JPS60143354A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、＋ｒｆ
視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等をボす）のような電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

［従来技術］ 固体撮像装置、あるいは像形成分野における電子写真用
像形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する
光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比［光電流（Ｉｐ
）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所情の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することかできること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。

このような観点に立脚して、最近注目されている光導電
材料にアモルファスシリコン（以後ａ−３ｉと表記する
）かあり、例えば独国会開第２７４８８８７号公報、同
第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材への
応用が、また、独国会開第２８３３４１１号公報には光
電変換読取装置−の応用がそれぞれ記載されている。

しかしなから、従来のａ−５ｉで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、および耐温性等の使用
環境特性の点、更には経時的安Ｗ性の点において、総合
的な特性向上を図る必要があるという更に改善されるべ
き問題点かあるのが実情である。

例えば、′電子写真用像形成部材に適用した場合に、高
光感度化、高１１９抵抗化を同時に図ろうとすると、従
来においては、その使用時において残留電位が残る場合
が度々観測され、この種の光導電部材は長時間繰り返し
使用し続けると、繰り返し使用による疲労の蓄積か起っ
て、残像が生ずる所謂ゴースト現象を発するようになっ
たり、あるいは高速で繰り返し使用すると応答性か次第
に低ドしたりする等の不都合な点が少なくなかった。

更には、　ａ　−Ｓ　ｉは可視光領域の短波長側に比べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数
が比較的小さく、現在実用化されている半導体レーザー
とのマツチングに於いて、また通１り５使用されている
ハロゲンランプや蛍光灯を光源とする場合長波長側の光
を有効に使用し得ないという点に於いて、それぞれ改良
されるべき余地が残っている。あるいは、照射される光
が光導電層中に於いて十分吸収されずに支持体に到達す
る光の量が多くなると、支持体自体が光導゛ｉ［層を透
過してくる光に対する反射率が高い場合には、光導電層
内に於いて多重反射による゛干渉が起って、画像の「ボ
ケ」が生ずる一要因となる。この影響は、解像度を上げ
るために照射スポットを小さくする程大きくなり、殊に
半導体レーザーを光源とする場合には大きな問題となっ
ている。

更に、ａ　−Ｓ　ｉ材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素
原子あるいはフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子、
および電気伝導型の制御のためにホウ素原子やリン原子
等が、あるいはその他の特性改良のたりに他の原子が、
各々構成原子として光導電層中に含有されるが、これ等
の構成原子の含有の様相いかんによっては、形成した層
の電気的あるいは光導電重性１に問題が生ずる場合があ
る。

すなわち、例えば形成した光導電層中に光照射によって
発生したフォトキャリアの該層中での寿命が十分でない
ことに基づき十分な画像Ｃ度が得られなかったり、ある
いは暗部に於いて、支持体側からの電荷の注入の阻止か
十分でないことに基つく問題等を生する場合か多い。

従って、　ａ−５ｉ材ネ（そのものの特性の改良か図ら
れる一方で、光導電部材を設計する際に、」二記したよ
うな所望の電気的及び光学的特性が得られるよ′う上人
される必要かある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−５ｉに
関し電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に説、ａ。

研究棟ε・１を続けた結果、シリコン（Ｓｌ）をＩｕ体
とする非晶質材料、殊にシリコン原子（Ｓｉ）す母体と
し、水素ノ５；（子（Ｈ）またはハロケン原子（Ｘ）の
いずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材料、
すなわち所謂水素化アモルファスシリコン、ハロケン化
アモルファスシリコンあるいは／＼ロゲン含含有水素化
７ルルフアスシリコン以後これ等を総称的にａ−５ｉ（
Ｈ，Ｘ）と表記する〕と、シリコン原子（Ｓｉ）とゲル
マニウム原子（Ｇｅ）とを＋Ｕ体とする非晶質材料、殊
にこれらの原子を母体とし、水素原子（Ｈ）またはハロ
ゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するア
モルファス材料、すなり　チｉ９ｉ　ＢＭ　水素化アモ
ルファスシリコンゲルマニウム、ハロゲン化アモルファ
スシリコンゲルマニウムあるいはハロゲン含有水素化ア
モルファスシリコンゲルマニウム〔以後これ等を総称的
にａ−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）と表記する〕とから構成され
る光導電部材を、以降に説明するようにその層構造を４
、シ定化して作成された光導電部材は、実用上著しく侵
れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べ
てみてもあらゆる点において７Ａ几していること、殊に
電子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有し
ていることおよび長波長側に於ける吸収スペクトル特性
に筐れていることを見出した点に基づくものである。

「発明の１」的］ 本発明は、電気的、光学的、光導電的特性が常時安定し
て、殆ど使用環境の影響を受けない全環境型であり、長
波長側の光感受特に１に優れるとともに耐光疲労特性に
著しく長け、繰り返し使用に際しても劣化現象を嶋さず
、残留電位か全くまたは殆と観７１＋１１されない光導
゛毛部材を提供することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度か高く
、殊に半導体レーザーとのマンチングに優れ、かつ光応
答の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の心子写Ａ法か極めて有効に適用さ
れ得る程度に静電像形成のための’＋ｔ′１″屯処理の
際の１に荷保持能か充分あり、饋れた一Ｌ子写真特性を
４１する光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が晶く、ハーフｉ・−ン
か鮮明に出てかつ解像度が高く１画象欠陥、画像流れの
生じない高品質画像を得ることが容易にできる電子写真
用の光導電部材を提供することである。

本発明の更にもう一つの目的は、暗抵抗が十分高く、モ
分な受容電位が得られる光導電部材を提供することであ
り、また、各層間の冨着性を良イし、生産性を向上する
ことにある。

本発明の更にもう一つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性を有する光導電部材を提供することでもある。

［発明の構成］“ すなわち本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、この支持体上に、没けられ、光導電性を有する光受
容層とを有する光導電部材に於いて、ｆｉｉｊ記光受容
層か、前記支持体側から、シリコン原子を含む非晶質材
料で構成された第１の層（Ｉ）と、シリコン原子とゲル
マニウム原ｒとを含む非晶質材料で構成された第２の層
（ＩＩ　）と、シリコン原子と窒素原子とを含む非晶質
材料で構成された第３の層（ＩＩＩ）とから構成され、
かつ前記第２の層（ＩＩ　）内に含有されるゲルマニウ
ム原子が、該層の層厚方向に対して不均一に分布し、更
＼に前記第１の層（Ｉ）および前記第２の層（ＩＩ　）
の少なくとも一方に酸素原子が含有されていることを特
徴とする。

前記第１の層（Ｉ）中および前記第２の層（ＩＩ）中の
少なくともいずれか一方に水素原子及び／又はハロゲン
原子が含有されることが望ましく、また、前記第１の層
（１）中および前記第２の層（ＩＩ　）中の少なくとも
いづれか一方に伝導性を支配する物質が含有されている
ことが好ましい。

光受容層が」二記したような層構造を取るようにして構
成Ｓれた本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総て
を解決することができ、極めて優れた電気的、光学的、
光導電的特性、電気的耐圧性および使用環境特性を示す
。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影雷が全くなく、その電気的
特性が安定しており、高感度で。

高ＳＮ比を有するものであって、耐光疲労、繰り返し使
用特性に長け、画像濃度が高く、／＼−フトーンが鮮明
に出て、かつ解像度の高い、高品質の画像を安定して繰
り返し得ることができる。

更に、未発′明の光導電部材は、全Ｉｊｆ視光域に於い
て光感度か高く、殊に半導体レーザーとのマンチングに
１ａれ、かつ光応答が速い。

［発明を実力＆するための最良の形ｊＬ］以下、］−ｍ
ｌに従って、；４．、発明の光導電部材について詳細に
説明する。

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明するため
に層構造を模式的に示した図である。

本発明の光導電部材１００は、第１図に示されるよう先
導上部材用の支持体Ｌｏｔ上に、十分な体積抵抗と光導
゛重性を有する光受容層１０２を有する。光受容層１０
２は、前記支持体側からａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる第
１の層（Ｉ　）　、１０３、ａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）か
らなる第２の層（ＩＩ）１０４、ａ−５ｉＮ（Ｈ、Ｘ）
からなる第３の層（ＩＩＩ）１０５をイ（して構成され
る。光導電性は、第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ
　）のいずれに荷わせてもよいが、いずれにしても入射
される光が到達する層が光導ＩＬ性を有するよう層１没
工１される必要がある。

また、この場合、第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ
　）の両者がそれぞれ所望の波長スペクトルの光に対し
て光導電性を有し、かつ十分な量のフォＩ・キャリアを
発生し得る層として設計されるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、または、支持体と光受容層との間のまたは光受容層
を構成する各層間のに着性の改良をＳする為に、第１の
層（Ｉ）及び第２の層（１１）の少なくとも一方に酸素
原子か含有されている。

第１の層（１）及び第２の層（ＩＩ）の少なくとも一方
に含有される酸素原子は、これらの層の全層領域に万遍
なく含有されていても良いし、あるいは部分的に偏在さ
せて含有されていても良い。

酸素原子の分子Ｉｊ状態は分布濃度Ｃ（０）か光受容層
の層厚方向に於いては、均一であっても、不均一であっ
ても良い。

本発明に於いて、このように第１の層（１）及び第２の
層（ＩＩ　）の少なくとも一方の層中に設けられた酸素
原子を含有する領域（０）は、光感度とＵα抵抗の向上
を計ることを主たる目的とする場合には、これらの層の
全層領域をｄ」めるように設けられる。また、支持体と
第１の層（Ｉ）との富′石面及び光受容層を構成する各
層間の電着面の中の所望の電着面の′８′、着性の強化
を計ることを目的とする場合には、例えば、支持体と第
１の層（Ｉ）との′＆、着性を強化したい場合には、第
１の層の（Ｉ）の支持体側端部層領域を、また第１の層
（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）との密着性を強化したい場
合には、第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）の層界面
及び層界面近傍の領域を、第２の層（ＩＩ　、）と第３
の層（Ｉｌｌｌ＋）との密着性の強化を１」的とする場
合には、第２の層（［１）の第３の層（ＩＩＩ）側端部
層領域を占めるように設ける等、密着性の強化を計ろう
とする層界面及び層界面近傍の領域を占めるように設け
られる。

これらの目的を更により効果的に達成するためには、酸
素原子を第１の層（Ｉ）及び第２の層（ＩＩ　）の両方
に含有させるのが好ましい。

前者の目的を達成しようとする場合には、層領域（０）
中に含有ぎれる酸素原子の含有量は、高光感度を維持す
るために比較的少なくされ、後者の場合には、層間の′
＆、着性を強化するために比較的多くされるのか望まし
い。また、前者と後者の目的を同時に達成するためには
、支持体側に於いて比較的多く分布させ、光受容層の自
由表面側の層領域中に於いて比較的低濃度に分布させて
層領域（０）を形成させれば良い。

