JPS60140761A - 過電圧保護機能付サイリスタ - Google Patents
過電圧保護機能付サイリスタInfo
- Publication number
- JPS60140761A JPS60140761A JP58245154A JP24515483A JPS60140761A JP S60140761 A JPS60140761 A JP S60140761A JP 58245154 A JP58245154 A JP 58245154A JP 24515483 A JP24515483 A JP 24515483A JP S60140761 A JPS60140761 A JP S60140761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- gate
- pilot
- base layer
- layer
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
- H10D18/211—Thyristors having built-in localised breakdown or breakover regions, e.g. self-protected against destructive spontaneous firing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
- H10D18/221—Thyristors having amplifying gate structures, e.g. cascade configurations
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は降服電圧をこす過電圧が印加されると安全に電
圧トリガすることができる過電圧保腰機能付サイリスタ
に関する。
圧トリガすることができる過電圧保腰機能付サイリスタ
に関する。
サイリスタに降服電圧（ｖＢｏと略す）をこす過電圧が
、アノード−カソード間に印加されると数１０ｍＡ以下
の微少な降服電流で破壊してしまう。
、アノード−カソード間に印加されると数１０ｍＡ以下
の微少な降服電流で破壊してしまう。
過電圧印加に伴って発生する破壊を防止するため、−一
般には電源電圧の２〜３倍の降服電圧のサイリスタを使
う。しかし、直流送電用サイリスタバルブなど多数直列
して使う装置では、少数のサイリスタがトリガ失敗する
と、場合によってはこれらのサイリスタのｖＢｏ値の数
１０倍以上の過電圧が印加される念め−ＶＢＯ値ｌこ余
裕をみる方法で過電圧破壊を防止することは非常に困難
である。過電圧印加に伴う、この種の破壊からサイリス
タを保護するため、サイリスタの外部にアレスタ等の保
嘆回路を設はサイリスタに直接に過電圧が印加されない
ように工夫されているが、保護装置が大型で高価になる
欠点があった。このような事情から。
般には電源電圧の２〜３倍の降服電圧のサイリスタを使
う。しかし、直流送電用サイリスタバルブなど多数直列
して使う装置では、少数のサイリスタがトリガ失敗する
と、場合によってはこれらのサイリスタのｖＢｏ値の数
１０倍以上の過電圧が印加される念め−ＶＢＯ値ｌこ余
裕をみる方法で過電圧破壊を防止することは非常に困難
である。過電圧印加に伴う、この種の破壊からサイリス
タを保護するため、サイリスタの外部にアレスタ等の保
嘆回路を設はサイリスタに直接に過電圧が印加されない
ように工夫されているが、保護装置が大型で高価になる
欠点があった。このような事情から。
過電圧が印加されても、破壊しない過電圧保護機能付サ
イリスタが強く望まれていた。
イリスタが強く望まれていた。
第１図はこのよｌ）な問題を解決するために構成された
過電圧保護機能付サイリスタの断面図である。
過電圧保護機能付サイリスタの断面図である。
同図において１はＰエミッタ層、２はＮベース層、３は
Ｐベース層、４はＮエミツタ層である。Ｐエミッタ層１
の表面にはアノード電極５が配置されており％またメイ
ンサイリスタＭＴのＮエミツタ層４はＰベースｒ藝３が
一部分カソード電極６に接触した。いわゆる短絡エミッ
タ構造となっている。メインサイリスタＭＴの中央部に
