JPS60140324A - 光走査装置 - Google Patents
光走査装置Info
- Publication number
- JPS60140324A JPS60140324A JP24692183A JP24692183A JPS60140324A JP S60140324 A JPS60140324 A JP S60140324A JP 24692183 A JP24692183 A JP 24692183A JP 24692183 A JP24692183 A JP 24692183A JP S60140324 A JPS60140324 A JP S60140324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical deflection
- optical
- deflection element
- laser
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/33—Acousto-optical deflection devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
- G03G15/043—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material with means for controlling illumination or exposure
- G03G15/0435—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material with means for controlling illumination or exposure by introducing an optical element in the optical path, e.g. a filter
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はレーザ７“リンク等に用いるのに好適な光走査
装置に関するものである。
装置に関するものである。
結晶表面を伝播する弾性表−波を用いて光偏向あるいは
光走査を行なう素子についてはすでによく知られている
。この素子の解像点数ＮＦｉ概略。
光走査を行なう素子についてはすでによく知られている
。この素子の解像点数ＮＦｉ概略。
次のようにめられる。すなわち入射したレーザ光と相互
作用を及ぼす弾性表面波の周波数帯域Δｆと入射するレ
ーザ光束を弾性表面波が通過する時間τとの積τΔｆ
で解像点数Ｎが与えられるう結晶としてＬｉＮｂ０．を
用いるとすると、その２方向に伝播する弾性表面波の速
度は３４８５ ｍ／ｓｅｃであり、入射光束の大きさを
３ ｗａ 、周波数帯域を４００ ＭＨｚとすると解像
点数Ｎは６４４点となる。
作用を及ぼす弾性表面波の周波数帯域Δｆと入射するレ
ーザ光束を弾性表面波が通過する時間τとの積τΔｆ
で解像点数Ｎが与えられるう結晶としてＬｉＮｂ０．を
用いるとすると、その２方向に伝播する弾性表面波の速
度は３４８５ ｍ／ｓｅｃであり、入射光束の大きさを
３ ｗａ 、周波数帯域を４００ ＭＨｚとすると解像
点数Ｎは６４４点となる。
ところで、たとえばレーザプリンタにおいては、紙幅２
０．０１ｎｌｌるいは４００ｗｌ１上に１０本／闘程度
の解像度で印字する。したがって、レーザプリンタの場
合には解像点数として２０００点から４０００点が必要
となる。このような大きな解像点数を実現するには前述
した弾性表面波を用いた素子を１個用いただけでは不可
能である。
０．０１ｎｌｌるいは４００ｗｌ１上に１０本／闘程度
の解像度で印字する。したがって、レーザプリンタの場
合には解像点数として２０００点から４０００点が必要
となる。このような大きな解像点数を実現するには前述
した弾性表面波を用いた素子を１個用いただけでは不可
能である。
本発明の目的は大きな解像点数も可能な光走査装置を提
供することにある。
供することにある。
本発明では半導体レーザと弾性表面波を伝播させる材料
からなる光偏向素子を複数個用い、それぞれの光偏向素
子はそれぞれの光偏向素子が光走査するレーザ光の一部
を検知する光検知器を備え、かつそれぞれの光偏向素子
が光走査するレーザ光は少なくとも１個のり筒レンズを
通過させるようにしたことを特徴とする。
からなる光偏向素子を複数個用い、それぞれの光偏向素
子はそれぞれの光偏向素子が光走査するレーザ光の一部
を検知する光検知器を備え、かつそれぞれの光偏向素子
が光走査するレーザ光は少なくとも１個のり筒レンズを
通過させるようにしたことを特徴とする。
以下、本発明の実施例を第１図、第２図により説明する
。
。
第１図で１８は光偏向素子である。２はＬｉＮｂＯ３の
ごとき弾性表面波を伝播させる材料であり、結晶表面に
はＴｉ拡散した光導波路＋１ｉＪ ３を設けである。半
導体レーザ１からの光は光導波路層に導かれ、Ｇｅｏｄ
ｅｓｉｃ ６るいはＬｕｎｅｂｕｒｇレンズと称される
導波路し／ズ４で平行光に変換される。電極５に高周波
電圧が印加されると弾性表面波６か結晶表面を伝播する
％性表面波に入射したレーザ光は回折され、格子からな
る導波路レンズ７で導波路外に導かれる。９に示した位
置では第１図（Ｂ）のごとき断面形状をしたレーザ光に
変換されている。
ごとき弾性表面波を伝播させる材料であり、結晶表面に
はＴｉ拡散した光導波路＋１ｉＪ ３を設けである。半
導体レーザ１からの光は光導波路層に導かれ、Ｇｅｏｄ
ｅｓｉｃ ６るいはＬｕｎｅｂｕｒｇレンズと称される
導波路し／ズ４で平行光に変換される。電極５に高周波
電圧が印加されると弾性表面波６か結晶表面を伝播する
％性表面波に入射したレーザ光は回折され、格子からな
