JPS60136314A - 低圧雰囲気内の処理装置 - Google Patents
低圧雰囲気内の処理装置Info
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- JPS60136314A JPS60136314A JP58243869A JP24386983A JPS60136314A JP S60136314 A JPS60136314 A JP S60136314A JP 58243869 A JP58243869 A JP 58243869A JP 24386983 A JP24386983 A JP 24386983A JP S60136314 A JPS60136314 A JP S60136314A
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- gas
- lower electrode
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明のオＵ用分野〕
本発明は、９内におい℃基板に食刻１Ｍ、膜。
ベーキング処理等の地理を行う低圧雰囲気内の処理装置
に関するものである。
に関するものである。
評Ｌ〈はドライエツチング装置においては。
基板がプラズマから受ける熱により加熱されて基板上の
フォトレジストが変質し１Ｌいように基板を冷却するた
めの装置、また、基板の脱ガスのためのベーキング処理
においては基板を効果的に加熱する必要があるため、こ
の基板を加熱する装置、また蒸漕、スパッタ蒸Ｎ装置ｆ
などｋおいて生成展の粒径、光学的反射率などの制餌の
ために必要な基板の温度制＃装置に関するものである。
フォトレジストが変質し１Ｌいように基板を冷却するた
めの装置、また、基板の脱ガスのためのベーキング処理
においては基板を効果的に加熱する必要があるため、こ
の基板を加熱する装置、また蒸漕、スパッタ蒸Ｎ装置ｆ
などｋおいて生成展の粒径、光学的反射率などの制餌の
ために必要な基板の温度制＃装置に関するものである。
低圧雰囲気内の処理装置では、基板と基板支持台間の熱
の授受は、音圧における熱の授受のよ５に十分には行な
われないことが矧られ℃いる。これは、２面間の熱の授
受には介在気体分子が大きな役割を果たしているからで
ある。
の授受は、音圧における熱の授受のよ５に十分には行な
われないことが矧られ℃いる。これは、２面間の熱の授
受には介在気体分子が大きな役割を果たしているからで
ある。
そのため、単に、基板支持台の温度制御を行っただけで
は、基板の温度制御を効果的に行うことはできない。
は、基板の温度制御を効果的に行うことはできない。
そこで、２面間の熱の授受を効果的に増大する方法がい
くつか知られている。
くつか知られている。
この従来の基板温度制御装置は、特開１１５８−３２４
１０号に示すよ５ｉＣ第１図に示す如く構成さｉｔてい
る。
１０号に示すよ５ｉＣ第１図に示す如く構成さｉｔてい
る。
即ちこのスパッタリングまたはドライエツチング等の処
理装置は、王に真空室１０．スパッタ諒１９．陽極２Ｏ
１及び基板支持台１２から構成されている。
理装置は、王に真空室１０．スパッタ諒１９．陽極２Ｏ
１及び基板支持台１２から構成されている。
そして真空室１０は排気装置１８により低圧まで排気さ
れる。陰極であるスパッタ諒１９と陽極２０との間で放
電を弾止し、生じたイオンＺ＋ａスパッタ＆、 １９に
たたかれることにより分子がとひ出し、基板支持台１２
に叉持された基板１５に遜し。
れる。陰極であるスパッタ諒１９と陽極２０との間で放
電を弾止し、生じたイオンＺ＋ａスパッタ＆、 １９に
たたかれることにより分子がとひ出し、基板支持台１２
に叉持された基板１５に遜し。
基板１５上にスパッタＷと同じ材負の薄膜が形成される
。
。
ここで、基板支持台１２内には導管１１が設けられてい
