JPS60141697A - ダイヤモンド振動板の製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド振動板の製造方法Info
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- JPS60141697A JPS60141697A JP58244776A JP24477683A JPS60141697A JP S60141697 A JPS60141697 A JP S60141697A JP 58244776 A JP58244776 A JP 58244776A JP 24477683 A JP24477683 A JP 24477683A JP S60141697 A JPS60141697 A JP S60141697A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スピーカの振動板の形状としたダイヤモンド
薄膜の振動板の製造方法に関するものである。
薄膜の振動板の製造方法に関するものである。
従来からスピーカ用の振動板として各社の素材が使用さ
れて来たが、高剛性の振動板の素材としてはへリリウム
、ホロン化チタン、アルミナ系セラミック、チタン、ア
ルミニウム等が使用されている。
れて来たが、高剛性の振動板の素材としてはへリリウム
、ホロン化チタン、アルミナ系セラミック、チタン、ア
ルミニウム等が使用されている。
又、ダイヤモンドを使用した振動板としてはダイヤモン
１−の微粒子をニッケル等の金属で結合したものもある
。
１−の微粒子をニッケル等の金属で結合したものもある
。
これ等の振動板のうち、金属を素材として使用したもの
は、金属の薄い板を金型でプレスしたり、振動板の形状
をした基板に蒸着法で金属薄膜を形成した後、基板を薬
品で溶かし、或いは全体を加熱しておいてから急冷して
金属薄膜を剥離する等の方法がとられていた。
は、金属の薄い板を金型でプレスしたり、振動板の形状
をした基板に蒸着法で金属薄膜を形成した後、基板を薬
品で溶かし、或いは全体を加熱しておいてから急冷して
金属薄膜を剥離する等の方法がとられていた。
しかしながら、プレス成型は金属）炒の厚さを成る程度
以下とすることはできず、皺ができ易く、且つ成型歪が
残り、不規則振動の原因となっていた。
以下とすることはできず、皺ができ易く、且つ成型歪が
残り、不規則振動の原因となっていた。
又、前記全体を加熱しておいてから急冷する方法では、
全体が同し温度になるため伸びの差が少く、剥離がうま
くゆかない欠点がある。
全体が同し温度になるため伸びの差が少く、剥離がうま
くゆかない欠点がある。
更に、ダイヤモンドの微粒子をニッケル等の金属で結合
したものは、比重が大きくなり、ダイヤモンドの４り性
が生かせない欠点があった。
したものは、比重が大きくなり、ダイヤモンドの４り性
が生かせない欠点があった。
本発明は、透明で高剛性のダイヤモンドを振動板の形状
に形成し、それによって振動板の性能を向上すると共に
、ダイヤモンＩＳの輝きによる美化が可能なダイヤモン
ド振動板を提供し、以って従来の振動板の欠点を除去せ
んとすることを目的とするダイヤモンド振動板の製造方
法である。
に形成し、それによって振動板の性能を向上すると共に
、ダイヤモンＩＳの輝きによる美化が可能なダイヤモン
ド振動板を提供し、以って従来の振動板の欠点を除去せ
んとすることを目的とするダイヤモンド振動板の製造方
法である。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
モリブデン、シリコン、セラミック等のような１０００
℃以上の耐熱性を有し、しかも熱膨張率の小さい材料で
、第１図のような振動板形状の基体ｌを作成する。
℃以上の耐熱性を有し、しかも熱膨張率の小さい材料で
、第１図のような振動板形状の基体ｌを作成する。
この基体１の振動板を形成する表面には、同心円状、或
いは放射線方向、又はランダムに数μ程度の凹凸を形成
しである。
いは放射線方向、又はランダムに数μ程度の凹凸を形成
しである。
７００℃〜１０００ ’Ｃの電気か巾に基体１を置き、
この上に１気圧以下でゆっくりと炭化水素及び水素の混
合ガス２を流し、このガスを更に基体１の上に配設した
ヒータ３で加熱して高温化すると、基体１上には膜状に
ダイヤモンド薄膜４が生長してくる。
この上に１気圧以下でゆっくりと炭化水素及び水素の混
合ガス２を流し、このガスを更に基体１の上に配設した
ヒータ３で加熱して高温化すると、基体１上には膜状に
ダイヤモンド薄膜４が生長してくる。
このように生長したダイヤセン１−゛薄膜４が形成され
た基体１を取り出し、一度冷却した後に赤外線ランプ又
はヒータ５をダイヤセン１薄膜４側から照射すると、ダ
イヤモンＦ−′ｆ！、膜４は透明であるため、前記光線
はダイヤモンド薄膜４を通過し、基体１の表面を加熱す
る。
た基体１を取り出し、一度冷却した後に赤外線ランプ又
はヒータ５をダイヤセン１薄膜４側から照射すると、ダ
イヤモンＦ−′ｆ！、膜４は透明であるため、前記光線
はダイヤモンド薄膜４を通過し、基体１の表面を加熱す
る。
