JPS60145376A - タングステンシリサイド膜の成長方法 - Google Patents
タングステンシリサイド膜の成長方法Info
- Publication number
- JPS60145376A JPS60145376A JP24824583A JP24824583A JPS60145376A JP S60145376 A JPS60145376 A JP S60145376A JP 24824583 A JP24824583 A JP 24824583A JP 24824583 A JP24824583 A JP 24824583A JP S60145376 A JPS60145376 A JP S60145376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aperture
- layer
- film
- insulating film
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はシリコン基板上に形成された絶縁膜上及び絶縁
膜の窓部にタングステンシリサイド膜を形成する方法に
関する。
膜の窓部にタングステンシリサイド膜を形成する方法に
関する。
従来技術
第１図のごとく、シリコン基板１上に形成された絶縁膜
２上及び絶縁膜の窓部４にタングステンシリサイド膜３
を形成する際、絶縁膜２とシリコン基板１との段差構造
によシタングステンシリサイド膜３の表面には段差りが
生ずる。この段差はタングステンシリサイド膜を配線と
して用いるためにできるだけ小さくシ、平坦化するのが
望ましい。段差のある配線は段差切れを生じる等障害と
なる。
２上及び絶縁膜の窓部４にタングステンシリサイド膜３
を形成する際、絶縁膜２とシリコン基板１との段差構造
によシタングステンシリサイド膜３の表面には段差りが
生ずる。この段差はタングステンシリサイド膜を配線と
して用いるためにできるだけ小さくシ、平坦化するのが
望ましい。段差のある配線は段差切れを生じる等障害と
なる。
発明の目的
本発明はタングステン膜とタングステンシリサイド膜を
連続的に成長し、一度の工程で穴埋めおよび配線ができ
るようにし、平坦化を図ることを目的とする。
連続的に成長し、一度の工程で穴埋めおよび配線ができ
るようにし、平坦化を図ることを目的とする。
発明の構成及び作用
以下、実施例とともに本発明の詳細な説明する。
第２図Ａにおいて、シリコン基板１の表面に絶縁膜（例
えばＰＳＧ等）２を形成し、コンタクトをとる箇所に開
口４を形成し、減圧ＣＶＤ法によりりングステン（Ｗ）
層６を形成し、次に図Ｂのようにタングステンシリサイ
ド層７を連続して形成する。
えばＰＳＧ等）２を形成し、コンタクトをとる箇所に開
口４を形成し、減圧ＣＶＤ法によりりングステン（Ｗ）
層６を形成し、次に図Ｂのようにタングステンシリサイ
ド層７を連続して形成する。
減圧ＣＶＤは第５図の拡散炉方式のリアクタ９に原料ガ
ス８を供給してシリコン基板１に熱分解反応によｐｗ又
はＷ −Ｓｉを堆積する方法が量産に向いている。また
第４図のように平行平板方式のリアクタを用いることも
できる。基台１１上にシリコン基板１を置き原料ガス８
を供給し−ｔｒＡ分解でシリコン基板１上に膜を形成す
る。本発明においてはＷの選択成長とＷ −Ｓｔの成長
を原料ガスの切換えとリアクタの温度を制御することに
よ多連続して行なう。以下にこの連続処理を詳記すると
、（１）開口４内のシリコン基板１０表面へのＷの選択
成長 原料ガスとしてＷＦ、と窒素ガスＮ２を供給し、リアク
タの温度を６００〜５５０°Ｃとして減圧下でＷを成長
する。Ｎ２の他にＮ２を加えることもできるが、Ｎ２が
加わるとＷ成長の選択性が低下する。Ｗの成長時にＷＦ
６と下地のシリコンが反応するためにおる程度シリコン
表面が喰われる。
ス８を供給してシリコン基板１に熱分解反応によｐｗ又
はＷ −Ｓｉを堆積する方法が量産に向いている。また
第４図のように平行平板方式のリアクタを用いることも
できる。基台１１上にシリコン基板１を置き原料ガス８
を供給し−ｔｒＡ分解でシリコン基板１上に膜を形成す
る。本発明においてはＷの選択成長とＷ −Ｓｔの成長
を原料ガスの切換えとリアクタの温度を制御することに
よ多連続して行なう。以下にこの連続処理を詳記すると
、（１）開口４内のシリコン基板１０表面へのＷの選択
成長 原料ガスとしてＷＦ、と窒素ガスＮ２を供給し、リアク
タの温度を６００〜５５０°Ｃとして減圧下でＷを成長
する。Ｎ２の他にＮ２を加えることもできるが、Ｎ２が
加わるとＷ成長の選択性が低下する。Ｗの成長時にＷＦ
６と下地のシリコンが反応するためにおる程度シリコン
表面が喰われる。
反応はＷＦ６ ＋Ｓｔ→Ｗ＋ＳｉＦ４が生じ、Ｗがシリ
コン表面に析出する。形成されるＷ層は数百乃至数千λ
程度に形成できる。リアクタの温度を３５０°Ｃ以上に
上げると前記のシリコン表面の喰込み５が多くなυ、素
子に対するコンタクトとして不適当でおシ、また３００
°Ｃ以下では密着性の点で問題が生じる。３００°Ｃ〜
３５０°Ｃにおいて下地のシリコンの喰込み少なく密着
性の良いＷ膜が選択的に形成され、開口４が埋められる
。
コン表面に析出する。形成されるＷ層は数百乃至数千λ
程度に形成できる。リアクタの温度を３５０°Ｃ以上に
上げると前記のシリコン表面の喰込み５が多くなυ、素
子に対するコンタクトとして不適当でおシ、また３００
°Ｃ以下では密着性の点で問題が生じる。３００°Ｃ〜
３５０°Ｃにおいて下地のシリコンの喰込み少なく密着
性の良いＷ膜が選択的に形成され、開口４が埋められる
。
（Ｉｔ） ＷＳｔの成長
原料ガスをＷＦ６とＳシＨ４に切換え、３５０°Ｃ〜４
５０°Ｃで減圧下でＷ−８ｔを絶縁膜２及び開口内のＷ
上に一様に成長する。原料ガスにＮ２を混入することも
でき、Ｎ２の混入でＷが多いＷ −Ｓｉが形成される。
５０°Ｃで減圧下でＷ−８ｔを絶縁膜２及び開口内のＷ
上に一様に成長する。原料ガスにＮ２を混入することも
でき、Ｎ２の混入でＷが多いＷ −Ｓｉが形成される。
温度を３５０°Ｃ〜４５０°Ｃとするのはこの範囲で絶
縁膜２と密着性が良いＷ−８ｉが形成されるからである
。
縁膜２と密着性が良いＷ−８ｉが形成されるからである
。
次に、減圧ＣＶＤにおけるリアクタ内の圧力について説
明すると、本発明においては１ ｔｏｒｒ以下の減圧下
で成長が行なわれ、０．１〜１ ｔｏｒｅが実用される
範囲であシ、特に０．１〜０．４ｔｏｒｒでは成長層の
白濁が生ぜず（反応が激しいと生ずる大きな粒子又は気
相で成長したものが付着する）、形成された膜中に水素
やフッ素が含まれず密着性の良い膜が得られる（Ｈ’ｐ
