JPS60142608A - 多結晶アルミナ焼結体、電極薄膜、圧電性薄膜から成る層状構造物 - Google Patents
多結晶アルミナ焼結体、電極薄膜、圧電性薄膜から成る層状構造物Info
- Publication number
- JPS60142608A JPS60142608A JP58251151A JP25115183A JPS60142608A JP S60142608 A JPS60142608 A JP S60142608A JP 58251151 A JP58251151 A JP 58251151A JP 25115183 A JP25115183 A JP 25115183A JP S60142608 A JPS60142608 A JP S60142608A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- sintered body
- alumina sintered
- piezoelectric thin
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表面波デバイスの用途に適した圧電性薄膜、電
極薄膜および基板材料から成る層状構造物を提供するも
ので、詳しくは基板材料として表面平滑性に秀れた高密
度多結晶アルミナ焼結体を用い、高密度多結晶アルミナ
焼結体基板と圧電性薄膜との間に、すだれ状電極薄膜を
形成することを特徴とするものである。
極薄膜および基板材料から成る層状構造物を提供するも
ので、詳しくは基板材料として表面平滑性に秀れた高密
度多結晶アルミナ焼結体を用い、高密度多結晶アルミナ
焼結体基板と圧電性薄膜との間に、すだれ状電極薄膜を
形成することを特徴とするものである。
表面波デバイスでは表面波のエネルギーが圧電性基板の
表面から表面波の１波長以下の厚さの表面層に集中して
いる。従ってガラス板のような圧電性を示さない材料を
基板として用いても基板表面に圧電単結晶と同等の秀れ
た圧電特性を有する配向性多結晶圧電薄膜、あるいはエ
ピタキシャル単結晶圧電薄膜を形成すれば良好な表面波
デバイスを作ることが出来る。
表面から表面波の１波長以下の厚さの表面層に集中して
いる。従ってガラス板のような圧電性を示さない材料を
基板として用いても基板表面に圧電単結晶と同等の秀れ
た圧電特性を有する配向性多結晶圧電薄膜、あるいはエ
ピタキシャル単結晶圧電薄膜を形成すれば良好な表面波
デバイスを作ることが出来る。
例えば、ガラス基板上にＣ軸が垂直に配向した酸化亜鉛
の薄膜をスパッタリング、気相反応法、真空蒸着等の方
法で形成したものは良好な圧電特性を示すこと、および
圧電単結晶材料に比較して安価に製造出来ることから、
テレビ等における表面弾性波フィルター等の用途に広く
用いられている。
の薄膜をスパッタリング、気相反応法、真空蒸着等の方
法で形成したものは良好な圧電特性を示すこと、および
圧電単結晶材料に比較して安価に製造出来ることから、
テレビ等における表面弾性波フィルター等の用途に広く
用いられている。
しかしながら、ガラスを基板材料として用いＳ程度であ
り、電気機械結合定数に２も１％程程度の低いものしか
得られておらず、高周波領域の使用には今一つの感があ
った。
り、電気機械結合定数に２も１％程程度の低いものしか
得られておらず、高周波領域の使用には今一つの感があ
った。
一般に、圧電性薄膜、電極薄膜および基板材料から成る
層状構造物の圧電特性は基板上に形成される圧電性薄膜
材料の圧電特性だけでなく、基板を構成する材料の物性
ならびにこれらとすだれ状電極との多層構造の方式によ
って影響を受ける。すなわち、同じ圧電材料でも異った
基板上に薄膜を形成したり、すだれ状電極との多層構造
を工夫することにより、その表面波伝搬速度、電気機械
結合定数等の表面波特性のとりうる範囲が大幅に拡張さ
れるという特徴を持つている。
層状構造物の圧電特性は基板上に形成される圧電性薄膜
材料の圧電特性だけでなく、基板を構成する材料の物性
ならびにこれらとすだれ状電極との多層構造の方式によ
って影響を受ける。すなわち、同じ圧電材料でも異った
基板上に薄膜を形成したり、すだれ状電極との多層構造
を工夫することにより、その表面波伝搬速度、電気機械
結合定数等の表面波特性のとりうる範囲が大幅に拡張さ
れるという特徴を持つている。
それ故、表面波特性の秀れた圧電性薄膜、電極薄膜およ