て、宜５を則して水供給装置２から。
て、宜５を則して水供給装置２から。
温度が制御された水が流されることにより、基板支持台
１２は適当な温度に保たれる。
１２は適当な温度に保たれる。
基板１５は、バネ１４を設げた基板支持具１３により全
周にわたって均一な荷ｉで押え付げられ′ｃ１４る。ま
たこの時基板１５と基板支持台１２との１＆１」にはＯ
リング１７が設けられていて、カス室１６が作られ、こ
のカス室はＯりング１７により真空室１０からシールさ
れている。
周にわたって均一な荷ｉで押え付げられ′ｃ１４る。ま
たこの時基板１５と基板支持台１２との１＆１」にはＯ
リング１７が設けられていて、カス室１６が作られ、こ
のカス室はＯりング１７により真空室１０からシールさ
れている。
ここで、カスため４は、カス圧計８．制卸糸９、及び弁
３により、ｊｊス供給諒１からのカス流入量が制御され
る。基板１５と基板支持台１２との間隙に形成されるカ
ス室１６は弁６およびカスｖ７を通して上記カスため４
と結合され、常に一足の圧力に制御されている。
３により、ｊｊス供給諒１からのカス流入量が制御され
る。基板１５と基板支持台１２との間隙に形成されるカ
ス室１６は弁６およびカスｖ７を通して上記カスため４
と結合され、常に一足の圧力に制御されている。
以上の従来の処理装置におい又は、基＆１５と基板支持
台１２とのｌ１ｊｊに設けられたカス室内の気体分子に
より、基板１５と温度制御された基板支支台との間の熱
の投受か行なわれ、基板を単に基板支持台１２上に載置
した場合より効果的な基板温度開側」が行７１われる。
台１２とのｌ１ｊｊに設けられたカス室内の気体分子に
より、基板１５と温度制御された基板支支台との間の熱
の投受か行なわれ、基板を単に基板支持台１２上に載置
した場合より効果的な基板温度開側」が行７１われる。
しかし、なから、この従来の処理装置において。
Ｋ ｏ）ような問題点を傅し工いた。
Ｊｉ’ｌＪち例えば、基板１５を厚さｔ ＝ ［Ｊ、５
ｒｕｍ 、半径α＝ ５０ ｍｍのシリコン基板とし
、ガス室１６内の圧力ｐを１０００ｐａ、真空室１ｏ内
の圧力１１； ｐ Ｊ： ’）十分小さいとした場合、
基板はガス室１６内の気体の圧力により変形を覚り“、
中心から半径方向にｒの位置での変形ｍａｒは以下の式
（１１に従う。
ｒｕｍ 、半径α＝ ５０ ｍｍのシリコン基板とし
、ガス室１６内の圧力ｐを１０００ｐａ、真空室１ｏ内
の圧力１１； ｐ Ｊ： ’）十分小さいとした場合、
基板はガス室１６内の気体の圧力により変形を覚り“、
中心から半径方向にｒの位置での変形ｍａｒは以下の式
（１１に従う。
ここで、Ｅ、Ｖはそれぞれシリコンの縦弾性係数オヨヒ
ボアソン比テ、 Ｅ ＝ １３．１ Ｘ １０” （Ｎ
／−〕、Ｖユ０．３とする。
ボアソン比テ、 Ｅ ＝ １３．１ Ｘ １０” （Ｎ
／−〕、Ｖユ０．３とする。
この時、基板中むす７ｚわちｒ ＝ ００位置での友位
蓋δ。は約２７０μｍＫなる。
蓋δ。は約２７０μｍＫなる。
この値は、ガスとし′″ｃＢｅを用いた時の虐切なカス
室１６の厚さ１３４μｍを大きく上まわっている。
室１６の厚さ１３４μｍを大きく上まわっている。
すなわち、設計とおりの効果が得られないことになる。
さらに、高い熱伝導性を持っｌｉｇであっ又も、カス室
１６中の気体による十分な伝熱効果か得られないわけで
あるから、アルゴンなど真空室１゜内の処理カスと同種
のガスを用いた場合、ヘリウムに見られるような尚＾伝
熱効果を得られないのは明白である。
１６中の気体による十分な伝熱効果か得られないわけで
あるから、アルゴンなど真空室１゜内の処理カスと同種
のガスを用いた場合、ヘリウムに見られるような尚＾伝
熱効果を得られないのは明白である。
以上のように、従来の基板温度制御装置では高伝導性カ
スであるヘリウムを用いても十分な伝熱特性を得られな
いし、ガス室１６内のカスを真空室１０内のカスと同種