更に、支持体または第１の層（Ｉ）からの電荷の注入を
防止して、みかけ上の暗抵抗を上げることを目的とする
場合は、第１の層（Ｉ）の支持体側に酸素ＪＩＳ（子を
分布させるか、第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）の
界面及び／又は界面近傍に於いて高濃度に分４Ｉさせる
のか望ましい。

なお、本発明に於いては、」二記のような層領域（０）
は、１つのみに限られることはなく、上記の目的に応し
て光受容層中に複数の層領域（０）を設けても良い。

本発明に於いて、このように第１の層（Ｉ）及びｆＪＴ
Ｊ２の層（ＩＩ　）の少なくとも一力の層中に１没けら
れる層領域（０）に含有される酸素原子の含有量は、」
二記のような目的を達成できるような層領域（０）自体
に要求される特性、更に層領域（０）か支持体に直に接
触して設けられる場合には該支持体との接触界面に於い
て要求される特性、あるいは層領域（０）に直に他の層
領域が接触して設けられる場合には、故地の層領域の有
する特性及び層領域（０）と他の層領域との接触界面に
於いて要求される特性等の有機的関連性に於いて、適宜
選択することかできる。

層領域（０）中に含有される酸素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応して所望に従って適
宜法められるか、好ましくは、０．００１〜５０ａｔｏ
ｍｉｃ％、より好ましくは、０．００２〜４０ａｔｏｍ
ｉｃ％最適には０．００３−３０ａｔｏｒＢｉｃ％とさ
れるのが好ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）及び第
２の層（ＩＩ　）の少なくとも一方に伝導性を支配する
物質（Ｃ）を含有させることによって、含有される層の
伝導性を所望に従って制御することができる。該物質（
Ｃ）は、第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ　）の少
なくとも一方に於いて、層厚方向には均一でも４均〜で
もいずれの分！Ｈ５状ｆｆ、であってもよいように含有
される。また、物質（Ｇ）の含有される層領域（ＰＮ）
に於いて、その層厚方向に、物質（Ｃ）は連続的に、均
一あるいは不均一な分布状態となるように含イ１される
。

例えばｆｉ’ｚ２の層（ＩＩ　）の層厚を第１の層（Ｉ
）の層厚より厚くし、主に第２の層（ＩＩ　）を電荷発
生層と電荷輸送層としての機能を持たせるようにして用
いる場合には、伝導性を支配する物質（Ｃ）は、第１の
層（１）では支持体側で多くなるような分布状態となる
ようにすることが望ましく、また伝導性を支配する物質
（Ｃ）は第２の層（ＩＩ　）では、第１の層（Ｉ）と第
２の層（ＩＩ　）との界面または界面近くで多くなるよ
うな分ＩＨ５状態とすることが望ましい。

このような伝導性を支配する物質（Ｃ）とじては、所謂
、半導体分野でいわれる不純物を挙げることができ、本
発明に於いては、ＳｌまたはＧｅに対してｐ型伝導特性
を与えるＰ型不純物およびｎ型仏導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることができる。具体的には、ｐ型不純物と
しては、周期律表第■族に属する原子（第■族原子）、
例えばＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ、　ＴＩ等かあり、殊しこ
Ｉｌｆ適に用いられるのはＢ　、　Ｇａである。１１型
不純物としては、周期律表第Ｖ族に屈する原子（第Ｖ族
原子）１例えばＰ　、　Ａｓ、Ｓｂ、　Ｂｉ、等かあり
、殊に好適に用いられるのはＰ　、　Ａｓである。

本発明に於いて、光受容層中に設けられる伝導性を支配
する物質（Ｃ）の含有されている層領域（ＰＮ）中に含
有される伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、該層
領域（ＰＮ）に要求される伝導特性、あるいは該層領域
（ＰＮ）が支持体に直に接して設けられる場合には、該
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて適宜選択することができる。また、ｉ）１
」記層領域（ＰＮ）に直に接して設けられる他の層領域
の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮して伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量が
適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性
を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは０
．ＯＱｌ　−５Ｘ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、より
好ましくは０．５〜ＩＸ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、最適には１〜５Ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いては、層領域（ＰＮ）に於ける伝導性を支
配する物質（Ｃ）の含有量を、好ましくは３゜ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以」二、より好ましくは５０ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、最適には　１００１００ａｔｏ　ｐｐｍ
以上にすることによって、例えば該物質（Ｃ）が前記ｐ
型不純物の場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯
電処理を受けた際に、支持体側からの光受容層中への電
子の注入を効果的に阻止することができ、一方、前記物
質（Ｃ）が前記ｎ型不純物の場合には、光受容層の自由
表面がθ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側からの
光受容層中への正孔の注入を効果的に阻止することがで
きる。

上記のような場合には、前記層領域（ＰＮＪを除いた部
分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の極性とは別の極性の伝導性
を支配する物質（Ｃ）を含有させてもよいし、あるいは
同極性の伝導性を支配する物質（Ｃ）を、層領域（ＰＭ
）に含有される量よりも一段と少ない量にして含有させ
てもよい。

このような場合、前記層領域（Ｚ）に含有される前記伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域（
ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に紀
、して適宜決定されるものであるが、好ましくは０．０
０１−１０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐＩｌｌ、より好まし
くは０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には
０．１−２１−２００ａｔｏ　ｐｐｍとされるのか望ま
しい。

本発明に於いて、Ｐ３領域（ＰＮ）および層領域（Ｚ）
に同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合
には、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましく
は３０ａＬｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

上記した場合の他に、本発明に於いては、光受容層中に
一方の極性を有する伝導性を支配する物質（Ｇ）を含有
させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配する
物質（Ｃ）を含有させた層領域とを直に接するように設
けて、該接触領域に所謂空乏層を設は名こともできる。

すなわち１例えば光受容層中に前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接するように設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることができる。

本発明に於いて、必要に応じて第１の層（Ｉ）中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフン素
、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特にフン素、塩
素を好適なものとして挙げることかできる。

本発明において、ａ−Ｓｉ（）１．　Ｘ）で構成される
第１の層（Ｉ）を形成するには、例えばグロー放電法、
スパッタリング法、あるいはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法が適用される。

例えばグミ−放電法によって、ａ−５ｉ（）１．　Ｘ）
で構成される第１の層（Ｉ）を形成するには、基本的に
はシリコン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳ−供給用の原料
ガスと共に、水素原子（Ｈ）導入用のｒｆＸ、ＩＩガス
及び／又はハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、そ
の内部を減圧にし得る堆積室内に所定の程合比とカス流
量になるようにして導入して、該堆積室内にグロー放電
を生起させこれ等のカスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、予め所定位置に設置されている支持体表面
」二にａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）から構成される第１の層（Ｉ
）を形成する。

また、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ、　Ｈｅ等の不活性カスまたはこれ等のカスをペース
とした混合ガスの雰囲気中でＳｌまたは５ｉ０２、ある
いはこれらの混合物で構成されたターゲットをスパッタ
リングする際、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン原子
（Ｘ）導入用のカスをスパッタリング用の堆積室に導入
してやれば良い。

本発明に於いて、第１の層（１）を形成するのに使用さ
れる原料ガスとなる出発物質としては、次のものが有効
なものとして挙げられる。

先ず、Ｓ１供給用の原料カスとなる出発物質としては、
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１６
等のガス状態のまたはガス化し得る水素化ケイ素（シラ
ン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、
層作成作業の扱い易さ、Ｓ１供給効率の良さ等の点で５
ｉ）１４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる
。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
」二記の水素化ケイ素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含
むケイ素化合物、所謂ハロゲン原子で置換されたシラン
話導体、具体的には例えばＳｉＦ４．５ｉ２Ｆ　６　、
５ｉＣ１４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化ケイ素を好まし
いものとして挙げることができ、更には、５ｉｔ−１２
Ｆ２、ＳｉＨ２１７、ＳｉＨ２０１２、５ｉ）ＩＣ１３
、ＳｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等ノハロゲン置換水素
化ケイ素、等々のカス状態のあるいはカス化し得る、水
素原子を構成質素の一つとするハロゲン化物も有効な第
１の層ＣＩ）形成用の出発物質として挙げることができ
る。

これらのハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使用
する場合にも、１１！＋　述したように層形成条件の適
切な選択によって、形成される第１の層（Ｉ）中にＳｉ
と共にハロゲン原子（Ｘ）を導入することができる。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）を形成するのに使用さ
れるハロケン原子（Ｘ）導入用のｘｉ、　ｐ＋ガスとな
る有効な出発物質としては、上記のものの他に、例えば
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンカス、ＣＩＦ
　、　ＣｌＦ３、ＢｒＦ　、　ＢｒＦ３、ＢｒＦ、、Ｈ
Ｆ３　、　ＩＦ７　、　ＩＣ１、ＩＢｒ等ハｏケン間化
合物、ＨＦ、　）ＩｃＩ　、　）ＩＢｒ　、　Ｈｌ等の
ハロゲン化水素を挙げることかできる。

本発明に於いて第１の層（１）を構成する層領域の所望
の層領域中に酸素原子を含イイする層領域（０）を設け
る場合には、上記の出発物質を用いて第１の層（Ｉ）を
形成する際に酸素原子導入用の出発物質をその量を制御
させながら併用して、形成される層中に含有させれば良
い。

第１の層（Ｉ）中に含有される酸素原子は、第１の層（
Ｉ）の全領域に万偏なく含有されていても良いし、また
の一層領域のみに含有されていても良い、４ また、酸素原子の分布状！ルＣ（０）は、第１の層（Ｉ
）の層厚方向に於いて均一であっても、不均一であって
も良い。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）に設けられる酸素原子
の含イ１されている層領域（０工）は、光感度と暗抵抗
の向上を目的とする場合には、ｆｆＪｔの層（Ｉ）全層
領域を占めるように設けられ、基板との、更には第２の
層（■１）との密着性の強化を計る場合には、基板若し
くは第２の層（ＩＩ　）または両方の側の端部層領域を
占めるように設けられる。

このように第１の層（Ｉ）中に設けられる層領域（０■
）に含イｊされる酸素原子の含有量は、前述したような
１」的を達成できるような層領域（０工）自体に要求さ
れる特性、支持体との接触界面に於いて要求される特性
、あるいは層領域（０工）に直に接触して設けられる他
の層領域の有する特性及７Ｘ　ｋ％　＜ｆｉ祷／ｎｒ）
ン仙の層領梼との才寥自小界面に於いて要求される特性
等の有機的関連性に於いて、適宜選択することができる
。

層領域（０■）中に含有される酸素原子の址は、形成さ
れる光導電部材に要求される特性に応して所望に従って
ａ室状められるが、好ましくは。

、０．００１〜５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましく、１
．０．００２−４０ａｔｏｍｉｃ％最適には０．００３
−３０ａｔｏａ＋ｉｃ％とされ−るのが好ましい。

層領域（０■）を形成するのにグロー放電法を適用する
場合には、上記の第１の層（１）形成用の出発物質の中
から所望に紀、して選択されたものに更に酸素原子導入
用の出発物質か加えられる。そのような酸素原子導入用
の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子と
して有するカス状の物質またはカス化することのできる
物質をガス化したものの中の大概のものを使用すること
かできる。

