである。これらのスパッタリングタ
ーゲット1およびバッキングプレート2はチャンバ3の
内部に置かれる。また、チャンバ3内の空間はシールド
4によって覆われており、この空間内にガラス基板等の
被処理対象物5が配置される。
の1つとしてスパッタリング装置が知られている。図5
はこの種のスパッタリング装置の一般的な構成例を示す
ものである。図5において、1は成膜のための材料であ
る金属等の原子を放出するスパッタリングターゲットで
あり、2はこのスパッタリングターゲット1を支持する
バッキングプレートである。これらのスパッタリングタ
ーゲット1およびバッキングプレート2はチャンバ3の
内部に置かれる。また、チャンバ3内の空間はシールド
4によって覆われており、この空間内にガラス基板等の
被処理対象物5が配置される。
【0003】このような構成において、チャンバ3内に
は、ある程度の真空度に保った状態でアルゴンガスが導
入される。そして、スパッタリングターゲット1とシー
ルド4との間には高電圧が印加される。この高電圧印加
によりチャンバ3内のアルゴンガスがプラズマ化し、ス
パッタリングターゲット1に衝突する。この衝突によ
り、スパッタリングターゲット1から叩き出された原子
がチャンバ3内を飛び、被処理対象物5の表面に付着
し、ターゲット1を構成していた原子からなる膜を形成
することとなる。以上が一般的なスパッタリング装置の
構成および原理である。
は、ある程度の真空度に保った状態でアルゴンガスが導
入される。そして、スパッタリングターゲット1とシー
ルド4との間には高電圧が印加される。この高電圧印加
によりチャンバ3内のアルゴンガスがプラズマ化し、ス
パッタリングターゲット1に衝突する。この衝突によ
り、スパッタリングターゲット1から叩き出された原子
がチャンバ3内を飛び、被処理対象物5の表面に付着
し、ターゲット1を構成していた原子からなる膜を形成
することとなる。以上が一般的なスパッタリング装置の
構成および原理である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のスパッタリング装置においては、スパッタリングタ
ーゲット1から叩き出された原子の一部が被処理対象物
5の成膜に使用されることなくチャンバ3内を漂い、ス
パッタリングターゲット1の側面等に付着し、膜を形成
する。ここで、スパッタリングターゲット1の側面は、
通常は鏡面仕上がなされている。従って、上記のように
してスパッタリングターゲット1の側面に形成された膜
は剥がれやすく、これが剥がれると、チャンバ3内を浮
遊して被処理対象物5に付着するおそれがある。また、
スパッタリングターゲット1から叩き出された原子は、
バッキングプレート2にも膜として付着し、この膜が剥
がれることもある。このような不具合を防止するために
は、スパッタリングターゲット1の取り替え等を頻繁に
行うこと等が考えられるが、これでは生産性を低下させ
ることになる。
来のスパッタリング装置においては、スパッタリングタ
ーゲット1から叩き出された原子の一部が被処理対象物
5の成膜に使用されることなくチャンバ3内を漂い、ス
パッタリングターゲット1の側面等に付着し、膜を形成
する。ここで、スパッタリングターゲット1の側面は、
通常は鏡面仕上がなされている。従って、上記のように
してスパッタリングターゲット1の側面に形成された膜
は剥がれやすく、これが剥がれると、チャンバ3内を浮
遊して被処理対象物5に付着するおそれがある。また、
スパッタリングターゲット1から叩き出された原子は、
バッキングプレート2にも膜として付着し、この膜が剥
がれることもある。このような不具合を防止するために
は、スパッタリングターゲット1の取り替え等を頻繁に
行うこと等が考えられるが、これでは生産性を低下させ
ることになる。
【0005】この発明は以上説明した事情に鑑みてなさ
れたものであり、上述のようなスパッタリングターゲッ
トへの膜の付着あるいは付着した膜の剥がれを抑制する
ことができるスパッタリングターゲット、スパッタリン
グ装置およびスパッタリング方法を提供することを目的
としている。
れたものであり、上述のようなスパッタリングターゲッ
トへの膜の付着あるいは付着した膜の剥がれを抑制する
ことができるスパッタリングターゲット、スパッタリン
グ装置およびスパッタリング方法を提供することを目的
としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
ブラスト処理がなされた側面を有することを特徴とする
スパッタリングターゲットを要旨とする。
ブラスト処理がなされた側面を有することを特徴とする
スパッタリングターゲットを要旨とする。
【0007】かかる発明によれば、スパッタリングの際
に、スパッタリングターゲットから叩き出された原子の
一部が、このスパッタリングターゲットの側面に付着し
て膜を形成したとしても、スパッタリングターゲットの
側面はブラスト処理が施されているため、この付着した
膜の剥がれを防止することができる。
に、スパッタリングターゲットから叩き出された原子の
一部が、このスパッタリングターゲットの側面に付着し
て膜を形成したとしても、スパッタリングターゲットの
側面はブラスト処理が施されているため、この付着した
膜の剥がれを防止することができる。
【0008】請求項2に係る発明は、底面に対して側面
が傾斜した形状を有することを特徴とするスパッタリン
グターゲットを要旨とする。
が傾斜した形状を有することを特徴とするスパッタリン
グターゲットを要旨とする。
【0009】かかる発明によれば、スパッタリングター
ゲットの側面が傾斜しているため、スパッタリングター
ゲットから叩き出された原子がこの側面に付着するのを
防止することができる。
ゲットの側面が傾斜しているため、スパッタリングター
ゲットから叩き出された原子がこの側面に付着するのを
防止することができる。
【0010】請求項3に係る発明は、請求項1または2
に記載のスパッタリングターゲットを使用してスパッタ
リングを行うことを特徴とするスパッタリング装置を要
旨とする。
に記載のスパッタリングターゲットを使用してスパッタ
リングを行うことを特徴とするスパッタリング装置を要