この加熱による熱は基体１が熱伝導率が低いため基体１
の温度はそれ程に上昇せず、ダイヤモンド薄膜４の方が
熱伝導率が高いためダイヤモンド薄膜４ば温度」二昇す
る。
の温度はそれ程に上昇せず、ダイヤモンド薄膜４の方が
熱伝導率が高いためダイヤモンド薄膜４ば温度」二昇す
る。
例えば、ダイヤモンド薄膜４と、基体１をモリブデンで
形成した時では、熱伝導率、熱膨張率は熱伝導率ｗ ／
ｃｍ ’Ｃ熱膨張率Ｘ １０−６／ ’Ｃダイヤモン
ド ６．６０ ．１．０ モリブデン １．３５ ５．０ と異っているため、昇温したダイヤモンド薄膜４は熱膨
張を起し、上記差によって基体１から剥離し、ダイヤモ
ンド振動板が形成できるものである。
形成した時では、熱伝導率、熱膨張率は熱伝導率ｗ ／
ｃｍ ’Ｃ熱膨張率Ｘ １０−６／ ’Ｃダイヤモン
ド ６．６０ ．１．０ モリブデン １．３５ ５．０ と異っているため、昇温したダイヤモンド薄膜４は熱膨
張を起し、上記差によって基体１から剥離し、ダイヤモ
ンド振動板が形成できるものである。
即ぢ、気相成長法により厚さ１０〜５０μに形成したダ
イヤモンド薄膜４は脆いため、基体１から剥離する際に
、機械的な手段では破ｍしてしまう。
イヤモンド薄膜４は脆いため、基体１から剥離する際に
、機械的な手段では破ｍしてしまう。
又、冷熱の急激な変化で剥離しようとしても、ダイヤモ
ンド薄膜４に応力を残してしまうので、ダイヤモンド薄
膜４を破損してしまう公算が大である。
ンド薄膜４に応力を残してしまうので、ダイヤモンド薄
膜４を破損してしまう公算が大である。
これに対し、前記実施例では、ダイヤモンド薄膜４の透
明な性質を利用して、熱光線により基体１の表面を加熱
し、この熱をダイヤモンド振動板膜４には伝達させて、
ダイヤモン）・の熱伝導率が良いためダイヤモンド薄膜
４を全体が均一に温度上昇させ、一方基体１は熱伝導率
が低い為に温度上昇せず、熱膨張に差が生じることによ
ってダイ薄膜ン１′薄欣４が基体１から剥離するもので
ある。
明な性質を利用して、熱光線により基体１の表面を加熱
し、この熱をダイヤモンド振動板膜４には伝達させて、
ダイヤモン）・の熱伝導率が良いためダイヤモンド薄膜
４を全体が均一に温度上昇させ、一方基体１は熱伝導率
が低い為に温度上昇せず、熱膨張に差が生じることによ
ってダイ薄膜ン１′薄欣４が基体１から剥離するもので
ある。
そして、基体１０表面には、数μの凹凸を同心円状、放
射線状、或いはランダムに形成しであるので、ダイヤモ
ンド薄１１＊４は表面にこれと反対の凹凸が形成され、
外部からの光線が当るとダイヤモンド特有の輝きを放つ
こととなる。
射線状、或いはランダムに形成しであるので、ダイヤモ
ンド薄１１＊４は表面にこれと反対の凹凸が形成され、
外部からの光線が当るとダイヤモンド特有の輝きを放つ
こととなる。
このようにして形成されたダイヤモンド振動板は、ダイ
ヤモンドの剛性が大きく、Ｅ＝ ３３Ｘ １０”ｄｙｎ
／ｃｍ、 Ｐ ＝ ３．５ ’２、音速で９７００ｍ
／ ｖｃと現在の材料中ではベリリウムの１２０００
ｍ ／ ｓｅｔに次いで大きいので、広帯域スピーカ
を得ることができる。
ヤモンドの剛性が大きく、Ｅ＝ ３３Ｘ １０”ｄｙｎ
／ｃｍ、 Ｐ ＝ ３．５ ’２、音速で９７００ｍ
／ ｖｃと現在の材料中ではベリリウムの１２０００
ｍ ／ ｓｅｔに次いで大きいので、広帯域スピーカ
を得ることができる。
尚、ダイヤモンド薄膜の形成は、前記気相成長法の他に
、蒸着法も使用でき、同様な方法で剥離が行なわれる。
、蒸着法も使用でき、同様な方法で剥離が行なわれる。
このように、本発明に拠る時には純粋のダイヤモンド振
動板が得られるので、ダイヤモンドの剛性により広１８
域のスピーカとすることができる。
動板が得られるので、ダイヤモンドの剛性により広１８
域のスピーカとすることができる。
そして、スピーカの最も目につく部分に、このダイヤモ
ンド振動板が位置するので、他から光線や、スピーカ内
部に組み込んだ光源からの光線によって、ダイヤモンド
特有の輝きを放つため、大きなデザイン効果が得られる
。
ンド振動板が位置するので、他から光線や、スピーカ内
部に組み込んだ光源からの光線によって、ダイヤモンド
特有の輝きを放つため、大きなデザイン効果が得られる
。
このようなダイヤモンド振動板をその脆さにも拘らず本
発明は製造できるものであって、しかも基体から残留歪
や、その他破損の原因を内■１５に残すことなく、確実
に剥離して、製造できるものである。
発明は製造できるものであって、しかも基体から残留歪
や、その他破損の原因を内■１５に残すことなく、確実
に剥離して、製造できるものである。
図面は本発明の実施の一例を示すもので、第１図は基体
の側面図、第２図は気相成長時、第３図は加熱時、第４
図はその一部の拡大を、第５図はこれによって製造され
たダイヤモン１”振動板の断面図である。 １・・・基体、２・・・混合ガス、３・・・ヒータ、４
・・・ダイヤモンドｉｎ！、５・・・ヒータ。 特許出願人 パイオニア株式会社
の側面図、第２図は気相成長時、第３図は加熱時、第４
図はその一部の拡大を、第５図はこれによって製造され
たダイヤモン１”振動板の断面図である。 １・・・基体、２・・・混合ガス、３・・・ヒータ、４