び基板材料から成る層状構造物を得るため、ガラスに限
らず単結晶サファイア、溶融石英、単結晶シリコン等を
基板材料として、その上に酸化亜鉛、窒化アルミニウム
、硫化カドミウム、硫化亜鉛、ニオブ酸リチウム、タン
タル酸リチウム等の配向性多結晶圧電薄膜あるいはエピ
タキシャル単結晶圧電薄膜をスＷ 、ｙ タリング、気
相反応法、真空蒸着等の方法で形成しようとする試みが
活発に行なわれて０る。
び基板材料から成る層状構造物を得るため、ガラスに限
らず単結晶サファイア、溶融石英、単結晶シリコン等を
基板材料として、その上に酸化亜鉛、窒化アルミニウム
、硫化カドミウム、硫化亜鉛、ニオブ酸リチウム、タン
タル酸リチウム等の配向性多結晶圧電薄膜あるいはエピ
タキシャル単結晶圧電薄膜をスＷ 、ｙ タリング、気
相反応法、真空蒸着等の方法で形成しようとする試みが
活発に行なわれて０る。
これらの層状構造物の中で表面波伝搬速度の速い単結晶
サファイア基板上に形成された酸化亜鉛圧電薄膜におい
て、酸化亜鉛圧電薄膜と単結晶サファイア基板との境界
層にすだれ状電極を形成するような多層構造がとれれば
、理論上鉤５％という高い電気機械結合定数Ｋ を有す
とされ、高周波領域で使用される表面波デノ〈イス材料
として共振子やフィルター等の用途に期待されているが
今だ実現されていない。
サファイア基板上に形成された酸化亜鉛圧電薄膜におい
て、酸化亜鉛圧電薄膜と単結晶サファイア基板との境界
層にすだれ状電極を形成するような多層構造がとれれば
、理論上鉤５％という高い電気機械結合定数Ｋ を有す
とされ、高周波領域で使用される表面波デノ〈イス材料
として共振子やフィルター等の用途に期待されているが
今だ実現されていない。
現状のスパッタリング等の技術では単結晶サファイア基
板の上にすだれ状電極、次に酸化亜鉛圧電薄膜を設けた
（以下酸化亜鉛圧電薄膜／すだれ状電極／単結晶サファ
イア基板と記す）のような多層構造を作ることは困難で
あり、現実にはすだれ状電極／酸化亜鉛エピタキシャル
単結晶薄＠／単結晶サファイア基板の多層構造のものし
か得られていない。この層状構造物は５、８ ｋｍ ／
８と速い表面波伝搬速度を有するが、電気機械結合定
数に２はせいぜい２％程度にとどまっている。
板の上にすだれ状電極、次に酸化亜鉛圧電薄膜を設けた
（以下酸化亜鉛圧電薄膜／すだれ状電極／単結晶サファ
イア基板と記す）のような多層構造を作ることは困難で
あり、現実にはすだれ状電極／酸化亜鉛エピタキシャル
単結晶薄＠／単結晶サファイア基板の多層構造のものし
か得られていない。この層状構造物は５、８ ｋｍ ／
８と速い表面波伝搬速度を有するが、電気機械結合定
数に２はせいぜい２％程度にとどまっている。
また、多結晶アルミナ焼結体を基板材料として高音速化
をはかる試みもなされている（特開昭５６−８１２１ｆ
３公報参照）が、基板に用いられた多結晶アルミナ焼結
体の密度、表面粗さが、表面波特性に大きく影響するに
もかかオ〕らず、それらの物性が明記されておらず、か
つ、多層構造としてすだれ状電極が圧電性薄膜上に形成
される構造、すなわちすだね状電極／圧電性薄膜／多結
晶アルミナ焼結体の構造をとって（５） おり、そのため高音速化は実現されているにかかわらず
、高い電気機械結合定数が得られていなかった。
をはかる試みもなされている（特開昭５６−８１２１ｆ
３公報参照）が、基板に用いられた多結晶アルミナ焼結
体の密度、表面粗さが、表面波特性に大きく影響するに
もかかオ〕らず、それらの物性が明記されておらず、か
つ、多層構造としてすだれ状電極が圧電性薄膜上に形成
される構造、すなわちすだね状電極／圧電性薄膜／多結
晶アルミナ焼結体の構造をとって（５） おり、そのため高音速化は実現されているにかかわらず
、高い電気機械結合定数が得られていなかった。
本発明者等は多結晶アルミナ焼結体基板として、その表
面波伝搬速度が単結晶サファイアと殆んど等しくなる程
度に高密度に焼結され、かつ十分な表面平滑性を有する
多結晶アルミナ焼結体を基板材料に用い、金、アルミ等
の金属にてすだれ状電極を形成した後、その上にスパッ
タリング等の方法で酸化亜鉛、窒化アルミ等の配向性多
結晶圧電薄膜を形成したところ、それらの配向性多結晶
圧電薄膜のＣ軸が、被着面に対し垂直に配向することを
見出した。そして圧電性薄膜／すだれ状電極／多結晶ア
ルミナ焼結体基板の多層構造体が、従来単結晶サファイ
ア基板や多結晶アルミナ焼結体基板で成し得なかった速
い表面波伝搬速度）ｆ８と高い電気機械結合定数Ｋ が
