JPS60146370U - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS60146370U JPS60146370U JP3429484U JP3429484U JPS60146370U JP S60146370 U JPS60146370 U JP S60146370U JP 3429484 U JP3429484 U JP 3429484U JP 3429484 U JP3429484 U JP 3429484U JP S60146370 U JPS60146370 U JP S60146370U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- cladding
- current confinement
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
図は本考案の一実施例を示す断面図である。
１・・・・・・基板、２・・・・・・電流狭窄層、３・
・・・・・第１クラッド層、４・・・・・・活性層、５
・・・・・・第２クラッド層。
・・・・・第１クラッド層、４・・・・・・活性層、５
・・・・・・第２クラッド層。
Claims (1)
- 基板、該基板の一主面上に積層されストライプ状の開口
を有する電流狭窄層、該電流狭窄層及び上記基板の露出
した一主面上に順次積層された第１クラッド層、活性層
、第２クラッド層からなり、上記電流狭窄層は非単結晶
でかつ上記基板と第１クラッド層との間で実質的に高抵
抗となると共に上記第１、第２クラッド層のバンドギャ
ップは上記活性層のバンドギャップより大でありかつ上
記第１、第２クラッド層の光屈折率は上記活性層の光屈
折率より小としたことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3429484U JPS60146370U (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3429484U JPS60146370U (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60146370U true JPS60146370U (ja) | 1985-09-28 |
Family
ID=30537527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3429484U Pending JPS60146370U (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60146370U (ja) |
-
1984
- 1984-03-09 JP JP3429484U patent/JPS60146370U/ja active Pending
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