る導波路レンズ７で導波路外に導かれる。９に示した位
置では第１図（Ｂ）のごとき断面形状をしたレーザ光に
変換されている。
すなわち、導波路レンズ７は、第１図Ｂに示したｙ方向
の光束に関しては細い平行光束に変換し、２方向の光束
Ｆｉ１０に示した位置で１００μｍ程度の微小スポット
に絞りこむ。ｙ方向の平行光束は円筒レンズ８により絞
りこまれるので、位置１０では結果として第１図（Ｃ）
のごとく断面が円形状の１００μｍφ程度の微小光スポ
ットに絞られる。
の光束に関しては細い平行光束に変換し、２方向の光束
Ｆｉ１０に示した位置で１００μｍ程度の微小スポット
に絞りこむ。ｙ方向の平行光束は円筒レンズ８により絞
りこまれるので、位置１０では結果として第１図（Ｃ）
のごとく断面が円形状の１００μｍφ程度の微小光スポ
ットに絞られる。
第２図は光偏向素子１８を複数個用いた本発明の光走査
装置を示す。それぞれの光偏向素子は方向１９に示した
ように光走査し、結果として１本の走査線１６が形成さ
れる。走査線１６は円筒レンズ８の焦線付近に形成でれ
ているため、光偏向素子１８−１．１８−２．１８−３
が配列方向と直角方向に位置ずれを生じてもそれぞれの
光偏向素子が発生させる光走査線は第２図に示すように
１不の直巌の光走査線として精度良く形成できる。それ
ぞれの光偏向素子が形成する光走査線は１７に示した場
所で横方向で一致させる必要かめるが、この方向の位置
合わせは次のようにして行なう。それぞれの光偏向素子
１８が方向１９に光走査するレーザ光の一部１５は鏡１
６で光検知器１４で検知される。光検知器で検知された
信号とレーザ１を発光させるタイミング間の遅延時間を
調節することにより上述した横方向の位置合ゎせを精度
良く行なうことができ、それぞれの光偏向素子１８が光
走査する走査線は１７に示した場所て正確に一致するよ
うにできる。
装置を示す。それぞれの光偏向素子は方向１９に示した
ように光走査し、結果として１本の走査線１６が形成さ
れる。走査線１６は円筒レンズ８の焦線付近に形成でれ
ているため、光偏向素子１８−１．１８−２．１８−３
が配列方向と直角方向に位置ずれを生じてもそれぞれの
光偏向素子が発生させる光走査線は第２図に示すように
１不の直巌の光走査線として精度良く形成できる。それ
ぞれの光偏向素子が形成する光走査線は１７に示した場
所で横方向で一致させる必要かめるが、この方向の位置
合わせは次のようにして行なう。それぞれの光偏向素子
１８が方向１９に光走査するレーザ光の一部１５は鏡１
６で光検知器１４で検知される。光検知器で検知された
信号とレーザ１を発光させるタイミング間の遅延時間を
調節することにより上述した横方向の位置合ゎせを精度
良く行なうことができ、それぞれの光偏向素子１８が光
走査する走査線は１７に示した場所て正確に一致するよ
うにできる。
本発明によれば以上説明したごとく、１本の直線上に高
い解像点数で精度良く光走査が実現できる。
い解像点数で精度良く光走査が実現できる。
第１図は本発明で用いる光偏向素子の構成を示す図、第
２図は本発明の光走査装置を示す図である。 第 １ 図 （β）（Ｃ）
２図は本発明の光走査装置を示す図である。 第 １ 図 （β）（Ｃ）
Claims (1)
- １、半導体レーザと弾性表面波を仏僧させる材料からな
る光偏向素子を複数個用い、それぞれの該光偏向素子は
それぞれの該光偏向素子が光走査するレーザ光の一部を
検知する光検知器を備え、かつそれぞれの光偏向素子が
光走査するレーザ光は少なくとも１個の円筒レンズを通
過させるようにした光走査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24692183A JPS60140324A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 光走査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24692183A JPS60140324A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 光走査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140324A true JPS60140324A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17155733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24692183A Pending JPS60140324A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 光走査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140324A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62231227A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光走査装置 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24692183A patent/JPS60140324A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62231227A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光走査装置 |
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