得られることを見出し本発明に至った。
面波伝搬速度が単結晶サファイアと殆んど等しくなる程
度に高密度に焼結され、かつ十分な表面平滑性を有する
多結晶アルミナ焼結体を基板材料に用い、金、アルミ等
の金属にてすだれ状電極を形成した後、その上にスパッ
タリング等の方法で酸化亜鉛、窒化アルミ等の配向性多
結晶圧電薄膜を形成したところ、それらの配向性多結晶
圧電薄膜のＣ軸が、被着面に対し垂直に配向することを
見出した。そして圧電性薄膜／すだれ状電極／多結晶ア
ルミナ焼結体基板の多層構造体が、従来単結晶サファイ
ア基板や多結晶アルミナ焼結体基板で成し得なかった速
い表面波伝搬速度）ｆ８と高い電気機械結合定数Ｋ が
得られることを見出し本発明に至った。
以下に本発明の特徴を詳細に述べる。
本発明において使用される多結晶アルミナ焼（６）
粘体は密度８．９０ｆ／ｒ１以上の高密度に焼結され、
表面粗さが１ｔｔｍ以下に仕上げられた、表面平滑性に
秀れた高密度多結晶アルミナ焼結体を用いる。より好ま
しくは、可視光を透過する程までに焼結された閉気孔の
殆んどない多結晶アルミナ焼結体（透光性多結晶アルミ
ナ焼結体）で、表面粗さが０．５μｍ以下に仕上げられ
ているものを用いるのが良い。さらには出来るだけ結晶
粒のそろったものが好ましい。
表面粗さが１ｔｔｍ以下に仕上げられた、表面平滑性に
秀れた高密度多結晶アルミナ焼結体を用いる。より好ま
しくは、可視光を透過する程までに焼結された閉気孔の
殆んどない多結晶アルミナ焼結体（透光性多結晶アルミ
ナ焼結体）で、表面粗さが０．５μｍ以下に仕上げられ
ているものを用いるのが良い。さらには出来るだけ結晶
粒のそろったものが好ましい。
これらの多結晶アルミナ焼結体は通常アルミナ粉末をポ
リビニルブチラール、ポリビニルアルコール等のバイン
ダーと混練し、ドクターブレード法、押し出し法、プレ
ス法等で成形した後、１，５００〜ｔ、ｓ ｏ ｏｏＣ
の温度で焼結して製造されている。場合によっては焼結
助剤として酸化マグネシウム等の金属酸化物が微量添加
されていてもよい。可視光を透過する程度に焼結されて
いる多結晶アルミナ焼結体は、原料粉末として９９．９
％以上の高純度でかつ粒径１μｍ以下の微粒子から成る
高純度アルミナ微粉末を使用し、酸化マグネシウム、酸
化イツトリウム、酸化ランタン等を微量添加し、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルアルコール等のバインダー
と混練した後、真空または水素雰囲気中で１，６００〜
ｔ、９００°Ｃの温度で焼結して作られる。
リビニルブチラール、ポリビニルアルコール等のバイン
ダーと混練し、ドクターブレード法、押し出し法、プレ
ス法等で成形した後、１，５００〜ｔ、ｓ ｏ ｏｏＣ
の温度で焼結して製造されている。場合によっては焼結
助剤として酸化マグネシウム等の金属酸化物が微量添加
されていてもよい。可視光を透過する程度に焼結されて
いる多結晶アルミナ焼結体は、原料粉末として９９．９
％以上の高純度でかつ粒径１μｍ以下の微粒子から成る
高純度アルミナ微粉末を使用し、酸化マグネシウム、酸
化イツトリウム、酸化ランタン等を微量添加し、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルアルコール等のバインダー
と混練した後、真空または水素雰囲気中で１，６００〜
ｔ、９００°Ｃの温度で焼結して作られる。
高純度アルミナ微粉末を原料粉末として用いると、焼結
したままの状態で十分な表面平滑性をもつ多結晶アルミ
ナ焼結体が比較的得られ易いが、焼結したままの状態で
十分な表面平滑性が得られていない場合には、研磨等の
方法で多結晶アルミナ焼結体の表面を平滑に仕上げるこ
とが必要である。
したままの状態で十分な表面平滑性をもつ多結晶アルミ
ナ焼結体が比較的得られ易いが、焼結したままの状態で
十分な表面平滑性が得られていない場合には、研磨等の
方法で多結晶アルミナ焼結体の表面を平滑に仕上げるこ
とが必要である。
焼結密度が低い場合には多結晶アルミナ焼結体内部に多
数の気孔が存在し、単結晶サファイアと同程度の表面波
伝搬速度を示さない。また、表面粗さが粗い多結晶アル
ミナ焼結体を基板として用いた場合には、その上にすだ
れ伏型極薄膜を形成することが困難となり、圧電性薄膜
／すだれ状電極／多結晶アルミナ基板の多層構造が形成
しにくくなると共に、形成される圧電材料の薄膜が十分
