JPS6090861U - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6090861U JPS6090861U JP18279383U JP18279383U JPS6090861U JP S6090861 U JPS6090861 U JP S6090861U JP 18279383 U JP18279383 U JP 18279383U JP 18279383 U JP18279383 U JP 18279383U JP S6090861 U JPS6090861 U JP S6090861U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- cap layer
- island region
- cladding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図及び第２図は従来例を示す断面図、第３図Ａ乃至
Ｅは本考案の一実施例半導体レーザの製造工程を示す工
程別断面図である。 ２２・・・第１クラッド層、２３・・・活性層、２４・
・・第２クラッド層、２５ａ・・・キャップ層、２５ｂ
・・・島領域、２７・・・絶縁層（ＺｎＳｅ層）。
Ｅは本考案の一実施例半導体レーザの製造工程を示す工
程別断面図である。 ２２・・・第１クラッド層、２３・・・活性層、２４・
・・第２クラッド層、２５ａ・・・キャップ層、２５ｂ
・・・島領域、２７・・・絶縁層（ＺｎＳｅ層）。
Claims (1)
- 活性層を挟装し、該活性層よりバンドギャップエネルギ
ーが大なる第１、第２クラッド層、該クラッド層の一方
の表面の略中夫に形成され、金属とのオーミック性が良
好なるストライプ状のキャップ層、該キャップ層の両側
に位置し、上記キャップ層とは電気的に不連続を島領域
、該島領域を少なくとも覆う絶縁層を備えたことを特徴
とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18279383U JPS6090861U (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18279383U JPS6090861U (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090861U true JPS6090861U (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=30395773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18279383U Pending JPS6090861U (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090861U (ja) |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP18279383U patent/JPS6090861U/ja active Pending
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