JPH0576781B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0576781B2 JPH0576781B2 JP58121511A JP12151183A JPH0576781B2 JP H0576781 B2 JPH0576781 B2 JP H0576781B2 JP 58121511 A JP58121511 A JP 58121511A JP 12151183 A JP12151183 A JP 12151183A JP H0576781 B2 JPH0576781 B2 JP H0576781B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- leakage
- ceramic package
- sealing
- melted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は低温で流動化、微結晶し、接着強度
が高くて、かつ耐食性のすぐれたピン間リークの
少い半導体低温封止サーデツプセラミツクスパツ
ケージを提供するにある。
が高くて、かつ耐食性のすぐれたピン間リークの
少い半導体低温封止サーデツプセラミツクスパツ
ケージを提供するにある。
半導体セラミツクスパツケージの中の素子の歩
留りを上げるためには出来る限り低温でできるセ
ラミツクスパツケージが必要である。また、セラ
ミツクパツケージの信頼性を上げるにはピン間リ
ークの出来るだけ少いものが必要とされる。パツ
ケージの中に入つたＤ−ram、Ｓ−ram等の奏子
では通常ピン間印加電圧5Vに対し、そのリーク
電流は50μA程度である。このリークを減少させ
るためにはガラス中のOH基が少く、耐食性がよ
く、抵抗の高いガラスが必要である。
留りを上げるためには出来る限り低温でできるセ
ラミツクスパツケージが必要である。また、セラ
ミツクパツケージの信頼性を上げるにはピン間リ
ークの出来るだけ少いものが必要とされる。パツ
ケージの中に入つたＤ−ram、Ｓ−ram等の奏子
では通常ピン間印加電圧5Vに対し、そのリーク
電流は50μA程度である。このリークを減少させ
るためにはガラス中のOH基が少く、耐食性がよ
く、抵抗の高いガラスが必要である。
一方、素子歩留り向上のためには、流動点の低
いガラスで封止しなければならないという要求が
ある。
いガラスで封止しなければならないという要求が
ある。
この発明は以上のような欠点を改良するために
なされたものであり、その目的とするところはピ
ン間リークの少い流動点の低いガラスで半導体収
納容器をガラス封入し、信頼性の高い低温封止サ
ーデツプセラミツクスパツケージを提供するにあ
る。
なされたものであり、その目的とするところはピ
ン間リークの少い流動点の低いガラスで半導体収
納容器をガラス封入し、信頼性の高い低温封止サ
ーデツプセラミツクスパツケージを提供するにあ
る。
本発明は信頼性の高いサーデツプセラミツクス
パツケージの封止に関するものであり、その概要
は、粒度が50〜300メツシユのガラス原料を流動
点以下の温度で溶融させ、この溶融させたガラス
原料の中に乾燥空気を吹き込み、OH含有率が
500ppm以下、耐酸性が0.05〜0.3％の微結晶化し
た結晶質ガラスを形成し、この結晶質ガラスで半
導体チツプを封止することを特徴とする。ここで
封止条件を限定した理由は、粒度が50メツシユ下
ではガラスの流れが所定の温度で充分行われな
く、300メツシユ以上では懸だく液が充分均質に
得られないからである。またOH含有量が
500ppm以上ではピン間リークが大きすぎて使用
不可能になる。また耐酸性が0.05〜0.3％に限定
した理由は、0.3％以上になるとピン間リークが
増え、0.05％以下ではガラスが実質上製作できな
い等の理由による。
パツケージの封止に関するものであり、その概要
は、粒度が50〜300メツシユのガラス原料を流動
点以下の温度で溶融させ、この溶融させたガラス
原料の中に乾燥空気を吹き込み、OH含有率が
500ppm以下、耐酸性が0.05〜0.3％の微結晶化し
た結晶質ガラスを形成し、この結晶質ガラスで半
導体チツプを封止することを特徴とする。ここで
封止条件を限定した理由は、粒度が50メツシユ下
ではガラスの流れが所定の温度で充分行われな
く、300メツシユ以上では懸だく液が充分均質に
得られないからである。またOH含有量が
500ppm以上ではピン間リークが大きすぎて使用
不可能になる。また耐酸性が0.05〜0.3％に限定
した理由は、0.3％以上になるとピン間リークが
増え、0.05％以下ではガラスが実質上製作できな
い等の理由による。
以上のような封止条件でサーデイツプセラミツ
クスパツケージをつくるとピン間リークが印加電
圧5Vに対し、40μR程度の信頼性の高いサーデツ
プセラミツクスパツケージが得られる。
クスパツケージをつくるとピン間リークが印加電
圧5Vに対し、40μR程度の信頼性の高いサーデツ
プセラミツクスパツケージが得られる。
第１図及び第２図はガラス封止サーデツプセラ
ミツクスパツケージの断面図と一部破断した斜視
図を示す。この図で１はフリツトガラス、２はア
ルミニウムワイアー、３はアルミナキヤツプ、４
はリードフレーム（コバール）、５はLSIチツプ、
６はダイアタツチ材、７はアルミナベース、であ
る。ガラスによつてアルミナとコバールを封止し
ていることがわかる。
ミツクスパツケージの断面図と一部破断した斜視
図を示す。この図で１はフリツトガラス、２はア
ルミニウムワイアー、３はアルミナキヤツプ、４
はリードフレーム（コバール）、５はLSIチツプ、
６はダイアタツチ材、７はアルミナベース、であ
る。ガラスによつてアルミナとコバールを封止し
ていることがわかる。
実施例 １
重量比でPbO70.6％、PbF21％、ZnO13％、
ZnF21％、B2O314.4％のガラスをアルミナるつぼ
の中で800℃２時間溶融した。ガラスの中に乾燥
空気でもつて吹き込みバブリングしてOH基を減
少ないし除去させる溶融を行なつた。赤外吸収に
よりH2O量は100ppm程度であつた。0.1N−
HNO3に10分間浸漬での減量は約0.1％であつた。
このガラスを用いてセラミツクスパツケージを行
なつたピン間リークは印加電圧5Vに対し約40μR