な配向性を示さず、従って十分な表面波特性が得られな
い結果となる。
数の気孔が存在し、単結晶サファイアと同程度の表面波
伝搬速度を示さない。また、表面粗さが粗い多結晶アル
ミナ焼結体を基板として用いた場合には、その上にすだ
れ伏型極薄膜を形成することが困難となり、圧電性薄膜
／すだれ状電極／多結晶アルミナ基板の多層構造が形成
しにくくなると共に、形成される圧電材料の薄膜が十分
な配向性を示さず、従って十分な表面波特性が得られな
い結果となる。
このような多結晶アルミナ焼結体を基板材料として、そ
の上にすだれ状電極を形成し、さらに圧電性薄膜を形成
して、圧電性薄＠／すだれ状電極／多結晶アルミナ焼結
体の多層構造よりなる層状構造物を作成する。より速い
表面波速度γＳとより大きい電気機械結合定数に２を得
るためには、さらに対抗電極薄膜を形成し、対抗電極薄
膜／圧電性薄膜／すだれ状電極／多結晶アルミナ焼結体
の多層構造とする。
の上にすだれ状電極を形成し、さらに圧電性薄膜を形成
して、圧電性薄＠／すだれ状電極／多結晶アルミナ焼結
体の多層構造よりなる層状構造物を作成する。より速い
表面波速度γＳとより大きい電気機械結合定数に２を得
るためには、さらに対抗電極薄膜を形成し、対抗電極薄
膜／圧電性薄膜／すだれ状電極／多結晶アルミナ焼結体
の多層構造とする。
その際、電極材料としては金、アルミニウム等の蒸着薄
膜が一般に用いられ、フォトエツチング技術を用いて所
望のすだれ状電極形状にしたり、対抗電極形状にする。
膜が一般に用いられ、フォトエツチング技術を用いて所
望のすだれ状電極形状にしたり、対抗電極形状にする。
圧電性薄膜材料としては酸化亜鉛、窒化アルミニウム、
ニオブ酸リチウム、硫化カドミウム、硫化亜鉛、セレン
化亜鉛、セレン化カドミウム、テルル化亜鉛、テルル化
カドミウムおよびタンタル酸リチウム等を用いることが
出来、酸化亜（９） 鉛の場合にはリチウム、銀等の第三成分を微量添加され
たものを用いる場合もある。その形成方法にはスパッタ
リング、気相反応（Ｏｈｅｍ １ｃａｌＶａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 、真空蒸着等を用いることが出
来、用いる圧電性薄膜材料に応じて適当な方法を選択す
ることが出来る。
ニオブ酸リチウム、硫化カドミウム、硫化亜鉛、セレン
化亜鉛、セレン化カドミウム、テルル化亜鉛、テルル化
カドミウムおよびタンタル酸リチウム等を用いることが
出来、酸化亜（９） 鉛の場合にはリチウム、銀等の第三成分を微量添加され
たものを用いる場合もある。その形成方法にはスパッタ
リング、気相反応（Ｏｈｅｍ １ｃａｌＶａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 、真空蒸着等を用いることが出
来、用いる圧電性薄膜材料に応じて適当な方法を選択す
ることが出来る。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
性多結晶アルミナ焼結体で、表面粗さが０．１μｍに仕
」二げられたものを用いた。この基板ｔにフォトエツチ
ング法にて電極周期１ｏ。
」二げられたものを用いた。この基板ｔにフォトエツチ
ング法にて電極周期１ｏ。
μｍで２５対のくし歯をもつノーマルタイプのすだれ状
電極をアルミニウム蒸着薄膜で形成した。入力側電極の
中心から出力側電極の中心までの距離は５．５ ｔｘｍ
と１７だ。この上にマグネトロンスパッタリング装置を
用いて酸化亜（１０） 鉛焼粘体をターゲットとし、５Ｘ１０ Ｔｏｒｒに調整
されたアルゴン５０％、酸素５０％の混合気体雰囲気下
で、基板温度を８２０°Ｃに保ッテ、８．５ μｍ／ｈ
ｒの成長速度で５．９５μｍから６６．５μｍの間で
１５種類の異なる厚みの酸化亜鉛薄膜を成長させた。得
られた酸化亜鉛薄膜のＣ軸配向性をＸ線回折のロッキン
グカーブ法により測定したが、被着面に垂直な軸に対し
、Ｃ軸の傾きは全て８°以内であり、良好なＣ軸配向性
を示していた。
電極をアルミニウム蒸着薄膜で形成した。入力側電極の
中心から出力側電極の中心までの距離は５．５ ｔｘｍ
と１７だ。この上にマグネトロンスパッタリング装置を
用いて酸化亜（１０） 鉛焼粘体をターゲットとし、５Ｘ１０ Ｔｏｒｒに調整
されたアルゴン５０％、酸素５０％の混合気体雰囲気下
で、基板温度を８２０°Ｃに保ッテ、８．５ μｍ／ｈ
ｒの成長速度で５．９５μｍから６６．５μｍの間で
