JPS60140883A - 半導体装置製造方法 - Google Patents
半導体装置製造方法Info
- Publication number
- JPS60140883A JPS60140883A JP58246952A JP24695283A JPS60140883A JP S60140883 A JPS60140883 A JP S60140883A JP 58246952 A JP58246952 A JP 58246952A JP 24695283 A JP24695283 A JP 24695283A JP S60140883 A JPS60140883 A JP S60140883A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- powder
- layer
- manufacturing
- paste
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置製造方法に係り、特に太陽電池の
Ｂ Ｓ Ｆ （Ｂａｃｋ ５ｕｒｆａｃｅ ＦｉｅＭ
） １９および電極の好適な製造方法に関する。
Ｂ Ｓ Ｆ （Ｂａｃｋ ５ｕｒｆａｃｅ ＦｉｅＭ
） １９および電極の好適な製造方法に関する。
半導体素子の例として、太陽電池の代表的な構成例を図
に示すＯｎ＋／ｐ／ｐ′′接合を形成した８１基板の受
光面、および裏面に受光面電極４．裏面電極５を形成し
た構造である。さらに一般には反射防止膜等も設けられ
る。
に示すＯｎ＋／ｐ／ｐ′′接合を形成した８１基板の受
光面、および裏面に受光面電極４．裏面電極５を形成し
た構造である。さらに一般には反射防止膜等も設けられ
る。
この太陽電池の近年における重要課題は、製造コストの
低減にあり１受光面電極４、裏面電極５の形成法も従来
の真空蒸着法にかわって、低コストなメッキ法や印刷法
が検討されるようになってきた。特に印刷法は、自動化
が容易で生産性が高いことから広く検討さ扛ている。
低減にあり１受光面電極４、裏面電極５の形成法も従来
の真空蒸着法にかわって、低コストなメッキ法や印刷法
が検討されるようになってきた。特に印刷法は、自動化
が容易で生産性が高いことから広く検討さ扛ている。
ｐ＋＃３形式にも、この印刷法が広く用いられてお９．
Ａｔ粉末と有機結合剤、有機溶剤を混練したペースト状
の物質（以下Ａ７ペーストと云う）をスクリーン印刷法
などで塗布し、焼成する方法である０このための市販の
Ｍペーストは太陽電池のｐ＋層形成用として多くのもの
が市販されている。
Ａｔ粉末と有機結合剤、有機溶剤を混練したペースト状
の物質（以下Ａ７ペーストと云う）をスクリーン印刷法
などで塗布し、焼成する方法である０このための市販の
Ｍペーストは太陽電池のｐ＋層形成用として多くのもの
が市販されている。
しかし市販のＡＩ！ペーストを用い一層６および裏面電
極４の形成を行うと次の問題があった０即ち、大気中（
酸化雰囲中）で焼成すると、 ＡＩ！層が酸化さ扛、絶
縁物であるｋｌ！２０３となるため、後工程でｋｌ！２
０Ｂを除去することが必要となシ工程が複雑となる。こ
の酸化を防止するためには、不活性雰囲気（Ｎ２＋ Ａ
ｒ＋ Ｈｅ等）で焼成することが有効であるが、市販の
Ｍペーストでは、何扛も焼成後のＭ層に凝集やクラック
が生じＭ層をそのまま電極、あるいは裏面電極の一部と
して使用することができない。このためＡＩ！層をエツ
チング等で除去した後、再びＡｇペースト等を用いて裏
面電極４を形成する必要が生じ、工程が複雑となり、太
陽電池のコストアップを招く欠点があった。また更には
ＡＩ！層に凝集やクラックが住じるため、均一な一層が
形成できず、太陽電池の効率が低下する欠点もあった。
極４の形成を行うと次の問題があった０即ち、大気中（
酸化雰囲中）で焼成すると、 ＡＩ！層が酸化さ扛、絶
縁物であるｋｌ！２０３となるため、後工程でｋｌ！２
０Ｂを除去することが必要となシ工程が複雑となる。こ
の酸化を防止するためには、不活性雰囲気（Ｎ２＋ Ａ
ｒ＋ Ｈｅ等）で焼成することが有効であるが、市販の
Ｍペーストでは、何扛も焼成後のＭ層に凝集やクラック
が生じＭ層をそのまま電極、あるいは裏面電極の一部と
して使用することができない。このためＡＩ！層をエツ
チング等で除去した後、再びＡｇペースト等を用いて裏
面電極４を形成する必要が生じ、工程が複雑となり、太
