JPS601514A - 変位量検出器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はリニアエンコーダ、ロータリーエンコーダ等の
エンコーダの磁化パターンを磁気抵抗素子を具える磁気
センサによって検出する変位量検出器に関するものであ
る。

このような磁気抵抗素子を具える磁気センサとして、絶
縁膜を挟んで二層の磁気抵抗素子を上下に設け、相互に
磁気的バイアスを与えるようにしたものが特公昭５３’
−３７２０４号公報および同ｔ、ａ−８７２０５号公報
などに記載されており、公　、−知である。例えば特公
昭５３−３７２０４号公報に記載された磁気センサでは
磁気抵抗素子を上下に二層積層し、一方の磁気抵抗素子
に流れる駆動電流により発生する磁界により他方の磁気
抵抗素子にバイアス磁界を印加するものであり、これを
以後、−次バイアス方式と云う。また、特公昭５３−３
７２０５号公報に記載された磁気センサは、一方の磁気
抵抗素子を流れる駆動電流により発生する磁界が他方の
磁気抵抗素子に加えられ、この他方の磁気抵抗素子にお
ける磁化の一成分が逆磁界を生じ、この逆磁界が一方の
磁気抵抗素子にバイアス磁界として印加されるものであ
り、これを以後、二次バイアス方式と云う。

第１図は上述した特公昭５３−３７２０４号公報に記載
された磁気センサの回路図である。絶縁膜を介して上下
に積層された第１および第２の磁気抵抗素子ＭＲＩおよ
びＭＲ２を定電流源Ｓと大地電位との間に並列に接続し
、定電流源Ｓと磁気抵抗素子ＭＨＩおよびＭＲ２との接
続点に現われる電圧■、およびｖ２の差を差動増幅器Ｄ
Ａでめるようにしたものである。

このような相互磁気バイアス形の磁気センサは、例えば
絶縁基板上に第１の磁気抵抗膜、絶縁膜および第２の磁
気抵抗膜を順次に被着して構成されているが、安定した
検出出力を得るためには、第１および第２の磁気抵抗膜
が同一の磁気特性を有することが必要となる。このよう
な磁気センサを製造する方法としては、基板上に第１磁
気抵抗膜および電＄ｆ！、膜を蒸着し、フォトエツチン
グ等によりパターニングした後、絶縁膜な蒸着し、さら
にその上に第２磁気抵抗膜および電極膜を蒸着してパタ
ーニングする方法が一般的に考えられる。しかしながら
、このような製造方法では、第１およ、び第２の磁気抵
抗素子は異なる磁気抵抗膜がら形成されるので、膜厚、
比抵抗、抵抗温度係数等が同一となりに＜＜、磁気特性
が揃わなくなる欠点がある。また第１および第２の磁気
抵抗素子は別々の工程でパターニングして形成されるた
め、寸法精度が悪く、同一の寸法とならず、このために
磁気特性に差異が現われる欠点もある。したがって、無
磁界における出力電圧である不平衡電圧が発生し、それ
が温度によってドリフトするため、正確な磁気検出な行
うことができない欠点がある。

さらに、磁気センサを用いてモータの回転角を検出する
ような場合には、磁気センサは磁化パターンによる磁界
に曝されるたけでなく、モータの磁界にも曝されること
になるが、信号磁界とノイズ磁界との選択能に乏しいの
で出方信号のＳ〉Ｎが低下し、検出精度が悪くなる欠点
もある。

本発明の目的は上述した欠点を除去し、膜厚、比抵抗、
抵抗温度係数等の特性に差異があっても正確な磁気検出
を行なうことができ、しがちノイズ磁界に影響されずに
信号磁界ご正確に検出する・ことができるように構成し
た変位量検出器を提供しようとするものである。