１５種類の異なる厚みの酸化亜鉛薄膜を成長させた。得
られた酸化亜鉛薄膜のＣ軸配向性をＸ線回折のロッキン
グカーブ法により測定したが、被着面に垂直な軸に対し
、Ｃ軸の傾きは全て８°以内であり、良好なＣ軸配向性
を示していた。
第１図にえられた層状構造物の概略図を示す。
この様にして得られた酸化亜鉛配向性多結晶圧電薄膜／
すだれ状電極／透光性多結晶アルミナ焼結体基板という
多層構造をもつ層状構造物の表面波特性を調べたところ
、酸化亜鉛配向性多結晶圧電薄膜の膜厚をｈ１表面弾性
波の波長をλ（すだれ状電極の電極周期に等しい）とし
た時、レーリーモードの表面弾性波ではｈ／λ−０，４
５において、電気機械結合定数に＝８．６％、表面波伝
搬速度Ｖ、−８，２ｋｗｔ７８という秀れた値が得られ
た。一方、セザワモードの表面弾性波では、ｈ／λ＝０
．２１ において電気機械結合定数に２＝２．５％、表
面波伝搬速度Ｖ、−５，８ｂ／Ｓの値が得られた。
すだれ状電極／透光性多結晶アルミナ焼結体基板という
多層構造をもつ層状構造物の表面波特性を調べたところ
、酸化亜鉛配向性多結晶圧電薄膜の膜厚をｈ１表面弾性
波の波長をλ（すだれ状電極の電極周期に等しい）とし
た時、レーリーモードの表面弾性波ではｈ／λ−０，４
５において、電気機械結合定数に＝８．６％、表面波伝
搬速度Ｖ、−８，２ｋｗｔ７８という秀れた値が得られ
た。一方、セザワモードの表面弾性波では、ｈ／λ＝０
．２１ において電気機械結合定数に２＝２．５％、表
面波伝搬速度Ｖ、−５，８ｂ／Ｓの値が得られた。
実施例２
実施例１と同様の方法で酸化亜鉛配向性多結晶圧電薄膜
の膜厚が５．９５μｍから６６．５μｍの間で異なる１
０種類の酸化亜鉛配向性多結晶圧電薄膜／すだれ状電極
／透光性多結晶アルミナ焼結体基板という多層構造をも
つ層状構造物を作成し、さらにこの上に対抗電極として
アルミニウム電極薄膜を蒸着し、金属対抗電極薄膜／酸
化亜鉛配向性多結晶圧電薄膜／すだれ状電極／透光性多
結晶アルミナ焼結体基板の多層構造をもつ層状構造物を
作成した。第２図にその断面図を示した。この層状構造
物の表面波特性を調べたが、レーリーモードの表面弾性
波でｈ／λ＝０．４５ において電気機械結合定数Ｋ”
＝８．８％表面波伝搬速度■ｐ−３，２ｋＮ／８の値が
得られた。一方、セザワモードの表面弾性波ではｈ／λ
＝０．２１ において電気機械結合定数Ｋ”＝５．７％
、表面波伝搬速度Ｖ、＝５．６ｋＩＩ／８の秀れた値が
得られた。
の膜厚が５．９５μｍから６６．５μｍの間で異なる１
０種類の酸化亜鉛配向性多結晶圧電薄膜／すだれ状電極
／透光性多結晶アルミナ焼結体基板という多層構造をも
つ層状構造物を作成し、さらにこの上に対抗電極として
アルミニウム電極薄膜を蒸着し、金属対抗電極薄膜／酸
化亜鉛配向性多結晶圧電薄膜／すだれ状電極／透光性多
結晶アルミナ焼結体基板の多層構造をもつ層状構造物を
作成した。第２図にその断面図を示した。この層状構造
物の表面波特性を調べたが、レーリーモードの表面弾性
波でｈ／λ＝０．４５ において電気機械結合定数Ｋ”
＝８．８％表面波伝搬速度■ｐ−３，２ｋＮ／８の値が
得られた。一方、セザワモードの表面弾性波ではｈ／λ
＝０．２１ において電気機械結合定数Ｋ”＝５．７％
、表面波伝搬速度Ｖ、＝５．６ｋＩＩ／８の秀れた値が
得られた。
実施例１．２においては、圧電性薄膜として酸化亜鉛配
向性多結晶圧電薄膜を用いた場合について述べたが、酸
化亜鉛以外に窒化アルミニウム、ニオブ酸リチウム、硫
化亜鉛、硫化カドミウム、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛
、セレン化カドミウム、テルル化カドミウムおよびタン
タル酸リチウムを用いても同様に良好な表面波特性を示
す。高周波領域で使用される表面弾性波素子用材料とし
て非常に有望な材料である。
向性多結晶圧電薄膜を用いた場合について述べたが、酸
化亜鉛以外に窒化アルミニウム、ニオブ酸リチウム、硫
化亜鉛、硫化カドミウム、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛
、セレン化カドミウム、テルル化カドミウムおよびタン
タル酸リチウムを用いても同様に良好な表面波特性を示
す。高周波領域で使用される表面弾性波素子用材料とし
て非常に有望な材料である。
第１図は酸化亜鉛配向性多結晶圧電薄膜／すだれ状電極
薄膜／多結晶アルミナ焼結体基板なる多層構造を有する