使用する原料カスの組合せとしては。

（ａ）シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原ｔ）カ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料力スと必要
に応じて水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用する、（ｂ）シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（
ｌ（）とを構成原子とする原料ガスと、ハロゲン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）を構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
する、 （ｃ）シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料カス
と、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とす
る原料ガスとを、所望の混合比で混合する、 （ｄ）シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料カス
と、シリコン原子（Ｓｉ）と＃素原子（０）と水素原子
（Ｈ）との３つの原子を構成原子とする原料カスとを所
望の混合比で混合して使用する 等の組合せを挙げることができる。

層領域（ＯＩ）を形成するために使用される酸素原子（
０）供給用の原料ガスとして有効に使用される出発物質
としては、０を構成原子とする、あるいは０と　Ｈとを
構成原子とする、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）
、−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸
化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ’２０３）、四二
酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、三
酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子
（０）と水素原子（）Ｉ）とを構成原子とする、例えば
ジシロキサン（）（３ＳｉＯ５ｉＨ３）、トリシロキサ
７　（Ｈ３ＳｉＯＳｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シａ　
キサ７等を挙げることかできる。

スパッタリング法によって、酸素原子−を含有する第１
の層（Ｉ）を形成する場合には、単結晶または多結晶の
Ｓ１ウエーハーまたは５ｉ０２ウエーハー、またはＳｌ
と５ｉ０２が混合されて含有されているウェーハーをタ
ーゲットとして、これらを種々のガス雰囲気中でスパッ
タリングすることによって行なえば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターナ・ントとして使用する
場合、酸素原子と必要に応じて水素原子及び／またはハ
ロゲン原子を導入するための原ネ゛１ガスを必要に応じ
て稀釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これらガスのガ不プラズマを形成させて前記Ｓｉウ
ェーハーをスパッタリングすれば良い。

また、Ｓｉと８１０２とは別々のターゲットとして、あ
るいはＳｌと５１０２とが混合された一枚のターゲフト
として使用する場合には、スパッター用のガスとしての
稀釈ガスの雰囲気中でまたは少なくとも水素原子（Ｈ）
及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって所
望の層領域中に酸素原子を含有する層領域（０■）か設
けられた第１の層（Ｉ）を形成することができる。

なお、酸素原子導入用のガスとしては、前述したグロー
放電法に於いて酸素原子導入用のガスとして挙げたもの
がスパッタリング用のカスとしても利用することができ
る。

第１の層（１）を構成する層領域中に伝導性を支配する
物質（Ｃ）、例えば第■族原子または第Ｖ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に。

第■族原子導入用の出発物質または第Ｖ族原子導入用の
出発物質をカス状態で堆積室中に第１の層（Ｉ）を形成
するための他の出発物質と共に導入してやればよい。こ
のような第■族原子導入用の出発物質用となり得るもの
としては、常温常圧でガス状のまたは少なくとも層形成
条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ま
しい。

このような第■族原子導入用の出発物質としては、具体
的には、ホウ素原子導入用としては。

Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０・Ｂ５Ｈ９・　Ｂ５Ｈ目・Ｂ６Ｈ
１０、Ｂ６Ｈ１２・Ｂ６Ｈ１４等の水素化ホウ素、ＢＦ
３　、８ＣＩ３、Ｂ　Ｂ　ｒｌ等のハロケン化ホウ素等
が挙げられる。また、この他、他の第■族原子導入用と
して、ＡｌＣｌ３．　ＧａＣｌ３、Ｇａ（ＣＨ３）３、
ＩｎＣｌ３．７ＩＣＩ３等を挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明に於いて有
効に使用されるのは、リン原子導入用としては、ＰＨ３
，Ｐ２Ｈ４等の水素化リン、　ＰＨ４１、ＰＦ３　、　
ＰＦ５　、　ＰＣ：Ｉ３．　ＰＣｌ３．　ＰＢｒ３、Ｐ
Ｂｒ３、ＰＩ３等のハロゲン化リン等が挙げられる。こ
の他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　、　ＡｓＣｌ’３　、Ａｓ
Ｂｒ３　、　ＡｓＦ５、　ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ
３．５ｂＣ１３、ＳｂＣ：１５．　ＢｉＩ３、ＢｉＣｌ
３　、　Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の
有効なものとして挙げることができる。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）に含有される伝導性を
支配する物質（Ｃ）の含有量は、該第１の層（Ｉ）に要
求される伝導特性、あるいは該層（Ｉ）に直に接して設
けられる他の層の特性や、該層の層との接触界面に於は
特性等との関係等、有機的関連性の上で適宜選択される
。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）中に含有される伝導性
を支配する物質の含有量としては、好ましくは０．００
１〜５Ｘ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、より好ましく
は０．５−　ＬＸ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、最適
には１〜５Ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとされるの
が望ましい。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）中に含有されてもよい
水素原子（Ｈ）の量、ハロゲン原子（Ｘ）の量または水
素原子とハロゲン原子との量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好まし
くはｌ−４１−４Ｑ６ｔｏ％、より好適には　５〜３０
ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｉ）中に含有されてもよい水素原子（＋４）
及び／又はハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例
えば支持体温度、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子（Ｘ）
を含有させるために使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、あるいは放電−電力等を制御してやれば
よい。

本発明の第１の層（１）の層厚は、該第１の層（Ｉ）が
主に支持体と第２の層（ＩＩ　）との密着層として働く
か、または密着層と重荷輸送層として働くかによって所
望によって適宜決定される。

前者の場合には、好ましくは１００ＯＡ−５０牌、より
好ましくは２０００Ａ〜３０鱗、最適には２０００Ａ　
−１０−とされるのか望ましい。後者の場合には、好ま
しくはｌ−１００鱗、より好ましくは１〜８０牌、最適
には　２〜５０μｓとされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）１０３
上に第２の層（ＩＩ）１０４が形成される。第１の層（
Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）とは、その各々がシリコン原
子という共通の構成原子を有してなる非晶質材料を主成
分とするものなので、その積層界面において化学的な安
定性か十分確保されている。

本発明の光４電部材に於いては、第２の層（ＩＩ　）中
に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向
に関しては、不均一な分布状態をとるが、支持体の表面
と平行な面内方向に関しては均一な分布状態とされるの
が望ましい。

このような層構造に第２の層（Ｌ［）を形成することに
よって、ＩＪｆ視光領域を含む、比較的短波長から比較
的長波長までの全波長領域の光に対して光感度が田れて
いる光導電部些か形成される。

また、：５２の層（ＩＩ　）中に於けるゲルマニウム原
子の分Ａｊ状態は、全領域にゲルマニウム原子が連続的
に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分４＋儂度Ｃ
が、第１の層（Ｉ）との境界から第３の層（ｍ）との境
界へ向って減少するよう分布しているもの、第１の層（
Ｉ）との境界から第３の層（ｍ）との境界へ向って増加
するよう分布しているもの、またはこれ等両者の特徴を
合わせ持っているもの等の層構成などが許される。

第２図乃至第１３図には、本発明における光導電部材の
第２の層（ｔｒ　）中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の典型的な例か小されている。

第２図乃至第１３図に於いて、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第２の層（Ｉｆ　）の層厚を
示し、ＬＢは第１の層（Ｉ）と：ｔＳ２の層（ＩＩ　）
との境界面の位置を、１丁は第２の層（ＩＩ　）と第３
の層（ＩＩＩ）との境界面の位置を示す。すなわち、ゲ
ルマニウム原子の含有される第２の層（ＩＩ　）はＬＢ
側からＬＴ側に向って層形成がなされる。

第２図には、第２の層（ＩＩ　）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層Ｊγ力方向分布状７１４の第１の典型例
が示される。

第２図に示される例では、ケルマニウム原ｒ−の含有さ
れる第２の層（ＩＩ　）が形成される第１の層（１）と
の境界面位置り日より１．の位置までは。

ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣＩなる一定の（＋＃
をとりながら第２の層（ＩＩ　）中に含有され、位置１
．からは濃度Ｃ２より第３の層（ＩＩＩ）との境界面１
丁に至るまで徐々に連続的に減少されている。

境界面り丁に於いてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
Ｃ３とされる。

第３図に示される例に於いては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ＬＢより位置り丁に至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置１丁において
濃度Ｃ５となるような分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置Ｌ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置し２と位置し、との間に於いて、徐々に連続的に減少
され、位置り丁に於いて、分２０濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置しＢより位置１丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置し１に於いて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原ヨの分布濃
度Ｃは、位置ＬＢと位置Ｉ３間に於いては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置ｔＴに於いては濃度Ｃ１０とされる
。位置Ｌ３と位Ｆｔｔｒとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置し３より位置ｔ□に至るまで減少されてい
る。

第７図に示される例に於いては、分１１濃Ｊ＆　Ｃは位
置ｔｓより位置Ｌ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、
位置し４より位置を丁までは濃度ＣＩ２より濃度ＣＩ３
まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例に於いては、位ｉｔＢより位置しアに至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４よ
り実質的に零に至るように一次関数的に減少している。

第９図に於いては、位置Ｌａより位置ｔ５に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５より濃度
ＣＩ６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置を丁
との間に於いては、濃度ＣＩ６の一定（＋Ｑとされた例
が示されている。

第１Ｏ図に示される例に於いては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置１Ｂに於いて濃度ＣＩ７であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めはゆっくりと
減少され、第６の位置伺近に於いては、急激に一減少さ
れて位置ｔ６では濃度ＣＩ８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間に於いては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度ＣＩ９となり、位置ｔ７と位置し８との間では、極
めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８に於いて、濃
度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置Ｅ、の間に於いては、
濃度Ｃ２０より実質的に零になるように図に示すような
形状の曲線に従って減少されている。

第１１図に示す例に於いては、位置１日より位置ｔ９ま
でゲルマニウム濃度Ｃ２２で一定で位置ｔ９から位置ｔ
Ｂまでゲルマニウム濃度Ｃは一定のＣ２１にされている
。

第１２図に示す例に於いては、位置１Ｂではゲルマニウ
ム濃度は実質的に零で位＠を丁でゲルマニウム濃度がＣ
２３になるよう図のような曲線で増加している 第１３図においては、位置を日ではゲルマニウム濃度は
実質的に零で位置１Ｂから位置Ｅ、。での濃度Ｃ２４ま
で図のような曲線でゲルマニウム濃度が増加し、位置　
Ｌｌ。から位置り丁までゲルマニウム濃度Ｃ２４で一定
である。

また、第２図から第１３図に示したゲルマニウム濃度分
布は、第２図から第１θ図まででは第１の層（Ｉ）との
境界面近傍でゲルマニウム濃度か多い分布を示し、第１
Ｉ図から第１３図まででは第３の層（ＩＩＩ）との境界
面近傍でゲルマニウム濃度の多い分布を示したか、これ
らを組み合せたゲルマニウム濃度分布にしてもよい。