旨とする。
【0011】かかる発明によれば、上記請求項1または
2に係る発明と同じ作用が得られる。
2に係る発明と同じ作用が得られる。
【0012】請求項4に係る発明は、スタッパリングタ
ーゲットの側面と、前記スパッタリングターゲットを支
持するバッキングプレートのうち該スパッタリングター
ゲットの載せられていない余地の部分とに金属膜を形成
してなることを特徴とするスパッタリング装置を要旨と
する。
ーゲットの側面と、前記スパッタリングターゲットを支
持するバッキングプレートのうち該スパッタリングター
ゲットの載せられていない余地の部分とに金属膜を形成
してなることを特徴とするスパッタリング装置を要旨と
する。
【0013】かかる発明によれば、スパッタリングター
ゲットから叩き出された原子が付着し易い部分を金属膜
により覆っているため、スパッタリングターゲットやバ
ッキングプレートに対する膜の付着を抑制することがで
きる。
ゲットから叩き出された原子が付着し易い部分を金属膜
により覆っているため、スパッタリングターゲットやバ
ッキングプレートに対する膜の付着を抑制することがで
きる。
【0014】請求項5に係る発明は、少なくともバッキ
ングプレートを覆い隠す広さの底面を有するスパッタリ
ングターゲットを前記バッキングプレートの上に載せ、
スパッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング
方法を要旨とする。
ングプレートを覆い隠す広さの底面を有するスパッタリ
ングターゲットを前記バッキングプレートの上に載せ、
スパッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング
方法を要旨とする。
【0015】かかる発明によれば、スパッタリングター
ゲットから叩き出された原子が付着し易いバッキングプ
レートをスパッタリングターゲットにより覆っているた
め、バッキングプレートに対する膜の付着を抑制するこ
とができる。
ゲットから叩き出された原子が付着し易いバッキングプ
レートをスパッタリングターゲットにより覆っているた
め、バッキングプレートに対する膜の付着を抑制するこ
とができる。
【0016】請求項6に係る発明は、前記スパッタリン
グターゲットは、その側面が底面に対して傾斜した形状
を有するものであり、該スパッタリングターゲットを、
その側面が逆テーパ状をなし、かつ、その底面で当該バ
ッキングプレートを覆い隠すように当該バッキングプレ
ートに載せ、スパッタリングを行うことを特徴とする請
求項5に記載のスパッタリング方法を要旨とする。
グターゲットは、その側面が底面に対して傾斜した形状
を有するものであり、該スパッタリングターゲットを、
その側面が逆テーパ状をなし、かつ、その底面で当該バ
ッキングプレートを覆い隠すように当該バッキングプレ
ートに載せ、スパッタリングを行うことを特徴とする請
求項5に記載のスパッタリング方法を要旨とする。
【0017】かかる発明によれば、上記請求項5に係る
発明が奏する作用の他、さらにスタッパリングターゲッ
トの側面への膜の付着が防止されるという作用が得られ
る。
発明が奏する作用の他、さらにスタッパリングターゲッ
トの側面への膜の付着が防止されるという作用が得られ
る。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照し、本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【0019】A.第1の実施形態 図1はこの発明の第1の実施形態であるスパッタリング
装置におけるスパッタリングターゲット1およびバッキ
ングプレート2を示したものである。本実施形態では、
スパッタリングターゲット1の側面にブラスト処理が施
されており、その表面が粗い状態となっている。このた
め、スパッタリングターゲット1から叩き出された原子
の一部が、このスパッタリングターゲット1の側面に付
着して膜を形成したとしても、この膜は剥がれにくく、
上述した従来の技術における問題は生じない。
装置におけるスパッタリングターゲット1およびバッキ
ングプレート2を示したものである。本実施形態では、
スパッタリングターゲット1の側面にブラスト処理が施
されており、その表面が粗い状態となっている。このた
め、スパッタリングターゲット1から叩き出された原子
の一部が、このスパッタリングターゲット1の側面に付
着して膜を形成したとしても、この膜は剥がれにくく、
上述した従来の技術における問題は生じない。
【0020】B.第2の実施形態 図2はこの発明の第2の実施形態であるスパッタリング
装置におけるスパッタリングターゲット1およびバッキ
ングプレート2を示したものである。本実施形態におけ
るスパッタリングターゲット1は、底面に対して側面が
傾斜した形状を有している。本実施形態では、このスパ
ッタリングターゲット1をその側面が逆テーパ状をなす
ようにバッキングプレート2に載せ、スパッタリングを
行う。このため、スパッタリングターゲット1から叩き
出された原子は、このスパッタリングターゲット1の側
面には付着し難く、上述した従来の技術における問題は
生じない。
装置におけるスパッタリングターゲット1およびバッキ
ングプレート2を示したものである。本実施形態におけ
るスパッタリングターゲット1は、底面に対して側面が
傾斜した形状を有している。本実施形態では、このスパ
ッタリングターゲット1をその側面が逆テーパ状をなす
ようにバッキングプレート2に載せ、スパッタリングを
行う。このため、スパッタリングターゲット1から叩き
出された原子は、このスパッタリングターゲット1の側
面には付着し難く、上述した従来の技術における問題は
生じない。
【0021】C.第3の実施形態 図3はこの発明の第3の実施形態であるスパッタリング
装置の構成を示すものである。本実施形態では、図示の
ように、スタッパリングターゲット1の側面と、このス
パッタリングターゲット1を支持するバッキングプレー
ト2のうちスパッタリングプレートの載せられていない
余地の部分とを覆うように、金属膜6が形成されてい
る。この金属膜6は、スパッタリングターゲット1と同
じ材料か性質の近い材料が好適である。本実施形態によ