のものを用いた場合。
スであるヘリウムを用いても十分な伝熱特性を得られな
いし、ガス室１６内のカスを真空室１０内のカスと同種
のものを用いた場合。
塊夷的にをまカス室１６による効果的な伝熱特性は得ら
れ１ｔいという問題点を有していた〇さらに、０りング
のシール効果が発生する０リングのつぶししるまで、基
板１５を押えつけることは、基板の機械的強夏の観点か
ら不可能である。
れ１ｔいという問題点を有していた〇さらに、０りング
のシール効果が発生する０リングのつぶししるまで、基
板１５を押えつけることは、基板の機械的強夏の観点か
ら不可能である。
そこで、どうしても気体のもれが兄住し℃しまい１．Ｘ
窒室１０内に導入する処理気体と異なる気体を伝熱用気
体とした場合、リークした伝熱用気体か真空室１０内の
処理に悪影臀娶及はすとい５問題点も有し１いた。
窒室１０内に導入する処理気体と異なる気体を伝熱用気
体とした場合、リークした伝熱用気体か真空室１０内の
処理に悪影臀娶及はすとい５問題点も有し１いた。
本発明の目的は、上記促米技術の問題点に鑑み、低圧雰
囲気内で食刻、 ｘＭｊ４％ベーキングなど、処理を行
う装置におい℃、基板の温度制御を効果的に行うことが
できるようにした低圧雰囲気内の処理装置を提供するこ
とにある。
囲気内で食刻、 ｘＭｊ４％ベーキングなど、処理を行
う装置におい℃、基板の温度制御を効果的に行うことが
できるようにした低圧雰囲気内の処理装置を提供するこ
とにある。
本発明は、上記目的を連成するために、基板と基板支持
台の間隙距離が１間隙内に存在する気体の平均自由行程
より小さい範囲では、２面間の熱の授受倉は、任意の圧
力におい℃気体の種類には依存しないことに層目し、基
板支持台を凸面にＬ℃基板が気体圧力により凸に変形し
た場合でも気体層の厚さをその気体の平均自由行程より
小さくすることにより効果的な２面間の伝熱特性を高伝
導性気体以外の気体におい℃も良くしたことにある。
台の間隙距離が１間隙内に存在する気体の平均自由行程
より小さい範囲では、２面間の熱の授受倉は、任意の圧
力におい℃気体の種類には依存しないことに層目し、基
板支持台を凸面にＬ℃基板が気体圧力により凸に変形し
た場合でも気体層の厚さをその気体の平均自由行程より
小さくすることにより効果的な２面間の伝熱特性を高伝
導性気体以外の気体におい℃も良くしたことにある。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体的に説明
する。
する。
即ちｉｉ、２図を用いて本発明の脣敵点を具体的に説明
する。
する。
基板と基板支持台間の気体層の厚さをｄとして、気体層
の圧力を笈えた時単位温度差当りに２面間を単位時間、
単位面積あたり、Ｉｔ１１遇する熱量（熱通過率）の変
化をヘリウム、ちっ素、四塩化炭素につい℃実験により
測定したのが第２図である。
の圧力を笈えた時単位温度差当りに２面間を単位時間、
単位面積あたり、Ｉｔ１１遇する熱量（熱通過率）の変
化をヘリウム、ちっ素、四塩化炭素につい℃実験により
測定したのが第２図である。
更に本発明の一実施例を第３図、第４図および第５図に
もとづいて具体的に説明する。
もとづいて具体的に説明する。
本実施例は、Ａを室２４．上部寛＆３０．下部′−極３
７．高周波ｔＩＬ源４２から生に構成される平行平板形
のドライエツチング装置である。
７．高周波ｔＩＬ源４２から生に構成される平行平板形
のドライエツチング装置である。
真空室２４は、排気系４１により低圧まで排気され、真
空計６９及び制御系４０により足圧にされ処理気体導入
口２５から処理気体である例えば四塩化炭素が導入され
る。また、上部−極５０および絶縁物３８を介した下部
電極３７間には１局周波亀ｒＭ４２から為周波が印加さ
れ、処理気体はグラズマ状態になり、下部岨極６７上の
基板３４０表面が表囲のレジストにより形成されたバタ
ー７通りに食刻される。
