JPS6014455A - 低温封止サーデップセラミックパッケージの製造方法 - Google Patents
低温封止サーデップセラミックパッケージの製造方法Info
- Publication number
- JPS6014455A JPS6014455A JP58121511A JP12151183A JPS6014455A JP S6014455 A JPS6014455 A JP S6014455A JP 58121511 A JP58121511 A JP 58121511A JP 12151183 A JP12151183 A JP 12151183A JP S6014455 A JPS6014455 A JP S6014455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- extends over
- ceramic package
- leakage
- mesh
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は低温で流動化、微結晶し、接着強度が高くて
、かつ耐食性のすぐれたピン間リークの少い半導体低温
封止サーデツプセラミックスパッケージを提供するにあ
る。
、かつ耐食性のすぐれたピン間リークの少い半導体低温
封止サーデツプセラミックスパッケージを提供するにあ
る。
半導体セラミックスパッケージの中の素子の歩留りを上
げるためには出来る限り低温でできるセラミックスパッ
ケージが必要である。また、セラミックパッケージの信
頼性を上げるにはビン間リ一りの出来るだけ少いものが
必要とされる。パッケージの中に入ったＤ−ｒａｍ 、
８−ｒａｍ等の賽子では通常ピン間印加電圧５Ｖに対
し、そのリーク電１流は５０μＡ程度である。このリー
クを減少させるためにはガラス中のＯＨ基が少く、耐食
性がよく、抵抗の高いガラスが必要である。
げるためには出来る限り低温でできるセラミックスパッ
ケージが必要である。また、セラミックパッケージの信
頼性を上げるにはビン間リ一りの出来るだけ少いものが
必要とされる。パッケージの中に入ったＤ−ｒａｍ 、
８−ｒａｍ等の賽子では通常ピン間印加電圧５Ｖに対
し、そのリーク電１流は５０μＡ程度である。このリー
クを減少させるためにはガラス中のＯＨ基が少く、耐食
性がよく、抵抗の高いガラスが必要である。
一方、素子歩留シ向上のためには、流動点の低いガラス
で封止しなければ力らないという要求がおる。
で封止しなければ力らないという要求がおる。
この発明は以上のような欠点を改良するためになされた
ものでアシ、その目的とするところはヒ。
ものでアシ、その目的とするところはヒ。
ン間リークの少い流動点の低いガラスで半導体収納容器
をガラス封入し、信頼性の高い低温封止サーデツプセラ
ミックスパッケージを提供するにちる。
をガラス封入し、信頼性の高い低温封止サーデツプセラ
ミックスパッケージを提供するにちる。
本発明は信頼性の高いサーデツプセラミックスパッケー
ジの封止に関するものであシ、その概要はガラスの流動
点以下で微結晶化し粒度が５０〜３００メツシー、ガラ
ス中のＯＨ含有量が５００ｐ’ｐｍ以下で、かつ耐酸性
０．０５〜０．３％の結晶質ガラスで封止したことを特
徴とする低温封止サーディツプセラミックスパッケージ
を提供することである。ここで封止条件を限定した理由
は、粒度が５０メツシー下ではガラスの流れが所定の温
度で充分性われなく、３００メツシュ以上では懸だ＜酸
が充分均質に得られ万いからである。またＯ Ｈ含有量
が５００ｐｐｍ以上ではピン間リークが大きすぎて使用
不可能になる。また耐酸性が０．０５〜０．３％に規定
した理由は、０，３％以上になるとビン間リークが増え
、０．０５％以下ではガラスが実質上製作できない等の
理由による。
ジの封止に関するものであシ、その概要はガラスの流動
点以下で微結晶化し粒度が５０〜３００メツシー、ガラ
ス中のＯＨ含有量が５００ｐ’ｐｍ以下で、かつ耐酸性
０．０５〜０．３％の結晶質ガラスで封止したことを特
徴とする低温封止サーディツプセラミックスパッケージ
を提供することである。ここで封止条件を限定した理由
は、粒度が５０メツシー下ではガラスの流れが所定の温
度で充分性われなく、３００メツシュ以上では懸だ＜酸
が充分均質に得られ万いからである。またＯ Ｈ含有量
が５００ｐｐｍ以上ではピン間リークが大きすぎて使用
不可能になる。また耐酸性が０．０５〜０．３％に規定
した理由は、０，３％以上になるとビン間リークが増え
、０．０５％以下ではガラスが実質上製作できない等の
理由による。
以上のような封止条件でサーディツプセラミックスパッ
ケージをつくるとビン間リークが印加電圧５Ｖに対し、
４０μＲ程度の信頼性の高いサーデツプセラミックスパ
ッケージが得られる。
ケージをつくるとビン間リークが印加電圧５Ｖに対し、
４０μＲ程度の信頼性の高いサーデツプセラミックスパ
ッケージが得られる。
第１図及び第２図はガラス封止サーデツプセラミックス
パッケージの断面図と一部破断した斜視図を示す。この
図で１はフリットガラス、２はアルミニウムワイヤー、
３はアルミナキャツフ、４ハＩＪ −）’フレーム（コ
バール）、５はＬＳＩチップ、６はダイアタッチ材、７
はアルミナベース、である。ガラスによってアルミナと
コノ（−ルを封止していることがわかる。