は補助Ｎエミッタ１７と補助電極８を設けてパイロット
サイリスタＰＴを構成し、前記Ｎエミツタ層７の内周部
にはＰベース、＠３ａが鱈出しており、その表面にはゲ
ート成極９が設けである。さらにＰベース層３８部分は
Ｎベース１２の方向に突出ておりＰペース＠３ａの下部
領域のＮベース幅は他のＮベース領域のベース幅より狭
くなっている。
Ｐベース層、４はＮエミツタ層である。Ｐエミッタ層１
の表面にはアノード電極５が配置されており％またメイ
ンサイリスタＭＴのＮエミツタ層４はＰベースｒ藝３が
一部分カソード電極６に接触した。いわゆる短絡エミッ
タ構造となっている。メインサイリスタＭＴの中央部に
は補助Ｎエミッタ１７と補助電極８を設けてパイロット
サイリスタＰＴを構成し、前記Ｎエミツタ層７の内周部
にはＰベース、＠３ａが鱈出しており、その表面にはゲ
ート成極９が設けである。さらにＰベース層３８部分は
Ｎベース１２の方向に突出ておりＰペース＠３ａの下部
領域のＮベース幅は他のＮベース領域のベース幅より狭
くなっている。
このような構造の過電圧保護機能付サイリスタのケート
電極９にゲート電流を流すとパイロットサイリスタＰＴ
がターンオンし、パイロットサイリスタＰＴのターンオ
ン電流は、メインサイリスタＭＴのゲート電流として機
能１．、メインサイリスタＭＴはターンオンする。サイ
リスタをターンオンさせるのに最小限必要なゲート電流
を最小トリガゲート電流■。Ｔと呼んでいる。一般の″
１１！気トリガサイリスタではゲート回路から混入する
ノイズ電流によってサイリスタが誤点弧するこ吉を防止
するため” ＧＴの値を放１０＋ｎＡ−数１００ｍＡに
ｆμｍるよりｌこパイロットサイリスタＰＴのゲート感
度が設定されている。一方、哨１図のサイリスタの順方
向に過電圧を印加すると、パイロットサイリスタｐ Ｔ
の内周部の狭いＮベース幅を持った領域で電圧降服が起
り、この時に発生する降服電流かゲート電流として機能
し、パイロットサイリスタＰＴ、メインサイリスタＭＴ
はｊ１ｎ次ターンオンする。ところが、従来の過電圧保
護機能付サイリスタには次のような欠点があった。
電極９にゲート電流を流すとパイロットサイリスタＰＴ
がターンオンし、パイロットサイリスタＰＴのターンオ
ン電流は、メインサイリスタＭＴのゲート電流として機
能１．、メインサイリスタＭＴはターンオンする。サイ
リスタをターンオンさせるのに最小限必要なゲート電流
を最小トリガゲート電流■。Ｔと呼んでいる。一般の″
１１！気トリガサイリスタではゲート回路から混入する
ノイズ電流によってサイリスタが誤点弧するこ吉を防止
するため” ＧＴの値を放１０＋ｎＡ−数１００ｍＡに
ｆμｍるよりｌこパイロットサイリスタＰＴのゲート感
度が設定されている。一方、哨１図のサイリスタの順方
向に過電圧を印加すると、パイロットサイリスタｐ Ｔ
の内周部の狭いＮベース幅を持った領域で電圧降服が起
り、この時に発生する降服電流かゲート電流として機能
し、パイロットサイリスタＰＴ、メインサイリスタＭＴ
はｊ１ｎ次ターンオンする。ところが、従来の過電圧保
護機能付サイリスタには次のような欠点があった。
＠２図は過電圧によってターンオンした時の臨界オン電
流上昇率（ｄ Ｉ／ｄ を酌量）とパイロットサイリス
タＰＴの最小ゲートトリガ電流ＩＧＴの関係を示したも
のである。同図から明らかなように、■。Ｔが大きくな
るき、電圧トリが時のｄｉ／ｄｔ耐渚は急激に減少し−
”ＧＴの値が許容降服電流値ＩＡｙ（ｍａｘ）をこすと
、パイロットサイリスタＰＴか電圧トリガされる前ｌこ
、電圧降服領域が破壊を起し、ｄｉ／ｄｔ耐量さＯとな
る。ｄｉ／ｄｔｉ＠量を大きくするには、ＩＡｙ（ｍａ
ｘ）に比べて、充分に小さいＩＧＴを選定する必要があ
る。■ＡＶ（ｍａｘ）は一般に数１０ｍＡ以下であるた
め、ｄｉ／ｄｔ耐量を犬きくするにはＩＧＴの値を数ｍ
Ａにする事が望ましい。しかし、前述したように工ＧＴ
を小さくした設計をすると、ゲート電極から混入するノ
イズ電流によってパイロットサイリスタか誤動作しゃす
（なる。このように、従来の方法では、ゲート回路から
混入するノイズ電流に誤動作することな（高いｄｉ／ｄ
ｔ耐量を持った過電圧保護機能付サイリスタを実現する
ことが困難であった。
流上昇率（ｄ Ｉ／ｄ を酌量）とパイロットサイリス