層状構造物の概略図。第２図は金属対抗電極薄膜／酸化
亜鉛配向性多結晶圧電薄膜／すだれ状電極薄膜／多結晶
アルミナ（１３） 焼結体基板なる多層構造を有する層状構造物の断面図。 ■・・・・・・・・・多結晶アルミナ焼結体基板２・・
・・・・・・・酸化亜鉛配向性多結晶圧電薄膜８−・・
・・・・すだれ状電極薄膜 ４・・・・・・・・・金属対抗電極薄膜（１４完）
薄膜／多結晶アルミナ焼結体基板なる多層構造を有する
層状構造物の概略図。第２図は金属対抗電極薄膜／酸化
亜鉛配向性多結晶圧電薄膜／すだれ状電極薄膜／多結晶
アルミナ（１３） 焼結体基板なる多層構造を有する層状構造物の断面図。 ■・・・・・・・・・多結晶アルミナ焼結体基板２・・
・・・・・・・酸化亜鉛配向性多結晶圧電薄膜８−・・
・・・・すだれ状電極薄膜 ４・・・・・・・・・金属対抗電極薄膜（１４完）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■）基板材料に密度（２０°Ｏ） ８．９０ ｆｌ／ｃ
ｄ 以上、表面粗さ１寵下の高密度多結晶アルミナ焼結
体を用い、該高密度多結晶アルミナ焼結体基板と圧電性
薄膜との間に、すだれ状電極薄膜を形成してなることを
特徴とする圧電性薄膜／電極薄＠／多結晶アルミナ焼結
体から成る層状構造物 ２）基板材料に密度（２０°Ｃ）８．９０ｆ／−以上、
表面粗さ１高下の高密度多結晶アルミナ焼結体を用い、
該高密度多結晶アルミナ焼結体基板と圧電性薄膜との間
に、すだれ状電る金属対抗電極薄膜／圧電性薄膜／すだ
れ状電極薄ＩＩＩ！／多結晶アルミナ焼結体基板から成
る層状構造物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251151A JPS60142608A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 多結晶アルミナ焼結体、電極薄膜、圧電性薄膜から成る層状構造物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251151A JPS60142608A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 多結晶アルミナ焼結体、電極薄膜、圧電性薄膜から成る層状構造物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142608A true JPS60142608A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17218430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58251151A Pending JPS60142608A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 多結晶アルミナ焼結体、電極薄膜、圧電性薄膜から成る層状構造物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60142608A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08130439A (ja) * | 1994-11-01 | 1996-05-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 高速表面弾性波素子 |
| JP2011019043A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及び複合基板の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58251151A patent/JPS60142608A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08130439A (ja) * | 1994-11-01 | 1996-05-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 高速表面弾性波素子 |