空計６９及び制御系４０により足圧にされ処理気体導入
口２５から処理気体である例えば四塩化炭素が導入され
る。また、上部−極５０および絶縁物３８を介した下部
電極３７間には１局周波亀ｒＭ４２から為周波が印加さ
れ、処理気体はグラズマ状態になり、下部岨極６７上の
基板３４０表面が表囲のレジストにより形成されたバタ
ー７通りに食刻される。
この図から明らかなように、気体層の厚さｄリウムを用
いた場合と同様の熱通過率を得られる。
いた場合と同様の熱通過率を得られる。
すなわち、気体層の厚さは常時ｔｏＩｕｎ；［を以下に
し工おくと伝熱効果は大きい。
し工おくと伝熱効果は大きい。
また、カスの圧力は、気体の種類にもよるが気体層の厚
さが１０μｍ程度（機械的接触の限界であれは、約１６
００ Ｐα以上にしても熱通過率は上昇せず、意味が７
よい。
さが１０μｍ程度（機械的接触の限界であれは、約１６
００ Ｐα以上にしても熱通過率は上昇せず、意味が７
よい。
さらに１例えば半径５０ｒｎｍの基板が１５００ｐαの
気体から受ける荷重は１ｋｇであり、これ以上の荷重を
加えるのは基板の破壊の起こる可能性が重重くる。従っ
て１ｓｏｏｐａ程夏が限界だと考えられる。
気体から受ける荷重は１ｋｇであり、これ以上の荷重を
加えるのは基板の破壊の起こる可能性が重重くる。従っ
て１ｓｏｏｐａ程夏が限界だと考えられる。
この図において、直源部２１は、気体分子の平均自由行
程が、気体層の厚さより十分大きい場合であり、気体の
圧力とともに腕形に熱通過率は上昇し、気体層の厚さや
気体の種類に関係しない。
程が、気体層の厚さより十分大きい場合であり、気体の
圧力とともに腕形に熱通過率は上昇し、気体層の厚さや
気体の種類に関係しない。
一力、直祿部２２は、気体分子の平均自由行程が、気体
〕曽の厚さより十分小さい場合であり、気体層の厚さが
大きくなると熱通過率は下がる。
〕曽の厚さより十分小さい場合であり、気体層の厚さが
大きくなると熱通過率は下がる。
この時熱通過率は、同極の気体であれは圧力が大きくな
り又も変化しない。
り又も変化しない。
また曲煉部２６はこれら２つの場合の過渡的な状態であ
る。
る。
ここで、下部゛電極５７は、内部に専管３２が設げられ
てい又、流体供給＠、 ４３から、設定温度に保たれた
流体が供給され、設定温良に保たれる〇下部電極６７を
設足温反に保つ方法としては、流体を流す方法に限らず
、ヒートパイプと乍却源あるｂは発熱導？ｗなどを用い
る方法であってもさしつかえない。
てい又、流体供給＠、 ４３から、設定温度に保たれた
流体が供給され、設定温良に保たれる〇下部電極６７を
設足温反に保つ方法としては、流体を流す方法に限らず
、ヒートパイプと乍却源あるｂは発熱導？ｗなどを用い
る方法であってもさしつかえない。
基＆３４は、バネ３６が設けられた環状または６〜４魚
のつめからなり駆動系２９により駆動される基板支持具
３５により総加重３〜４ｋｇで押えつけられる。
のつめからなり駆動系２９により駆動される基板支持具
３５により総加重３〜４ｋｇで押えつけられる。
さらに、伝熱用気体が、流量制御装置４６および真空計
４５により圧力が制御された気体だめ４４から導管４７
を通じ 下部電極５７に導入され。
４５により圧力が制御された気体だめ４４から導管４７
を通じ 下部電極５７に導入され。
兜４図に示したように円４８上に設けられた直径１ｍｍ
程度の多数の気体導入穴３１を通じ、基板３４と下部電
極３７が作る間隙に送られる。
程度の多数の気体導入穴３１を通じ、基板３４と下部電
極３７が作る間隙に送られる。
また、気体導入口２５を通じ真空室２４内に導入される
気体および下部電極３７を通じ真空室２４内に導入され
る気体は合せて一本の導管２８から供給され、流量制御
装置２７により制御され、気体供給献２６から真空室に
供給される気体の酩意を制御する。
気体および下部電極３７を通じ真空室２４内に導入され