陽電池のコストアップを招く欠点があった。また更には
ＡＩ！層に凝集やクラックが住じるため、均一な一層が
形成できず、太陽電池の効率が低下する欠点もあった。
本発明の目的は上記した欠点のない、安価で高効率な太
陽電池などの半導体装置製造方法を提供することにある
。
陽電池などの半導体装置製造方法を提供することにある
。
本発明の半導体素子製造方法は、Ｐ型シリコン基板の一
方の主面に、同一導電型不純物層および電極を形成する
において、鱗片状のＡ７粉末を主成分とするペースト状
物質を塗布した後、焼成することを特徴とする。本発明
が従来の方法と異なる点は、Ｍペースト中の主成分であ
るＭ粉末に鱗片状のものを用いたことである。こ扛によ
り従来、不活性雰囲気中の焼成では不可能であった凝集
やクラックのない均一なＭ層およびｐ＋層の形成を可能
にし、工程数の大幅短縮、低コスト化、高効率化を実現
した。
方の主面に、同一導電型不純物層および電極を形成する
において、鱗片状のＡ７粉末を主成分とするペースト状
物質を塗布した後、焼成することを特徴とする。本発明
が従来の方法と異なる点は、Ｍペースト中の主成分であ
るＭ粉末に鱗片状のものを用いたことである。こ扛によ
り従来、不活性雰囲気中の焼成では不可能であった凝集
やクラックのない均一なＭ層およびｐ＋層の形成を可能
にし、工程数の大幅短縮、低コスト化、高効率化を実現
した。
本発明に用いるＡ７ペーストの成分について以下に更に
詳述する。主成分である鱗片状のＡＪ粉末は平均粒径で
１０μｍ以下であることが好ましい。１０μｍ以上のも
のを用いてスクリーン印刷した場合メツシュの目づまり
が起き易く、連続印刷性に問題がある。またこのペース
ト中にＳｎ、 Ｉｎから選ばれる金属を添加することは
、 ＡＩ！層をそのまま電極とする際、非常に有効な手
段である。こ扛は、と扛らの金属を配合したＭペースト
ラシリコンなどの基板上に印刷し、焼成すると、均一な
ｆ層が形成さ扛るとともに、同時に形成されるＡ７層上
に、従来不可能であっためつき法による金属皮膜が形成
できることを見い出したことによる。これにより、裏面
型１ｆｆＩ！、５の電気抵抗が低減できるとともに、め
っきによる金属皮膜として、半田濡れ性の良い金属（例
えば、 Ｃｕ、 Ｎｉ＋ Ｐｂ、 ｓｎ等）を用いた場
合には、半田付も可能となる。また更には、Ｍ粉末単体
のＭペーストから形成したＭ層と比べ、表面の平滑性に
も優れてお９、セルをパネル化する際のバラケージング
工程での作業マージンの拡大効果もある。このＳｎ、Ｉ
ｎから選ばｎる少なくとも１種の金塊の配合割合は、Ｍ
粉末１００重量部に対して５〜５０重量部、好ましくは
１０〜５０重量であることが必要である。配合割合が５
重量部より少ないと先に述べた、ｓｎ、 Ｉｎの添加効
果はほとんど得ら扛ない。また５０重量部より多くなる
と、形成さ扛たＡｌ！層の電気抵抗が高くなり、セルの
効率低下を招く。次に他の構成成分である有機結合剤と
有機溶剤について述べる。これらは従来の厚膜スクリー
ン印刷用ペーストで用いら扛ているものと同様のものを
用いることができる。有機結合剤としてはセルロース系
化合物や、ポリメタクリレート系化合物などが、有機溶
剤としては多価アルコール系のものが特に好適である。
詳述する。主成分である鱗片状のＡＪ粉末は平均粒径で
１０μｍ以下であることが好ましい。１０μｍ以上のも
のを用いてスクリーン印刷した場合メツシュの目づまり
が起き易く、連続印刷性に問題がある。またこのペース
ト中にＳｎ、 Ｉｎから選ばれる金属を添加することは
、 ＡＩ！層をそのまま電極とする際、非常に有効な手
段である。こ扛は、と扛らの金属を配合したＭペースト
ラシリコンなどの基板上に印刷し、焼成すると、均一な
ｆ層が形成さ扛るとともに、同時に形成されるＡ７層上
に、従来不可能であっためつき法による金属皮膜が形成
できることを見い出したことによる。これにより、裏面
型１ｆｆＩ！、５の電気抵抗が低減できるとともに、め
っきによる金属皮膜として、半田濡れ性の良い金属（例
えば、 Ｃｕ、 Ｎｉ＋ Ｐｂ、 ｓｎ等）を用いた場
合には、半田付も可能となる。また更には、Ｍ粉末単体
のＭペーストから形成したＭ層と比べ、表面の平滑性に
も優れてお９、セルをパネル化する際のバラケージング
工程での作業マージンの拡大効果もある。このＳｎ、Ｉ