・・・ダイヤモンドｉｎ！、５・・・ヒータ。 特許出願人 パイオニア株式会社
Claims (1)
- 振動板形状に形成したモリブデン、セラミック等の１０
００℃以上の而（熱性を有すると共に、熱伝導率の小さ
い素材の基体上に、気相成長法によりダイヤモンド薄膜
を形成した後、赤外線等の加熱光線でダイヤモンド薄膜
と基体の接触面を加熱して熱伝導率の差によってダイヤ
モノ１薄膜と基体の熱膨張に差を生じさせ、この熱膨張
の差によって基体からダイヤモンド薄膜を剥離すること
を特徴とするダイヤモンド振動板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58244776A JPS60141697A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | ダイヤモンド振動板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58244776A JPS60141697A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | ダイヤモンド振動板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60141697A true JPS60141697A (ja) | 1985-07-26 |
| JPS6357399B2 JPS6357399B2 (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=17123742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58244776A Granted JPS60141697A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | ダイヤモンド振動板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60141697A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0385099A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Kenwood Corp | スピーカ用振動板及びその製造法 |
| US5071708A (en) * | 1987-10-20 | 1991-12-10 | Showa Denko K.K. | Composite diamond grain |
| US5110579A (en) * | 1989-09-14 | 1992-05-05 | General Electric Company | Transparent diamond films and method for making |
| US5130111A (en) * | 1989-08-25 | 1992-07-14 | Wayne State University, Board Of Governors | Synthetic diamond articles and their method of manufacture |
| US5180571A (en) * | 1990-05-30 | 1993-01-19 | Idemitsu Petrochemical Company Limited | Process for the preparation of diamond |
| US5264071A (en) * | 1990-06-13 | 1993-11-23 | General Electric Company | Free standing diamond sheet and method and apparatus for making same |
| JPH0891992A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-09 | Toyo Kohan Co Ltd | ダイヤモンド被覆ろう付け製品の製造方法 |
| US5523121A (en) * | 1992-06-11 | 1996-06-04 | General Electric Company | Smooth surface CVD diamond films and method for producing same |
| GB2413234A (en) * | 2004-04-15 | 2005-10-19 | B & W Loudspeakers | Diamond diaphragms for loudspeaker drive units or microphones |
| JP2015523952A (ja) * | 2012-05-28 | 2015-08-20 | エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド | 自立形非平面状多結晶合成ダイヤモンドコンポーネント |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP58244776A patent/JPS60141697A/ja active Granted