る気体は合せて一本の導管２８から供給され、流量制御
装置２７により制御され、気体供給献２６から真空室に
供給される気体の酩意を制御する。
七り下部電極３７は、凸面形状に加工され。
表面は１表面荒さ３．２Ｓ程度まで研摩されている。
この時、凸面の形状は１式（１）に従うか式（υよりや
や大きく加工される。これは、気体が導入されて基板が
裏面から荷ムを受けてもさらに変形し７よいようにする
ためであり、そ結果基板３４は下部電極３７に密清し、
かつ必要以上に基板を哀形させずにすむ。
や大きく加工される。これは、気体が導入されて基板が
裏面から荷ムを受けてもさらに変形し７よいようにする
ためであり、そ結果基板３４は下部電極３７に密清し、
かつ必要以上に基板を哀形させずにすむ。
以上の装置１１構成において、基板の温度制御が行なわ
れる過程について説明する。
れる過程について説明する。
気体導入穴３１から基板３４の＆面に導入された気体は
、２面の間隙を辿し又真望室２４内に排気される一方１
円４８の内部にも導入され１円４８の内部の気体の圧力
は気体導入穴３１における気体の圧力と同じ値になる。
、２面の間隙を辿し又真望室２４内に排気される一方１
円４８の内部にも導入され１円４８の内部の気体の圧力
は気体導入穴３１における気体の圧力と同じ値になる。
この足常状悪になるまでの時間は、 ５．２５程度の面
とシリコン基板との間隙であれば数秒とかがらないこと
か実験によりａ緒されている。
とシリコン基板との間隙であれば数秒とかがらないこと
か実験によりａ緒されている。
＝また。真空室２４側に排気される段階で、円４８の外
側には、圧力の勾配が住じる。これは、 ｒＭＪ原距離
１０μｍというこの部分の持つコンタクタンスによるも
のである。
側には、圧力の勾配が住じる。これは、 ｒＭＪ原距離
１０μｍというこの部分の持つコンタクタンスによるも
のである。
この時の、気体層３３の半径方Ｉ９の圧力公事を第５図
に示す。
に示す。
この時、基板６４上の多くの点において、裏面の気体層
３３の圧力は設定圧力町えば７００ｐａにしておくとす
ると、第２図に示したグラフより明らかなように、ヘリ
ウム、窒素、四塩化炭素（この他の気体においても同様
だと考えられる。）などの気体層℃において、熱通過率
５００Ｗ／ｍ”・ｄａｙという大きな値を示す。
３３の圧力は設定圧力町えば７００ｐａにしておくとす
ると、第２図に示したグラフより明らかなように、ヘリ
ウム、窒素、四塩化炭素（この他の気体においても同様
だと考えられる。）などの気体層℃において、熱通過率
５００Ｗ／ｍ”・ｄａｙという大きな値を示す。
ここで１円４８の外側の部分では基板裏面の圧力が低い
が、基板自身のもつ熱伝導性が気体層の持つ熱通過率に
比べて十分大きいため、基板中心との温度の差は問題に
ならない。
が、基板自身のもつ熱伝導性が気体層の持つ熱通過率に
比べて十分大きいため、基板中心との温度の差は問題に
ならない。
ここで、高周波ｍ源４２により約２００Ｗの電力を電力
１し、シリコン基板上のアルミニウム膜をドライエツチ
ングした場合の基板の温度は、下部電極を２０℃に設定
した場合、３０上程度であった。これは、基板を単に載
置した場合の２５０℃という値に比べると極め又良好な
姐である。
１し、シリコン基板上のアルミニウム膜をドライエツチ
ングした場合の基板の温度は、下部電極を２０℃に設定
した場合、３０上程度であった。これは、基板を単に載
置した場合の２５０℃という値に比べると極め又良好な
姐である。
さらに、下部電極３７を通じ真空室２４に導入される気
体の量を測定してみると、＠径ｉＱＱｍｍのシリコン基
板を３．２Ｓ面に研摩した下部電極上に載置し、気体層
の圧力を１ｏｏｏ ｐαにし、半径４５ｍｍの円周上に
設けた気体導入穴から導入した場合のリーク量は、約０
．０２〜０．０５ｐａ ＊ ｒｎ’ ／ｓｅｃ程度であ
り、ドライエツチングを行う場合の通常の反応気体流量