程度であつた。
ZnF21％、B2O314.4％のガラスをアルミナるつぼ
の中で800℃２時間溶融した。ガラスの中に乾燥
空気でもつて吹き込みバブリングしてOH基を減
少ないし除去させる溶融を行なつた。赤外吸収に
よりH2O量は100ppm程度であつた。0.1N−
HNO3に10分間浸漬での減量は約0.1％であつた。
このガラスを用いてセラミツクスパツケージを行
なつたピン間リークは印加電圧5Vに対し約40μR
程度であつた。
実施例 ２
重量PbO75％、TiO23％、ZnO10％、PbF23
％、B2O39％のガラスをアルミナるつぼの中で
750℃３時間溶融した。
％、B2O39％のガラスをアルミナるつぼの中で
750℃３時間溶融した。
溶融の中に乾燥空気でもつて吹き込みバブリン
グしてOH基を減少させる操作を行なつた。H2O
量は約200ppm程度であつた。0.1N−HNO3に10
分間浸漬での減量は約0.2％であつた。このガラ
スを用いてセラミツクスパツケージを行なつたピ
ン間リークは印加電圧5Vに対し約40μA程度であ
つた。肉眼判定でガラスは失透していた。封止温
度は450℃10分であつた。
グしてOH基を減少させる操作を行なつた。H2O
量は約200ppm程度であつた。0.1N−HNO3に10
分間浸漬での減量は約0.2％であつた。このガラ
スを用いてセラミツクスパツケージを行なつたピ
ン間リークは印加電圧5Vに対し約40μA程度であ
つた。肉眼判定でガラスは失透していた。封止温
度は450℃10分であつた。
実施例 ３
重量比でPbO76％、TiO210％、ZnF22％、
SiO25％、B2O37％のガラスを800℃２時間Al2O3
ルツボの中で溶融した。バブリングしてOH基を
減少させた。H2O量は約400ppm程度であつた。
0.1N−HNO310分浸漬後の減量は約0.2％であつ
た。このガラスを用いてセラミツクスパツケージ
を行なつた。ピン間リークは30μA程度であつた。
封止条件は470℃、10分間であつた。
SiO25％、B2O37％のガラスを800℃２時間Al2O3
ルツボの中で溶融した。バブリングしてOH基を
減少させた。H2O量は約400ppm程度であつた。
0.1N−HNO310分浸漬後の減量は約0.2％であつ
た。このガラスを用いてセラミツクスパツケージ
を行なつた。ピン間リークは30μA程度であつた。
封止条件は470℃、10分間であつた。
以上実施例で示したように本パツケージは耐酸
性、耐リーク性のすぐれたパツケージであるとい
うことができる。
性、耐リーク性のすぐれたパツケージであるとい
うことができる。
第１図はセラミツクパツケージの断面図、第２
図は同一部破断した斜視図である。 １……フリツトガラス、２……アルミニウムワ
イヤー、３……アルミキヤツプ、４……リードフ
レーム、５……LSIチツプ、６……ダイアタツチ
材、７……アルミニウムベース。
図は同一部破断した斜視図である。 １……フリツトガラス、２……アルミニウムワ
イヤー、３……アルミキヤツプ、４……リードフ
レーム、５……LSIチツプ、６……ダイアタツチ
材、７……アルミニウムベース。
Claims (1)
- １ 粒度が50〜300メツシユのガラス原料を流動
点以下の温度で溶融させ、この溶融させたガラス
原料の中に乾燥空気を吹き込み、OH含有率が
500ppm以下、耐酸性が0.05〜0.3％の微結晶化し
た結晶質ガラスを形成し、この結晶質ガラスで半
導体チツプを封止することを特徴とする低温封止
サーデツプセラミツクパツケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121511A JPS6014455A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温封止サーデップセラミックパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121511A JPS6014455A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温封止サーデップセラミックパッケージの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6014455A JPS6014455A (ja) | 1985-01-25 |
| JPH0576781B2 true JPH0576781B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=14813008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58121511A Granted JPS6014455A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温封止サーデップセラミックパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014455A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1295508C (zh) * | 2005-02-06 | 2007-01-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种玻璃微流控芯片的低温键合方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133112A (ja) * | 1974-08-30 | 1976-03-22 | Nippon Electric Glass Co | Teijutenfuchakuyososeibutsu |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP58121511A patent/JPS6014455A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6014455A (ja) | 1985-01-25 |
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