パッケージの断面図と一部破断した斜視図を示す。この
図で１はフリットガラス、２はアルミニウムワイヤー、
３はアルミナキャツフ、４ハＩＪ −）’フレーム（コ
バール）、５はＬＳＩチップ、６はダイアタッチ材、７
はアルミナベース、である。ガラスによってアルミナと
コノ（−ルを封止していることがわかる。
（実施例１）
重量比でｐｂｏ ７０．６ ％、ＰｂＦ、 １ ％、Ｚ
ｎ０１３％、ＺｎＦｌ １ ％、Ｂｚ Ｏｓ １４．
’４ ％のガラスをアルミナ４つほの中で８００℃２時
間溶１独した。ガラスの中に乾燥空気でもって吹き込み
ノくブリングしてＯＨ基を減少ないし除去させる溶融を
１イなった。
ｎ０１３％、ＺｎＦｌ １ ％、Ｂｚ Ｏｓ １４．
’４ ％のガラスをアルミナ４つほの中で８００℃２時
間溶１独した。ガラスの中に乾燥空気でもって吹き込み
ノくブリングしてＯＨ基を減少ないし除去させる溶融を
１イなった。
赤外吸収によりＩ−Ｉ、Ｏ量は１００ｐ、ｐｍ程度であ
った。
った。
０、 Ｉ Ｎ −ＨＮＯ，に１０分間浸漬での減量は約
０．１％であった。このガラスを用いてセラミックスノ
くッケージを行なったビン間リークは印加電圧５■に対
し約４０μＲ程度であった。
０．１％であった。このガラスを用いてセラミックスノ
くッケージを行なったビン間リークは印加電圧５■に対
し約４０μＲ程度であった。
（実施例２）
重量Ｐｂ０７５％、ＴｌＯ２３％、Ｚｎ０１０ ％、Ｐ
ｂＦ２３％、Ｂ、０．９％のガラスをアルミするつぼの
・沖で７５・０℃３時間溶融した。
ｂＦ２３％、Ｂ、０．９％のガラスをアルミするつぼの
・沖で７５・０℃３時間溶融した。
溶融の中に乾燥空気でもって吹き込みバブリングしてＯ
Ｈ基を減少させる操作を行なった。Ｈ２Ｏ量は約２００
ｐｐｍ程度であった。０． Ｉ Ｎ −ＨＮＯ３に１０
分間浸漬での減量は約０．２％であった。このガラスを
用いてセラミックスパッケージを行なったビン間リーク
は印加電圧５Ｖに対し約４０μ八程度であった。肉眼判
定でガラスは失透していた。封止温既は４５０°ＣＩＯ
分であった。
Ｈ基を減少させる操作を行なった。Ｈ２Ｏ量は約２００
ｐｐｍ程度であった。０． Ｉ Ｎ −ＨＮＯ３に１０
分間浸漬での減量は約０．２％であった。このガラスを
用いてセラミックスパッケージを行なったビン間リーク
は印加電圧５Ｖに対し約４０μ八程度であった。肉眼判
定でガラスは失透していた。封止温既は４５０°ＣＩＯ
分であった。
（実施例３）
重量比でＰｂ０７６％、Ｔｉｅ、 １０％、ＺｎＦ２２
％、５ｉ０２５％、Ｂ、０．７％のガラスを８００’０
２時間Ａ１１ｔ Ｏｓルツボの中で溶融した。バブリン
グしてＯＨ基を減少させた。Ｈ，０量は約４００ ｐ
ｐｍ程度であった。０． Ｉ Ｎ−ＨＮｏ、 １０分浸
漬後の減量は約９．２％であった。このガラスを用いて
セラミックスパッケージを行なった。ビン間リークは３
０μＡ程度であった。封止条件は４７０℃、１０分間で
あった。
％、５ｉ０２５％、Ｂ、０．７％のガラスを８００’０
２時間Ａ１１ｔ Ｏｓルツボの中で溶融した。バブリン
グしてＯＨ基を減少させた。Ｈ，０量は約４００ ｐ
ｐｍ程度であった。０． Ｉ Ｎ−ＨＮｏ、 １０分浸
漬後の減量は約９．２％であった。このガラスを用いて
セラミックスパッケージを行なった。ビン間リークは３
０μＡ程度であった。封止条件は４７０℃、１０分間で
あった。
以上実施例で示したように本パッケージは耐酸性、耐リ
ーク性のすぐれたパッケージであるということができる
。
ーク性のすぐれたパッケージであるということができる
。
第１図はセラミックパッケージの断面図、９４ＴＪ２図
は同一部破断した斜枡５図である。 １・・・フリットガラス、２・・・アルミニウムワイヤ
ー、３・・・アルミキャップ、４・・・リードフレーム
、５・・・ＬＳＩチップ、６・・・ダイアタッチ材、７
・・・アルミニウムベース。
は同一部破断した斜枡５図である。 １・・・フリットガラス、２・・・アルミニウムワイヤ
ー、３・・・アルミキャップ、４・・・リードフレーム
、５・・・ＬＳＩチップ、６・・・ダイアタッチ材、７
・・・アルミニウムベース。
Claims (1)
- 流動点以下の温度で微結晶化し、粒度５０〜３００メツ
シユ、ＯＨ含有量が５００ｐｐｍ以下で耐酸性０．０５
〜０．３％の５吉品質ガラスで半導体チップを封止した
ことを特徴とする低温封止サーデツプセラミックパッケ
ージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121511A JPS6014455A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温封止サーデップセラミックパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121511A JPS6014455A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温封止サーデップセラミックパッケージの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6014455A true JPS6014455A (ja) | 1985-01-25 |