Ｆが含まれると膜がはがれ易い）。
明すると、本発明においては１ ｔｏｒｒ以下の減圧下
で成長が行なわれ、０．１〜１ ｔｏｒｅが実用される
範囲であシ、特に０．１〜０．４ｔｏｒｒでは成長層の
白濁が生ぜず（反応が激しいと生ずる大きな粒子又は気
相で成長したものが付着する）、形成された膜中に水素
やフッ素が含まれず密着性の良い膜が得られる（Ｈ’ｐ
Ｆが含まれると膜がはがれ易い）。
次に原料ガス供給についてリアクタが平行平板の場合で
具体的数値を例示すると（１）のＷの選択成長ではＷＦ
６が１〜１０ ”７’ｇ４．ｒＬＨＮ２が２００ ”１
ｇａｉｎ位。
具体的数値を例示すると（１）のＷの選択成長ではＷＦ
６が１〜１０ ”７’ｇ４．ｒＬＨＮ２が２００ ”１
ｇａｉｎ位。
Ｎ２が１００Ｃ輪１４位で行い、（１１）のＷ Ｓｔの
成長ではＷＦ６が１〜１０”／ｎ５ｉＢ ｒ ５ｔＨ４
が１０〜” ００”／１ｒｏｔ？Ｌで行なう。
成長ではＷＦ６が１〜１０”／ｎ５ｉＢ ｒ ５ｔＨ４
が１０〜” ００”／１ｒｏｔ？Ｌで行なう。
発明の効果
以上、本発明によれば１つのＣＶＤ装置で連続的に良好
なコンタクトが形成できるとともに平坦化されたＷ −
Ｓ ｉ配線ができるもので、例えば１μ毒の絶縁層の場
合、従来１μ犠近い段差が出来たのに対し、本発明によ
れば段差はＯ〜３０００ 、！位と大幅に低減できる。
なコンタクトが形成できるとともに平坦化されたＷ −
Ｓ ｉ配線ができるもので、例えば１μ毒の絶縁層の場
合、従来１μ犠近い段差が出来たのに対し、本発明によ
れば段差はＯ〜３０００ 、！位と大幅に低減できる。
第１図は従来のＷ −Ｓ を膜形成を示す説明図、第２
図Ａ、Ｂは本発明の成長方法を説明する工程図、第３図
は本発明に用いる減圧ＣＶＤ装置の説明図、第４図は本
発明に用いる他の減圧ＣＶＤ装置の説明図。 第２図〜第４図において 主な符号 １・・・シリコン基板、２・・・絶縁膜、４・・・開口
（置部）、５・・・喰込み、６・・・タングステン層、
７・・・タングステンシリサイド層、８・・・原料ガス
、９・・・拡散炉方式のリアクタ 特許出願人富士通株式会社 代理人弁理士玉蟲久五部（外１名） 第１図 第２図 第３図 第４図
図Ａ、Ｂは本発明の成長方法を説明する工程図、第３図
は本発明に用いる減圧ＣＶＤ装置の説明図、第４図は本
発明に用いる他の減圧ＣＶＤ装置の説明図。 第２図〜第４図において 主な符号 １・・・シリコン基板、２・・・絶縁膜、４・・・開口
（置部）、５・・・喰込み、６・・・タングステン層、
７・・・タングステンシリサイド層、８・・・原料ガス
、９・・・拡散炉方式のリアクタ 特許出願人富士通株式会社 代理人弁理士玉蟲久五部（外１名） 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコン基板上を覆い一部に開口が形成された絶縁膜の
表面及び該開口内のシリコン基板表面にタングステンシ
リサイド膜を形成するにｈｆｃＤ。 ＷＦ、を原料ガスとして用い３００〜３５０°Ｃでタン
グステンを前記開口のシリコン基板表面に減圧状態で化
学気相成長せしめ、次いでＷＦ６とＳ ｔ Ｈ４を原料
ガスとして用い６５０〜４５０６Ｃでタングステンシリ
サイドを前記絶縁膜と開口のタングステン上に連続的に
減圧状態で化学気相成長することを特徴とするタングス
テンシリサイド膜の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24824583A JPS60145376A (ja) | 1983-12-30 | 1983-12-30 | タングステンシリサイド膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24824583A JPS60145376A (ja) | 1983-12-30 | 1983-12-30 | タングステンシリサイド膜の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145376A true JPS60145376A (ja) | 1985-07-31 |
| JPS6261668B2 JPS6261668B2 (ja) | 1987-12-22 |
Family
ID=17175307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24824583A Granted JPS60145376A (ja) | 1983-12-30 | 1983-12-30 | タングステンシリサイド膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145376A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311669A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6311668A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6326366A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6326369A (ja) * | 1986-07-19 | 1988-02-03 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6326368A (ja) * | 1986-07-19 | 1988-02-03 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6326367A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6417866A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Toshiba Corp | Formation of film of high-melting-point metal |
| JPH0390572A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-16 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハ上へのタングステン層のｃｖｄ蒸着方法 |
| JPH03223462A (ja) * | 1990-01-27 | 1991-10-02 | Fujitsu Ltd | タングステン膜の形成方法 |