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5071708A (en) * | 1987-10-20 | 1991-12-10 | Showa Denko K.K. | Composite diamond grain |
| WO1993013015A1 (fr) * | 1987-10-20 | 1993-07-08 | Kunio Komaki | Grains de diamant composites et leur procede de production |
| US5130111A (en) * | 1989-08-25 | 1992-07-14 | Wayne State University, Board Of Governors | Synthetic diamond articles and their method of manufacture |
| JPH0385099A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Kenwood Corp | スピーカ用振動板及びその製造法 |
| US5110579A (en) * | 1989-09-14 | 1992-05-05 | General Electric Company | Transparent diamond films and method for making |
| US5180571A (en) * | 1990-05-30 | 1993-01-19 | Idemitsu Petrochemical Company Limited | Process for the preparation of diamond |
| US5264071A (en) * | 1990-06-13 | 1993-11-23 | General Electric Company | Free standing diamond sheet and method and apparatus for making same |
| US5349922A (en) * | 1990-06-13 | 1994-09-27 | General Electric Company | Free standing diamond sheet and method and apparatus for making same |
| US5523121A (en) * | 1992-06-11 | 1996-06-04 | General Electric Company | Smooth surface CVD diamond films and method for producing same |
| JPH0891992A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-09 | Toyo Kohan Co Ltd | ダイヤモンド被覆ろう付け製品の製造方法 |
| GB2413234A (en) * | 2004-04-15 | 2005-10-19 | B & W Loudspeakers | Diamond diaphragms for loudspeaker drive units or microphones |
| GB2413234B (en) * | 2004-04-15 | 2007-09-12 | B & W Loudspeakers | Diaphragms for loudspeaker drive units or microphones |
| EP1757160B1 (en) * | 2004-04-15 | 2010-05-19 | B & W Group Ltd. | Diamond diaphragms for loudspeaker drive units or microphones |
| JP2015523952A (ja) * | 2012-05-28 | 2015-08-20 | エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド | 自立形非平面状多結晶合成ダイヤモンドコンポーネント |
| US9210972B2 (en) | 2012-05-28 | 2015-12-15 | Element Six Technologies Limited | Free-standing non-planar polycrystalline synthetic diamond components and method of fabrication |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6357399B2 (ja) | 1988-11-11 |
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