タＰＴの最小ゲートトリガ電流ＩＧＴの関係を示したも
のである。同図から明らかなように、■。Ｔが大きくな
るき、電圧トリが時のｄｉ／ｄｔ耐渚は急激に減少し−
”ＧＴの値が許容降服電流値ＩＡｙ（ｍａｘ）をこすと
、パイロットサイリスタＰＴか電圧トリガされる前ｌこ
、電圧降服領域が破壊を起し、ｄｉ／ｄｔ耐量さＯとな
る。ｄｉ／ｄｔｉ＠量を大きくするには、ＩＡｙ（ｍａ
ｘ）に比べて、充分に小さいＩＧＴを選定する必要があ
る。■ＡＶ（ｍａｘ）は一般に数１０ｍＡ以下であるた
め、ｄｉ／ｄｔ耐量を犬きくするにはＩＧＴの値を数ｍ
Ａにする事が望ましい。しかし、前述したように工ＧＴ
を小さくした設計をすると、ゲート電極から混入するノ
イズ電流によってパイロットサイリスタか誤動作しゃす
（なる。このように、従来の方法では、ゲート回路から
混入するノイズ電流に誤動作することな（高いｄｉ／ｄ
ｔ耐量を持った過電圧保護機能付サイリスタを実現する
ことが困難であった。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、そ
の目的とするところは、ゲート回路から混入するノイズ
電流に対して誤動作しに（＜、高いｄｉ／ｄｔ耐量で電
圧トリガ可能な過電圧保護機能付サイリスタを提供する
ことである。
の目的とするところは、ゲート回路から混入するノイズ
電流に対して誤動作しに（＜、高いｄｉ／ｄｔ耐量で電
圧トリガ可能な過電圧保護機能付サイリスタを提供する
ことである。
本発明はサイリスタの一部分に他の領域より。
降服電圧の低い領域を設け、この領域を少（す（とも１
つ以上のパイロットサイリスタで囲ミ、増幅ゲート構造
とし、パイロットサイリスタのカソード電極にゲートト
リガするだめのゲート電極を設け、第１段目のパイロッ
トサイリスタのゲート嚇トリが感度を後段のパイロット
サイリスタのゲート・トリガ感度より犬へ（シたことを
特徴とする。
つ以上のパイロットサイリスタで囲ミ、増幅ゲート構造
とし、パイロットサイリスタのカソード電極にゲートト
リガするだめのゲート電極を設け、第１段目のパイロッ
トサイリスタのゲート嚇トリが感度を後段のパイロット
サイリスタのゲート・トリガ感度より犬へ（シたことを
特徴とする。
本発明によれば過電圧によって発生する降服電流に対し
てゲート会トリが感度を高（、また、ゲート電流に対し
てはゲート会トリが感度が低（なるように工夫しである
ため、ゲート回路から混入するノイズ電流に対して、誤
動作しにくり、がっ、高いｄｉ／ｄｔ耐量で安全に電圧
トリガする過電圧保護機能付サイリスタが可能となる。
てゲート会トリが感度を高（、また、ゲート電流に対し
てはゲート会トリが感度が低（なるように工夫しである
ため、ゲート回路から混入するノイズ電流に対して、誤
動作しにくり、がっ、高いｄｉ／ｄｔ耐量で安全に電圧
トリガする過電圧保護機能付サイリスタが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明下る。第
２図は本発明の一実施例のサイリスタの断面図である。
２図は本発明の一実施例のサイリスタの断面図である。
Ｐエミッタ層１１．Ｎベース層１２゜Ｐペース＋６ｘ３
．Ｎエミツタ層１４の４層が主サイリスタＭＴをイ蒋成
し、そのＰエミツタ層１１の表面にアノード電極１５．
Ｎエミツタ層１４の表面にカソード電極１６が配置され
ている。メインサイリスタＭＴの中央部には第１のパイ
ロットサイリスタＰＴＩと第２のパイロットサイリスタ
ＰＴ２が設けである。第１のパイロットサイリスタＰＴ
ＩのＮエミツタ層１４１の直下のＰベース層１３１のＰ
ベース幅Ｗ は第２のパイロットサイリスタのＰベース
層ＰＢ。
．Ｎエミツタ層１４の４層が主サイリスタＭＴをイ蒋成
し、そのＰエミツタ層１１の表面にアノード電極１５．
Ｎエミツタ層１４の表面にカソード電極１６が配置され
ている。メインサイリスタＭＴの中央部には第１のパイ
ロットサイリスタＰＴＩと第２のパイロットサイリスタ
ＰＴ２が設けである。第１のパイロットサイリスタＰＴ
ＩのＮエミツタ層１４１の直下のＰベース層１３１のＰ
ベース幅Ｗ は第２のパイロットサイリスタのＰベース
層ＰＢ。
１３２、メインサイリスタＭＴのＰイー１層１３のＰペ
ース幅ＷＰＢ７．ＷＰＢと比較して狭（なるように構成