れば、スパッタリングターゲット1から叩き出された原
子が付着し易い部分を金属膜6により覆っているため、
スパッタリングターゲット1やバッキングプレート2に
対する膜の付着を抑制することができる。
装置の構成を示すものである。本実施形態では、図示の
ように、スタッパリングターゲット1の側面と、このス
パッタリングターゲット1を支持するバッキングプレー
ト2のうちスパッタリングプレートの載せられていない
余地の部分とを覆うように、金属膜6が形成されてい
る。この金属膜6は、スパッタリングターゲット1と同
じ材料か性質の近い材料が好適である。本実施形態によ
れば、スパッタリングターゲット1から叩き出された原
子が付着し易い部分を金属膜6により覆っているため、
スパッタリングターゲット1やバッキングプレート2に
対する膜の付着を抑制することができる。
【0022】D.第4の実施形態 図4はこの発明の第4の実施形態であるスパッタリング
装置の構成を示すものである。本実施形態において、ス
パッタリングターゲット1は、上記第2の実施形態と同
様、底面に対して側面が傾斜した形状を有している。ま
た、このスパッタリングターゲット1の底面は、バッキ
ングプレート2を覆い隠すだけの広さを有している。本
実施形態では、このスパッタリングターゲット1をその
側面が逆テーパ状をなすように、かつ、その底面でバッ
キングプレート2を覆い隠すようにバッキングプレート
2に載せ、スパッタリングを行う。本実施形態によれ
ば、スパッタリングターゲット1の側面は逆テーパ状を
なしているので、スパッタリングターゲット1から叩き
出された原子がこの側面に膜として付着する事態は起こ
り難い。また、バッキングプレート2がスパッタリング
ターゲット1によって覆われているため、バッキングプ
レート2への膜の付着も生じ難い。
装置の構成を示すものである。本実施形態において、ス
パッタリングターゲット1は、上記第2の実施形態と同
様、底面に対して側面が傾斜した形状を有している。ま
た、このスパッタリングターゲット1の底面は、バッキ
ングプレート2を覆い隠すだけの広さを有している。本
実施形態では、このスパッタリングターゲット1をその
側面が逆テーパ状をなすように、かつ、その底面でバッ
キングプレート2を覆い隠すようにバッキングプレート
2に載せ、スパッタリングを行う。本実施形態によれ
ば、スパッタリングターゲット1の側面は逆テーパ状を
なしているので、スパッタリングターゲット1から叩き
出された原子がこの側面に膜として付着する事態は起こ
り難い。また、バッキングプレート2がスパッタリング
ターゲット1によって覆われているため、バッキングプ
レート2への膜の付着も生じ難い。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、スパッタリングターゲットから叩き出された原子が
スパッタリングターゲットへの膜として付着したり、あ
るいはこの付着した膜が剥がれるといった事態を抑制す
ることができ、良好な環境で成膜を行うことができると
いう効果がある。
ば、スパッタリングターゲットから叩き出された原子が
スパッタリングターゲットへの膜として付着したり、あ
るいはこの付着した膜が剥がれるといった事態を抑制す
ることができ、良好な環境で成膜を行うことができると
いう効果がある。
【図1】 この発明の第1の実施形態であるスパッタリ
ング装置におけるスパッタリングターゲット1およびバ
ッキングプレート2を示した図である。
ング装置におけるスパッタリングターゲット1およびバ
ッキングプレート2を示した図である。
【図2】 この発明の第2の実施形態であるスパッタリ
ング装置におけるスパッタリングターゲット1およびバ
ッキングプレート2を示した図である。
ング装置におけるスパッタリングターゲット1およびバ
ッキングプレート2を示した図である。
【図3】 この発明の第3の実施形態であるスパッタリ
ング装置の構成を示した図である。
ング装置の構成を示した図である。
【図4】 この発明の第4の実施形態であるスパッタリ
ング装置におけるスパッタリングターゲット1およびバ
ッキングプレート2を示した図である。
ング装置におけるスパッタリングターゲット1およびバ
ッキングプレート2を示した図である。
【図5】 従来のスパッタリング装置の構成例を示した
図である。
図である。
1 スパッタリングターゲット 2 バッキングプレート 6 金属膜
Claims (6)
- 【請求項1】 ブラスト処理がなされた側面を有するこ
とを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項2】 底面に対して側面が傾斜した形状を有す
ることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載のスパッタリン
グターゲットを使用してスパッタリングを行うことを特
徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項4】 スタッパリングターゲットの側面と、前
記スパッタリングターゲットを支持するバッキングプレ
ートのうち該スパッタリングターゲットの載せられてい
ない余地の部分とに金属膜を形成してなることを特徴と
するスパッタリング装置。 - 【請求項5】 少なくともバッキングプレートを覆い隠
す広さの底面を有するスパッタリングターゲットを前記
バッキングプレートの上に載せ、スパッタリングを行う
ことを特徴とするスパッタリング方法。 - 【請求項6】 前記スパッタリングターゲットは、その
側面が底面に対して傾斜した形状を有するものであり、
該スパッタリングターゲットを、その側面が逆テーパ状
をなし、かつ、その底面で当該バッキングプレートを覆
い隠すように当該バッキングプレートに載せ、スパッタ
リングを行うことを特徴とする請求項5に記載のスパッ
タリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4407398A JPH11236663A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | スパッタリングターゲット、スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4407398A JPH11236663A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | スパッタリングターゲット、スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11236663A true JPH11236663A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12681460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4407398A Withdrawn JPH11236663A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | スパッタリングターゲット、スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11236663A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002016665A1 (fr) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation produisant peu de particules |
| JP2002146523A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-22 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置 |
| WO2002040733A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Nikko Materials Company, Limited | Sputtering target producing few particles, backing plate or sputtering apparatus and sputtering method producing few particles |
| JP2002173766A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-21 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよびそれを具備するスパッタリング装置 |
| JP2011225981A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Taiheiyo Cement Corp | スパッタリングターゲット |
| WO2016021101A1 (ja) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | 株式会社アルバック | ターゲットアッセンブリ |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP4407398A patent/JPH11236663A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002016665A1 (fr) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation produisant peu de particules |
| US6875325B2 (en) | 2000-08-25 | 2005-04-05 | Nikko Materials Company Limited | Sputtering target producing few particles |
| JP2002146523A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-22 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置 |
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| US6858116B2 (en) | 2000-11-17 | 2005-02-22 | Nikko Materials Company, Limited | Sputtering target producing few particles, backing plate or sputtering apparatus and sputtering method producing few particles |
| JP2002173766A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-21 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよびそれを具備するスパッタリング装置 |
| JP2011225981A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Taiheiyo Cement Corp | スパッタリングターゲット |
| WO2016021101A1 (ja) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | 株式会社アルバック | ターゲットアッセンブリ |
| JPWO2016021101A1 (ja) * | 2014-08-08 | 2017-05-25 | 株式会社アルバック | ターゲットアッセンブリ |
| US9972479B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-05-15 | Ulvac, Inc. | Target assembly |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |