JPH0217024B2 - - Google Patents
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- JPH0217024B2 JPH0217024B2 JP58244737A JP24473783A JPH0217024B2 JP H0217024 B2 JPH0217024 B2 JP H0217024B2 JP 58244737 A JP58244737 A JP 58244737A JP 24473783 A JP24473783 A JP 24473783A JP H0217024 B2 JPH0217024 B2 JP H0217024B2
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材（以下、単に光導電部材という）に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電部材にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現像を発する様になる。或いは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも波長領域の吸収係
数が比較的小さく、現在実用化されている半導体
レーザとのマツチングに於いて、通常使用されて
いるハロゲンランプや螢光灯を光源とする場合、
長波長側の光を有効に使用し得ていないという点
に於いて、夫々改良される余地が残つている。
又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過して
来る光に対する反射率が高い場合には、光導電層
内に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちであつた。この現象は、殊に支持体が通常、電
子写真分野に於いて使用されているドラム状支持
体の場合に多く起こる等、経時的安定性の点に於
いて解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が図られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子とゲルマニ
ウム原子とを母体とし、水素原子又はハロゲン原
子のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
アス材料、所謂水素化アモルフアスシリコンゲル
マニウム、ハロゲン化アモルフアスシリコンゲル
マニウム、或いはハロゲン含有水素化アモルフア
スシリコンゲルマニウム〔以後これ等の総称的表
記として「ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕か
ら構成される光導電性を示す光受容層を有する光
導電部材の構成を以後に説明される様な特定化の
下に設計されて作成された光導電部材は実用上著
しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導
電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕し
ていること、殊に電子写真用の光導電部材として
著しく優れた特性を有していること及び長波長側
に於ける吸収スペクトル特性に優れていることを
見出した点に本発明は基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際し
ても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない光導電部材を提供することを主た
る目的とする。 本発明の他の目的は全可視光域に於いて光感度
が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明のさらに他の目的は、支持体上に設けら
れる層と支持体との間や積層される層の各層間に
於ける密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的
であり、層品質の高い光導電部材を提供すること
である。 本発明のさらに他の目的は、電子写真用の像形
成部材として適用させた場合、通常の電子写真法
が極めて有効に適用され得る程度に、静電像形成
の為の帯電処理の際の電荷保持能が充分あり、且
つ多湿雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測
されない優れた電子写真特性を有する光導電部材
を提供することである。 本発明のさらに他の目的は、濃度が高く、ハー
フトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質
画像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明のさらに他の目的は、高光感度性、高
SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接触
性を有する光導電部材を提供することである。 本発明は電子写真用光導電部材の支持体と、 該支持体上に設けられ、シリコン原子と、シリ
コン原子との和に対して１〜９×105原子ppmの
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た光導電性を示す第一の層および該第一の層上に
設けられ、シリコン原子と１×10-3〜90原子％の
炭素原子とを含む非晶質材料で構成された層厚
0.003〜30μの第二の層からなる光受容層と、で構
成された電子写真用光導電部材であつて、 前記第一の層にはシリコン原子とゲルマニウム
原子と窒素原子との和に対して0.001〜50原子％
の窒素原子が含有され、当該窒素原子の層厚方向
における分布濃度は滑らかでかつ該第一の層の支
持体側または前記第二の層との界面側から層厚で
5μ以内に500原子ppm以上の最大濃度分布がある
ことを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、本発明の光導電部材は、電子写真用像形
成部材として適用させた場合には、画像形成への
残留電位の影響が全くなく、その電気的特性が安
定しており高感度で高SN比を有するものであつ
て、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰返し得ることがで
きる。 又、本発明の光導電部材は、支持体上に形成さ
れる光受容層が層自体強靭であつて、且つ支持体
との密着性に著しく優れており、高速で長時間連
続的に繰返し使用することができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１と、該支持体１０１上に
設けられた第一の層（）１０２と、第一の層
（）１０２上に設けられた第二の層（）１０
３とを有する。第一の層（）１０２は、ａ−
SiGe（Ｈ，Ｘ）から成り、窒素原子を含有し、光
導電性を有する。第一の層（）１０２と第二の
層（）１０３とによつて光受容層１０４を構成
する。 ゲルマニウム原子は、第一の層（）１０２中
に万遍無く均一に分布する様に第一の層（）１
０２中に含有されても良いし、或いは層厚方向に
は万遍なく含有されてはいるが分布濃度は不均一
であつても良い。而乍ら、いずれの場合にも第一
の層（）１０２中においては、支持体の表面と
平行な面内方向に関して、ゲルマニウム原子は、
均一な分布で万遍無く含有されるのがその面内方
向に於ける特性の均一化を計る点から必要であ
る。 殊に、第一の層（）１０２の層厚方向には万
遍無く含有されていて、且つ前記支持体１０１の
設けられてある側とは反対の側（光受容層１０４
の自由表面１０５側）の方に対して前記支持体１
０１側（光受容層１０４と支持体１０１との界面
側）の方に多く分布した状態となる様にするか、
或いはこの逆の分布状態となる様に前記第一の層
（）１０２中にゲルマニウム原子は含有される。 本発明の光導電部材においては、前記した様に
第一の層（）１０２中に含有されるゲルマニウ
ム原子の分布状態は、層厚方向においては、前記
の様な分布状態を取り、支持体１０１の表面と平
行な面内方向には、均一な分布状態とされるのが
望ましい。 第２図乃至第１０図には第一の層（）１０２
中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分
布状態が不均一な場合の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は光導電性を示す
第一の層（）１０２の層厚を示し、tBは支持体
１０１側の層の表面の位置を、t〓は支持体側とは
反対側の第一の層（）１０２の表面の位置を示
す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第一の
層（）１０２は位置tB側より位置t〓側に向つて
層形成がなされる。 第２図には、第一の層（）１０２中に含有さ
れるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第
１の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第一の層（）１０２の表面と支持体
１０１の表面とが接する界面位置tBからt1の位置
までは、ゲルマニウム原子は分布濃度ＣがC1な
る一定の値を取り乍ら第一の層（）に含有さ
れ、位置t1から界面位置t〓に至るまでは分布濃度
がC2より徐々に連続的に減少していくように第
一の層の（）に含有されている。界面位置t〓に
おいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはC3と
される。 第３図に示される例においては、第一の層
（）１０２に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは位置tBより位置t〓に至るまで濃度C4か
ら徐々に連続的に減少して位置t〓において濃度C5
となる様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、第一の層（）１０２に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tB
までは濃度C6と一定値とされ、位置t2から位置t〓
へ近づくにつれて徐々に連続的に減少され、位置
t〓においては分布濃度Ｃは実質的に零とされてい
る（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。 第５図の場合には、第一の層（）１０２に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tB
より位置t〓に至るまで、濃度C8より連続的に徐々
に減少され、位置t〓において実質的に零とされて
いる。 第６図に示す例においては、第一の層（）１
０２に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
は、位置tBと位置t3間においては、濃度C9と一定
値であり、位置t〓においては濃度C10とされる。
位置t3と位置t〓との間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位置t3より位置t〓に至るまで減少されてい
る。 第７図に示される例においては、第一の層
（）１０２に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは位置tBより位置t4までは濃度C11の一定
値を取り、位置t4より位置t〓までは濃度C12より濃
度C13まで一次関数的に減少する分布状態とされ
ている。 第８図に示す例においては、第一の層（）１
０２に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
は位置tBより位置t〓に至るまで、濃度C14より実質
的に零に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、第一の層（）１０２に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、位置
tBより位置t5に至るまでは濃度C15より濃度C16ま
で一次関数的に減少され、位置t5と位置t〓との間
においては、濃度C16の一定値とされた例が示さ
れている。 第１０図に示される例においては、第一の層
（）１０２に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17であり、位置t6
に至るまではこの濃度C17より初めはゆつくりと
減少され、t6の位置付近においては、急激に減少
されて位置t6では濃度C18とされる。位置t6と位置
t7との間においては、初め急激に減少されて、そ
の後は、緩かに徐々に減少されて位置t7で濃度
C19となり、位置t7と位置t8との間では、極めてゆ
つくりと徐々に減少されて位置t8において、濃度
C20に至る。位置t8と位置t〓の間においては、濃度
C20より実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第一の層
（）１０２中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の典型例の幾つかを説明した
様に、本発明においては、支持体１０１側におい
て、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を
有し、界面t〓側において、前記分布濃度Ｃが支持
体１０１側に較べて可成り低くされた部分を有す
るゲルマニウム原子の分布状態が第一の層（）
１０２に設けられている場合が、好適な例の１つ
として挙げられる。 本発明に於ける光導電部材を構成する第一の層
（）１０２は、好ましくは上記した様に支持体
１０１側の方か又はこれとは逆に自由表面１０５
側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有
されている局在領域(A)を有するのが望ましい。 例えば、局在領域(A)は、第２図乃至第１０図に
示す記号を用いて説明すれば、界面位置tBより層
厚方向に5μ以内に設けられるのが望ましい。 上記局在領域(A)は、界面位置tBより5μ厚までの
層領域（L〓）の全部とされる場合もあるし、又、
層領域（L〓）の一部とされる場合もある。 局在領域Ａを層領域（L〓）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される第一の層（）１０
２に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)は、その中の含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子の分布濃度の最大値Cmaxがシリコン原子と
の和に対して、好ましくは1000原子ppm以上、よ
り好適には5000原子ppm以上、最適には１×104
原子ppm以上とされる様な分布状態となり得る様
に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される第一の層（）１０２は、支持体１０
１側からの層厚で5μ以内（tBから5μ厚の層領域）
に分布濃度の最大値Cmaxが存在する様に形成さ
れるのが望ましい。 本発明において、第一の層（）１０２中に含
有されるゲルマニウム原子の含有量としては、本
発明の目的が効果的に達成される様に所望に従つ
て適宜決められるが、シリコン原子との和に対し
て、好ましくは１〜9.5×105原子ppm、より好ま
しくは100〜８×105原子ppm、最適には、500〜
７×105原子ppmとされるのが望ましい。 第一の層（）１０２中に於けるゲルマニウム
原子の分布状態が、全層領域にゲルマニウム原子
が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向
における分布濃度Ｃが支持体１０１側から光受容
層１０４の自由表面１０５側に向つて、減少する
変化が与えられているか、又はこの逆の変化が与
えられている場合には、分布濃度Ｃの変化率曲線
を所望に従つて任意に設計することによつて、要
求される特性を持つた第一の層（）１０２を所
望通りに実現することが出来る。 例えば、第一の層（）１０２中に於けるゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃを支持体１０１側に於
いては、充分高め、光受容層１０４の自由表面１
０５側に於いては、極力低める様な、分布濃度Ｃ
の変化を、ゲルマニウム原子の分布濃度曲線に与
えることによつて、可視光領域を含む、比較的短
波長から比較的長波長迄の全領域の波長の光に対
して高光感度化を図ることが出来ると共に、レー
ザ光等の可干渉光に対しての干渉防止を効果的に
計ることが出来る。 又、更には後述される様に、第一の層（）１
０２の支持体１０１側端部に於いて、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくすることによ
り、半導体レーザを使用した場合の、光受容層１
０４のレーザ照射面側に於いて充分吸収し切れな
い長波長側の光を光受容層１０４の支持体１０１
側端部層領域に於いて、実質的に完全に吸収する
ことが出来、支持体面からの反射による干渉を効
果的に防止することが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と光受容層との間の
密着性の改良を図る目的の為に、第一の層（）
１０２中には、窒素原子が含有される層領域Ｎが
設けられる。窒素原子は、第一の層（）１０２
の全層領域に万遍なく含有されても良いし、或い
は、第一の層（）１０２の一部の層領域のみに
含有させて遍在させても良い。 本発明に於いて、層領域Ｎに於ける窒素原子の
分布状態は分布濃度Ｃ（Ｎ）が、支持体１０１の
表面と平行な面内方向に於いては均一であるが、
層厚方向に於いては不均一である。 第１１図に示される例では、窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）は、支持体側の第一層１０２の表面位
置tBより位置t9までの層領域に於いては濃度C21と
され、位置t9から位置t10までの層領域に於いて
は、位置t9から位置t10までの急激に増加し、位置
t10で分布濃度のピーク値C22になる。位置t10から
位置t11までの層領域に於いては窒素原子の分布
濃度Ｃ（Ｎ）は位置t11へ近づくにつれて急激に減
少し、支持体１０１とは反対側の第一層１０２の
表面位置t〓で濃度C21となる。 第１２図の示される例では、窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）は、位置tBから位置t12までの層領域で
は濃度C23とされ位置t12から位置t13までの層領域
では位置t12より位置t13まで急激に増加し、位置
t13で分布濃度のピーク値C24をとり位置t13から位
置t〓までの層領域では位置t〓へ近づくにつれてほ
ぼ零になるまで減少する。 第１３図に示される例では、窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）は、位置tBから位置t14までの層領域で
はC25からC26までゆるやかに増加し、位置t14で
分布濃度のピーク値C26となり、位置t14から位置
t〓までの層領域では位置TTへ近づくにつれて急激
に減少し、位置t〓では濃度C25となる。 第１４図に示される例では、窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）は、位置tBで濃度C27で、位置tBから位
置t15に近づにつれて減少し位置t15で濃度C28とな
る。位置t15から位置t16までの層領域では、窒素
原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）は濃度C28で一定である。
位置t16から位置t17までの層領域に於いては窒素
原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）は増加し、位置t17の分布
濃度Ｃ（Ｎ）はピーク値C29をとる。位置t17から
位置t〓までの層領域に於いては窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）は減少し位置t〓で濃度C28となる。 本発明に於いて、第一の層（）１０２に設け
られる窒素原子の含有されている層領域（Ｎ）
は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場
合には、第一の層（）１０２の全層領域を占め
る様に設けられ、光受容層の自由表面からの電荷
の注入を防止するためには、自由表面側の界面近
傍を占める様に設けられ、支持体と光受容層との
間の密着性の強化を図るのを主たる目的とする場
合には、第一の層（）１０２の支持体側端部層
領域（Ｅ）を占める様に設けられる。 上記の第一の目的の場合、層領域（Ｎ）中に含
有される窒素原子の含有量は、高光感度を維持す
る為に比較的少なくされ、上記第２の目的の場合
光受容層の自由表面からの電荷の注入を防ぐため
に比較的多くされ、上記第３の目的の場合には、
支持体との密着性の強化を確実に図る為に比較的
多くされるのが望ましい。 又、上記三者を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、中央
に於いて比較的低濃度に分布させ、自由表面側の
界面層領域には、窒素原子をより多くした様な窒
素原子の分布状態を層領域（Ｎ）中に形成すれば
良い。 本発明に於いて、第一の層（）１０２に設け
られる窒素原子を含有する層領域（Ｎ）における
窒素原子の含有量は、層領域（Ｎ）自体に要求さ
れる特性、或いは該層領域（Ｎ）が支持体１０１
に直に接触して設けられる場合には、該支持体１
０１との接触界面に於ける特性との関係等、有機
的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。 又、前記層領域（Ｎ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性や
該他の層領域との接触界面に於ける特性との関係
も考慮されて、窒素原子の含有量が適宜選択され
る。 層領域（Ｎ）中に含有される窒素原子の量は、
形成される光導電部材に要求される特性に応じて
所望に従つて適宜決められるが、シリコン原子と
ゲルマニウム原子と窒素原子との和（以後「Ｔ
（SiGeN）」と記す）に対して好ましくは、0.001
〜50原子％、より好ましくは0.002〜40原子％、
最適には、0.003〜30原子％とされるのが望まし
い。 本発明に於いて、層領域（Ｎ）が第一の層
（）１０２の全域を占めるか、或いは、第一の
層（）１０２の全域を占めなくとも、層領域
（Ｎ）の層厚T0の第一の層（）１０２の層厚Ｔ
に占める割合が充分多い場合には、層領域（Ｎ）
に含有される窒素原子の含有量の上限は、前記の
値より充分少なくされるのが望ましい。 本発明においては、層領域（Ｎ）の層厚T0が
第一の層（）１０２の層厚Ｔに対して占める割
合が５分の２以上となる様な場合には、層領域
（Ｎ）中に含有される窒素原子の量の上限として
は、Ｔ（SiGeN）に対して好ましくは、30原子％
以下、より好ましくは、20原子％以下、最適には
10原子％以下とされるのが望ましい。 本発明において、窒素原子の含有される層領域
（Ｎ）は、上記した様に支持体１０１側又は／及
び第二の層（）１０３側の近傍に窒素原子が比
較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有
するものとして設けられるのが望ましく、この場
合には、支持体１０１と第一の層（）１０２と
の間の密着性をより一層向上させること及び受容
電位を向上させることが出来る。 上記局在領域（Ｂ）は、第一の層（）１０２
の支持体１０１側および第二の層（）１０３側
の表面界面のそれぞれから5μ以内に設けられる
のが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、第
一の層（）１０２の、支持体１０１表面または
第二の層（）１０３側の表面から5μ厚までの
層領域（LT）の全部とされる場合もあるし、又、
層領域（LT）の一部とされる場合もある。 局在領域（Ｂ）を層領域（LT）の一部とする
か又は全部とするかは、形成される光受容層１０
４に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ｂ）は、その中に含有される窒素原
子の層厚方向の分布状態として窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）の最大値Cmaxが、好ましくは500原子
ppm以上、より好ましくは800原子ppm以上、最
適には1000原子ppm以上とされる様な分布状態と
なり得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、第一の層（）１０
２中の、窒素原子の含有される層領域（Ｎ）は、
支持体１０１側及び第二の層（）１０３の表面
からの層厚で5μ以内に分布濃度の最大値Cmaxが
存在する様に形成されるのが望ましい。本発明に
おいて、必要に応じて第一の層（）１０２に含
有されるハロゲン原子としては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明の光導電部材に於いては、第一の層
（）１０２中には、伝導特性を支配する物質
（Ｄ）を含有させることにより、第一の層（）
１０２の伝導特性を所望に従つて任意に制御する
ことが出来る。 この様な伝導特性を支配する物質（Ｄ）として
は、所謂、半導体分野で云われる不純物を挙げる
ことが出来、本発明に於いては、形成される第一
の層（）１０２を構成するａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）
に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及び
ｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが
出来る。具体的には、ｐ型不純物としては周期律
表第族に属する原子（第族原子）、例えば、
硼素（Ｂ）、アルミニウム（Al）、ガリウム
（Ga）、インジウム（In）、タリウム（Tl）等があ
り、殊に好適に用いられるのは、Ｂ，Gaである。
また、ｎ型不純物としては、周期律表第族に属
する原子（第族原子）、例えば、燐（Ｐ）、砒素
（As）、アンチモン（Sb）、ビスマス（Bi）等が
あり、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ，Asで
ある。 本発明に於いて、第一の層（）１０２中に含
有される伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量
は、該第一の層（）１０２に要求される伝導特
性、或いは該第一の層（）１０２が直に接触し
て設けられる支持体１０１との接触界面に於ける
特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選
択することが出来る。 又、前記の伝導特性を支配する物質（Ｄ）を第
一の層（）１０２中に含有させるのに、該第一
の層（）１０２の所望される層領域に局在的に
含有させる場合、殊に、第一の層（）１０２の
支持体側端部層領域に含有させる場合には、該層
領域に直に接触して設けられる他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を支配する物質
（Ｄ）の含有量が適宜選択される。 本発明に於いて、第一の層（）１０２中に含
有される伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量
としては、好ましくは、0.01〜５×104原子ppm、
より好適には0.5〜１×104原子ppm、最適には１
〜５×103原子ppmとされるのが望ましい。 本発明に於いて、伝導特性を支配する物質
（Ｄ）が含有される層領域に於ける該物質（Ｄ）
の含有量が、好ましくは30原子ppm以上、より好
適には50原子ppm以上、最適には、100原子ppm
以上の場合には、前記伝導特性を支配する物質
（Ｄ）は、第一の層（）１０２の一部の層領域
に局所的に含有させるのが望ましく、殊に第一の
層（）１０２の支持体側端部層領域（Ｅ）に偏
在させるのが望ましい。 上記の中、第一の層（）１０２の支持体側端
部層領域（Ｅ）に前記の数値以上の含有量となる
様に前記伝導特性を支配する物質（Ｄ）を含有さ
せることによつて、例えば当該物質（Ｄ）が前記
のｐ型不純物の場合には、光受容層１０４の自由
表面１０５が極性に帯電処理を受けた際に支持
体１０１側から光受容層１０４中へ注入される電
子の移動を効果的に阻止することが出来、又、前
記伝導特性を支配する物質が前記のｎ型不純物の
場合には、光受容層１０４の自由表面１０５が
極性に帯電処理を受けた際に、支持体１０１側か
ら光受容層１０４中へ注入される正孔の移動を効
果的に阻止することが出来る。 この様に、前記支持体側端部層領域（Ｅ）に一
方の極性の伝導特性を支配する物質（Ｄ）を含有
させる場合には、第一の層（）１０２の残りの
層領域、即ち、前記支持体側端部層領域（Ｅ）を
除いた部分の層領域（Ｚ）には、他の極性の伝導
特性を支配する物質を含有させても良いし、或い
は、同極性の伝導特性を支配する物質を、支持体
側端部層領域（Ｅ）に含有される実際の量よりも
一段と少ない量にして含有させても良い。 この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有され
る前記伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量と
しては、支持体側端部層領域（Ｅ）に含有される
前記物質の極性や含有量に応じて所望に従つて適
宜決定されるものであるが、好ましくは、0.001
〜1000原子ppm、より好適には0.05〜500原子
ppm、最適には0.1〜200原子ppmとされるのが望
ましい。 本発明に於いて、支持体側端部層領域（Ｅ）及
び層領域（Ｚ）に同種の伝導性を支配する物質を
含有させる場合には、当該物質の層領域（Ｚ）に
於ける含有量としては、好ましくは、30原子ppm
以下とするのが望ましい。上記した場合の他に、
本発明に於いては、第一の層（）１０２中に、
一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支
配する物質を含有させた層領域とを直に接触する
様に設けて、該接触層領域に所謂空乏層を設ける
ことも出来る。詰り、例えば、第一の層（）１
０２中に、前記のｐ型不純物を含有する層領域と
前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触
する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第一の層（）１０２は、例えばグロー放電
法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテイ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によつ
て形成される。例えば、グロー放電法によつて、
ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第一の層（）
１０２を形成するには、基本的にはシリコン原子
を供給し得るシリコン原子供給用の原料ガスと、
ゲルマニウム原子を供給し得るゲルマニウム原子
供給用の原料ガスと、水素原子導入用の原料ガス
又は／及びハロゲン原子の導入用の原料ガスと
を、内部を減圧し得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されてある、所定の支持
体表面上にａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
すれば良い。又、ゲルマニウム原子を不均一な分
布状態で第一の層（）１０２中に含有させるに
はゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲
線に従つて制御し乍らａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からな
る層を形成させれば良い。又、スパツタリング法
においては、例えばAr、He等の不活性ガス又は
これ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
でシリコン原子で構成されたターゲツト、或い
は、該ターゲツトとゲルマニウム原子で構成され
たターゲツトの二枚を使用して、又は、シリコン
原子とゲルマニウム原子の混合されたターゲツト
を使用して、必要に応じて、He、Ar等の稀釈ガ
スで稀釈されたゲルマニウム原子供給用の原料ガ
スおよび水素原子又は／及びハロゲン原子導入用
のガスをスパツタリング用の堆積室に導入し、所
望のガスのプラズマ雰囲気を形成することによつ
て第一の層（）１０２を形成する。このスパツ
タリング法において、ゲルマニウム原子の分布を
不均一にする場合には、前記ゲルマニウム原子供
給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に
従つて制御し乍ら、前記のターゲツトをスパツタ
リングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にすることによつて第一
の層（）１０２を形成することができる。 本発明において使用されるシリコン原子供給用
の原料ガスと成り得る物質としては、SiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の
取扱い易さ、シリコン原子供給効率の良さ等の点
でSiH4、Si2H6、が好ましいものとして挙げられ
る。 ゲルマニウム原子供給用の原料ガスと成り得る
物質としては、GeH4、Ge2H6、Ge3H8、
Ge4H10、Ge5H12、Ge6H14、Ge7H16、Ge8H18、
Ge9H20等のガス状態の又はガス化し得る水素化
ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、ゲルマ
ニウム原子供給効率の良さ等の点で、GeH4、
Ge2H6、Ge3H8が好ましいものとして挙げられ
る。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。又、更に
は、シリコン原子とハロゲン原子と構成要素とす
るガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明
においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、
BrF5、BrF3、IF3、IF7、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSi2F4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、ゲルマニウム原子供
給用の原料ガスと共にシリコン原子を供給し得る
原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体１０１上にハロゲン原子を含む
ａ−SiGeから成る第一の層（）１０２を形成
する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の層（）１０２を製造する場合、基本的に
は、例えばシリコン原子供給用の原料ガスとなる
ハロゲン化硅素とゲルマニウム原子供給用の原料
ガスとなる水素化ゲルマニウムとAr、H2、He等
のガス等とを所定の混合比およびガス流量になる
様にして光受容層を形成する堆積室に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲
気を形成することによつて、所望の支持体１０１
上に第一の層（）１０２を形成し得るものであ
るが、水素原子の導入割合の制御を一層容易にな
る様に図る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は
水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合し
て層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される第一の層（）１０２
中にハロゲン原子を導入するには、前記のハロゲ
ン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅素化合
物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良い。 又、第一の層（）１０２中に水素原子を導入
する場合には、水素原子導入用の原料ガス、例え
ば、H2、或いは前記したシラン類又は／及び水
素化ゲルマニウム等のガス類をスパツタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気
を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他にHF、HCl、HBr、
HI等のハロゲン化水素、SiH2F2、SiH2I2、
SiH2Cl2、SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲ
ン置換水素化硅素、及びGeHF3、GeH2F2、
GeH3F、GeHCl3、GeH2Cl2、GeH3Cl、
GeHBr3、GeH2Br2、GeH3Br、GeHI3、
GeH2I2、GeH3I等の水素化ハロゲン化ゲルマニ
ウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲ
ン化物、GeF4、GeCl4、GeBr4、GeI4、GeF2、
GeCl2、GeBr2、GeI2等のハロゲン化ゲルマニウ
ム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も
有効な第一の層（）１０２形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
物は、第一の層（）１０２形成の際に層中にハ
ロゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特
性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン導入用の原
料として使用される。 水素原子を第一の層（）１０２中に構造的に
導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10の水素化硅素をゲルマニ
ウム原子を供給する為のゲルマニウム又はゲルマ
ニウム化合物と、或いは、GeH4、Ge2H6、
Ge3H8、Ge4H10、Ge5H12、Ge6H14、Ge7H16、
Ge8H18、Ge9H20等の水素化ゲルマニウムとシリ
コン原子を供給する為のシリコン又はシリコン化
合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させ
る事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される光導
電部材の第一の層（）１０２中に含有される水
素の量、又はハロゲン原子の量、又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましく
は、0.01〜40原子％、より好適には0.05〜30原子
％、最適には0.1〜25原子％とされるのが望まし
い。 第一の層（）１０２中に含有される水素原子
又は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例
えば支持体温度又は／及び水素原子、或いはハロ
ゲン原子を含有させる為に使用される出発物質の
堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御し
てやれば良い。 本発明に於いて、第一の層（）１０２におい
て窒素原子の含有された層領域（Ｎ）を設けるに
は、第一の層（）１０２の形成の際に窒素原子
導入用の出発物質を前記した第一の層（）１０
２形成用の出発物質と共に使用して、形成される
層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。 層領域（Ｎ）を形成するのにグロー放電法を用
いる場合には、前記した第一の層（）１０２形
成用の出発物質の中から所望に従つて選択された
ものに窒素原子導入用の出発物質が加えられる。
その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少
なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。 層領域（Ｎ）を形成する際に使用される窒素原
子導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に
使用される出発物質は、窒素を構成原子とする或
いは窒素と水素とを構成原子とする例えば窒素
（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラジン
（H2NNH2）、アジ化水素（HN3）、アジ化アンモ
ニウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得
る窒素、窒化物及びアジ化合物等の窒素化合物を
挙げることが出来る。この他に、窒素原子の導入
に加えて、ハロゲン原子の導入も行えるという点
から、三弗化窒素（F3N）、四弗化窒素（F4N2）
等のハロゲン化窒素化合物を挙げることが出来
る。 本発明に於いては、層領域（Ｎ）中には窒素原
子で得られる効果を更に助長させる為に、窒素原
子に加えて、更に酸素原子を含有することが出来
る。 酸素原子を層領域（Ｎ）に導入する為の酸素原
子導入用の原料ガスとしては、例えば酸素
（O2）、オゾン（O3）、一酸化窒素（NO）、二酸化
窒素（NO2）、一二酸化窒素（N2O）、三二酸化
窒素（N2O3）、四二酸化窒素（N2O4）、五二酸化
窒素（N2O5）、三酸化窒素（NO3）シリコン原子
と酸素原子と水素原子とを構成原子とする、例え
ば、ジシロキサン（H3SiOSiH3）、トリシロキサ
ン（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等
を挙げることが出来る。 スパツタリング法によつて、層領域（Ｎ）を形
成するには、第一の層（）１０２の形成の際に
単結晶又は多結晶のシリコンウエーハー又は
Si3N4ウエーハー、又はシリコン原子とSi3N4が
混合されて含有されているウエーハーをターゲツ
トとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツ
タリングすることによつて行えば良い。 例えば、シリコンウエーハーをターゲツトとし
て使用すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子
又は／及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツタ
ー用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプ
ラズマを形成して前記シリコンウエーハーをスパ
ツタリングすれば良い。 又、別には、シリコン原子とSi3N4とは別々の
ターゲツトとして、又はシリコン原子とSi3N4の
混合した一枚のターゲツトを使用することによつ
て、スパツター用のガスとしての稀釈ガスの雰囲
気中で又は少なくとも水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を構成原子として含有するガス雰囲気中で
スパツタリングすればよい。窒素原子導入用の原
料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガスが、
スパツタリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。 本発明に於いて、第一の層（）１０２の形成
の際に、窒素原子の含有される層領域（Ｎ）を設
ける場合、該層領域（Ｎ）に含有される窒素原子
の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方向に変化させて、所
望の層厚方向の分布状態（depthprofile）有する
層領域（Ｎ）を形成するには、グロー放電の場合
には、分布濃度Ｃ（Ｎ）を変化させるべき窒素原
子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を所
望の変化率曲線に従つて適宜変化させ乍ら、堆積
室内に導入すればよい。 例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用
いられている何らかの方法により、ガス流路系の
途中に設けられた所定のニードルバルブの開口を
適宜変化させる操作を行えば良い。 層領域（Ｎ）をスパツタリング法によつて形成
する場合、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｎ）
を層厚方向で変化させて、窒素原子の層厚方向の
所望の分布状態（depth profile）を形成するに
は、第一には、グロー放電法による場合と同様
に、窒素原子導入用の出発物質をガス状態で使用
し、該ガスを堆積室中へ導入する際のガス流量を
所望に従つて適宜変化させることによつて成され
る。第二には、スパツタリング用のターゲツトと
して、例えばシリコン原子とSi3N4との混合され
たターゲツトを使用するのであれば、シリコン原
子とSi3N4との混合比を、ターゲツトの層厚方向
に於いて、予め変化させておくことによつて成さ
れる。第一の層（）１０２中に、伝導特性を支
配する物質、例えば、第族原子或いは第族原
子を構造的に導入するには、層形成の際に、第
族原子導入用の出発物質或いは第族原子導入用
の出発物質をガス状態で堆積室中に、第一の層
（）１０２を形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれば良い。この様な第族原子導入用
の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧で
ガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易に
ガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そ
の様な第族原子導入用の出発物質として具体的
には硼素原子導入用としてはB2H6、B4H10、
B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、B6H14等の水素
化硼素、BF3、BCl3、BBr3等のハロゲン化硼素
等が挙げられる。この他、AlCl3、GeCl4、Ge
（CH3）4、InCl3、TlCl3、等も挙げることが出来
る。 第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH3、P2H4、等の水素化燐、PH4I、PF3、
PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3、AsF3、
AsCl3、AsBr3、AsF5、SbH3、SbF3、SbF5、
SbCl3、SbCl5、BiH3、BiCl3、BiBr3、等も第
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げ
ることが出来る。 本発明に於いて、第一の層（）１０２を構成
し、伝導特性を支配する物質を含有して支持体１
０１側に偏在して設けられる層領域の層厚として
は、該層領域と該層領域上に形成される第一の層
（）１０２を構成する他の層領域とに要求され
る特性に応じて所望に従つて適宜決定されるもの
であるが、その下限としては、好ましくは30Å以
上、より好適には40Å以上、最適には、50Å以上
とされるのが望ましい。又、前記層領域中に含有
される伝導特性を支配する物質の含有量が30原子
ppm以上とされる場合には、該層領域の層厚の上
限としては好ましくは10μ以下、好適には8μ以
下、最適には、5μ以下とされるのが望ましい。 第１図に示される光導電部材１００においては
第一の層（）１０２上に形成される第二の層
（）１０３は自由表面を有し、主に耐湿性、連
続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、耐久性において本発明の目的を達成する為に
設けられる。 又、本発明においては、第一の層（）１０２
と第二の層（）１０３とを構成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、両層（）１０２および（）１
０３の積層界面において化学的な安定性の確保が
充分成されている。 本発明における第二の層（）１０３は、シリ
コン原子と炭素原子と、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子とを含む非晶質材料（以
後、「ａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙ」但し、
０＜ｘ、ｙ＜１、と記す）で構成される。 ａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙで構成され
る第二の層１０３（）の形成は、グロー放電
法、スパツタリング法、イオンインプランテーシ
ヨン法、イオンプレーテイング法、エレクトロン
ビーム法等によつて成される。これ等の製造法
は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規
模、作成される光導電部材に所望される特性等の
要因によつて適宜選択される採用されるが、所望
する特性を有する光導電部材を製造する為の作製
条件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と
共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する第二
の層（）１０３中に導入するのが容易に行える
等の利点を有するグロー放電法或いはスパツタリ
ング法が好適に採用される。 更に、本発明においては、グロー放電法とスパ
ツタリング法とを同一装置系内で併用して第二の
層（）１０３を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の層（）１０３を
形成するには、ａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−
ｙ形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと
所定量の混合比で混合して、支持体１０１の設置
してある真空堆積用の堆積室内に導入し、導入さ
れたガスを、グロー放電を生起させることによつ
てガスプラズマ化して、前記支持体１０１上に既
に形成されてある第一の層（）１０２上にａ−
（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙを堆積させれば良
い。 本発明においてａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1
−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子、
炭素原子、水素原子、ハロゲン原子の中の少なく
とも１つを構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 シリコン原子、炭素原子、水素原子、ハロゲン
原子の中の１つとしてシリコン原子を構成原子と
する原料ガスを使用する場合は、例えばシリコン
原子を構成原子とする原料ガスと、炭素原子を構
成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子
を構成原子とする原料ガス又は／及びハロゲン原
子を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で
混合して使用するか、又はシリコン原子を構成原
子とする原料ガスと、炭素原子及び水素原子を構
成原子とする原料ガス又は／及びハロゲン原子を
構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の
混合比で混合するか、或いはシリコン原子を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子、炭素原子
および水素原子の３つを構成する原料ガス又は、
シリコン原子、炭素原子およびハロゲン原子の３
つを構成原子とする原料ガスとを混合して使用す
ることが出来る。 又、別には、シリコン原子と水素原子とを構成
原子とする原料ガスに炭素原子を構成原子とする
原料ガスを混合して使用しても良いし、シリコン
原子とハロゲン原子とを構成原子とする原料ガス
に炭素原子を構成原子とする原料ガスを混合して
使用しても良い。 本発明において、第二の層（）１０３中に含
有されるハロゲン原子として好適なのはフツ素、
塩素、臭素、ヨウ素であり、殊にフツ素、塩素が
望ましいものである。 本発明において、第二の層（）１０３を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧においてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 本発明において、第二の層（）１０３形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、シリコ
ン原子と水素原子とを構成原子とするSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等のシラン（Silane）類等
の水素化硅素ガス、炭素原子と水素原子とを構成
原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水
素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、
ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化
硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を
挙げる事が出来る。具体的には、飽和炭化水素と
してはメタン（CH4）、エタン（C2H6）、プロパ
ン（C3H8）、ｎ−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタ
ン（C5H12）、エチレン系炭化水素としては、エ
チレン（C2H4）、プロピレン（C3H6）、ブテンー
１（C4H8）、ブテンー２（C4H8）、イソブチレン
（C4H8）、ペンテン（C5H10）、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（C2H2）、メチルアセ
チレン（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体
としては、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ハロゲン化水素としては、FH、HI、
HCl、HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF、
ClF、ClF3、ClF5、BrF5、BrF3、IF7、IF5、
ICl、IBr、ハロゲン化硅素としてはSiF4、Si2F6、
SiCl4、SiCl3Br、SiCl2Br2、SiClBr3、SiCl3I、
SiBr4、ハロゲン置換水素化硅素としては、
SiH2F2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH3Cl、SiH3Br、
SiH2Br2、SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4、
Si2H8、Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他にCE4、CCl4、CBr4、CHF3、
CH2F2、CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、
C2H5Cl等のハロゲン置換パラフイン系炭化水素、
SF4、SF6等のフツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、
Si（C2H5）4等のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、
SiCl2（CH3）2、SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることが出来る。 これ等の第二の層（）１０３形成物質は、形
成される第二の層（）１０３中に、所定の組成
比でシリコン原子、炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の層（）１０３の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4、或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で、
第二の層（）１０３形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−
（SixC1−ｘ）ｙ（Cl＋Ｈ）1−ｙから成る第二の層
（）１０３を形成することが出来る。 スパツタリング法によつて第二の層（）１０
３を形成するには、単結晶又は多結晶のシリコン
ウエーハー又はグラフアイトウエーハー又はシリ
コン原子と炭素原子とが混合されて含有されてい
るウエーハーをターゲツトとして、これ等を必要
に応じてハロゲン原子又は／及び水素原子を構成
要素として含む種々のガス雰囲気中でスパツタリ
ングすることによつて行えば良い。例えば、シリ
コンウエーハーをターゲツトとして使用すれば、
炭素原子と水素原子又は／及びハロゲン原子を導
入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパツタ用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記シリコン
ウエーハーをスパツタリングすれば良い。又、別
には、シリコン原子と炭素原子とは別々のターゲ
ツトとして、又はシリコン原子と炭素原子とを混
合した一枚のターゲツトを使用することによつ
て、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中でスパツタリングすれ
ばよい。炭素原子、水素原子およびハロゲン原子
の導入用の原料ガスとなる物質としては前述した
グロー放電の例で示した第二の層（）１０３形
成用の物質がスパツタリング法の場合にも有効な
物質として使用され得る。 本発明において、第二の層（）１０３をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂希ガス、例え
ばHe、Ne、Ar、等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明における第二の層（）１０３は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。即ち、シリコン原子、炭素原
子、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を構成原子とする物質は、その作成条件によつ
て構造的には結晶からアモルフアスまでの形態を
取り、電気物性的には、導電性から半導体性、絶
縁性までの間の性質を、又光導電的性質から非光
導電的性質までの間の性質を、各々示すので、本
発明においては、目的に応じた所望の特性を有す
るａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙが形成され
る様に、所望に従つてその作成条件の選択が厳密
に成される。例えば、第二の層（）１０３を電
気的耐圧性の向上を主な目的として設けるには、
ａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙは使用環境に
おいて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料とし
て作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の層（）１０３が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1−ｘ）
ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙが作成される。 第一の層（）１０２の表面に、ａ−（SixC1
−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙから成る第二の層（）
１０３を形成する際における、層形成中の支持体
１０１の温度は、形成される層の構造及び特性を
左右する重要な因子であつて、本発明において
は、目的とする特性を有するａ−（SixC1−ｘ）
ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙが所望通りに作成され得る様に
層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望
ましい。本発明における、所望の目的が効果的に
達成される為の第二の層（）１０３の形成法に
併せて適宜最適範囲が選択されて、第二の層
（）１０３の形成が実行されるが、層作成時の
支持体温度は、好ましくは、20〜400℃、より好
適には50〜350℃、最適には100〜300℃とされる
のが望ましいものである。 第二の層（）１０３の形成には、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の
方法に較べて比較的容易である事等の為に、グロ
ー放電法やスパツターリング法の採用が有利であ
るが、これ等の層形成法で第二の層（）１０３
を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に
層形成の際の放電パワーが作成されるａ−
（SixC1−ｘ）yX1−ｙの特性を左右する重要な因
子の１つである。 本発明における目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1−ｘ）yX1−ｙが生産性良く効果
的に作成される為の放電パワー条件としては好ま
しくは10〜300W、より好適には20〜250W、最適
には50〜200Wとされるのが望ましいものである。 堆積室内のガス圧は好ましくは0.01〜1Torr、
より好適には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望
ましい。 本発明においては第二の層（）１０３を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1−
ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙから成る第二の層（）１
０３が形成される様に相互的有機的関連性に基づ
いて各層作成フアクターの最適値が決められるの
が望ましい。 本発明の光導電部材における第二の層（）１
０３に含有される炭素原子の量は、第二の層
（）１０３の作成条件と同様、本発明の目的を
達成する所望の特性が得られる第二の層（）１
０３が形成されるための重要な因子である。本発
明における第二の層（）１０３に含有される炭
素原子の量は、第二の層（）１０３を構成する
非晶質材料の種類及びその特性に応じて適宜所望
に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、
Ｘ）1−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、
シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材
料（以後、「ａ−SiaC1−ａ」と記す。但し、０
＜ａ＜１）、シリコン原子と炭素原子と水素原子
とで構成される非晶質材料（以後、「ａ−（SibC1
−ｂ）cH1−ｃ」と記す。但し、０＜ｂ、ｃ＜
１）、およびシリコン原子と炭素原子とハロゲン
原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、「ａ−（SidC1−ｄ）ｅ（Ｈ、Ｘ）1−
ｅ」と記す。但し、０＜ｄ、ｅ＜１）に分類され
る。 本発明において、第二の層（）１０３がａ−
SiaC1−ａで構成される場合、第二の層（）１
０３に含有される炭素原子の量は好ましくは、１
×10-3〜90原子％、より好適には１〜80原子％、
最適には10〜75原子％とされるのが望ましいもの
である。即ち、先のａ−SiaC1−ａのａの表示で
行えば、ａが好ましくは0.1〜0.99999、より好適
には0.2〜0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明において、第二の層（）１０３がａ−
（SibC1−ｂ）cH1−ｃで構成される場合、第二の
層（）１０３に含有される炭素原子の量は、好
ましくは１×10-3〜90原子％とされ、より好まし
くは１〜90原子％、最適には10〜80原子％とされ
るのが望ましく、また、水素原子の含有量として
は、好ましくは１〜40原子％、より好ましくは２
〜35原子％、最適には５〜30原子％とされるのが
望ましく、これ等の範囲に水素含有量がある場合
に形成される光導電部材は、実際面において優れ
たものとして充分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（SibC1−ｂ）H1−ｃの表示で
行えばｂが好ましくは0.1〜0.99999、より好適に
は0.1〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｃが好ましく
は0.6〜0.99、より好適には0.65〜0.98、最適には
0.7〜0.95であるのが望ましい。 第二の層（）１０３が、ａ−（SidC1−ｄ）
ｅ（Ｈ、Ｘ）1−ｅで構成される場合には、第二の
層（）１０３中に含有される炭素原子の含有量
としては、好ましくは１×10-3〜90原子％、より
好適には１〜90原子％、最適には10〜80原子％と
されるのが望ましく、また、ハロゲン原子の含有
量としては、好ましくは１〜20原子％、より好適
には１〜18原子％、最適には２〜15原子％とされ
るのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含
有量がある場合に作成される光導電部材は、実際
面に充分適用させ得るものであり、さらに、必要
に応じて含有される水素原子の含有量としては、
好ましくは19原子％以下、より好適には13原子％
以下とされるのが望ましいものである。 即ち、先のａ−（SidC1−ｄ）ｅ（Ｈ、Ｘ）1−ｅ
のｄ、ｅの表示で行えば、ｄが好ましくは0.1〜
0.99999、より好適には0.1〜0.99、最適には0.15
〜0.9、ｅが好ましくは0.8〜0.99、より好適には
0.82〜0.99、最適には0.85〜0.98であるのが望ま
しい。 本発明における第二の層（）１０３の層厚の
数範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の
重要な因子の１つであり、本発明の目的を効果的
に達成する様に所期の目的に応じて適宜所望に従
つて決められる。 又、第二の層（）１０３の層厚は、該層
（）１０３中に含有される炭素原子の量や第一
の層（）１０２の相厚との関係においても、
各々の層領域に要求され特性に応じた有機的な関
連性の下に所望に従つて適宜決定される必要があ
り、更に加え得に、生産性や量産性を加味した経
済性の点においても考慮されるのが望ましい。 本発明における第二の層（）１０３の層厚と
しては、好ましくは0.003〜30μ、より好適には
0.004〜20μ、最適には0.005〜10μとされるのが望
ましいものである。 本発明において使用される支持体１０１として
は、導電性でも電気絶縁性であつても良い。導電
性支持体としては、例えば、NiCr、ステンレス、
Al、Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd
等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツクス、紙等が通常使用される。これ等の電気
絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。 支持体１０１の形状としては、円筒状、ベルト
状、板状等任意の形状とし得、所望によつて、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電
部材１００を電子写真用光像形成部材として使用
するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベ
ルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体１
０１の厚さは、所望通りの光導電部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くさ
れる。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び
取扱い上、機械的強度等の点から、支持体１０１
の厚さは、好ましくは、10μ以上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１５図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中、１１０２〜１１０６で示すガスボンベに
は、本発明の光導電部材を形成するための原料ガ
スが密封されており、その１例としてたとえば１
１０２は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度
99.999％、以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１
０３はHeで稀釈されたGeH4ガス（純度99.999
％、以下GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４
はHeで稀釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下
SiF4／Heと略す。）ボンベ、１１０５はNH3ガ
ス（純度99.999％）ボンベ、１１０６はH2ガス
（純度99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先ずメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6Torrにな
つた時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出
バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次に支持体としてのシリンダー状基体１１３７
上に光受容層を形成する場合の１例をあげると、
ガスボンベ１１０２からのSiH4／Heガス、ガス
ボンベ１１０３からのGeH4／Heガス、ガスボン
ベ１１０５からのNH3ガスを、バルブ１１２２，
１１２３，１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２
７，１１２８，１１３０の圧力を１Kg／cm2に調整
し、流入バルブ１１１２，１１１３，１１１５を
徐々に明けることによつて、マスフロコントロー
ラ１１０７，１１０８，１１１０内に夫々流入さ
せる。 引き続いて流出バルブ１１１７，１１１８，１
１２０、補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々
のガスを反応室１１０１内に流入させる。このと
きのSiH4／Heガス流量とGeH4／Heガス流量と
NH3ガス流量との比が所望の値になるように流
出バルブ１１１７，１１１８，１１２０を調整
し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値にな
るように真空計１１３６の読みを見ながらメイン
バルブ１１３４の開口を調整する。そして基体１
１３７の温度が過熱ヒーター１１３８により50〜
400℃の範囲の温度に設定されていることを確認
した後、電源１１４０を所望の電力に設定して反
応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時に
あらかじめ設計された変化率曲線に従つて手動あ
るいは外部駆動モータ等の方法を適用してバルブ
１１２０の開口を適宜変化させる操作を行つて
NH3ガスの流量を調整し、もつて形成される層
中に含有される窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）を制
御する。かくして、基体１１３７上に第一の層
（）１０２が形成される。 上記の様にして所望層厚に形成された第一の層
（）１０２上に第二の層（）１０３を形成す
るには、第一の層（）１０２の形成の際と同様
なバルブ操作によつて、例えばSiH4ガス、C2H4
ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀
釈して反応室１１０１内に供給し、所望の条件に
従つて、グロー放電を生起させればよい。 第二の層（）１０３中にハロゲン原子を含有
させるには、例えばSiF4ガスとC2H4ガス、或い
はこれにSiH4ガスを加えて上記と同様にして第
二の層（）１０３を形成すればよい。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。 第二の層（）１０３中に含有される炭素原子
の量は例えば、グロー放電による場合はSiH4ガ
スおよびC2H4ガスの反応室１１０１内に導入さ
れる流量比を所望に従つて変えるか、或いは、ス
パツタリングで層形成する場合には、ターゲツト
を形成する際シリコンウエハとグラフアイトウエ
ハのスパツタ面積比率を変えるか、又はシリコン
粉末とグラフアイト粉末の混合比率を変えてター
ゲツトを成型することによつて所望に応じて制御
することが出来る。第二の層（）１０３中に含
有されるハロゲン原子の量は、ハロゲン原子導入
用の原料ガス、例えばSiF4ガスが反応室１１０１
内に導入される際の流量を調整することによて成
される。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
計るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１５図に示した製造装置により、支持体とし
てのシリンダー状のAl基体上に第１表に示す条
件で電子写真用像形成部材としての（試料No.11−
１〜13−４）を夫々作成した（第２表）。 各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃
度は第１６図に、又、窒素原子の含有分布濃度は
第１７図に示される。 こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置
に設置し5.0KVで0.3秒（sec）間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した。光像はタングステ
ンランプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型
のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）によつて試料（像形成部材）表
面をカスケードすることによつて、当該試料（像
形成部材）表面上に良好なトナー画像を得た。試
料上のトナー画像を、＋5.0KVのコロナ帯電で転
写紙上に転写した所、いずれの試料に於いても解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 上記に於いて、光源としてタングステンランプ
の代りに810nmのGaAs系半導体レーザ（10mW）
を用いて、静電像の形成を行つた以外は、同様の
トナー画像形成条件にして、各試料に就いてトナ
ー転写画像の画質評価を行つたところ、いずれの
試料の場合も、解像力に優れ、階調再現性の良い
鮮明な高品位の画像が得られた。 実施例 ２ 第１５図に示した製造装置により支持体として
のシリンダー状のAl基体上に第３表に示す条件
で電子写真用像形成部材としての試料（試料No.21
−１〜23−４）を夫々作成した（第４表）。 各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃
度は第１６図に、又、窒素原子の含有分布濃度は
第１７図に示される。 これ等の試料の夫々に就て、実施例１と同様の
画像評価テストを行つたところ、いずれの試料も
高品質のトナー転写画像を与えた。又、各試料に
就て38℃、80％RHの環境に於いて20万回の繰返
し使用テストを行つたところ、いずれの試料も画
像品質の低下は見られなかつた。 実施例 ３ 第二の層（）１０３の作成条件を第５表に示
す各条件にした以外は、実施例１の試料No.11−
１，12−１，13−１と同様の条件と手順に従つて
電子写真用像形成部材の夫々（試料No.11−１−１
〜11−１−８、12−１−１〜12−１−８、13−１
−１〜13−１−８の24個の試料）を作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の
夫々を個別に複写装置に設置せ、各実施例に対応
した電子複写用像形成部材の夫々について、転写
画像の総合画質評価と、繰り返し連続使用による
耐久性の評価の結果を第６表に示す。 実施例 ４ 第二の層（）１０３の形成時、シリコンウエ
ハとグラフアイトのターゲツト面積比を変えて、
層（）におけるシリコン原子の炭素原子の含有
比を変化させる以外は、実施例１の試料No.11−１
と全然同様な方法によつて像形成部材の夫々につ
き、実施例１に述べた如き、現像、クリーニング
の工程を約５万回に繰り返した後、画像評価を行
つたところ第７表の如き結果を得た。 実施例 ５ 第二の層（）１０３の形成時、SiH4ガスと
C2H4ガスの流量比を変えて、層（）における
シリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる
以外は実施例１の試量No.12−１と全く同様な方法
によつて像形成部材の夫々を作成した。 こうして得られた各像形成部材につき、実施例
１に述べた如き方法で転写までの工程を約５万回
繰り返した後、画像評価を行つたところ、第８表
の如き結果を得た。 実施例 ６ 第二の層（）１０３層の形成時、SiH4ガス、
SiF4ガス、C2H4ガスの流量比を変えて、層（）
におけるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例１の試量No.13−１と全く
同様な方法によつて像形成部材の夫々を作成し
た。こうして得られた各像形成部材につき実施例
１に述べた如き作像、現象、クリーニングの工程
を約５万回繰り返した後、画像評価を行つたとこ
ろ第９表の如き結果を得た。 実施例 ７ 層（）の層厚を変える以外は、実施例１の試
料No.11−１と全く同様な方法によつて像形成部材
の夫々を作成した。実施例１に述べた如き、作
像、現象クリーニングの工程を繰り返し第10表の
結果を得た。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材（以下、単に光導電部材という）に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電部材にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現像を発する様になる。或いは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも波長領域の吸収係
数が比較的小さく、現在実用化されている半導体
レーザとのマツチングに於いて、通常使用されて
いるハロゲンランプや螢光灯を光源とする場合、
長波長側の光を有効に使用し得ていないという点
に於いて、夫々改良される余地が残つている。
又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過して
来る光に対する反射率が高い場合には、光導電層
内に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちであつた。この現象は、殊に支持体が通常、電
子写真分野に於いて使用されているドラム状支持
体の場合に多く起こる等、経時的安定性の点に於
いて解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が図られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子とゲルマニ
ウム原子とを母体とし、水素原子又はハロゲン原
子のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
アス材料、所謂水素化アモルフアスシリコンゲル
マニウム、ハロゲン化アモルフアスシリコンゲル
マニウム、或いはハロゲン含有水素化アモルフア
スシリコンゲルマニウム〔以後これ等の総称的表
記として「ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕か
ら構成される光導電性を示す光受容層を有する光
導電部材の構成を以後に説明される様な特定化の
下に設計されて作成された光導電部材は実用上著
しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導
電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕し
ていること、殊に電子写真用の光導電部材として
著しく優れた特性を有していること及び長波長側
に於ける吸収スペクトル特性に優れていることを
見出した点に本発明は基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際し
ても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない光導電部材を提供することを主た
る目的とする。 本発明の他の目的は全可視光域に於いて光感度
が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明のさらに他の目的は、支持体上に設けら
れる層と支持体との間や積層される層の各層間に
於ける密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的
であり、層品質の高い光導電部材を提供すること
である。 本発明のさらに他の目的は、電子写真用の像形
成部材として適用させた場合、通常の電子写真法
が極めて有効に適用され得る程度に、静電像形成
の為の帯電処理の際の電荷保持能が充分あり、且
つ多湿雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測
されない優れた電子写真特性を有する光導電部材
を提供することである。 本発明のさらに他の目的は、濃度が高く、ハー
フトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質
画像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明のさらに他の目的は、高光感度性、高
SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接触
性を有する光導電部材を提供することである。 本発明は電子写真用光導電部材の支持体と、 該支持体上に設けられ、シリコン原子と、シリ
コン原子との和に対して１〜９×105原子ppmの
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た光導電性を示す第一の層および該第一の層上に
設けられ、シリコン原子と１×10-3〜90原子％の
炭素原子とを含む非晶質材料で構成された層厚
0.003〜30μの第二の層からなる光受容層と、で構
成された電子写真用光導電部材であつて、 前記第一の層にはシリコン原子とゲルマニウム
原子と窒素原子との和に対して0.001〜50原子％
の窒素原子が含有され、当該窒素原子の層厚方向
における分布濃度は滑らかでかつ該第一の層の支
持体側または前記第二の層との界面側から層厚で
5μ以内に500原子ppm以上の最大濃度分布がある
ことを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、本発明の光導電部材は、電子写真用像形
成部材として適用させた場合には、画像形成への
残留電位の影響が全くなく、その電気的特性が安
定しており高感度で高SN比を有するものであつ
て、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰返し得ることがで
きる。 又、本発明の光導電部材は、支持体上に形成さ
れる光受容層が層自体強靭であつて、且つ支持体
との密着性に著しく優れており、高速で長時間連
続的に繰返し使用することができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１と、該支持体１０１上に
設けられた第一の層（）１０２と、第一の層
（）１０２上に設けられた第二の層（）１０
３とを有する。第一の層（）１０２は、ａ−
SiGe（Ｈ，Ｘ）から成り、窒素原子を含有し、光
導電性を有する。第一の層（）１０２と第二の
層（）１０３とによつて光受容層１０４を構成
する。 ゲルマニウム原子は、第一の層（）１０２中
に万遍無く均一に分布する様に第一の層（）１
０２中に含有されても良いし、或いは層厚方向に
は万遍なく含有されてはいるが分布濃度は不均一
であつても良い。而乍ら、いずれの場合にも第一
の層（）１０２中においては、支持体の表面と
平行な面内方向に関して、ゲルマニウム原子は、
均一な分布で万遍無く含有されるのがその面内方
向に於ける特性の均一化を計る点から必要であ
る。 殊に、第一の層（）１０２の層厚方向には万
遍無く含有されていて、且つ前記支持体１０１の
設けられてある側とは反対の側（光受容層１０４
の自由表面１０５側）の方に対して前記支持体１
０１側（光受容層１０４と支持体１０１との界面
側）の方に多く分布した状態となる様にするか、
或いはこの逆の分布状態となる様に前記第一の層
（）１０２中にゲルマニウム原子は含有される。 本発明の光導電部材においては、前記した様に
第一の層（）１０２中に含有されるゲルマニウ
ム原子の分布状態は、層厚方向においては、前記
の様な分布状態を取り、支持体１０１の表面と平
行な面内方向には、均一な分布状態とされるのが
望ましい。 第２図乃至第１０図には第一の層（）１０２
中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分
布状態が不均一な場合の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は光導電性を示す
第一の層（）１０２の層厚を示し、tBは支持体
１０１側の層の表面の位置を、t〓は支持体側とは
反対側の第一の層（）１０２の表面の位置を示
す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第一の
層（）１０２は位置tB側より位置t〓側に向つて
層形成がなされる。 第２図には、第一の層（）１０２中に含有さ
れるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第
１の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第一の層（）１０２の表面と支持体
１０１の表面とが接する界面位置tBからt1の位置
までは、ゲルマニウム原子は分布濃度ＣがC1な
る一定の値を取り乍ら第一の層（）に含有さ
れ、位置t1から界面位置t〓に至るまでは分布濃度
がC2より徐々に連続的に減少していくように第
一の層の（）に含有されている。界面位置t〓に
おいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはC3と
される。 第３図に示される例においては、第一の層
（）１０２に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは位置tBより位置t〓に至るまで濃度C4か
ら徐々に連続的に減少して位置t〓において濃度C5
となる様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、第一の層（）１０２に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tB
までは濃度C6と一定値とされ、位置t2から位置t〓
へ近づくにつれて徐々に連続的に減少され、位置
t〓においては分布濃度Ｃは実質的に零とされてい
る（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。 第５図の場合には、第一の層（）１０２に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tB
より位置t〓に至るまで、濃度C8より連続的に徐々
に減少され、位置t〓において実質的に零とされて
いる。 第６図に示す例においては、第一の層（）１
０２に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
は、位置tBと位置t3間においては、濃度C9と一定
値であり、位置t〓においては濃度C10とされる。
位置t3と位置t〓との間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位置t3より位置t〓に至るまで減少されてい
る。 第７図に示される例においては、第一の層
（）１０２に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは位置tBより位置t4までは濃度C11の一定
値を取り、位置t4より位置t〓までは濃度C12より濃
度C13まで一次関数的に減少する分布状態とされ
ている。 第８図に示す例においては、第一の層（）１
０２に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
は位置tBより位置t〓に至るまで、濃度C14より実質
的に零に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、第一の層（）１０２に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、位置
tBより位置t5に至るまでは濃度C15より濃度C16ま
で一次関数的に減少され、位置t5と位置t〓との間
においては、濃度C16の一定値とされた例が示さ
れている。 第１０図に示される例においては、第一の層
（）１０２に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17であり、位置t6
に至るまではこの濃度C17より初めはゆつくりと
減少され、t6の位置付近においては、急激に減少
されて位置t6では濃度C18とされる。位置t6と位置
t7との間においては、初め急激に減少されて、そ
の後は、緩かに徐々に減少されて位置t7で濃度
C19となり、位置t7と位置t8との間では、極めてゆ
つくりと徐々に減少されて位置t8において、濃度
C20に至る。位置t8と位置t〓の間においては、濃度
C20より実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第一の層
（）１０２中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の典型例の幾つかを説明した
様に、本発明においては、支持体１０１側におい
て、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を
有し、界面t〓側において、前記分布濃度Ｃが支持
体１０１側に較べて可成り低くされた部分を有す
るゲルマニウム原子の分布状態が第一の層（）
１０２に設けられている場合が、好適な例の１つ
として挙げられる。 本発明に於ける光導電部材を構成する第一の層
（）１０２は、好ましくは上記した様に支持体
１０１側の方か又はこれとは逆に自由表面１０５
側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有
されている局在領域(A)を有するのが望ましい。 例えば、局在領域(A)は、第２図乃至第１０図に
示す記号を用いて説明すれば、界面位置tBより層
厚方向に5μ以内に設けられるのが望ましい。 上記局在領域(A)は、界面位置tBより5μ厚までの
層領域（L〓）の全部とされる場合もあるし、又、
層領域（L〓）の一部とされる場合もある。 局在領域Ａを層領域（L〓）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される第一の層（）１０
２に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)は、その中の含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子の分布濃度の最大値Cmaxがシリコン原子と
の和に対して、好ましくは1000原子ppm以上、よ
り好適には5000原子ppm以上、最適には１×104
原子ppm以上とされる様な分布状態となり得る様
に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される第一の層（）１０２は、支持体１０
１側からの層厚で5μ以内（tBから5μ厚の層領域）
に分布濃度の最大値Cmaxが存在する様に形成さ
れるのが望ましい。 本発明において、第一の層（）１０２中に含
有されるゲルマニウム原子の含有量としては、本
発明の目的が効果的に達成される様に所望に従つ
て適宜決められるが、シリコン原子との和に対し
て、好ましくは１〜9.5×105原子ppm、より好ま
しくは100〜８×105原子ppm、最適には、500〜
７×105原子ppmとされるのが望ましい。 第一の層（）１０２中に於けるゲルマニウム
原子の分布状態が、全層領域にゲルマニウム原子
が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向
における分布濃度Ｃが支持体１０１側から光受容
層１０４の自由表面１０５側に向つて、減少する
変化が与えられているか、又はこの逆の変化が与
えられている場合には、分布濃度Ｃの変化率曲線
を所望に従つて任意に設計することによつて、要
求される特性を持つた第一の層（）１０２を所
望通りに実現することが出来る。 例えば、第一の層（）１０２中に於けるゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃを支持体１０１側に於
いては、充分高め、光受容層１０４の自由表面１
０５側に於いては、極力低める様な、分布濃度Ｃ
の変化を、ゲルマニウム原子の分布濃度曲線に与
えることによつて、可視光領域を含む、比較的短
波長から比較的長波長迄の全領域の波長の光に対
して高光感度化を図ることが出来ると共に、レー
ザ光等の可干渉光に対しての干渉防止を効果的に
計ることが出来る。 又、更には後述される様に、第一の層（）１
０２の支持体１０１側端部に於いて、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくすることによ
り、半導体レーザを使用した場合の、光受容層１
０４のレーザ照射面側に於いて充分吸収し切れな
い長波長側の光を光受容層１０４の支持体１０１
側端部層領域に於いて、実質的に完全に吸収する
ことが出来、支持体面からの反射による干渉を効
果的に防止することが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と光受容層との間の
密着性の改良を図る目的の為に、第一の層（）
１０２中には、窒素原子が含有される層領域Ｎが
設けられる。窒素原子は、第一の層（）１０２
の全層領域に万遍なく含有されても良いし、或い
は、第一の層（）１０２の一部の層領域のみに
含有させて遍在させても良い。 本発明に於いて、層領域Ｎに於ける窒素原子の
分布状態は分布濃度Ｃ（Ｎ）が、支持体１０１の
表面と平行な面内方向に於いては均一であるが、
層厚方向に於いては不均一である。 第１１図に示される例では、窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）は、支持体側の第一層１０２の表面位
置tBより位置t9までの層領域に於いては濃度C21と
され、位置t9から位置t10までの層領域に於いて
は、位置t9から位置t10までの急激に増加し、位置
t10で分布濃度のピーク値C22になる。位置t10から
位置t11までの層領域に於いては窒素原子の分布
濃度Ｃ（Ｎ）は位置t11へ近づくにつれて急激に減
少し、支持体１０１とは反対側の第一層１０２の
表面位置t〓で濃度C21となる。 第１２図の示される例では、窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）は、位置tBから位置t12までの層領域で
は濃度C23とされ位置t12から位置t13までの層領域
では位置t12より位置t13まで急激に増加し、位置
t13で分布濃度のピーク値C24をとり位置t13から位
置t〓までの層領域では位置t〓へ近づくにつれてほ
ぼ零になるまで減少する。 第１３図に示される例では、窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）は、位置tBから位置t14までの層領域で
はC25からC26までゆるやかに増加し、位置t14で
分布濃度のピーク値C26となり、位置t14から位置
t〓までの層領域では位置TTへ近づくにつれて急激
に減少し、位置t〓では濃度C25となる。 第１４図に示される例では、窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）は、位置tBで濃度C27で、位置tBから位
置t15に近づにつれて減少し位置t15で濃度C28とな
る。位置t15から位置t16までの層領域では、窒素
原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）は濃度C28で一定である。
位置t16から位置t17までの層領域に於いては窒素
原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）は増加し、位置t17の分布
濃度Ｃ（Ｎ）はピーク値C29をとる。位置t17から
位置t〓までの層領域に於いては窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）は減少し位置t〓で濃度C28となる。 本発明に於いて、第一の層（）１０２に設け
られる窒素原子の含有されている層領域（Ｎ）
は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場
合には、第一の層（）１０２の全層領域を占め
る様に設けられ、光受容層の自由表面からの電荷
の注入を防止するためには、自由表面側の界面近
傍を占める様に設けられ、支持体と光受容層との
間の密着性の強化を図るのを主たる目的とする場
合には、第一の層（）１０２の支持体側端部層
領域（Ｅ）を占める様に設けられる。 上記の第一の目的の場合、層領域（Ｎ）中に含
有される窒素原子の含有量は、高光感度を維持す
る為に比較的少なくされ、上記第２の目的の場合
光受容層の自由表面からの電荷の注入を防ぐため
に比較的多くされ、上記第３の目的の場合には、
支持体との密着性の強化を確実に図る為に比較的
多くされるのが望ましい。 又、上記三者を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、中央
に於いて比較的低濃度に分布させ、自由表面側の
界面層領域には、窒素原子をより多くした様な窒
素原子の分布状態を層領域（Ｎ）中に形成すれば
良い。 本発明に於いて、第一の層（）１０２に設け
られる窒素原子を含有する層領域（Ｎ）における
窒素原子の含有量は、層領域（Ｎ）自体に要求さ
れる特性、或いは該層領域（Ｎ）が支持体１０１
に直に接触して設けられる場合には、該支持体１
０１との接触界面に於ける特性との関係等、有機
的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。 又、前記層領域（Ｎ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性や
該他の層領域との接触界面に於ける特性との関係
も考慮されて、窒素原子の含有量が適宜選択され
る。 層領域（Ｎ）中に含有される窒素原子の量は、
形成される光導電部材に要求される特性に応じて
所望に従つて適宜決められるが、シリコン原子と
ゲルマニウム原子と窒素原子との和（以後「Ｔ
（SiGeN）」と記す）に対して好ましくは、0.001
〜50原子％、より好ましくは0.002〜40原子％、
最適には、0.003〜30原子％とされるのが望まし
い。 本発明に於いて、層領域（Ｎ）が第一の層
（）１０２の全域を占めるか、或いは、第一の
層（）１０２の全域を占めなくとも、層領域
（Ｎ）の層厚T0の第一の層（）１０２の層厚Ｔ
に占める割合が充分多い場合には、層領域（Ｎ）
に含有される窒素原子の含有量の上限は、前記の
値より充分少なくされるのが望ましい。 本発明においては、層領域（Ｎ）の層厚T0が
第一の層（）１０２の層厚Ｔに対して占める割
合が５分の２以上となる様な場合には、層領域
（Ｎ）中に含有される窒素原子の量の上限として
は、Ｔ（SiGeN）に対して好ましくは、30原子％
以下、より好ましくは、20原子％以下、最適には
10原子％以下とされるのが望ましい。 本発明において、窒素原子の含有される層領域
（Ｎ）は、上記した様に支持体１０１側又は／及
び第二の層（）１０３側の近傍に窒素原子が比
較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有
するものとして設けられるのが望ましく、この場
合には、支持体１０１と第一の層（）１０２と
の間の密着性をより一層向上させること及び受容
電位を向上させることが出来る。 上記局在領域（Ｂ）は、第一の層（）１０２
の支持体１０１側および第二の層（）１０３側
の表面界面のそれぞれから5μ以内に設けられる
のが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、第
一の層（）１０２の、支持体１０１表面または
第二の層（）１０３側の表面から5μ厚までの
層領域（LT）の全部とされる場合もあるし、又、
層領域（LT）の一部とされる場合もある。 局在領域（Ｂ）を層領域（LT）の一部とする
か又は全部とするかは、形成される光受容層１０
４に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ｂ）は、その中に含有される窒素原
子の層厚方向の分布状態として窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）の最大値Cmaxが、好ましくは500原子
ppm以上、より好ましくは800原子ppm以上、最
適には1000原子ppm以上とされる様な分布状態と
なり得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、第一の層（）１０
２中の、窒素原子の含有される層領域（Ｎ）は、
支持体１０１側及び第二の層（）１０３の表面
からの層厚で5μ以内に分布濃度の最大値Cmaxが
存在する様に形成されるのが望ましい。本発明に
おいて、必要に応じて第一の層（）１０２に含
有されるハロゲン原子としては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明の光導電部材に於いては、第一の層
（）１０２中には、伝導特性を支配する物質
（Ｄ）を含有させることにより、第一の層（）
１０２の伝導特性を所望に従つて任意に制御する
ことが出来る。 この様な伝導特性を支配する物質（Ｄ）として
は、所謂、半導体分野で云われる不純物を挙げる
ことが出来、本発明に於いては、形成される第一
の層（）１０２を構成するａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）
に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及び
ｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが
出来る。具体的には、ｐ型不純物としては周期律
表第族に属する原子（第族原子）、例えば、
硼素（Ｂ）、アルミニウム（Al）、ガリウム
（Ga）、インジウム（In）、タリウム（Tl）等があ
り、殊に好適に用いられるのは、Ｂ，Gaである。
また、ｎ型不純物としては、周期律表第族に属
する原子（第族原子）、例えば、燐（Ｐ）、砒素
（As）、アンチモン（Sb）、ビスマス（Bi）等が
あり、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ，Asで
ある。 本発明に於いて、第一の層（）１０２中に含
有される伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量
は、該第一の層（）１０２に要求される伝導特
性、或いは該第一の層（）１０２が直に接触し
て設けられる支持体１０１との接触界面に於ける
特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選
択することが出来る。 又、前記の伝導特性を支配する物質（Ｄ）を第
一の層（）１０２中に含有させるのに、該第一
の層（）１０２の所望される層領域に局在的に
含有させる場合、殊に、第一の層（）１０２の
支持体側端部層領域に含有させる場合には、該層
領域に直に接触して設けられる他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を支配する物質
（Ｄ）の含有量が適宜選択される。 本発明に於いて、第一の層（）１０２中に含
有される伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量
としては、好ましくは、0.01〜５×104原子ppm、
より好適には0.5〜１×104原子ppm、最適には１
〜５×103原子ppmとされるのが望ましい。 本発明に於いて、伝導特性を支配する物質
（Ｄ）が含有される層領域に於ける該物質（Ｄ）
の含有量が、好ましくは30原子ppm以上、より好
適には50原子ppm以上、最適には、100原子ppm
以上の場合には、前記伝導特性を支配する物質
（Ｄ）は、第一の層（）１０２の一部の層領域
に局所的に含有させるのが望ましく、殊に第一の
層（）１０２の支持体側端部層領域（Ｅ）に偏
在させるのが望ましい。 上記の中、第一の層（）１０２の支持体側端
部層領域（Ｅ）に前記の数値以上の含有量となる
様に前記伝導特性を支配する物質（Ｄ）を含有さ
せることによつて、例えば当該物質（Ｄ）が前記
のｐ型不純物の場合には、光受容層１０４の自由
表面１０５が極性に帯電処理を受けた際に支持
体１０１側から光受容層１０４中へ注入される電
子の移動を効果的に阻止することが出来、又、前
記伝導特性を支配する物質が前記のｎ型不純物の
場合には、光受容層１０４の自由表面１０５が
極性に帯電処理を受けた際に、支持体１０１側か
ら光受容層１０４中へ注入される正孔の移動を効
果的に阻止することが出来る。 この様に、前記支持体側端部層領域（Ｅ）に一
方の極性の伝導特性を支配する物質（Ｄ）を含有
させる場合には、第一の層（）１０２の残りの
層領域、即ち、前記支持体側端部層領域（Ｅ）を
除いた部分の層領域（Ｚ）には、他の極性の伝導
特性を支配する物質を含有させても良いし、或い
は、同極性の伝導特性を支配する物質を、支持体
側端部層領域（Ｅ）に含有される実際の量よりも
一段と少ない量にして含有させても良い。 この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有され
る前記伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量と
しては、支持体側端部層領域（Ｅ）に含有される
前記物質の極性や含有量に応じて所望に従つて適
宜決定されるものであるが、好ましくは、0.001
〜1000原子ppm、より好適には0.05〜500原子
ppm、最適には0.1〜200原子ppmとされるのが望
ましい。 本発明に於いて、支持体側端部層領域（Ｅ）及
び層領域（Ｚ）に同種の伝導性を支配する物質を
含有させる場合には、当該物質の層領域（Ｚ）に
於ける含有量としては、好ましくは、30原子ppm
以下とするのが望ましい。上記した場合の他に、
本発明に於いては、第一の層（）１０２中に、
一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支
配する物質を含有させた層領域とを直に接触する
様に設けて、該接触層領域に所謂空乏層を設ける
ことも出来る。詰り、例えば、第一の層（）１
０２中に、前記のｐ型不純物を含有する層領域と
前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触
する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第一の層（）１０２は、例えばグロー放電
法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテイ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によつ
て形成される。例えば、グロー放電法によつて、
ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第一の層（）
１０２を形成するには、基本的にはシリコン原子
を供給し得るシリコン原子供給用の原料ガスと、
ゲルマニウム原子を供給し得るゲルマニウム原子
供給用の原料ガスと、水素原子導入用の原料ガス
又は／及びハロゲン原子の導入用の原料ガスと
を、内部を減圧し得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されてある、所定の支持
体表面上にａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
すれば良い。又、ゲルマニウム原子を不均一な分
布状態で第一の層（）１０２中に含有させるに
はゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲
線に従つて制御し乍らａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からな
る層を形成させれば良い。又、スパツタリング法
においては、例えばAr、He等の不活性ガス又は
これ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
でシリコン原子で構成されたターゲツト、或い
は、該ターゲツトとゲルマニウム原子で構成され
たターゲツトの二枚を使用して、又は、シリコン
原子とゲルマニウム原子の混合されたターゲツト
を使用して、必要に応じて、He、Ar等の稀釈ガ
スで稀釈されたゲルマニウム原子供給用の原料ガ
スおよび水素原子又は／及びハロゲン原子導入用
のガスをスパツタリング用の堆積室に導入し、所
望のガスのプラズマ雰囲気を形成することによつ
て第一の層（）１０２を形成する。このスパツ
タリング法において、ゲルマニウム原子の分布を
不均一にする場合には、前記ゲルマニウム原子供
給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に
従つて制御し乍ら、前記のターゲツトをスパツタ
リングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にすることによつて第一
の層（）１０２を形成することができる。 本発明において使用されるシリコン原子供給用
の原料ガスと成り得る物質としては、SiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の
取扱い易さ、シリコン原子供給効率の良さ等の点
でSiH4、Si2H6、が好ましいものとして挙げられ
る。 ゲルマニウム原子供給用の原料ガスと成り得る
物質としては、GeH4、Ge2H6、Ge3H8、
Ge4H10、Ge5H12、Ge6H14、Ge7H16、Ge8H18、
Ge9H20等のガス状態の又はガス化し得る水素化
ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、ゲルマ
ニウム原子供給効率の良さ等の点で、GeH4、
Ge2H6、Ge3H8が好ましいものとして挙げられ
る。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。又、更に
は、シリコン原子とハロゲン原子と構成要素とす
るガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明
においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、
BrF5、BrF3、IF3、IF7、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSi2F4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、ゲルマニウム原子供
給用の原料ガスと共にシリコン原子を供給し得る
原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体１０１上にハロゲン原子を含む
ａ−SiGeから成る第一の層（）１０２を形成
する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の層（）１０２を製造する場合、基本的に
は、例えばシリコン原子供給用の原料ガスとなる
ハロゲン化硅素とゲルマニウム原子供給用の原料
ガスとなる水素化ゲルマニウムとAr、H2、He等
のガス等とを所定の混合比およびガス流量になる
様にして光受容層を形成する堆積室に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲
気を形成することによつて、所望の支持体１０１
上に第一の層（）１０２を形成し得るものであ
るが、水素原子の導入割合の制御を一層容易にな
る様に図る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は
水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合し
て層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される第一の層（）１０２
中にハロゲン原子を導入するには、前記のハロゲ
ン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅素化合
物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良い。 又、第一の層（）１０２中に水素原子を導入
する場合には、水素原子導入用の原料ガス、例え
ば、H2、或いは前記したシラン類又は／及び水
素化ゲルマニウム等のガス類をスパツタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気
を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他にHF、HCl、HBr、
HI等のハロゲン化水素、SiH2F2、SiH2I2、
SiH2Cl2、SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲ
ン置換水素化硅素、及びGeHF3、GeH2F2、
GeH3F、GeHCl3、GeH2Cl2、GeH3Cl、
GeHBr3、GeH2Br2、GeH3Br、GeHI3、
GeH2I2、GeH3I等の水素化ハロゲン化ゲルマニ
ウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲ
ン化物、GeF4、GeCl4、GeBr4、GeI4、GeF2、
GeCl2、GeBr2、GeI2等のハロゲン化ゲルマニウ
ム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も
有効な第一の層（）１０２形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
物は、第一の層（）１０２形成の際に層中にハ
ロゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特
性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン導入用の原
料として使用される。 水素原子を第一の層（）１０２中に構造的に
導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10の水素化硅素をゲルマニ
ウム原子を供給する為のゲルマニウム又はゲルマ
ニウム化合物と、或いは、GeH4、Ge2H6、
Ge3H8、Ge4H10、Ge5H12、Ge6H14、Ge7H16、
Ge8H18、Ge9H20等の水素化ゲルマニウムとシリ
コン原子を供給する為のシリコン又はシリコン化
合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させ
る事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される光導
電部材の第一の層（）１０２中に含有される水
素の量、又はハロゲン原子の量、又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましく
は、0.01〜40原子％、より好適には0.05〜30原子
％、最適には0.1〜25原子％とされるのが望まし
い。 第一の層（）１０２中に含有される水素原子
又は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例
えば支持体温度又は／及び水素原子、或いはハロ
ゲン原子を含有させる為に使用される出発物質の
堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御し
てやれば良い。 本発明に於いて、第一の層（）１０２におい
て窒素原子の含有された層領域（Ｎ）を設けるに
は、第一の層（）１０２の形成の際に窒素原子
導入用の出発物質を前記した第一の層（）１０
２形成用の出発物質と共に使用して、形成される
層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。 層領域（Ｎ）を形成するのにグロー放電法を用
いる場合には、前記した第一の層（）１０２形
成用の出発物質の中から所望に従つて選択された
ものに窒素原子導入用の出発物質が加えられる。
その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少
なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。 層領域（Ｎ）を形成する際に使用される窒素原
子導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に
使用される出発物質は、窒素を構成原子とする或
いは窒素と水素とを構成原子とする例えば窒素
（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラジン
（H2NNH2）、アジ化水素（HN3）、アジ化アンモ
ニウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得
る窒素、窒化物及びアジ化合物等の窒素化合物を
挙げることが出来る。この他に、窒素原子の導入
に加えて、ハロゲン原子の導入も行えるという点
から、三弗化窒素（F3N）、四弗化窒素（F4N2）
等のハロゲン化窒素化合物を挙げることが出来
る。 本発明に於いては、層領域（Ｎ）中には窒素原
子で得られる効果を更に助長させる為に、窒素原
子に加えて、更に酸素原子を含有することが出来
る。 酸素原子を層領域（Ｎ）に導入する為の酸素原
子導入用の原料ガスとしては、例えば酸素
（O2）、オゾン（O3）、一酸化窒素（NO）、二酸化
窒素（NO2）、一二酸化窒素（N2O）、三二酸化
窒素（N2O3）、四二酸化窒素（N2O4）、五二酸化
窒素（N2O5）、三酸化窒素（NO3）シリコン原子
と酸素原子と水素原子とを構成原子とする、例え
ば、ジシロキサン（H3SiOSiH3）、トリシロキサ
ン（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等
を挙げることが出来る。 スパツタリング法によつて、層領域（Ｎ）を形
成するには、第一の層（）１０２の形成の際に
単結晶又は多結晶のシリコンウエーハー又は
Si3N4ウエーハー、又はシリコン原子とSi3N4が
混合されて含有されているウエーハーをターゲツ
トとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツ
タリングすることによつて行えば良い。 例えば、シリコンウエーハーをターゲツトとし
て使用すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子
又は／及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツタ
ー用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプ
ラズマを形成して前記シリコンウエーハーをスパ
ツタリングすれば良い。 又、別には、シリコン原子とSi3N4とは別々の
ターゲツトとして、又はシリコン原子とSi3N4の
混合した一枚のターゲツトを使用することによつ
て、スパツター用のガスとしての稀釈ガスの雰囲
気中で又は少なくとも水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を構成原子として含有するガス雰囲気中で
スパツタリングすればよい。窒素原子導入用の原
料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガスが、
スパツタリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。 本発明に於いて、第一の層（）１０２の形成
の際に、窒素原子の含有される層領域（Ｎ）を設
ける場合、該層領域（Ｎ）に含有される窒素原子
の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方向に変化させて、所
望の層厚方向の分布状態（depthprofile）有する
層領域（Ｎ）を形成するには、グロー放電の場合
には、分布濃度Ｃ（Ｎ）を変化させるべき窒素原
子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を所
望の変化率曲線に従つて適宜変化させ乍ら、堆積
室内に導入すればよい。 例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用
いられている何らかの方法により、ガス流路系の
途中に設けられた所定のニードルバルブの開口を
適宜変化させる操作を行えば良い。 層領域（Ｎ）をスパツタリング法によつて形成
する場合、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｎ）
を層厚方向で変化させて、窒素原子の層厚方向の
所望の分布状態（depth profile）を形成するに
は、第一には、グロー放電法による場合と同様
に、窒素原子導入用の出発物質をガス状態で使用
し、該ガスを堆積室中へ導入する際のガス流量を
所望に従つて適宜変化させることによつて成され
る。第二には、スパツタリング用のターゲツトと
して、例えばシリコン原子とSi3N4との混合され
たターゲツトを使用するのであれば、シリコン原
子とSi3N4との混合比を、ターゲツトの層厚方向
に於いて、予め変化させておくことによつて成さ
れる。第一の層（）１０２中に、伝導特性を支
配する物質、例えば、第族原子或いは第族原
子を構造的に導入するには、層形成の際に、第
族原子導入用の出発物質或いは第族原子導入用
の出発物質をガス状態で堆積室中に、第一の層
（）１０２を形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれば良い。この様な第族原子導入用
の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧で
ガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易に
ガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そ
の様な第族原子導入用の出発物質として具体的
には硼素原子導入用としてはB2H6、B4H10、
B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、B6H14等の水素
化硼素、BF3、BCl3、BBr3等のハロゲン化硼素
等が挙げられる。この他、AlCl3、GeCl4、Ge
（CH3）4、InCl3、TlCl3、等も挙げることが出来
る。 第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH3、P2H4、等の水素化燐、PH4I、PF3、
PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3、AsF3、
AsCl3、AsBr3、AsF5、SbH3、SbF3、SbF5、
SbCl3、SbCl5、BiH3、BiCl3、BiBr3、等も第
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げ
ることが出来る。 本発明に於いて、第一の層（）１０２を構成
し、伝導特性を支配する物質を含有して支持体１
０１側に偏在して設けられる層領域の層厚として
は、該層領域と該層領域上に形成される第一の層
（）１０２を構成する他の層領域とに要求され
る特性に応じて所望に従つて適宜決定されるもの
であるが、その下限としては、好ましくは30Å以
上、より好適には40Å以上、最適には、50Å以上
とされるのが望ましい。又、前記層領域中に含有
される伝導特性を支配する物質の含有量が30原子
ppm以上とされる場合には、該層領域の層厚の上
限としては好ましくは10μ以下、好適には8μ以
下、最適には、5μ以下とされるのが望ましい。 第１図に示される光導電部材１００においては
第一の層（）１０２上に形成される第二の層
（）１０３は自由表面を有し、主に耐湿性、連
続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、耐久性において本発明の目的を達成する為に
設けられる。 又、本発明においては、第一の層（）１０２
と第二の層（）１０３とを構成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、両層（）１０２および（）１
０３の積層界面において化学的な安定性の確保が
充分成されている。 本発明における第二の層（）１０３は、シリ
コン原子と炭素原子と、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子とを含む非晶質材料（以
後、「ａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙ」但し、
０＜ｘ、ｙ＜１、と記す）で構成される。 ａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙで構成され
る第二の層１０３（）の形成は、グロー放電
法、スパツタリング法、イオンインプランテーシ
ヨン法、イオンプレーテイング法、エレクトロン
ビーム法等によつて成される。これ等の製造法
は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規
模、作成される光導電部材に所望される特性等の
要因によつて適宜選択される採用されるが、所望
する特性を有する光導電部材を製造する為の作製
条件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と
共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する第二
の層（）１０３中に導入するのが容易に行える
等の利点を有するグロー放電法或いはスパツタリ
ング法が好適に採用される。 更に、本発明においては、グロー放電法とスパ
ツタリング法とを同一装置系内で併用して第二の
層（）１０３を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の層（）１０３を
形成するには、ａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−
ｙ形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと
所定量の混合比で混合して、支持体１０１の設置
してある真空堆積用の堆積室内に導入し、導入さ
れたガスを、グロー放電を生起させることによつ
てガスプラズマ化して、前記支持体１０１上に既
に形成されてある第一の層（）１０２上にａ−
（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙを堆積させれば良
い。 本発明においてａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1
−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子、
炭素原子、水素原子、ハロゲン原子の中の少なく
とも１つを構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 シリコン原子、炭素原子、水素原子、ハロゲン
原子の中の１つとしてシリコン原子を構成原子と
する原料ガスを使用する場合は、例えばシリコン
原子を構成原子とする原料ガスと、炭素原子を構
成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子
を構成原子とする原料ガス又は／及びハロゲン原
子を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で
混合して使用するか、又はシリコン原子を構成原
子とする原料ガスと、炭素原子及び水素原子を構
成原子とする原料ガス又は／及びハロゲン原子を
構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の
混合比で混合するか、或いはシリコン原子を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子、炭素原子
および水素原子の３つを構成する原料ガス又は、
シリコン原子、炭素原子およびハロゲン原子の３
つを構成原子とする原料ガスとを混合して使用す
ることが出来る。 又、別には、シリコン原子と水素原子とを構成
原子とする原料ガスに炭素原子を構成原子とする
原料ガスを混合して使用しても良いし、シリコン
原子とハロゲン原子とを構成原子とする原料ガス
に炭素原子を構成原子とする原料ガスを混合して
使用しても良い。 本発明において、第二の層（）１０３中に含
有されるハロゲン原子として好適なのはフツ素、
塩素、臭素、ヨウ素であり、殊にフツ素、塩素が
望ましいものである。 本発明において、第二の層（）１０３を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧においてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 本発明において、第二の層（）１０３形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、シリコ
ン原子と水素原子とを構成原子とするSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等のシラン（Silane）類等
の水素化硅素ガス、炭素原子と水素原子とを構成
原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水
素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、
ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化
硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を
挙げる事が出来る。具体的には、飽和炭化水素と
してはメタン（CH4）、エタン（C2H6）、プロパ
ン（C3H8）、ｎ−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタ
ン（C5H12）、エチレン系炭化水素としては、エ
チレン（C2H4）、プロピレン（C3H6）、ブテンー
１（C4H8）、ブテンー２（C4H8）、イソブチレン
（C4H8）、ペンテン（C5H10）、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（C2H2）、メチルアセ
チレン（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体
としては、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ハロゲン化水素としては、FH、HI、
HCl、HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF、
ClF、ClF3、ClF5、BrF5、BrF3、IF7、IF5、
ICl、IBr、ハロゲン化硅素としてはSiF4、Si2F6、
SiCl4、SiCl3Br、SiCl2Br2、SiClBr3、SiCl3I、
SiBr4、ハロゲン置換水素化硅素としては、
SiH2F2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH3Cl、SiH3Br、
SiH2Br2、SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4、
Si2H8、Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他にCE4、CCl4、CBr4、CHF3、
CH2F2、CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、
C2H5Cl等のハロゲン置換パラフイン系炭化水素、
SF4、SF6等のフツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、
Si（C2H5）4等のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、
SiCl2（CH3）2、SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることが出来る。 これ等の第二の層（）１０３形成物質は、形
成される第二の層（）１０３中に、所定の組成
比でシリコン原子、炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の層（）１０３の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4、或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で、
第二の層（）１０３形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−
（SixC1−ｘ）ｙ（Cl＋Ｈ）1−ｙから成る第二の層
（）１０３を形成することが出来る。 スパツタリング法によつて第二の層（）１０
３を形成するには、単結晶又は多結晶のシリコン
ウエーハー又はグラフアイトウエーハー又はシリ
コン原子と炭素原子とが混合されて含有されてい
るウエーハーをターゲツトとして、これ等を必要
に応じてハロゲン原子又は／及び水素原子を構成
要素として含む種々のガス雰囲気中でスパツタリ
ングすることによつて行えば良い。例えば、シリ
コンウエーハーをターゲツトとして使用すれば、
炭素原子と水素原子又は／及びハロゲン原子を導
入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパツタ用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記シリコン
ウエーハーをスパツタリングすれば良い。又、別
には、シリコン原子と炭素原子とは別々のターゲ
ツトとして、又はシリコン原子と炭素原子とを混
合した一枚のターゲツトを使用することによつ
て、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中でスパツタリングすれ
ばよい。炭素原子、水素原子およびハロゲン原子
の導入用の原料ガスとなる物質としては前述した
グロー放電の例で示した第二の層（）１０３形
成用の物質がスパツタリング法の場合にも有効な
物質として使用され得る。 本発明において、第二の層（）１０３をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂希ガス、例え
ばHe、Ne、Ar、等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明における第二の層（）１０３は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。即ち、シリコン原子、炭素原
子、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を構成原子とする物質は、その作成条件によつ
て構造的には結晶からアモルフアスまでの形態を
取り、電気物性的には、導電性から半導体性、絶
縁性までの間の性質を、又光導電的性質から非光
導電的性質までの間の性質を、各々示すので、本
発明においては、目的に応じた所望の特性を有す
るａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙが形成され
る様に、所望に従つてその作成条件の選択が厳密
に成される。例えば、第二の層（）１０３を電
気的耐圧性の向上を主な目的として設けるには、
ａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙは使用環境に
おいて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料とし
て作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の層（）１０３が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1−ｘ）
ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙが作成される。 第一の層（）１０２の表面に、ａ−（SixC1
−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙから成る第二の層（）
１０３を形成する際における、層形成中の支持体
１０１の温度は、形成される層の構造及び特性を
左右する重要な因子であつて、本発明において
は、目的とする特性を有するａ−（SixC1−ｘ）
ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙが所望通りに作成され得る様に
層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望
ましい。本発明における、所望の目的が効果的に
達成される為の第二の層（）１０３の形成法に
併せて適宜最適範囲が選択されて、第二の層
（）１０３の形成が実行されるが、層作成時の
支持体温度は、好ましくは、20〜400℃、より好
適には50〜350℃、最適には100〜300℃とされる
のが望ましいものである。 第二の層（）１０３の形成には、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の
方法に較べて比較的容易である事等の為に、グロ
ー放電法やスパツターリング法の採用が有利であ
るが、これ等の層形成法で第二の層（）１０３
を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に
層形成の際の放電パワーが作成されるａ−
（SixC1−ｘ）yX1−ｙの特性を左右する重要な因
子の１つである。 本発明における目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1−ｘ）yX1−ｙが生産性良く効果
的に作成される為の放電パワー条件としては好ま
しくは10〜300W、より好適には20〜250W、最適
には50〜200Wとされるのが望ましいものである。 堆積室内のガス圧は好ましくは0.01〜1Torr、
より好適には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望
ましい。 本発明においては第二の層（）１０３を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1−
ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）1−ｙから成る第二の層（）１
０３が形成される様に相互的有機的関連性に基づ
いて各層作成フアクターの最適値が決められるの
が望ましい。 本発明の光導電部材における第二の層（）１
０３に含有される炭素原子の量は、第二の層
（）１０３の作成条件と同様、本発明の目的を
達成する所望の特性が得られる第二の層（）１
０３が形成されるための重要な因子である。本発
明における第二の層（）１０３に含有される炭
素原子の量は、第二の層（）１０３を構成する
非晶質材料の種類及びその特性に応じて適宜所望
に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（SixC1−ｘ）ｙ（Ｈ、
Ｘ）1−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、
シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材
料（以後、「ａ−SiaC1−ａ」と記す。但し、０
＜ａ＜１）、シリコン原子と炭素原子と水素原子
とで構成される非晶質材料（以後、「ａ−（SibC1
−ｂ）cH1−ｃ」と記す。但し、０＜ｂ、ｃ＜
１）、およびシリコン原子と炭素原子とハロゲン
原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、「ａ−（SidC1−ｄ）ｅ（Ｈ、Ｘ）1−
ｅ」と記す。但し、０＜ｄ、ｅ＜１）に分類され
る。 本発明において、第二の層（）１０３がａ−
SiaC1−ａで構成される場合、第二の層（）１
０３に含有される炭素原子の量は好ましくは、１
×10-3〜90原子％、より好適には１〜80原子％、
最適には10〜75原子％とされるのが望ましいもの
である。即ち、先のａ−SiaC1−ａのａの表示で
行えば、ａが好ましくは0.1〜0.99999、より好適
には0.2〜0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明において、第二の層（）１０３がａ−
（SibC1−ｂ）cH1−ｃで構成される場合、第二の
層（）１０３に含有される炭素原子の量は、好
ましくは１×10-3〜90原子％とされ、より好まし
くは１〜90原子％、最適には10〜80原子％とされ
るのが望ましく、また、水素原子の含有量として
は、好ましくは１〜40原子％、より好ましくは２
〜35原子％、最適には５〜30原子％とされるのが
望ましく、これ等の範囲に水素含有量がある場合
に形成される光導電部材は、実際面において優れ
たものとして充分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（SibC1−ｂ）H1−ｃの表示で
行えばｂが好ましくは0.1〜0.99999、より好適に
は0.1〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｃが好ましく
は0.6〜0.99、より好適には0.65〜0.98、最適には
0.7〜0.95であるのが望ましい。 第二の層（）１０３が、ａ−（SidC1−ｄ）
ｅ（Ｈ、Ｘ）1−ｅで構成される場合には、第二の
層（）１０３中に含有される炭素原子の含有量
としては、好ましくは１×10-3〜90原子％、より
好適には１〜90原子％、最適には10〜80原子％と
されるのが望ましく、また、ハロゲン原子の含有
量としては、好ましくは１〜20原子％、より好適
には１〜18原子％、最適には２〜15原子％とされ
るのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含
有量がある場合に作成される光導電部材は、実際
面に充分適用させ得るものであり、さらに、必要
に応じて含有される水素原子の含有量としては、
好ましくは19原子％以下、より好適には13原子％
以下とされるのが望ましいものである。 即ち、先のａ−（SidC1−ｄ）ｅ（Ｈ、Ｘ）1−ｅ
のｄ、ｅの表示で行えば、ｄが好ましくは0.1〜
0.99999、より好適には0.1〜0.99、最適には0.15
〜0.9、ｅが好ましくは0.8〜0.99、より好適には
0.82〜0.99、最適には0.85〜0.98であるのが望ま
しい。 本発明における第二の層（）１０３の層厚の
数範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の
重要な因子の１つであり、本発明の目的を効果的
に達成する様に所期の目的に応じて適宜所望に従
つて決められる。 又、第二の層（）１０３の層厚は、該層
（）１０３中に含有される炭素原子の量や第一
の層（）１０２の相厚との関係においても、
各々の層領域に要求され特性に応じた有機的な関
連性の下に所望に従つて適宜決定される必要があ
り、更に加え得に、生産性や量産性を加味した経
済性の点においても考慮されるのが望ましい。 本発明における第二の層（）１０３の層厚と
しては、好ましくは0.003〜30μ、より好適には
0.004〜20μ、最適には0.005〜10μとされるのが望
ましいものである。 本発明において使用される支持体１０１として
は、導電性でも電気絶縁性であつても良い。導電
性支持体としては、例えば、NiCr、ステンレス、
Al、Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd
等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツクス、紙等が通常使用される。これ等の電気
絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。 支持体１０１の形状としては、円筒状、ベルト
状、板状等任意の形状とし得、所望によつて、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電
部材１００を電子写真用光像形成部材として使用
するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベ
ルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体１
０１の厚さは、所望通りの光導電部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くさ
れる。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び
取扱い上、機械的強度等の点から、支持体１０１
の厚さは、好ましくは、10μ以上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１５図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中、１１０２〜１１０６で示すガスボンベに
は、本発明の光導電部材を形成するための原料ガ
スが密封されており、その１例としてたとえば１
１０２は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度
99.999％、以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１
０３はHeで稀釈されたGeH4ガス（純度99.999
％、以下GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４
はHeで稀釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下
SiF4／Heと略す。）ボンベ、１１０５はNH3ガ
ス（純度99.999％）ボンベ、１１０６はH2ガス
（純度99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先ずメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6Torrにな
つた時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出
バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次に支持体としてのシリンダー状基体１１３７
上に光受容層を形成する場合の１例をあげると、
ガスボンベ１１０２からのSiH4／Heガス、ガス
ボンベ１１０３からのGeH4／Heガス、ガスボン
ベ１１０５からのNH3ガスを、バルブ１１２２，
１１２３，１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２
７，１１２８，１１３０の圧力を１Kg／cm2に調整
し、流入バルブ１１１２，１１１３，１１１５を
徐々に明けることによつて、マスフロコントロー
ラ１１０７，１１０８，１１１０内に夫々流入さ
せる。 引き続いて流出バルブ１１１７，１１１８，１
１２０、補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々
のガスを反応室１１０１内に流入させる。このと
きのSiH4／Heガス流量とGeH4／Heガス流量と
NH3ガス流量との比が所望の値になるように流
出バルブ１１１７，１１１８，１１２０を調整
し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値にな
るように真空計１１３６の読みを見ながらメイン
バルブ１１３４の開口を調整する。そして基体１
１３７の温度が過熱ヒーター１１３８により50〜
400℃の範囲の温度に設定されていることを確認
した後、電源１１４０を所望の電力に設定して反
応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時に
あらかじめ設計された変化率曲線に従つて手動あ
るいは外部駆動モータ等の方法を適用してバルブ
１１２０の開口を適宜変化させる操作を行つて
NH3ガスの流量を調整し、もつて形成される層
中に含有される窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）を制
御する。かくして、基体１１３７上に第一の層
（）１０２が形成される。 上記の様にして所望層厚に形成された第一の層
（）１０２上に第二の層（）１０３を形成す
るには、第一の層（）１０２の形成の際と同様
なバルブ操作によつて、例えばSiH4ガス、C2H4
ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀
釈して反応室１１０１内に供給し、所望の条件に
従つて、グロー放電を生起させればよい。 第二の層（）１０３中にハロゲン原子を含有
させるには、例えばSiF4ガスとC2H4ガス、或い
はこれにSiH4ガスを加えて上記と同様にして第
二の層（）１０３を形成すればよい。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。 第二の層（）１０３中に含有される炭素原子
の量は例えば、グロー放電による場合はSiH4ガ
スおよびC2H4ガスの反応室１１０１内に導入さ
れる流量比を所望に従つて変えるか、或いは、ス
パツタリングで層形成する場合には、ターゲツト
を形成する際シリコンウエハとグラフアイトウエ
ハのスパツタ面積比率を変えるか、又はシリコン
粉末とグラフアイト粉末の混合比率を変えてター
ゲツトを成型することによつて所望に応じて制御
することが出来る。第二の層（）１０３中に含
有されるハロゲン原子の量は、ハロゲン原子導入
用の原料ガス、例えばSiF4ガスが反応室１１０１
内に導入される際の流量を調整することによて成
される。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
計るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１５図に示した製造装置により、支持体とし
てのシリンダー状のAl基体上に第１表に示す条
件で電子写真用像形成部材としての（試料No.11−
１〜13−４）を夫々作成した（第２表）。 各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃
度は第１６図に、又、窒素原子の含有分布濃度は
第１７図に示される。 こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置
に設置し5.0KVで0.3秒（sec）間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した。光像はタングステ
ンランプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型
のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）によつて試料（像形成部材）表
面をカスケードすることによつて、当該試料（像
形成部材）表面上に良好なトナー画像を得た。試
料上のトナー画像を、＋5.0KVのコロナ帯電で転
写紙上に転写した所、いずれの試料に於いても解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 上記に於いて、光源としてタングステンランプ
の代りに810nmのGaAs系半導体レーザ（10mW）
を用いて、静電像の形成を行つた以外は、同様の
トナー画像形成条件にして、各試料に就いてトナ
ー転写画像の画質評価を行つたところ、いずれの
試料の場合も、解像力に優れ、階調再現性の良い
鮮明な高品位の画像が得られた。 実施例 ２ 第１５図に示した製造装置により支持体として
のシリンダー状のAl基体上に第３表に示す条件
で電子写真用像形成部材としての試料（試料No.21
−１〜23−４）を夫々作成した（第４表）。 各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃
度は第１６図に、又、窒素原子の含有分布濃度は
第１７図に示される。 これ等の試料の夫々に就て、実施例１と同様の
画像評価テストを行つたところ、いずれの試料も
高品質のトナー転写画像を与えた。又、各試料に
就て38℃、80％RHの環境に於いて20万回の繰返
し使用テストを行つたところ、いずれの試料も画
像品質の低下は見られなかつた。 実施例 ３ 第二の層（）１０３の作成条件を第５表に示
す各条件にした以外は、実施例１の試料No.11−
１，12−１，13−１と同様の条件と手順に従つて
電子写真用像形成部材の夫々（試料No.11−１−１
〜11−１−８、12−１−１〜12−１−８、13−１
−１〜13−１−８の24個の試料）を作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の
夫々を個別に複写装置に設置せ、各実施例に対応
した電子複写用像形成部材の夫々について、転写
画像の総合画質評価と、繰り返し連続使用による
耐久性の評価の結果を第６表に示す。 実施例 ４ 第二の層（）１０３の形成時、シリコンウエ
ハとグラフアイトのターゲツト面積比を変えて、
層（）におけるシリコン原子の炭素原子の含有
比を変化させる以外は、実施例１の試料No.11−１
と全然同様な方法によつて像形成部材の夫々につ
き、実施例１に述べた如き、現像、クリーニング
の工程を約５万回に繰り返した後、画像評価を行
つたところ第７表の如き結果を得た。 実施例 ５ 第二の層（）１０３の形成時、SiH4ガスと
C2H4ガスの流量比を変えて、層（）における
シリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる
以外は実施例１の試量No.12−１と全く同様な方法
によつて像形成部材の夫々を作成した。 こうして得られた各像形成部材につき、実施例
１に述べた如き方法で転写までの工程を約５万回
繰り返した後、画像評価を行つたところ、第８表
の如き結果を得た。 実施例 ６ 第二の層（）１０３層の形成時、SiH4ガス、
SiF4ガス、C2H4ガスの流量比を変えて、層（）
におけるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例１の試量No.13−１と全く
同様な方法によつて像形成部材の夫々を作成し
た。こうして得られた各像形成部材につき実施例
１に述べた如き作像、現象、クリーニングの工程
を約５万回繰り返した後、画像評価を行つたとこ
ろ第９表の如き結果を得た。 実施例 ７ 層（）の層厚を変える以外は、実施例１の試
料No.11−１と全く同様な方法によつて像形成部材
の夫々を作成した。実施例１に述べた如き、作
像、現象クリーニングの工程を繰り返し第10表の
結果を得た。
【表】
動的に調整して流量比を変化させた
。
。
【表】
【表】
【表】
して流量比を変化させた。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用に充分耐える
×〓画像欠陥を生ずる
×〓画像欠陥を生ずる
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用に充分耐え
る ×〓画像欠陥を生ずる
る ×〓画像欠陥を生ずる
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用に充分耐える
×〓画像欠陥を生ずる
×〓画像欠陥を生ずる
【表】
以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条
件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層…
約200℃ 放電周波数：13.5MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層…
約200℃ 放電周波数：13.5MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々光受容層中のゲルマニウム原子の分布状態を
説明する為の説明図、第１１図乃至第１４図は
夫々光受容層中の窒素原子の分布状態を説明する
ための説明図、第１５図は、本発明で使用された
装置の模式的説明図、第１６図、第１７図は夫々
本発明の実施例に於ける各原子の含有分布濃度状
態を示す分布状態図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の層（）、１０３……第二の層
（）、１０４……光受容層。
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々光受容層中のゲルマニウム原子の分布状態を
説明する為の説明図、第１１図乃至第１４図は
夫々光受容層中の窒素原子の分布状態を説明する
ための説明図、第１５図は、本発明で使用された
装置の模式的説明図、第１６図、第１７図は夫々
本発明の実施例に於ける各原子の含有分布濃度状
態を示す分布状態図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の層（）、１０３……第二の層
（）、１０４……光受容層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子写真用光導電部材用の支持体と、 該支持体上に設けられ、シリコン原子と、シリ
コン原子との和に対して１〜９×105原子ppmの
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た光導電性を示す第一の層および該第一の層上に
設けられ、シリコン原子と１×10-3〜90原子％の
炭素原子とを含む非晶質材料で構成された層厚
0.003〜30μの第二の層からなる光受容層と、で構
成された電子写真用光導電部材であつて、 前記第一の層にはシリコン原子とゲルマニウム
原子と窒素原子との和に対して0.001〜50原子％
の窒素原子が含有され、当該窒素原子の層厚方向
における分布濃度は滑らかでかつ該第一の層の支
持体側または前記第二の層との界面側から層厚で
5μ以内に500原子ppm以上の最大濃度分布がある
ことを特徴とする電子写真用光導電部材。 ２ 前記第一の層中に水素原子が含有されている
特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用光導電
部材。 ３ 前記第一の層中にハロゲン原子が含有されて
いる特許請求の範囲第１項および第２項に記載の
電子写真用光導電部材。 ４ 前記第一の層中におけるゲルマニウム原子の
分布状態が、層厚方向に不均一である特許請求の
範囲第１項に記載の電子写真用光導電部材。 ５ 前記第一の層領域Ｇにおけるゲルマニウム原
子の分布状態が層厚方向に均一である特許請求の
範囲第１項に記載の電子写真用光導電部材。 ６ 前記第一の層中に伝導性を支配する物質が含
有されている特許請求の範囲第１項に記載の電子
写真用光導電部材。 ７ 前記伝導性を支配する物質が周期律表第族
に属する原子である特許請求の範囲第６項に記載
の電子写真用光導電部材。 ８ 前記伝導性を支配する物質が周期律表第族
に属する原子である特許請求の範囲第６項に記載
の電子写真用光導電部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58244737A JPS60138557A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 電子写真用光導電部材 |
| US06/648,245 US4595644A (en) | 1983-09-12 | 1984-09-07 | Photoconductive member of A-Si(Ge) with nonuniformly distributed nitrogen |
| DE19843433507 DE3433507A1 (de) | 1983-09-12 | 1984-09-12 | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58244737A JPS60138557A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 電子写真用光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138557A JPS60138557A (ja) | 1985-07-23 |
| JPH0217024B2 true JPH0217024B2 (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17123137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58244737A Granted JPS60138557A (ja) | 1983-09-12 | 1983-12-27 | 電子写真用光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138557A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002360723A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-17 | Yamato Protec Co | 加圧式粉末消火器 |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP58244737A patent/JPS60138557A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60138557A (ja) | 1985-07-23 |