されている。第１のパイロットサイリスタＰＴＩの補助
カソード電極１６１にゲート電極１７が設けてありゲー
ト電極１７とカソード電極１６の開にゲート回路を接続
し、ゲート電極１７にゲート電流を流すとサイリスタは
通常のゲートトリガ作用により、ターンオンする。＠１
のパイロットサイリスクＰＴ１のＮエミツタ層１４１
の内周部のＰベース層１３１ａが露出しており、Ｐペー
ス１ｉ５１３１ａはＮベース１響１２の方向１に突出し
て１５す、Ｎベース＠１２とＰベースＩＱ ］ ３１
ａで構成される接合部Ｊ、に湾曲部１８が設けである。
ース幅ＷＰＢ７．ＷＰＢと比較して狭（なるように構成
されている。第１のパイロットサイリスタＰＴＩの補助
カソード電極１６１にゲート電極１７が設けてありゲー
ト電極１７とカソード電極１６の開にゲート回路を接続
し、ゲート電極１７にゲート電流を流すとサイリスタは
通常のゲートトリガ作用により、ターンオンする。＠１
のパイロットサイリスクＰＴ１のＮエミツタ層１４１
の内周部のＰベース層１３１ａが露出しており、Ｐペー
ス１ｉ５１３１ａはＮベース１響１２の方向１に突出し
て１５す、Ｎベース＠１２とＰベースＩＱ ］ ３１
ａで構成される接合部Ｊ、に湾曲部１８が設けである。
降服電圧をこす過電圧がアノード電極１５とカソード電
極１６の間に印加されると、この湾曲部１８に電界の集
中が起り降服電流が流イ１．る。この降服′電流は、第
□のパイ。ットザイリスタＰＴ１のゲート電流として機
能し、第１のパイロットサイリスタＰＴＩは過電圧の印
加により電圧トリガする。ｆｊ１のパイロットサイリス
タＰＴＩのターンオン電流は第２のパイロットサイリス
クＰ Ｔ ２のゲート電流として、さらに第２のパイロ
ットサイリスｐＰＴ ２のターンオン電流は、メインサ
・イリスタＭＴのゲート電流として順次機能することに
より、＠終曲にメインサイリスタＭＴが過電圧ｌこよっ
て安全に′電圧トリガできる。
極１６の間に印加されると、この湾曲部１８に電界の集
中が起り降服電流が流イ１．る。この降服′電流は、第
□のパイ。ットザイリスタＰＴ１のゲート電流として機
能し、第１のパイロットサイリスタＰＴＩは過電圧の印
加により電圧トリガする。ｆｊ１のパイロットサイリス
タＰＴＩのターンオン電流は第２のパイロットサイリス
クＰ Ｔ ２のゲート電流として、さらに第２のパイロ
ットサイリスｐＰＴ ２のターンオン電流は、メインサ
・イリスタＭＴのゲート電流として順次機能することに
より、＠終曲にメインサイリスタＭＴが過電圧ｌこよっ
て安全に′電圧トリガできる。
本発明では第１のパイロットサイリスタＰＴ１のゲート
トリガ感度を第２のパイロットサイリスタＰＴ２％メイ
ンサイリスタＭＴのゲート感度より高くしである。その
結果、第１のパイロットサイリスタＰＴＩはわずかな降
服電流で電圧トリガすることができ、高いｄｉ／ｄｔ耐
信を得るこ乏ができる。
トリガ感度を第２のパイロットサイリスタＰＴ２％メイ
ンサイリスタＭＴのゲート感度より高くしである。その
結果、第１のパイロットサイリスタＰＴＩはわずかな降
服電流で電圧トリガすることができ、高いｄｉ／ｄｔ耐
信を得るこ乏ができる。
一方は第２のパイロットサイリスタＰＴ２のゲート感度
は通常のサイリスタと同一レベルに設定されているので
ゲート回路から混入するノイズ電流によって誤動作する
ことはない。
は通常のサイリスタと同一レベルに設定されているので
ゲート回路から混入するノイズ電流によって誤動作する
ことはない。
パイロットサイリスタＰＴＩ、ＰＴ２のゲートトリガ感
度は各Ｎエミツタ層１４１，１４２直下のＰベース層１
３１，１３２ の横方向抵抗Ｒｐ、 、Ｒｐ。
度は各Ｎエミツタ層１４１，１４２直下のＰベース層１
３１，１３２ の横方向抵抗Ｒｐ、 、Ｒｐ。
で決定され、ＲＰが大きいほどゲート・トリガ感度は大
きくできる。例えば、第３図に示した実施例では、 Ｒ
ｐ、 、Ｒｐ、は、Ｐベース層１３１，１３２の１抵抗
Ｐｓｐ、、Ｐｓｐ、とＮエミッタ層１４１，１４２の幾
何学形状で決定される。リング状のＮエミッタ層１４１
，１４２ の内径ｄＩ ｅ外径ｄ、とすると、Ｐベース
横方向抵抗ＲｐはＰイー１層抵抗ＰｓｐとＩ ｎ （ｄ
、／ｄ、）に比例する。本発明の実施例では。
きくできる。例えば、第３図に示した実施例では、 Ｒ