| JPH0576781B2 JPH0576781B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=14813008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58121511A Granted JPS6014455A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温封止サーデップセラミックパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1295508C (zh) * | 2005-02-06 | 2007-01-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种玻璃微流控芯片的低温键合方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133112A (ja) * | 1974-08-30 | 1976-03-22 | Nippon Electric Glass Co | Teijutenfuchakuyososeibutsu |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP58121511A patent/JPS6014455A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133112A (ja) * | 1974-08-30 | 1976-03-22 | Nippon Electric Glass Co | Teijutenfuchakuyososeibutsu |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1295508C (zh) * | 2005-02-06 | 2007-01-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种玻璃微流控芯片的低温键合方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0576781B2 (ja) | 1993-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4931852A (en) | High thermal conductivity/low alpha emission molding compound containing high purity semiconductor filler and integrated circuit package | |
| CN101456674A (zh) | 一种掺稀土无铅低熔点封接玻璃及其的制备方法 | |
| JP2000063630A (ja) | 微細球状シリカ及び液状封止樹脂組成物 | |
| JPS6014455A (ja) | 低温封止サーデップセラミックパッケージの製造方法 | |
| US4310598A (en) | Coated glass powder having a negative coefficient of linear thermal expansion and a composition containing the same | |
| JPS60204637A (ja) | 低融点封着用組成物 | |
| JPH02267137A (ja) | 封着材料 | |
| JPH0422862B2 (ja) | ||
| US4251595A (en) | Low temperature sealing glasses | |
| JPS6410451B2 (ja) | ||
| JP3125971B2 (ja) | 低温封着用組成物 | |
| EP1219572B1 (en) | Glass for encapsulating semiconductor and overcoat tube for encapsulating semiconductor using the same | |
| CN112551896A (zh) | 一种无铅低温玻璃及其制备方法及应用该玻璃制备的二极管玻壳 | |
| JPS59152242A (ja) | サ−デイツプ用フリツトガラス | |
| JPS61191540A (ja) | 低温封止用ガラス | |
| JPS6395137A (ja) | 低融点封着ガラス | |
| JPS6368667A (ja) | 半導体用樹脂組成物 | |
| JPS6272546A (ja) | 低温流動化ガラス | |
| JPH07277767A (ja) | 低温封着用組成物 | |
| JPS6132446A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6011467B2 (ja) | ガラス被覆半導体装置およびその製法 | |
| KR950004486B1 (ko) | 접착용 유리 조성물 | |
| JPS5945620B2 (ja) | 低融点封着用組成物 | |
| JPS5945619B2 (ja) | 低融点封着用組成物 | |
| JPS62230647A (ja) | 低温接着用ガラス |