ｎから選ばｎる少なくとも１種の金塊の配合割合は、Ｍ
粉末１００重量部に対して５〜５０重量部、好ましくは
１０〜５０重量であることが必要である。配合割合が５
重量部より少ないと先に述べた、ｓｎ、 Ｉｎの添加効
果はほとんど得ら扛ない。また５０重量部より多くなる
と、形成さ扛たＡｌ！層の電気抵抗が高くなり、セルの
効率低下を招く。次に他の構成成分である有機結合剤と
有機溶剤について述べる。これらは従来の厚膜スクリー
ン印刷用ペーストで用いら扛ているものと同様のものを
用いることができる。有機結合剤としてはセルロース系
化合物や、ポリメタクリレート系化合物などが、有機溶
剤としては多価アルコール系のものが特に好適である。
次にＡＩ！ペーストの焼成条件について述べる。焼成温
度は６６０〜９００℃、好ましくは７００〜８００℃が
艮い。６６０℃より低い温度ではＡＩ！が溶融しないた
め、均一な１層が形成されにくい。また９００℃より高
い温度を用いると、受光面側に形成されている？接合層
の接合深さがかわり、セルの効率劣下が生じる。焼成の
時間は２〜６０分、好ましくは３〜３０分が艮い。２分
未満であると、Ｍ層やｐ＋層の形成が不完全となり、高
い効率のセルが得られない。また６０分より焼成時間が
長くなると、先に、９００℃より高い温朋で焼成した場
合と同様の理由でセルの効率劣下が生じる。焼成の雰囲
気は酸素濃度３００ ｐｐｍ以下、好捷しくは５０ｐｐ
ｎ以下の不活性ガス雰囲であることが艮い。３００ｐｐ
ｍ、：ｐ大であると、Ａ１層の酸化が進み、電気抵抗が
高くなるため、セルの効率低下が生じる。不活性ガスと
してはｓ Ｎ２＋ Ａｒ＋ Ｈｅなどがあるが、工業的
に得やすく、安価なＮ２が好捷しい。
度は６６０〜９００℃、好ましくは７００〜８００℃が
艮い。６６０℃より低い温度ではＡＩ！が溶融しないた
め、均一な１層が形成されにくい。また９００℃より高
い温度を用いると、受光面側に形成されている？接合層
の接合深さがかわり、セルの効率劣下が生じる。焼成の
時間は２〜６０分、好ましくは３〜３０分が艮い。２分
未満であると、Ｍ層やｐ＋層の形成が不完全となり、高
い効率のセルが得られない。また６０分より焼成時間が
長くなると、先に、９００℃より高い温朋で焼成した場
合と同様の理由でセルの効率劣下が生じる。焼成の雰囲
気は酸素濃度３００ ｐｐｍ以下、好捷しくは５０ｐｐ
ｎ以下の不活性ガス雰囲であることが艮い。３００ｐｐ
ｍ、：ｐ大であると、Ａ１層の酸化が進み、電気抵抗が
高くなるため、セルの効率低下が生じる。不活性ガスと
してはｓ Ｎ２＋ Ａｒ＋ Ｈｅなどがあるが、工業的
に得やすく、安価なＮ２が好捷しい。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
太陽電池用の接合形成シリコン基板として、図に示すよ
うにＰ型シリコン基板１（平均比抵抗１０ｅｍ％ ｉ！
径６インチ丸型ウェハ）の表面に、イオン打込み法で深
さ０．２〜０．４μｍの耐層２（表面シート抵抗５０Ω
／口）を形成したものを用いた。
うにＰ型シリコン基板１（平均比抵抗１０ｅｍ％ ｉ！
径６インチ丸型ウェハ）の表面に、イオン打込み法で深
さ０．２〜０．４μｍの耐層２（表面シート抵抗５０Ω
／口）を形成したものを用いた。
ＡＪペーストには、表面をステアリン酸コーティングし
た平均粒径２μｍ以下の鱗片状Ａｌ！と、こｎにＩＱｃ
ｐθのエチルセルロース５重量部全α−テルピネオール
９５重量部に溶解した粘稠液を加えながら充分に混練し
、粘度を約１５０ボイズ（すり速度１００／秒）とした
もの、およびこのＡ／ペーストに、Ｓｎ、Ｉｎのうちか
ら選ばれる少なくとも１種の金属粉（平均粒径５μｍ以
下）を各種紐み合せたものを添加し用いた。このＡ７ペ
ーストを先に述べたシリコン基板の裏面（ｎ＋層２と反
対面）にスクリーン印刷し、１５０℃、１０分間の乾燥
処理をした後、この基板を窒素ガス雰囲気（酸素濃度２
．Ｉｌｓｐｐｍ ）中で７５０℃、５分間焼成した。こ
の後、受光面電極４を形成した。
た平均粒径２μｍ以下の鱗片状Ａｌ！と、こｎにＩＱｃ
ｐθのエチルセルロース５重量部全α−テルピネオール
９５重量部に溶解した粘稠液を加えながら充分に混練し
、粘度を約１５０ボイズ（すり速度１００／秒）とした
もの、およびこのＡ／ペーストに、Ｓｎ、Ｉｎのうちか
ら選ばれる少なくとも１種の金属粉（平均粒径５μｍ以
下）を各種紐み合せたものを添加し用いた。このＡ７ペ