ｐ、 、Ｒｐ、は、Ｐベース層１３１，１３２の１抵抗
Ｐｓｐ、、Ｐｓｐ、とＮエミッタ層１４１，１４２の幾
何学形状で決定される。リング状のＮエミッタ層１４１
，１４２ の内径ｄＩ ｅ外径ｄ、とすると、Ｐベース
横方向抵抗ＲｐはＰイー１層抵抗ＰｓｐとＩ ｎ （ｄ
、／ｄ、）に比例する。本発明の実施例では。
ＰＳ、−３０００Ｑ／口、ＰＳ、−５０００／口 とし
、第１パイロツトＰＴ１の寸法をｄ＋ −１，５ｍｍφ
、 ｄ、 −２，０ｍｍφ 、第２のパイロットサイリ
スタの寸法を４１ｗ３．Ｑｍｍφｔ’ｔ −３，５ｍｍ
φ としている。この場合のゲート−トリが感度は最小
トリガゲート′ｉイ流に換算してＰＴｌが５ｍＡ、ＰＴ
２が６０ｍＡとなりＰＴＩのゲート・トリガ感度はＰＴ
２のそれの１２倍となっている。
、第１パイロツトＰＴ１の寸法をｄ＋ −１，５ｍｍφ
、 ｄ、 −２，０ｍｍφ 、第２のパイロットサイリ
スタの寸法を４１ｗ３．Ｑｍｍφｔ’ｔ −３，５ｍｍ
φ としている。この場合のゲート−トリが感度は最小
トリガゲート′ｉイ流に換算してＰＴｌが５ｍＡ、ＰＴ
２が６０ｍＡとなりＰＴＩのゲート・トリガ感度はＰＴ
２のそれの１２倍となっている。
以上の説明から明らかなように、本発明では過電圧が印
加されると高感度の第１パイロツトサイリスタＰＴＩが
電圧ターンオンし、ゲート電流に対しては、より感度の
低い第２のパイロットサイリスタがゲート・ターンオン
するように工夫されているから、ゲート回路から混入す
るノイズ電流に対して誤動作しにくく、高いｄｉ／ｄｉ
耐量で電圧トリガできる過電圧保護機能付サイリスタを
実現することができる。
加されると高感度の第１パイロツトサイリスタＰＴＩが
電圧ターンオンし、ゲート電流に対しては、より感度の
低い第２のパイロットサイリスタがゲート・ターンオン
するように工夫されているから、ゲート回路から混入す
るノイズ電流に対して誤動作しにくく、高いｄｉ／ｄｉ
耐量で電圧トリガできる過電圧保護機能付サイリスタを
実現することができる。
第３図の実施例では、第２のパイロットサイリスタＰＴ
２がある場合について１本発明の詳細な説明したが、第
２のパイロットサイリスタがなくテモメインサイリスタ
ＭＴのゲート・トリガ感度を第１のパイロットサイリス
タＰＴＩのゲート・トリガ感度より低くなるように構成
してあれば第３図の実施イ＋］１と同様な効果が得られ
ることは言うまでもない。
２がある場合について１本発明の詳細な説明したが、第
２のパイロットサイリスタがなくテモメインサイリスタ
ＭＴのゲート・トリガ感度を第１のパイロットサイリス
タＰＴＩのゲート・トリガ感度より低くなるように構成
してあれば第３図の実施イ＋］１と同様な効果が得られ
ることは言うまでもない。
又、降服電流を発生する方法が、第３図の実施例と異な
る方法でも本発明の効果がかわるものではない。
る方法でも本発明の効果がかわるものではない。
第１図は従来の過電圧保岐機能付サイリスタの断面図、
嬉２図は本発明−実伽例の過電圧保岐機能付サイリスク
の断面図、第３図は本発明の他の実施例を説明するため
の図である。 １１・・・Ｐエミッタ＠、１２・・・ＮベースＩ？！、
１３・・・Ｐベース層、１４・・・Ｎエミツタ層、１５
・・・アノード電極、１６・・・カソード電極、ＭＴ・
・・メインサイリスタ、ＰＴＩ・・・第１のパイロット
サイリスタ。 ＰＴ２・・・第２のパイロットサイリスタ、１４１・・
−ＰＴＩのＮエミッタ１脅、１３１・・・１４１直下の
Ｐペース層、１３２・・・ＦＴ２のＰベース層、１６１
・・・ＰＴＩの補助カソード電極、１７・・・ゲート電
極、曲部。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（はが１名〕第１図 二 と 第３図 第２ 図 ＩｔｒｒＣｙｎＡ）
嬉２図は本発明−実伽例の過電圧保岐機能付サイリスク
の断面図、第３図は本発明の他の実施例を説明するため
の図である。 １１・・・Ｐエミッタ＠、１２・・・ＮベースＩ？！、
１３・・・Ｐベース層、１４・・・Ｎエミツタ層、１５
・・・アノード電極、１６・・・カソード電極、ＭＴ・
・・メインサイリスタ、ＰＴＩ・・・第１のパイロット
サイリスタ。 ＰＴ２・・・第２のパイロットサイリスタ、１４１・・