である０、５〜２Ｐα・ｍ’７”Ｉ ａ Ｃ’に比べ１
〜２桁小さい値になっており、さらに。
体の量を測定してみると、＠径ｉＱＱｍｍのシリコン基
板を３．２Ｓ面に研摩した下部電極上に載置し、気体層
の圧力を１ｏｏｏ ｐαにし、半径４５ｍｍの円周上に
設けた気体導入穴から導入した場合のリーク量は、約０
．０２〜０．０５ｐａ ＊ ｒｎ’ ／ｓｅｃ程度であ
り、ドライエツチングを行う場合の通常の反応気体流量
である０、５〜２Ｐα・ｍ’７”Ｉ ａ Ｃ’に比べ１
〜２桁小さい値になっており、さらに。
１０ Ｐα〜１０−’Ｐαの低圧雰囲気で処理を行う電
子磁気共鳴によるマイクロ波プラズマ処理装置における
反応気体流量０．０４〜０．０６Ｐα・が／ Ｚ ｇ
Ｃよりも少い１直になっている。このため、マイクＱ氏
放電によるプラズマ処理装置における基板温度制御装置
としても用込ることもできる。
子磁気共鳴によるマイクロ波プラズマ処理装置における
反応気体流量０．０４〜０．０６Ｐα・が／ Ｚ ｇ
Ｃよりも少い１直になっている。このため、マイクＱ氏
放電によるプラズマ処理装置における基板温度制御装置
としても用込ることもできる。
また、基板支持台を４００〜５００℃に熱した状態で基
板のベーキングに用いた場合、基板温度Ｔは以下の式（
２（により上昇する。
板のベーキングに用いた場合、基板温度Ｔは以下の式（
２（により上昇する。
λ
Ｔ ＝Ｔｏ ＋ （Ｔｇ−Ｔｏ ） ａｒｐ （−−１
） −・・（２１ここで、Ｔｏ、１″−はそれぞれ基板
の初期温度電極の温度、λは基板全面における熱通過量
。
） −・・（２１ここで、Ｔｏ、１″−はそれぞれ基板
の初期温度電極の温度、λは基板全面における熱通過量
。
Ｃは基板の熱容量である。ここで、λ＝ ５．４ Ｆ／
ｄｇ 、ｃ ＝ ５．８ Ｊ／ｄｇ 、Ｔｏ ＝ ２０
℃、 Ｔｇ ＝ ４００℃とすると、約４秒で３６０℃
まで上昇することになる０この値は、実験によつ℃もほ
ぼ近い値がでている。
ｄｇ 、ｃ ＝ ５．８ Ｊ／ｄｇ 、Ｔｏ ＝ ２０
℃、 Ｔｇ ＝ ４００℃とすると、約４秒で３６０℃
まで上昇することになる０この値は、実験によつ℃もほ
ぼ近い値がでている。
さらに、本発明は、真空中における基板温度制御が必璧
となる本実施例に説明していない他のプロセス処理に適
用できることは当業者にとって明らかである。
となる本実施例に説明していない他のプロセス処理に適
用できることは当業者にとって明らかである。
０＃、明の効果〕
以上説明したように本琴明によれば、基板と基板支持台
との間隙に７００Ｐα前後の気体を介在させた上で１間
隙距離を１０ＰＬ程度以下にすることができるので高伝
導性気体であるヘリウム以外の処理気体に用いる分子量
の大きいプロセス処理気体を用いても基板と基板支持台
との間の熱通過率を大きくでき、これにより、良好な温
度側両特性を得られ、かつ、伝熱用気体に処理気体と同
種の気体を使用できるので伝熱用気体のリークの問題を
も解決することができる効果を有する。
との間隙に７００Ｐα前後の気体を介在させた上で１間
隙距離を１０ＰＬ程度以下にすることができるので高伝
導性気体であるヘリウム以外の処理気体に用いる分子量
の大きいプロセス処理気体を用いても基板と基板支持台
との間の熱通過率を大きくでき、これにより、良好な温
度側両特性を得られ、かつ、伝熱用気体に処理気体と同
種の気体を使用できるので伝熱用気体のリークの問題を
も解決することができる効果を有する。
第１図は従来の処理装置を示す縦断面図、第２図は熱通
過率と気体圧力の胸係な示した図。 第６図は本発明の一実施例を示す縦断面図、絹４図は下
部電極および基板の透し図、第５肉は気体層の圧力分布
を示″１−図である。 ２４・・・真空室 ３１・・・気体導入穴３６・・・気
体層 ３４・・・基板 ３５・・・基板支持具 ３７・・・下部電極４４・・・
気体だめ 為４叱 ３４ を 虱！５図 牛怪力ｌ０１（雀ｍす