ーストを先に述べたシリコン基板の裏面（ｎ＋層２と反
対面）にスクリーン印刷し、１５０℃、１０分間の乾燥
処理をした後、この基板を窒素ガス雰囲気（酸素濃度２
．Ｉｌｓｐｐｍ ）中で７５０℃、５分間焼成した。こ
の後、受光面電極４を形成した。
この様にして作成した太陽電池の電流−電圧特性から、
開放電圧（ｖＯＱ ）、曲線因子（Ｆ、Ｆ）を調べた。
開放電圧（ｖＯＱ ）、曲線因子（Ｆ、Ｆ）を調べた。
また裏面電極４の外観（ＡＪ層の凝集、クラックの有無
）評価および電気ニッケルめっき（液組成：スルフアミ
ノ酸ニッケル１５０ ｇｉｔ、 塩化ニッケル１０ｇ／
Ｊ、ホウ酸４０ｇ／！りを用いめっき析出性評価を行っ
た。
）評価および電気ニッケルめっき（液組成：スルフアミ
ノ酸ニッケル１５０ ｇｉｔ、 塩化ニッケル１０ｇ／
Ｊ、ホウ酸４０ｇ／！りを用いめっき析出性評価を行っ
た。
第１表のＮｏ、 １〜７に示した如く、本発明のｐ＋層
および電極全形成する際、ＡＩ！ペーストの主成分とし
て、鱗片状Ａ／粉末を使用することが、高Ｖ。ｏ１高Ｆ
Ｆなセル特性を得、クラックや凝集のないＭ層形成に効
果のあることがわかる。また、随３〜７より、Ｍペース
トに、Ｓｎ、Ｉｎのうちから選ばｎる少なくとも１種以
上の金属を加えることにより、セルの特性を落すことな
く、従来困難であったＭ層上へのめっきも可能であるこ
とがわかる。このＭ３〜７のニッケルめっき膜上べの半
田濡扛性試験を行った結果も非常に艮好な濡れ結果が得
られた０ 実施例２ 太陽電池用の接合形成シリコン基板として、実施例１と
同様のものを用いた。ＡＩ！ペーストとしてステアリン
酸亜鉛で表面をコーティングした平均粒径２μｍ以下の
鱗片状ＡＩ！粉末１００ｇと、平均粒径１０μｍ以下の
Ｓｎ粉末１０ｇを秤量したものに、ポリインブチルメタ
クリレート２０重量部をα−テルピネオール８０重量部
に溶解した粘稠液を加えながら充分に混練し、粘度が約
１５０ポイズ（すり速度１００７秒）になるよう調整し
たものを用いた。このＡ７ペーストを実施例１と同様に
印刷、乾燥した後、Ｎ２雰囲気中で各種条件を組み合わ
せて焼成し、この後、受光面電極４ｆ形成したＯ この様にして作成した太陽電池の電気特性、およびＡ／
層の外観を実施例１と同様にして調べた。
および電極全形成する際、ＡＩ！ペーストの主成分とし
て、鱗片状Ａ／粉末を使用することが、高Ｖ。ｏ１高Ｆ
Ｆなセル特性を得、クラックや凝集のないＭ層形成に効
果のあることがわかる。また、随３〜７より、Ｍペース
トに、Ｓｎ、Ｉｎのうちから選ばｎる少なくとも１種以
上の金属を加えることにより、セルの特性を落すことな
く、従来困難であったＭ層上へのめっきも可能であるこ
とがわかる。このＭ３〜７のニッケルめっき膜上べの半
田濡扛性試験を行った結果も非常に艮好な濡れ結果が得
られた０ 実施例２ 太陽電池用の接合形成シリコン基板として、実施例１と
同様のものを用いた。ＡＩ！ペーストとしてステアリン
酸亜鉛で表面をコーティングした平均粒径２μｍ以下の
鱗片状ＡＩ！粉末１００ｇと、平均粒径１０μｍ以下の
Ｓｎ粉末１０ｇを秤量したものに、ポリインブチルメタ
クリレート２０重量部をα−テルピネオール８０重量部
に溶解した粘稠液を加えながら充分に混練し、粘度が約
１５０ポイズ（すり速度１００７秒）になるよう調整し
たものを用いた。このＡ７ペーストを実施例１と同様に
印刷、乾燥した後、Ｎ２雰囲気中で各種条件を組み合わ
せて焼成し、この後、受光面電極４ｆ形成したＯ この様にして作成した太陽電池の電気特性、およびＡ／
層の外観を実施例１と同様にして調べた。
捷ためつき析出性の評価を電気銅めっき（液組性：ビロ
リン酸銅９０ｇ／Ｖｂ ビロリン酸カリ３５０＋７／７
． アンモニア３ｍｒ／ｒ）ｅ用いて帥べた。
リン酸銅９０ｇ／Ｖｂ ビロリン酸カリ３５０＋７／７
． アンモニア３ｍｒ／ｒ）ｅ用いて帥べた。
第２表に示した始く、本発明の条件を用いたもの（Ｎｏ
−１１，１２，１３，１５，１７）は何扛も高い”ＯＣ
＋Ｆ’Ｆ値が得られ、且つ裏面電極４となるＡＪ層とし
て凝集やクラックのない平滑な面が得ら扛、めっき析出
性も良好であった。またこの艮好な試料ではめっき膜上
への半田濡れ性も良好であった。
−１１，１２，１３，１５，１７）は何扛も高い”ＯＣ
＋Ｆ’Ｆ値が得られ、且つ裏面電極４となるＡＪ層とし
て凝集やクラックのない平滑な面が得ら扛、めっき析出