| JP2011019043A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及び複合基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4952832A (en) | Surface acoustic wave device | |
| US4037176A (en) | Multi-layered substrate for a surface-acoustic-wave device | |
| JP2001524296A (ja) | Ｚｎ▲下（１−Ｘ）▼Ｙ▲下Ｘ▼Ｏ圧電体層デバイスを使用する表面弾性波デバイス及びバルク音波デバイス | |
| WO2011002028A1 (ja) | 圧電体薄膜の製造方法および当該製造方法により製造される圧電体薄膜 | |
| JP2001068964A (ja) | 表面弾性波素子及びその製造方法 | |
| GB2069278A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP2005500778A (ja) | バルク音響波共振器を用いるフィルタ装置 | |
| GB2379568A (en) | Surface acoustic wave device | |
| GB1582317A (en) | Piezoelectric crystalline films | |
| US4501987A (en) | Surface acoustic wave transducer using a split-finger electrode on a multi-layered substrate | |
| US20220385267A1 (en) | Surface acoustic wave device with high electromechanical coupling coefficient based on double-layer electrodes and preparation method thereof | |
| JPS60142608A (ja) | 多結晶アルミナ焼結体、電極薄膜、圧電性薄膜から成る層状構造物 | |
| Hickernell et al. | Surface‐elastic‐wave properties of dc‐triode‐sputtered zinc oxide films | |
| JPS5830749B2 (ja) | 酸化亜鉛の圧電結晶膜 | |
| Chung et al. | Synthesis and bulk acoustic wave properties on the dual mode frequency shift of solidly mounted resonators | |
| JPS59218028A (ja) | 多結晶アルミナ焼結体，電極薄膜，圧電性薄膜から成る層状構造物 | |
| Chen et al. | Growth and characterization of c-axis titled ZnO thin film by radio frequency magnetron sputtering | |
| JPH05254991A (ja) | 薄膜積層結晶体およびその製造方法 | |
| JP2020077788A (ja) | 圧電体薄膜、その製造方法およびその利用 | |
| US4174421A (en) | Piezoelectric crystalline film of zinc oxide and method for making same | |
| US4151324A (en) | Piezoelectric crystalline films and method of preparing the same | |
| GB2025184A (en) | Surface acousticwave device comprising a piezoelectric subtrate having a zinc oxid layer on an alumina layer | |
| Mitsuyu et al. | Piezoelectric thin films of rf‐sputtered Bi12PbO19 | |
| JPH01103310A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH08162900A (ja) | 表面弾性波素子 |