−ＰＴＩのＮエミッタ１脅、１３１・・・１４１直下の
Ｐペース層、１３２・・・ＦＴ２のＰベース層、１６１
・・・ＰＴＩの補助カソード電極、１７・・・ゲート電
極、曲部。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（はが１名〕第１図 二 と 第３図 第２ 図 ＩｔｒｒＣｙｎＡ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＰＮＰＮｄ層構造を有するメインサイリスタ領域内の一
部分に、他の領域より低い電圧で電圧降服を起す領域を
設け、この領域に少（なくとも１つ以上のパイロットサ
イリスタを設け、各パイロットサイリスタのカソード電
極の少（とも１個所にゲート電極を設け、前記電圧降服
を起す領域で発生する降服電流で最初に過電圧トリガす
る、第１のパイロットサイリスタのゲート・トリが感度
を。 後段のパイロットサイリスタ、又はメインサイリスタの
ゲート・トリガ感度より、大粗くなるように設定したこ
とを特徴とする過電圧保護機能付サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245154A JPH065740B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 過電圧保護機能付サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245154A JPH065740B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 過電圧保護機能付サイリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140761A true JPS60140761A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH065740B2 JPH065740B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=17129415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58245154A Expired - Lifetime JPH065740B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 過電圧保護機能付サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065740B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61247071A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Hitachi Ltd | 過電圧自己保護型半導体装置 |
| JPH0480965A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Hitachi Ltd | 過電圧自己保護型半導体装置 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58245154A patent/JPH065740B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61247071A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Hitachi Ltd | 過電圧自己保護型半導体装置 |
| JPH0480965A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Hitachi Ltd | 過電圧自己保護型半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065740B2 (ja) | 1994-01-19 |
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