性も良好であった。またこの艮好な試料ではめっき膜上
への半田濡れ性も良好であった。
以上のように本発明の半導体装置製造方法を用いれば特
に太陽電池のｐ＋層および裏面電極形成を行ううえで、
従来困難であった。 Ａ１層のＭ２Ｏ，化を効率を下げ
ることなく行える。捷た更にはＭＮｉ上へのめっき処理
も可能とした。こ扛により従来必要であった、Ａ１２（
ｈ層の除去、半田付用のＡｇ電極の形成工程が不要とな
り、工程数および製造コストの大幅低減が可能となる。
に太陽電池のｐ＋層および裏面電極形成を行ううえで、
従来困難であった。 Ａ１層のＭ２Ｏ，化を効率を下げ
ることなく行える。捷た更にはＭＮｉ上へのめっき処理
も可能とした。こ扛により従来必要であった、Ａ１２（
ｈ層の除去、半田付用のＡｇ電極の形成工程が不要とな
り、工程数および製造コストの大幅低減が可能となる。
第１表
図は太陽電池の代表的な構成を示した断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｐ型シリコン基板の一方の主面に、同一導電型不純
物層および電極を形成するにおいて、鱗片状のＡ／粉末
を主成分とするペースト状物質を塗布した後、焼成する
ことを特徴とする半導体装置製造方法。 ２、鱗片状のＡＪ粉末を主成分とするペースト状物質が
、鱗片状ＡＩ！粉末と、必要に応じて加えられるＳｎ、
Ｉｎから選は詐る少なくとも一種の金属と、必要に応
じて加えら扛る有機結合剤と、有機溶剤から成ることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置製造
方法。 ６、鱗片状のＭ粉末がステアリン酸、またはステアリン
酸アルミニウム、またはステアリン酸亜鉛で表面コーテ
ィングしたものであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項、第２項記載の半導体装Ｒ製造方法。 ４、８ｎ、 Ｉｎから選ば扛る少なくとも１種の金属の
配合割合が鱗片状のＭ粉末１００重量部に対して５〜５
０重量部であることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の半導体装置製造方法。 ５、焼成を、酸素濃度３００ ｐｐｍの雰囲気中で、６
６０〜９００℃で２〜６０分間行なうことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246952A JPH06105792B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246952A JPH06105792B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140883A true JPS60140883A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH06105792B2 JPH06105792B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=17156171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58246952A Expired - Fee Related JPH06105792B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105792B2 (ja) |
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| JPS5885574A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-21 | Toshiba Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58246952A patent/JPH06105792B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH06105792B2 (ja) | 1994-12-21 |
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