| US5230847A (en) * | 1990-06-26 | 1993-07-27 | L'air Liquide, Societe Anonyme L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming refractory metal free standing shapes |
-
1983
- 1983-12-30 JP JP24824583A patent/JPS60145376A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311669A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6311668A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6326366A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6326367A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6326369A (ja) * | 1986-07-19 | 1988-02-03 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6326368A (ja) * | 1986-07-19 | 1988-02-03 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ法 |
| JPS6417866A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Toshiba Corp | Formation of film of high-melting-point metal |
| JPH0390572A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-16 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハ上へのタングステン層のｃｖｄ蒸着方法 |
| JPH03223462A (ja) * | 1990-01-27 | 1991-10-02 | Fujitsu Ltd | タングステン膜の形成方法 |
| US5230847A (en) * | 1990-06-26 | 1993-07-27 | L'air Liquide, Societe Anonyme L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming refractory metal free standing shapes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6261668B2 (ja) | 1987-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0216157B1 (en) | A method of depositing metal contact regions on a silicon substrate | |
| US4923715A (en) | Method of forming thin film by chemical vapor deposition | |
| US4963506A (en) | Selective deposition of amorphous and polycrystalline silicon | |
| US5201995A (en) | Alternating cyclic pressure modulation process for selective area deposition | |
| US5037775A (en) | Method for selectively depositing single elemental semiconductor material on substrates | |
| KR100497262B1 (ko) | 화합물반도체의기상에피텍시방법 | |
| US7084049B2 (en) | Manufacturing method for buried insulating layer-type semiconductor silicon carbide substrate | |
| JPS60145376A (ja) | タングステンシリサイド膜の成長方法 | |
| US3941647A (en) | Method of producing epitaxially semiconductor layers | |
| JPH08330423A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6174805B1 (en) | Titanium film forming method | |
| JPH02185026A (ja) | Ａｌ薄膜の選択的形成方法 | |
| KR970005943B1 (ko) | 반도체 장치의 텅스텐 실리사이드 제조방법 | |
| JPH07100860B2 (ja) | タングステンシリサイド膜の形成方法 | |
| JP3080809B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0258217A (ja) | 金属膜の形成方法 | |
| US4981723A (en) | Chemical vapor deposition of tungsten silicide using silicon sub-fluorides | |
| JP2538607B2 (ja) | 気相成長法 | |
| JPH0645876B2 (ja) | 減圧気相成長方法および装置 | |
| JPS61131434A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6376875A (ja) | 気相成長法 | |
| JPH0421751B2 (ja) | ||
| JPH05175121A (ja) | Ｓｏｉ基板の製法および半導体装置 | |
| JPS61264720A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
| EP0548407B1 (en) | Tungsten chemical vapor deposition method |