以上、第２図乃至第１３図により、第２の層（ＩＩ　）
中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態
の典型例の幾つかを説明したように、本発明に於いては
、第１の層（Ｉ）との境界面近傍及び／又は第３の層（
ｍ）との境界１ｎ１近傍に於いて、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃの高い部分を有し、第２の！（ＩＩ）の中央
に於いては。

前記分布濃度Ｃは第１の層（Ｉ）との境界而近傍および
第３の層（ｍ）との境界面近傍に比べてかなり低くされ
た部分を有するゲルマニウム原子の分布状態が第２の層
（ＩＩ　）に設けられている。

本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層を構成す
る第２の層（［１）は、好ましくは上記のように第１の
！　（Ｉ）との境界面近傍及び／又は第３の層（ｍ）と
の境界面近傍にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有
されている局在領域（Ａ）を有するのか望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１３
図に示す記号を用いて説明すれば、境界面位置ｔａまた
はＬ□からは５ＩＩａ以内の領域に設けられるのが望ま
しい。

本発明に於いては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
ＢまたはＬ□より５μ厚までの全層領域（ＬＴ　）とさ
れる場合もあるし、また、層領域（Ｌｏ）の一部とされ
る場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ、）の一部とするかまたは
全部とするかは、形成される層に要求される特性に従っ
て適宜状められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状！魚としてゲルマニウム原子の分布
濃度の最大値Ｃｍａｘがシリコノ原子に対して、好まし
くは１０００　ａｔｏｍｉｃ　ＰＰＧ以上。

より好適には５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最
適にはＬＸ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐａ＋以」二とさ
れるような分布状態となり得るように層形成されるのが
望ましい。

すなわち、本発明においては、クールマニウム原子の含
有される第２の層（ＩＩ　）は、第１の層（Ｉ）側また
は、第２の層（ＩＩ　）の自由表面からの層厚で５鱗以
内（Ｌａから５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍ
ａｘが存在するように形成されるのが好ましい。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明のｌ」的が効
果的に達成されるように所望に従って適宜状められるが
、好ましくは１〜９．５Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、より好ましくは　１００１００−８Ｘ１０５ａｔｏ
　ｐｐａ＋、最適には５００−７Ｘ　１０５ａｔｏＩｏ
ｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）または
第２の層（ＩＩ　）と第３の層（ＩＩＩ）との古着性、
あるいは第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）と第３の
層（ｍ）との古着性の改良を計る目的で、第２の層（Ｉ
Ｉ　）中には、酸素原子が含有されていることが望まし
い。

第２の層（ＩＩ　）中に含有される酸素原子は、第２の
層（ＩＩ　）の全領域に万偏なく含有されていても良い
し、またの一層領域のみに含有されていても良い。

また、酸素原子の分布状態Ｃ（０）は、第２の層の層厚
方向に於いて均一であっても、不均一であっても良い。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）に設けられる酸素
原子の含有されている層領域（ＯＩＩ）は、光感度と暗
抵抗の向上を目的とする場合には、第２の層（ＩＩ　）
全層領域を占めるように設けられ、第１の層ＣＩ）との
、及び／または第３の層（Ｉ［Ｉ）との古着性の強化を
計る場合には、第１の層（Ｉ）及び／または第３の層（
ｍ）側の端部層領域を占めるように設けられる。

このように第２の層（ＩＩ　）中に設けられる層領域（
ＯＩＩ）に含有される酸素原子の含有量は、前述したよ
うな目的を達成できるように層領域（０１１）自体に要
求される特性、第１の層（Ｉ）や第３の層（ＩＩＩ）と
の接触界面に於いて穀束される特性、あるいは第１の層
（Ｉ）や第３の層（［［）層の有する特性等との有機的
関連性に於いて、適宜選択することかできる。

層領域（０１１）中に含有される酸素原子の星は、形成
される光導電部材に要求される特性に応して所望に従っ
て適宜状められるか、好ましくは、０．００１−５０　
ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは０．００２〜４０ａｔ
ｏｍｉｃ＄、最適には０．００３−３０　ａｔｏｍｉ＋
Ｊとされるのか好ましい。

本発明の光４主部材に於いては、第１の層（Ｉ）の層厚
か薄い場合にはゲルマニウム原子の含有される第２の層
（ＩＩ　）には、伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有さ
せた層領域（ＰＮ）を、７５１の層（Ｉ）側に局在的に
設けることにより、該層領域（ＰＭ）を所、ｉｉ１電荷
注入阻止層として機能させることができる。

すなわち、伝導性を支配する物質（Ｃ）が含有される層
領域（ＰＮ）に於ける該物質の含有量を、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以゛上、より好ましくは５０ａ
ｔｏｍｉｃ　ＰＰｍ以上、最適には１００１００ａｔｏ
　ｐｐｍ以上にすることによって、例えば該含有される
物質（Ｃ）が前記のＰ型不純物の場合には、光受容層の
自由表面が■極性にｎＦ電処理を受けた際に支持体側か
ら光受容層中への電子の注入を効果的に、阻止すること
かでき、また、前記含有される物質（Ｃ）が前記のｎ型
不純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電
処理を受けた際に支持体側から光受容層中への正孔の注
入を効果的に阻止することかできる。

」二記のような場合には、第２の層（ＩＩ　）に於いて
前記層領域（ＰＮ）を除いた部分の層領域（２１１）に
は、層領域（ＰＮ）に含有される伝導性を支配する物質
（Ｃ）の極性とは別の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含
有させてもよいし、あるいは同極性の伝導性を支配する
物質（Ｃ）を層領域（ＰＮ）に含有させる星よりも一段
と少ない量にして含有させてもよい。

このような場合、前記層領域（Ｚｌｌ）に含有される前
記伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領
域（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量
に応じて適宜決定されるものであるか、好ましくは０．
００１　＝ｌＯＯＯａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好まし
くは０．０５−５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には
０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｔａとされるのが望
ましい。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）に設けられる層領
域（ＰＮ）および層領域（ＺＩＪ）に同種の伝導性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合には、前記層領域（
Ｚｌｌ）に含有される前記伝導性を支配する物質（Ｃ）
の含有量としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ
以下とするのか望ましい。」二記した場合の他に、本発
明に於いては、第２の層（ＩＩ　）中に、一方の極性を
有する伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させた層領域
と、他方の極性を有する伝導性を支配する物質（Ｃ）を
含有させた層領域とを直に接するように設けて、該接触
領域に所謂空乏層を設けることもできる。すなわち１例
えば第２の層（ＩＩ　）中に前記のｐ型不純物を含有す
る層領域と前記のｎ型不純物を含′有する層領域とを直
に接するように設けて所３Ｆｐ　ｎ接合を形成して、空
乏層を設けることかできる。

本発明に於いて、必要に応して第２の層（ＩＩ　）中に
含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフ
ン素、塩素、臭素、ヨウ素か挙げられるが、特にフン素
、塩素を好適なものとして挙げることができる。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される
第２の層（ＩＩ　）を形成するには、例えばグロー放電
法、スパッタリング法、あるいはイオンプレーテインク
法等の放電現象を利用する真空堆積法が適用される。

例えばグロー放電法によって、ａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層（ＩＩ　）を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料カスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ　）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと、必要に応して水素原子（Ｈ）
導入用の原料カス及び／又は／＼ロゲン〃：（子（Ｘ）
導入用の原料ガスを、その内部を減圧にし得る堆積室内
に所望のカス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放
電を生起させ、予め所定位置に設置されている第１の層
（Ｉ）かその表面に形成された支持体上に、含有される
ゲルマニウム原子の分布曲線が所望の変化率曲線となる
よう制御しなからａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から構成され
る第２の層（ＩＩ　）を形成する。

また、スパッタリング法で形成する場合には。

例えばＡｒ、ｌｉｅ等の不活性カスまたはこれ等のカス
をヘースとした混合カスの雰囲気中で５１で構成された
ターケント、該ターケ、トとＧｅで構成されたターケン
トとの二枚のターケント、あるいはＳｉとＧｅとの混合
されたターケントを使用して、Ａｒ、　Ｈｅ稼の昂釈カ
スで６釈されたＧｅ供給用の原ｐ＋カスや必要に応して
水素原子（Ｈ）４人用の原料カス及び／又はハロケン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスをスパッタリング用の堆積室
に導入し、所望のカスプラズマ雰囲気を形成するととも
に、前記Ｇｅ供給用の原料カスのガス！Ｉｔ、　Ｉｔを
所望の変化率曲線に従って制御しながら、前記のターゲ
ントをスパッタリングしてやればよい。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとをそれぞれ蒸発源として蒸着ポートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、あるいはエレクトロ
ンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発
物を所定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はス
パッタリングの場合と同様にして実施できる。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）を形成するのに使
用される原料カスとなる出発物質としては、次のものが
有効なものとして挙げられる。

先ず、Ｓ１供舶用の原料カスとなる出発物質としては、
Ｓ　ｉ　Ｈ４，５ｉ２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ
１゜等のカス状態のまたはカス化し得る水素化ケイ素（
シラン類）か有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点
でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられ
る。Ｇｅ供給用の原料カスとなる出発物質としては、Ｇ
　ｅ　Ｈ４、Ｇｅ２Ｈ（、、Ｇｅ３ＨＢ　、Ｇｅ４Ｈ＋
ｏ、Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ１６、Ｇｅ
ＢＨ（Ｂ　、　Ｇｅ９Ｈ２ｏ等のカス状態のまたはカス
化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用きれるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｇｅ供給
効率の良さ等の点でＧｅｔ−１４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３
ＨＢが好ましいものとして挙げられる。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）を形成するのに使
用されるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料カスとなる有
効な出発物質としては、多くのハロゲン化合物か挙げら
れ、例えばハロケンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のカス状７
ｇのまたはカス化し得るハロゲン化合物か好ましくは挙
げられる。また、更には、シリコン原子とハロケン原子
とを構成要素とするガス状態のまたはガス化し得るハロ
ゲン原子を含む水素化ケイ素も有効に使用されるものと
して挙げられる。

本発明に於いて、第２の層（１１）を形成するのに好適
に使用されるハロゲン化合物としては、具体的には、フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンカス、ＧＩＦ　
、　ＧＩＦ３、ＢｒＦ　、　ＢｒＦ３．　ＢｒＦ５、Ｉ
Ｆ３、ＩＦ７　、　ｌｅｔ　、ＩＢｒ等ハＣ７ゲン間化
合物を挙げることができる。

ハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物、所謂ハロゲン
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
ＳｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、５ｉＣＩ４　、ＳｉＢｒ４
等のハロゲン化ケイ素が好ましいものとして挙げること
ができる。

このようなハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使
用して、グロー放電法によって本発明の光導電部材の第
２の層（１１）を形成する場合には、Ｇｅ供給用の原料
ガスと共に８１を供給し得る原料カスとしての水素化ケ
イ素ガスを使用しなくとも、第１の層（Ｉ）がその表面
に形成された支持体上にａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から構
成される第２の層（ＩＩ　）を形成することができる。