過率と気体圧力の胸係な示した図。 第６図は本発明の一実施例を示す縦断面図、絹４図は下
部電極および基板の透し図、第５肉は気体層の圧力分布
を示″１−図である。 ２４・・・真空室 ３１・・・気体導入穴３６・・・気
体層 ３４・・・基板 ３５・・・基板支持具 ３７・・・下部電極４４・・・
気体だめ 為４叱 ３４ を 虱！５図 牛怪力ｌ０１（雀ｍす
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 低圧雰囲気内の処理装置において、基板を加熱また
は冷却するために加熱諒または耐却源を接続または内重
し、且つ基板を支持する支持台を設け、該支持台の基板
を支持する支持面と基板の゛矢面との間に圧力気体を導
入させ％該支持面を凸状に形成したことを特徴とする低
圧雰囲気内の処理装置。 ２、上記支持台の支持面に、圧力気体を導入する穴を基
板の外周に近い位置に設置したことを特徴とする特許請
求の範囲第１狽記載の低圧雰囲気内の処理装置。 ６、 上記支持台の支持面と基板の裏向との間に導入す
る気体として、該低圧雰囲気内に尋人する気体と同種の
気体であることを特徴とする特許請求の範囲第２項目口
載の低圧雰囲気内の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243869A JPH0614520B2 (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 低圧雰囲気内の処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243869A JPH0614520B2 (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 低圧雰囲気内の処理装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7012276A Division JP2581026B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 低圧雰囲気内の処理方法及びその装置 |
| JP8083542A Division JP2960678B2 (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 基板処理方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136314A true JPS60136314A (ja) | 1985-07-19 |
| JPH0614520B2 JPH0614520B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=17110184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58243869A Expired - Lifetime JPH0614520B2 (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 低圧雰囲気内の処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614520B2 (ja) |
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Also Published As
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|---|---|
| JPH0614520B2 (ja) | 1994-02-23 |
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