グロー放電法に従って、ハロケン原子（Ｘ）を含む第２
の層（ＩＩ　）を形成する場合、基本的には。

例えばＳｉ供給用の原料ガスとなるハロゲン化ケイ素と
、Ｇｅ供給用の原料カスとなる水素化ゲルマニウムと、
Ａ「、Ｈｅ等のカスとを、所定の混合比とガス流量にな
るようにして導入して、第２の層（ＩＩ）を形成する堆
積室に導入し、グロー放電を生起させこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによって、第１の層（Ｉ）
がその表面に形成された支持体」二に第２の層（ＩＩ　
）を形成することができる。また、水素原子の導入割合
の制御をより容易にするために、これらのカスに更に水
素ガスまたは水素原子を含むケイ素化合物のガスも所望
量混合して第２の層（ＩＩ　）を形成してもよい。また
、各カスは、単独種のみでなく、所定の　′混合比で複
数使用してもさしつかえない。

スパッタリング法、イオンブレーティング法のいずれの
場合にも、形成される層中にノ＼ロケン原子（Ｘ）を導
入するには、前記のハロゲン化物またはハロゲン原子を
含むケイ素化合物のカスを堆積室中に導入し、該カスの
プラズマ雰囲気を形成してやればよい。

また、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の
カス、例えばＨ２、あるいは前記のシラン類及び／又は
水素化ゲルマニウム等のカスをスパッタリング用の堆積
室に導入し、該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば
よい。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）の形成の際のハロ
ゲン原子導入用の原料ガスとして、前記のハロゲン化物
またはハロゲン原子を含むケイ素化合物が有効なものと
して使用されるが、その他に、ＩＩＦ、　ＨＣＩ　、　
ＨＢｒ　、旧等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉ
Ｈ２１２，５ｉＨ２Ｃ：１２．５ｉＨＣ１３，５ｉＨ２
Ｂｒ２．５ｉＨ７，Ｂｒ、　５ｉＨＢｒ３等のハロゲン
置換水素化ケイ素、およびＧｅＨＦ３　、　ＧｅＨＢｒ
３、ＧｅＨ３Ｆ　、ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨ２Ｃ：１２　
、　ＧｅＨ３Ｃ１，ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨＢｒ３　、　
ＧｅＨＢｒ３ルマニウム、等の水素原子を構成要素の−
・つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４．　ＧｅＣｌ４　、
　ＧｅＢｒ４　、　Ｇｅ１４、ＧｅＦ２、ＧｅＣ１２、
ＧｅＢｒ２　、　Ｇｅ１２等のハロゲン化ゲルマニウム
、等々のガス状態のあるいはカス化し得る、水素原子を
構成要素の一つとするＩ＼ロケン化物も有効な第２の層
（ＩＩ　）形成用の出発物質として挙げることかできる
。

これらの物質のうち、水素原子を含む／＼ロゲン化物は
、第２の層（ＬＩ）の形成の際に、該層中にハロゲン原
子の導入と同時に電気的あるいは光導電的特性の制御に
極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明に於い
ては好適な／＼ロゲン原子導入用の原料として使用され
る。

水素原子を第２の層（ＩＩ　）中に構造的に４人するに
は、上記の他にＨ２あるいはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５
ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１０等の水素化ケイ素をＧｅを
供給するためのゲルマニウムまたはゲルマニウム化合物
と、あるいはＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　
ＧｅＪ　１０　。

Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇ［！７ＨＩ６、Ｇｅ６
Ｈ＋８、Ｇｅ６Ｈ＋８等の水素化ゲルマニウムをＳｉを
供給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを、堆
積室中に共存させて、放電を生起させることによっても
実施できる。

本発明の好ましい例に於いて、形成される光導電部材の
第２の層（ＩＩ　）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ
）の量、ハロゲン原子（Ｘ）の呈または水素原子とハロ
ケン原子との量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１
〜４０ａｔｏＩＩｉｃ％、より好適には０．０５〜３０
ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．１−２５ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましい。

第２の層（ＩＩ　）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ
）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、
例えば支持体温度、水素原子（Ｈ）や／＼ロケン原子（
Ｘ）を含有させるために使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、あるいは放電電力等を制御してやれ
ばよい。

第２の層（ＩＩ　）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）
、例えば第■族原子または第Ｖ族原子を構造的に導入す
るには、第１の層（Ｉ）の形成法を説明した場合と同様
に、層形成の際に前記した第■族原子導入用の出発物質
または第Ｖ族原子導入用の出発物質をカス状態で堆積室
中に、第２の層（ＩＩ　）を形成するだめの他の出発物
質と共に導入してやればよい。

本発明の光導電部材に於ける第２の層（ＩＩ　）の層厚
は、該第２の層（ＩＩ　）を主にフォトキャリアの発生
層として用いる場合には、フォトキャリアの励起光源に
対する第２の層（ＩＩ　）の吸収係数を考虜して適宜決
定され、好ましくは１０００八〜５０鱗、より好ましく
は１００ＯＡ〜３０μ、最適には１０００八〜２０−と
されるのが望ましい。

また、第２の層（ＩＩ　）を主にフォトキャリアの発生
と輸送のための層として用いる場合には、フォトキャリ
アか効率よく輸送されるように所望によって適宜決定さ
れ、好ましくは　１〜１００μ、より好ましくは　１〜
８０μ、最適には２〜５０牌とされるのが望ましい。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）に酸素原子の含有
された層領域（０１１）を設けるには、」二連したよう
な第２の層（ＩＩ　）の形成の際に、酸素原子導入用の
出発物質を併用して、形成される層中にその量を制御し
なから含有させてやれば良い。

層領域（０■）を形成するのにグロー放電７．１を用い
る場合には、前記した第２の層（１１）形成用の出発物
質の中から所望に応じて選択されたものに更に酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。そのような酸素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原
子として有するカス状の物質またはガス化することので
きる物質をカス化したものの中の大概のものを使用する
ことができる。

原料ガスの組合せの例としては、 （ａ）シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を構成原子とする原料カ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（ｌ（）及び／またはハロゲン原子
（ｘ）を構成原子とする原料カスとを所望の混合比で混
合して使用する、 （ｂ）シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（）Ｉ）とを構
成原子とする原料ガスと、ハロゲン原子（Ｘ）を構成原
子とする原料カスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を構成
原子とする原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子とす
る原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する、 （Ｃ）シリコン原子（Ｓｌ）とハロゲン原子（Ｘ）とを
構成原子とする原料カスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）
とハロゲン原子（Ｘ）とを構成原子とする原料カスと、
酸素原子（０）をｉ成原子とする原料カスと、水素原子
０１）を構成原子とする原料カスとを所望の混合比で混
合して使用する、 （ｄ）シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料カス
と、ゲルマニウムＬ’；ｔｆ−（Ｇｅ）を構成原子とす
る原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）
と水素原子（）Ｉ）との３つの原ｆを構成原子とする原
料カスとを所望の混合比で混合して使用する 等の組合せを挙げることができる。

層領域（０■）を形成するために使用される酸毒原子（
０）供給用の原料ガスとして有効に使用される出発物質
としては、０を構成原子とする、あるいは０と　Ｈとを
構成原子とする、例えば酸素（０□）、オゾン（０３）
、−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸
化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四二酸
化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ、２０５）、三
酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓ【）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えばジ
シロキサン（Ｈ３ＳｉＯ５ｉＨ３）　、トリシロキサン
　（Ｈ３５ｉＯ３ｉｌ（２０５ｉＨ３）等の低級シロキ
サン等を挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する第２の
層（１１）を形成する場合には、単結晶または多結晶の
Ｓｉウェーハーまたは５１０２ウエーハー、またはＳｉ
と５ｉ０２が混合されて含有されているウェーハーをタ
ーゲットとして、これらを種々のカス容囲気中でスパッ
タリングすることによって行なえば良い。

例えば、Ｓ１ウエーハーをターゲットとして使用する場
合、酸素原子とゲルマニウム原子と必要に１５して水素
原子及び／またはハロゲン原子を導入するだめの原料ガ
スを必要に応して稀釈ガスで稀釈して、スパッター用の
堆積室中に導入し、これらカスのカスプラズマを形成さ
せて前記Ｓｉウェーハーをスパッタリングすれば良い。

また、Ｓｉと５１０２とは別々のターゲフトとして、あ
るいはＳｉと５ｉ０２とが混合された一枚のターゲ。

トとして使用する場合には、スパッター用のカスとして
のゲルマニウム原子（Ｇｅ）を構成原子とする原料ガス
を含む稀釈カスの雰囲気中で、または少なくともゲルマ
ニウム原子（Ｇｅ）を構成原子とする原料カスと水素原
子（）ｌ）構成原子として含有するガス及び／またはハ
ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とＬ７て含有するカスとの
雰囲気中でスパッタリングすることによって所望の層領
域中に酸素原子を含有する層領域（０■）か設けられた
第２の層（ＩＩ　）を形成することかできる。

なお、酸素原子導入用のカスとしては、前述したグロー
放電法に於いて酸素原子導入用のカスとして挙げたもの
がスパッタリング用のカスとしても利用することかでき
る。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）及び第２の層（ＩＩ　
）を形成する際に、酸素原子の含有された層領域（０）
をこれらの層の少なくとも一力に設ける場合、該層領域
（０）に含有される酸素原子の分布濃度Ｃ（０）を層厚
方向に変化させて、所望の層厚方向テノ分布状態（ｄｅ
ｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を得るためには、グロー放電
の場合には、分布濃度Ｃ（０）を変化させるべき酸素原
子導入用の出発物質からなるガスを、その流量を所望の
変化率曲線に従って適宜変化させながら、堆積室内に導
入してこれらの層を形成する方法を適用することができ
る。

スパッタリングによる場合には、スパッタリング用のタ
ーゲントとして、例えばＳｉと５ｉ０２との混合された
ターゲットを使用する際には、Ｓｉと５１０２との混合
比を、ターゲットの層厚方向に於いて予め変化させてお
くことによって所望の層厚方向での酸素原子の分布状態
（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を得ることができる。

本発明の光導電部材の第２の層（ＩＩ）１０４上に形成
される第３の層（ＩＩＩ）１０５は、自由表面を有し、
主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使
用環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するた
めに設けられる。第２の層（Ｌ［）と第３の層（ＩＩＩ
）とは、その各々がシリコン原子という共通の構成原子
を有してなる非晶質材料を主成分とするものなので、そ
の積層界面において化学的な安定性が十分確保されてい
る。

本発明に於ける第３の層（ＩＩ［）は、シリコン原子（
Ｓｉ）と窒素原子（Ｎ）と、必要に応して水素原子（Ｈ
）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有する非晶質を主
成分とする材料（以後、ａ−（Ｓｉｘ　Ｎ、　−Ｘ　）
ｙ　（Ｈ５Ｘ）＋−ｙと記す、但し、０　＜　！、ｙ＜
　１）で構成される。

ａ−（ＳｔＸＮ、　−）ｆ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｓ−ｙ
で構成される第３の層（［［）の形成は、グロー放電法
、スパッタリング法、イオンインプランテーション法、
イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法等によ
って実施される。これらの製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程瓜、製造規模、作製される光導電部材に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、所望する特性を有する光導電部材を製造するた
めの条件の制御が比較的容易であり、かつシリコン原子
と共に窒素原子やハロゲン原子を、作製する第３の層（
ｍ）中に導入するのが容易に行える等の利点から、グロ
ー放電法あるいはスパッタリング法が好適に採用される
。また、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して第３のＷ　（ＩＩＩ）を形成しそもよい
。

グロー放電法によって第３の層（ｍ）を形成するには、
ａ−（ＳｔＸＮ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｙ形
成用の原料カスを、必要に応じて希釈ガスと所定の混合
比で岳合し、第２の層（ＩＩ　）か形成された支持体の
設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入された
ガスをグロー放電を生起させることによりガスプラズマ
化して、前記支持体上の第２のＷ（ＩＩ）」二にａ−（
Ｓｔ、　Ｎ１−ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｙを堆積させ
ればよい。

本発明に於いて、ａ−（Ｓｔ、　Ｎ、　−Ｘ　）ｙ　Ｃ
Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙ形成用の原料カスとしては、シリコン
原子（Ｓｌ）、窒素原子（Ｎ）、水素原子（Ｈ）及びハ
ロゲン原子（Ｘ）、の中の少なくとも一つをその構成原
子として含有するガス状の物質又はガス化し得る物質を
カス化したものの内の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、　Ｎ　、　Ｈ、Ｘの中の一つとして５１を構成原
子とする原料ガスを使用する場合には、例えば、Ｓｌを
構成原子とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料カ
スと、必要に応じてＨを構成原子とする原料ガス及び／
又はＸを構成原子とする原料カスとを所望の混合比で混
合して使用するか、あるいは、Ｓｉを構成原子とするｂ
Ｋ材料スと、Ｎ及び■を構成原子とする原料ガス及び／
又はＮ及びＸを構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、あるいはまた、Ｓｉを構成原
子とする原料ガスと、Ｓｉ、　Ｎ及びＨの三つを構成原
子とする原料ガス又はＳｉ、　Ｎ及びＸの三つを構成原
子とする原料カスとを所望の混合比で混合して使用する
例が挙げられる。

あるいは層性として、ＳｉとＨとを構成原子とする原料
カスと、Ｎを構成原子とする原料カスとを混合して使用
してもよいし、あるいはＳｉとＸとを構成原子とする原
料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスとを混合して使
用してもよい。

本発明に於いて、第３の層（ｍ）中に含有されてもよい
ハロゲン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ　、Ｃ’１
．　Ｂｒ、■であり、殊にＦ、Ｇｌをか望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第３の層（Ｉ［［）形成用の原料ガス
となる出発物質としては、ＳｌとＨとを構成原子とする
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１０
等のカス状のまたはガス化し得る水素化ケイ素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作
成作業の扱いやすさ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点からＳ
　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６か好ましいものとして挙げられ
る。

これらの出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって、形成される第３の層（ＩＩＩ）中
に８１と共にＨも導入し得る。

Ｓｉ供給用の原料カスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化ケイ素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む
ケイ素化合物、所謂ハロゲン原子で置換されたシラン誘
導体、具体的には例えばＳｉＦ４゜５ｉ７Ｆ　６　、５
ｉＣ１４、Ｓ＋Ｂｒ４等のハロゲン化ケイ素が好ましい
ものとして挙げられることができ。

更には、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ２１２、ＳｉＨ２Ｃ１７
、５ｉＨＣ１３、ＳｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等（７
）　ハＣｆｆゲン置換水素化ケイ素、等々のカス状態の
あるいはガス化し得る、水素原子を構成要素の−・つと
するハロケン化物も有効な第３の層（ＩＩＩ）形成用の
出発物質として挙げることができる。

これらのハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使用
する場合にも、前述したように層形成条件の適切な選択
によって、形成される第３の層（ｍ）中に３１と共にハ
ロゲン原子（Ｘ）を導入することができる。

本発明に於いて、第３の層（ＩＩＩ）を形成するのに使
用されるハロケン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有
効な出発物質としては、上記のものの他に、例えばフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンガス、　ＣＩＦ　
、　ＣＨＦ３、ＢｒＦ　、　ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＨＦ
３　、　ＩＦ７　、ＩＣＩ　、　ｒＢｒ等ハロゲン間化
合物、ＨＦ、　ＨＣＩ　、ＨＢｒ　、旧等のハロゲン化
水素を挙げることができる。

本発明に於いて、第３の層（ｍ）を形成するのに使用さ
れる窒素原子（Ｎ）供給用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質としては、Ｎを構成原子とする、あるい
はＮとＨとを構成原子とする、例えば窒素（Ｎ２）、ア
ンモニア（ＮＨａ）、ヒドラジン（８２ＮＮＨ２）、ア
ジ化水素（ＨＮ３）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ２Ｎ
３）等のカス状のまたはガス化し得る窒素、窒化物、ア
ジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。この他に
、窒素原子（Ｎ）の導入に加えてハロゲン原子（Ｘ）の
導入もできるという点から、三フッ化窒素（Ｆ３Ｎ）四
フッ化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙
げることができる。

これ等の第３の層（ＩＩ［）形成物質は、形成される第
３の層（ＩＩＩ）中に、所定の組成比でシリコン原子、
窒素原子及び必要に応じてハロゲン原子及び／又は水素
原子が含有されるように、第３の層（ｍ）の形成の際に
所望に従って選択されて使用される。

スパッタリング法によって第３の層（ｍ）を形成するに
は、例えば次のような方法が採用できる。

第１の方法は、例えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガスまた
はこれらのガスをベースとした混合ガス雰囲気中でＳｉ
で構成されたターゲットをスパッタリングする際、窒素
原子（Ｎ）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子
（Ｈ）導入用の及び／又はハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスと共にスパッタリンを行う堆積室内に導入して
やればよい。

また、第２の方法は、スパッタリング用のターゲットと
して、Ｓｉで構成されたターゲットか、Ｓｉで構成され
たターゲットとＳｉ３Ｎ４で構成されたターゲットとの
二枚か、あるいはＳｉとＳｉ３Ｎ４で構成されたターゲ
ットを使用することによって、第３の層（ｍ）中に窒素
原子（Ｎ）を導入することができる。この際、前記の窒
素原子（Ｎ）導入用の原料ガスを併せて使用すれば、そ
の流量を制御することによって第３の層（ＩＩ［）中に
導入される窒素原子（Ｎ）の量を任意に制御することか
容易である。

Ｎ、ＨおよびＸの導入用の原料ガスとなる物質としては
、先述したグロー放電の例で示した第３の層（ｍ）形成
用の物質がスパッタリング法の場合にも有効な物質とし
て使用され得る。

本発明に於いて、第３の層（ｍ）をグロー放電法又はス
パッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所謂希ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ、　Ａｒ等が好適
なものとして挙げることができる。

本発明に於ける第３の層（Ｉ［［）は、その要求される
特性が所望通りに与えられるように注意深く形成される
。

即ち、Ｓｉ、　Ｎ　、必要に応じてＨ及び／又はＸを構
成原子とする物質は、その作成条件によって構造的には
結晶からアモルファスまでの形態を取り、電気的性質と
しては、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を
、また光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質
を各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた所望
の特性を有するａ−（Ｓｉｘ　Ｎ、　−Ｘ　）ｙ　Ｕ、
Ｘ）　Ｉ−ｙが形成されるように、所望に従ってその作
成条件の選択が厳密に成される０例えば、第３の層（ｍ
）を電気的耐圧性の向上を主な目的として設ける場合に
は、ａ−（Ｓｉｘ　Ｎ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘｌ＋−
ｙは使用環境において電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質
材料として作成される。

また、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として第３の層（ＩＩＩ）が設けられる場合には
上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射され
る光に対しである程度の感度を有する非晶質材料として
ａ−（ＳｔｘＮ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｖが
作成される。

第２の層（ＩＩ　）の表面上にａ−（Ｓｔ、　Ｎ、　−
Ｘ　）ｙ　（ＨｌＸＬ−ｙから成る第３の層（ｍ）を形
成する際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子の一つであって、本発
明においては、目的゛とする特性を有するａ−（Ｓｉ。

Ｎ＋　−−）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｌ−が所望通りに作成さ
れ得るように層作成時の支持体温度が厳密に制御される
のが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるだめ
の第３の層（ＩＩＩ）の形成法に合わせて適宜最適範囲
が選択されて、第３の層（ＩＩＩ）の形成が実行される
が、好ましくは、２０〜４００℃、より好適には５０〜
３５０℃、最適には１００〜３００°Ｃとされるのが望
ましい。第３の層（Ｉｎ）の形成には、層を構成する原
子の組成比の微妙な制御が他の方法に比べて比較的容易
であること等のために、グロー放電法やスパッタリング
法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第２の層
を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成
の際の放電パワーが作成されるａ−（Ｓｔ、Ｎ１−ｘ）
ｙ　（Ｈ，Ｘ）＋−ｙの特性を左右する重要な因子の一
つとして挙げることができる。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（ＳｔＸＮｌ　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　１
−　ｙが生産性よく効果的に作成されるための放電パワ
ー条件としては、好ましくはｌＯ〜３００Ｗ、より好適
には２０〜２５０Ｗ、最適には５０〜２００Ｗとされる
のが望ましい。

゛　堆積室内のカス圧としては、好ましくは０．０１〜
１　Ｔｏｒｒ、好適には、　０．１−０．５Ｔｏｒｒ程
度とされるのが望ましい。

本発明に於いては第３の層（ｍ）を作成するだめの支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に決めらレルモノテなく、所望特性のａ
−（Ｓｉｘ　ｓｌ　−）ｌ　）ｙ　（ＨｌＸ）□−７か
ら成る第３のＮ（ｍ）が形成されるように相互的有機的
関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決めら
れるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第３の層（ｍ）に含有され
る窒素原子の量は、第３の層（ｍ）の作成条件と同様、
本発明の目的を達成される所望の特性が得られる第３の
層（ＩＩＩ）が形成されるための重要な因子の一つであ
る。本発明における第３の層（ＩＩＩ）に含有される窒
素原子の量は、第３の層（Ｍｌ）を構成する非晶質材料
の特性に応して適宜所望に応じて決められるものである
。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓｉｘ　Ｎ、　−Ｘ　）ｙ　（
Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｙで示される非晶質材料は、大別すると
、シリコン原子と窒素原子とで構成される非晶質材料（
以後、　ａ−９ｉａＮ＋−ａと記す。但し、Ｏ＜　ａ＜
　１）　、シリコン原子と窒素原子と水素原子とで構成
される非晶質材料（以後、ａ−（Ｓｔ、、　ｓ’ｌ　−
ｂ　）ｅ　Ｈｌ−、：と記す。但し、０＜ｂ、ｃ＜１）
、シリコン原子と窒素原子とハロゲン原子と必要に応じ
て水素原子とで構成される非晶質材料（以後、ａ−（Ｓ
ｉ、Ｎ＋−ａ）ｅ（Ｈ，Ｘ）＋−８と記す。但し、０　
＜　ｄ、ｒ＜　１）に分類される。

本発明に於いて、第３の層（ｍ）がａ−９ｉａＮ　Ｈ−
ａで構成される場合、第３の層（ＩＩＩ）に含有される
窒素原子の量は、好ましくは、ｌＸｌ０−’〜６０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には１〜５０ａｔｏ＋＊ｉｃ％、
最適にはｌＯ〜４５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望まし
いものである。即ち、先のａ−３ｉ、１Ｎ　１−　＠の
ａの表示で行えば、ｄが好ましくは０．４〜０．９９９
９９、より好適には０．５〜０．８８、最適には０．５
５〜０，９である。

一方、本発明に於いて、第３の層（ｍ）がａ−（Ｓｉｂ
　Ｎ、　−ｂ　）ｅ　Ｈ＋−ｃで構成される場合、第３
の層（ｍ）に含有される窒素原子の量は、好ましくはＬ
Ｘ　１０’　−６０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは１
〜５０ａｔｏ＋ｓｉｃ％、最適には１０〜５０ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましいものである。水素原子の含
有量としては、好ましくは１〜４０ａｔｏ＋ｓｉｃ％、
より好ましくは２〜３５ａｔｏ履１０％、最適には５〜
３０ａｔｏ履１ｃ％・とされるのが望ましく、これ等の
範囲に水素含有量かある場合に形成される光導電部材は
、実際面において優れたものとして充分適用させ得るも
のである。

即ち、先のａ−（ＳＩｂＮｌ−ｂ）ｃＨｌ−ｃの表示で
行えば、ｂが好ましくは０．４５〜ｏ、５ｓｓｓｓ、よ
り好適には０．４５〜０，９８、最適には０．４５〜０
．９、Ｃか好ましくは０．６〜０．９９、より好適には
０．６５〜０．８８、最適には０．７〜０．９５である
のが望ましい。

第３の層（ｍ）が、ａ−（ＳｉｉＮ＋−１）ａ（Ｈ，Ｘ
）＋−ｅで構成される場合には、第３の層（ＩＩＩ）中
に含有される窒素原子の含有量としては、好ましくは、
Ｉ　Ｘ　１０’　−ＥｉＯａｔｏｍｉｃ％、より好適に
は１−６０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜５５ａｔｏ
＋ｗｉｃ％とされるのが望ましいものである。ハロゲン
原子の含有量としては、好ましくは、　１〜２０ａｔｏ
ｍｉｃ％、より好適にはｌ　〜ｌｌｊａｔｏｍｉｃ％、
最適には２〜１５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく
、これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成
される光導電部材を実際面に充分適用させ得るものであ
る。必要に応じて含有される水素原子の含有量としては
、好ましくは１９ａｔｏ＋ｇｉｃ％以下、より好適には
１３ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましいものであ
る。

即ち、先のａ−（Ｓｉ、＋Ｎｘ−ａ）ｅ（Ｈ，ｘＬ−ｅ
のｄ、ｅ）表示で行えば、ｄが好ましくは、０．４〜０
．９９Ｈ９より好適には０．４〜０．９８、最適には０
．４５〜０．９、ｅが好ましくは０．８〜０．９９、よ
り好適には０．８２〜０．９８、最適には０．８５〜０
．８８であるのが望ましい。

本発明に於ける第３の層（ｍ）の層厚の数値範囲は１本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。本発明の目的を効果的に達成するように、所期
の目的に応して適宜所望に従って決められる。

また、第３の層（ｍ）の層厚は、該第３の層（ｍ）中に
含有される窒素原子の量や第１の層（Ｉ）および第２の
層（ＩＩ　）の層厚との関係においても、各々の層に要
求される特性に応じた有機的な関連性の下に所望に従っ
て適宜決定される必要がある。更に加え得るに、生産性
や量産性を加味した経済性の点においても考慮されるの
が望ましい。

本発明に於ける第３の層（［１）の層厚として−は、好
ましくは０．００３〜３０μ、より好適には０．００４
〜２０鱗、最適には０．００５〜１０−とされるのが望
ましいものである。

本発明において使用される支持体ｌｏｔとしては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体として
は、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ１．　Ｃｒ、Ｍ
ＯｌＡｕ、Ｎｂ、　Ｔａ、Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐ
ｄ　等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリチン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合ａ樹脂のフィルム又はシー
ト、カラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

すなわち、例えばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣ
ｒ、　ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、旨、Ｎｄ、　Ｔａ、Ｖ
、Ｔ１、ｐｔ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２、ＩＴＯ（Ｉｎ２
０３→−９ｎ０２）等から成る薄膜を設けることによっ
て導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａ１．　Ａｇ
、Ｐｂ、Ｚｎ、　Ｎｉ。

Ａｕ、Ｃｒ、　Ｍｏ、Ｉｔ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ　、
　Ｔｉ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、または前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が付与される。

支持体の形状としては、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば第１図の光導電部材１００を電子写真
用像形成部材として使用するのであれば、連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さ決定されるが、光導電部材として５（
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が十分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。しか
しながら、このような場合支持体の製造上及び取扱い上
、更には機械的強度等の点から、通常は、ＩＯμ以上と
される。

次に、本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第２０図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装
置を示す。

し中の１１０２〜１１０６のカスボンベには、本発明の
光導電部材の光導電層を形成するための原料ガスが密封
されており、その−例として、例えば１１０２はＨｅで
希釈されたＳｉＨ４ガス（純度９Ｌ９９９％、以下Ｓｉ
Ｈ４／Ｈｅガスと略す）ボンベ、１１０３はＨｅで希釈
されたＧｅＦ４カス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＦ
４　／　Ｈｅカスと略す）ボンベ、１１０４はＨｅで希
釈されたＢ２Ｈ６カス（純度９８．９９９％、以下Ｂ２
　Ｈ６／　Ｈｅカスと略す）ボンベ、１１０５はＨｅカ
ス（純度０Ｌ９９％）ボンベ、１１０ＢはＮＨ３刀ス（
純度９９．Ｈ％）ボンベである。

図示されていないがこれら以外に、必要に応じて所望の
ガス種のボンベを増設することが可能である。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるには、ガス
ボンベ１１０２〜１１０６の各バルブ１１２２〜１１２
６及びリークバルブ１１３５が閉じられていることを確
認し、また、流入バルブ１１１２〜１１１Ｂ、流出バル
ブ１１１７〜＋１２１及び補助バルブ１１３２．１ｔ３
３が開かれていることを確認して、先づメインバルブ１
１３４を開いて反応室１ｌＯ１及び各ガス配管内を排気
する。次に真空計１１３６の読みが約５×１０“６ｔｏ
ｒｒになった時点で補助バルブ１１３２．１１３３及び
流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

先ず、シリンダー状基体１１３７上に第１の層（Ｉ）を
形成する場合の一例を示すと、ガスボンベ１１０２より
５ｉＨａ／Ｈｅガス、カスボンベ１１０４よりＢ２　Ｈ
６／　Ｈｅ力゛ス、カスボンベ＋１０５よりＨｅカスを
バルブ１１２２．１１２４．１１２５をそれぞれ開いて
出口圧ゲージ１１２７．１１２８．１１３０の圧をＩＫ
ｇ／ｃｍ２に調整し、流入バルブ＋１１２．１１１４．
１１１５を徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０
７．１１０！３．１１１０内にそれぞれ流入させる。引
き続いて流出バルブ１１１７．１１１９．１１２０及び
補助バルブ１１３２を徐々に開いてそれぞれのカスを反
応室１１０１に流入させる。このときＳ＋Ｈ４／Ｈｅカ
ス流量とＨｅカス流量と８２　Ｈ６／　Ｈ１！カス流量
との比が所望の値になるように流出パルプ１１１７．１
１１９、＋１２０を調整し、また１反応室内の圧力が所
望の値になるように真空計１１３６の読みを見ながらメ
インバルブ１１３４の開口を調整する。そして基体シリ
ンダー１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により５
０〜４００°Ｃの所定の温度に設定されていることを確
認した後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室
１１０１内にグロー放電を生起させて、基体シリンター
１１３７上に第１の層（Ｉ）を形成する。また、層形成
を行っている間は、層形成の均一化を計るために基体シ
リンダー１１３７をモータ１１３９により一定速度で回
転させる。最後に使用した全てのカス操作系バルブを閉
し、反応室＋１０１を一旦高真空まで排気する。

次にこのようにして形成された第１の層（Ｉ）の上に第
２の層（ＩＩ　）を形成する場合の一例を示すと、真空
計１１３６の読みが約５Ｘ　１０’　ｔｏｒｒになった
ら上記の場合と同様な操作の繰り返しを行う。

すなわち、ガスボンベ１１０２よりＳｉＨ４／Ｈｅガス
、ガスポンベ１１０３よりＧｅＦ４　／　Ｈｅガス、ガ
スポンベ１１０４よりＢ２　Ｈ６／　Ｈｅ力゛ス、カス
ボンベ１１０５よりＮＯ力゛スをバルブ１１２２．１１
２３．１１２４．１１２５をそれぞれ開いて出口圧ゲー
ジ１１２７．１１２８．１１２９．１１３０の圧をＩＫ
ｇ／ｃＩ０２に調整し、流入バルブ１１１２．１１１３
．１ｌ１４．１１１５を徐々に開けて、マスフロコント
ローラ１１０７、＋１０８．　ｌｌ０ＥＩ、１１１０内
にそれぞれ流入させる。引き続いて流出バルブ１１１７
、ｉｔ＋ａ、１１１９．１１２０及び補助バルブ１１３
２を徐々に開いてそれぞれのガスを反応室１１０１に流
入させる。このときＳｉＨ４／Ｈｅガス流量とＧｅＦａ
　／　Ｈｅカス流量とＢ２　Ｈ６／　Ｈｅカス流量とＨ
ｅガスとの比が所望の値になるように流出バルブ１１１
７．１１１８．１１１１１．１１２０を調整し、また、
反応室内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６
の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整す
る。そして基体シリンダー１１３７の温度が加熱ヒータ
ー１１３８により５０〜４００°Ｃの所定の温度に設定
されていることを確認した後、電源１１４０を所望の電
力に設定して反応室１１０１内にグロー放電を生起させ
て、基体シリンダー１１３７上に第１の層（Ｉ）の形成
の場合と同様にして第２のＷ（ＩＩ）を形成する。

次にこのようにして形成された第２のＷ（ＩＩ）の上に
第３の層（ＩＩＩｒ）を形成する場合には、先の場合と
同様に、使用した全てのガス操作系バルブを閉し、反応
室１１０１を一旦高真空まで排気し、真空計１１３６（
７）読みが約５Ｘ　１Ｏ−６ｔｏｒｒになったら、上記
の場合と同様にして、例えばカスボンベ１１０２よりＳ
＋Ｈ４／Ｈｅカス、力゛スポンベ１１０ｅよりＮＨ３力
゛スを供給して、グロー放電を生起させ第３の層（ＩＩ
Ｉ）か形成される。第３の層（ｍ）中の窒素原子の４１
はＮＨ３ガスの供給流量を調整することによって制御さ
れる。

以下、実施例について説明する。

実施例１ 第２０図に示した光導電部材の製造装置を用い、先に詳
述したグロー放電分解法によりＡ１製のシリンダー上に
第１表に示した製造条件に従い光受容層を形成し、電子
写真用の像形成部材の各試料（試料逅１−１−１〜ＩＢ
−１０−８の合計８６０個）を作成した。

各試料に於ける光受容層中の第１の層（Ｉ）と第２の層
（ＩＩ　）からなる層領域に含有された硼素原子の分布
状態を第１４Ａ図及び第１４Ｂ図に、酸素原子の分布状
態を第１５図に、更に第２のＷ（ＩＩ）に含有されたゲ
ルマニウム原子の分布状態を第１６図に示す。

各試料の個々に於ける硼素原子、酸素原子、及びゲルマ
ニウム原子の分布状態は、各試料に刺した試料番号（逅
）によって表わした。

即ぢ、硼素原子及び酸素原子の分布状態は第３表に示し
たように１−１〜１Ｂ−１０の番号で示され、更にゲル
マニウム原子の分布状態は各試料について第１６図で示
された６種の分布状態（５０１〜５０６）の末尾の番号
に対応した１〜６の番号を第３表に示したｌ−１−１８
−１０の番号の末尾に付与した。

このような硼素原子、酸素原子、及びゲルマニウム原子
の分布は、予め定められたカス流量の変化曲線に従って
該当するバルブの開閉状ｍ（を自動的に操作することに
よって、ＢＺ　Ｈ６／　Ｈｅ、　ＮＯ及びＧｅＦ４　／
　Ｈｅのカス流量を調節することによって形成した。

このようにして得られた像形成部材の各試料のそれぞれ
を個別に帯電露光実験装置にセットして■５．ＯＫＶで
　０．３秒間コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した
。光像は、タングステンランプ光源を用い、０．２　ｌ
ｕｘ　ａ　ｓｅｅの光量を透過型のテストチャートを通
して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を光導電部材表面をカスケードすることによっ
て光導電部材表面上に良好なトナー画像を得た。光導電
部材表面上のトナー両像を■５．ＯＫＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写したところ、解像度に優れ、階調再現性
の良い鮮明な高濃度の画像が得られた。

次に、光源をタングステンランプの代わりに、８１０ｎ
ｍのＧａＡｓ系半導体レーザー（１０ｍＷ）を用いて、
静電像の形成を行なった以外は上記と同様なトナー画像
形成条件にして、トナー転写画像の画質評価を行ったと
ころ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた
。

実施例２ 第２０図の製造装置を用い、シリンダー状のＡＩ製基体
上に、第２表に示した製造条件にした以外は本実施例で
得られた各試料の光受容層中の第１の層（Ｉ）と第２の
層（ＩＩ　）からなる層領域に含有された硼素原子の分
布状態を第１７図に、酸素原子の分布状態を第１８図に
、更に第２の層（ＩＩ）に含有されたゲルマニウム原子
の分布状態を第１８図に示す。

各試料の個々に於ける硼素原子、酸素原子、及びゲルマ
ニウム原子の分布状態は、実施例１と同様にして各試料
に伺した試料番号（逅）によって表わした。

即ち、硼素原子及び酸素原子の分布状態は第４表に示し
たように２１−１〜２８−９の番号で示され、更にゲル
マニウム原子の分布状態は各試料について第１８図で示
された６種の分布状態（６０１〜６０６）の末尾の番号
に対応した１〜６の番号をｉ４表に示したｊ−１〜＋６
−１０の番号の末尾に付与した。

このようにして得られた像形成部材の各試料のそれぞれ
を個別に用いて実施例１と同様にトナー転写画像の画質
評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性の良い
鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例３ 第２０図の製造装置を用い、第３の層（ｍ）の作成条件
を第５表に示した各条件にした以外は、それぞれ実施例
１の試料＃１ｌＬ５−５−２及び１４−１０−５並びに
実施例２の試料、４２５−３−４を作成したのと同様の
条件と手順に従って電子写真用の像形成部材をそれぞれ
（試料酸５−５−２−１〜５−５−２−８　、１４−１
０−５−１〜１４−１０−５−８　、２５−３−４−１
〜２５−３−４−８の合計２４個の試料）作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な条件で画質評価と、繰り返し連続使
用による耐久性の評価を行った。

これらの各試料の評価結果をｉ６表に示した。

実施例４ 第３の層（Ｉ［Ｉ）の作製をスパッタリング法により実
施し、その形成時にシリコンウェハーと窒化シリコンウ
ェハーのターケラト面積比を種々変更して、第３の層（
ｍ）中のシリコン原子と窒素原子の含有量比を変化させ
た以外は実施例１の試料、／＆、８−９−４と同様にし
てシリンター状のＡＩ製基体りに光受容層を形成して電
子写真用の像形成部材（試料酸８−９−４−１〜８−９
−４−７の計７個）を作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後１画質評価を行ったところ、第７
表の評価結果を得た。

実施例５ 第３の層（Ｉ［Ｉ）の形成時に、５ｉ）１４カス　、カ
スの流量比を変えて、第３の層（ＩＩＩ）中のシリコン
原子と窒素原子の含有量比を変化させた以外は実施例１
の試料ＡＩＥ　８−９−４と全く同様にしてシリンダー
状のＡＩ製基体上に光受容層を形成して電子写真用の像
形成部材（試料酸８−９−４−１１〜８−９−４−１８
の計８個）をそれぞれ作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第８
表の評価結果を得た。

実施例６ 第３の層（ｍ）の形成時に、ＳｉＨ４カスとＳｉＦ４カ
スとＮＨ３カスの流量比を変えて、第３の層（ＩＩＩ）
中のシリコン原子と窒素原子の含有量比を変化させた以
外は実施例１の試料、６　Ｂ−９−４と全く同様にして
シリンター状のＡＩ製基体上に光受容層を形成して電子
写真用の像形成部材（試料、１８−９−４−２１〜Ｂ−
９−４−２８の計８個）をそれぞれ作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの−Ｌ程
を約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第
９表の評価結果を得た。

実施例７ 第３の層（ＩＩＩ）の層厚をを変化させた以外は実施例
１の試料、／ｉ　８−９−４　と全く同様にしてシリン
ダー状のＡＩ製基体上に光受容層を形成して電子写真用
の像形成部材（試料誠８−９−４〜３１〜Ｂ−９−４−
３４の計４個）をそれぞれ作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第１
Ｏ表の評価結果をＣＩだ。

以上の本実施例に於ける共通の層作成条件を以上に示す
。

支持体温度 第１の層及び第３の層形成時：約２５０°Ｃ第２の層形
成時：約２００’Ｃ 放電周波数：　１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ第１０表

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光導電部材の構成を説明するために層
構造を模式的に示した図、第２図〜第１３図はそれぞれ
本発明の第２の層（ＩＩ）に於けるゲルマニウム原子の
分布状態を示すための模式図、第１４Ａ図及び第１４Ｂ
図は本発明の実施例１に於いて作成された光導電部材の
光受容層に於ける硼素原子の分布状態を示した図、第１
５図は本発明の実施例１に於いて作成された光導電部材
の光受容層に於ける酸素原子の分布状態を示した図、第
１６図は本発明の実施例１に於いて作成された光導電部
材の第２のＷ（ＩＩ）に於けるゲルマニウム原子の分布
状態を示すための模式図、第１７図は本発明の実施例２
に於いて作成された光導電部材の光受容層に於ける硼素
原子の分布状態を示した図、第１８図は本発明の実施例
２に於いて作成された光導電部材の光受容層に於ける酸
素原子の分布状態を示した図、第１９図は本発明の実施
例２に於いて作成された光導電部材の第２の層（ＩＩ）
に於けるゲルマニウム原子の分布状態を示すための模式
図、第２０図はグロー放電分解法による光導電部材の製
造装置を示した図である。 １００：光導電部材　１０１：支持体 １０２二光受容層　１０３　：　：ＪＳｌの層１０４：
第２の層　１０５：第３の層 １１０１：反応室 １１０２〜１１０８：カスポンへ １１０７〜１ｌｌｉ　：マスフロコントローラ１１１２
〜１１１８　：流入バルブ １１１７〜１１２１：流出バルブ １１２２〜１１２８：バルブ １１２７〜１１３１　：圧力調整器 １１３２：ｍ助バルブ　１１３３：メインパルブ１１３
４：ゲートバルブ　１１３５：リークバルブ１１３８　
：真空計　１１３７　：基体シリング−１１３８：加熱
ヒーター　１１３８ニモータ１１４０：高周波電源（マ
ツチングホックス）第１図 □Ｃ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 Ｃ 第一８　図 第９図 ′：′ｇ１０図 （２０１）　（２０２）　（２０３）　（２０４）　（
２０５）３“°”°”°７）　第１ （２０６）　（２０７）　（２０８）　（２０９）　（
２１０）５図 （３０１）　（３０２）　（３０３）　（３０１４）（
ａｃｏｕ＋４．ｅ　ｐｐｍ） 第 （３０５）　（３０６）　−（３０７）　（３０８）１
７図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、この支持体上に設けら
   れ、光導電性を有する光受容層とを有する光導゛毛部材
   に於いて、前記光受容層が、前記支持体側から、シリコ
   ン原子を含む非晶質材料で構成された第１の層（Ｉ）と
   、シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料
   で構成された第２の層（ＩＩ　）と、シリコン原子と窒
   素原子とを含む非晶質材料で構成された第３の層（ＩＩ
   Ｉ）とから構成され、かつ前記第２の層（ｎ　）内に含
   有されるゲルマニウム原子か、該層の層厚方向に対して
   不拘。−に分ＡＪシており、更に第１の層（Ｉ）および
   第２の層（ＩＩ　）の少なくとも一方に、酸素原子か含
   イ了されていることを４−￥徴とする光導電部材。
2. （２）第１の層（１）および第２の層（ＩＩ　）の少な
   くとも一方に、水素原子及び／又はハロゲン原子が含有
   されている特許請求の範囲第１項記載の光導電部材。
3. （３）第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ　）の／ν
   かぐとも一力に、伝導性を支配する物質が含有されてい
   る特許請求の範囲第１項または第２項記載の光導電部材
   。
4. （４）伝導性を支配する物質が周期律表第１Ｉｌ族に属
   する原子である特許請求の範囲第３項記載の光導電部材
   。
5. （５）伝導性を支配する物質が周期律表：ｆｓ　ｖ族に
   属する原子である特許請求の範囲第３項記載の光導電部
   材。