本発明の変位量検出器は、それぞれ絶縁膜を挟んで積層
した少なく共２層の磁気抵抗素子を具え、これら磁気抵
抗素子を互いに反対方向に磁気バイアスした少なく共２
組の磁気センサを共通の基板上に変位方向とほぼ直交す
る方向に配列して装着し、この配列方向と磁化パターン
とを、変位方向と直交する方向において相対的に傾斜さ
せてこれら磁気センサが磁化パターンに対してほぼ１８
００の位相差を有するように配置し、前記少なく共２組
の磁気センサをノイズ磁界が相殺されて磁化パターンに
よる出力信号のみが得られるようにブリッジ結合したこ
とを特徴とするものである。

以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第２図は本発明の変位量検出器に用いる磁気センサの一
例の構成を示Ｔ線図的斜視図であり、図面を明瞭とする
ために上側の絶縁層は省いである。

本例では４個の磁気抵抗素子Ｒａ工’　Ｒａ２ｔ　Ｒｂ
□。

Ｒｂ２を具えるものであり、素子ＲａｌとＲｂｔおよび
・ＲａｓとＲｂ２とはそれぞれ同じ磁気抵抗膜をパター
ニングして形成されており、素子Ｒａ□とＲａ２および
ＲｂｘとＲｂ２とは絶縁層ＩＮＳを介して上下に積層さ
れている。これらの素子は絶縁基板Ｓ上に並べて形成さ
れている。

磁気抵抗素子には第３図に示すように、絶縁層にあけた
スルーホールを介して導体が接続されている。すなわち
、基板Ｓ上の磁気抵抗素子Ｒａ２には絶縁層ＩＮＳ□お
よび１ＮＳ２および磁気抵抗素子Ｒａｌにあけたスルー
ホールを介して導体６□を接続し、磁気抵抗素子Ｒａ□
には絶縁層ｌＮ５２にあけたスルーホールを介して導体
ｃ２を接続する構造となっている。

上述した磁気抵抗素子Ｒ、Ｒ、Ｒおよびａｌ　ａ２　ｂ
ｌ Ｒｂ２は第４図に示すようにブリッジ接続する。すなわ
ち、磁気抵抗素子Ｒｂ□およびＲｂ２の−ｔＩＭを電源
Ｅの正端子に共通に接続し、素子Ｒｂ□の他端を素子Ｒ
ａｌの一端に接続し、素子Ｒｂｇの他端を素子Ｒａ２の
一端に接続し、素子ＲおよびＲａ２の他端ｌ を電源Ｅの負端子に共通に接続する。また、素子Ｒａｌ
とＨｂ工との接続点を差動増幅器ＤＥＦの正側入力端子
に接続し、素子Ｒａ２とＲｂｚの接続点を差動増幅器Ｄ
ＥＦの負側入力端子に接続する。したがって磁気抵抗素
子Ｒａｌ　’　Ｒａ２１　Ｒｂｌ　’　Ｒｂ２には第４
図に矢印で示す方向に電流が流れ、−その結果として、
これら素子は磁気的に相互バイアスされる。

本例では二次バイアス効果が大きいため、各素子は　第
４図に示すように磁気バイアスされる。すなわち、素子
Ｒａ１およびＲｂｘは紙面の下から上へ向う磁気バイア
ス＋Ｈｂが印加され、素子Ｒａ２およびＲｂ２には紙面
の上から下に向う磁気バイアス−Ｈｂが印加されること
になる。

このような磁気バイアスのため、磁気抵抗素子Ｒａｔ　
＋　Ｒｂ−１およびＲａ２．Ｒｂ２の動作特性は第５図
に示すように対称的なものとなる。すなわち、曲線Ａは
素子Ｒａｘ　ｒ　Ｒｂｘの動作特性を示し、工で示す入
力磁界が与えられると、曲線ＲＡで示すような抵抗変化
が得られ、曲線Ｂは素子Ｒａ２　Ｔ　Ｒｂ２の動作特性
を示し、入力磁界工に対して抵抗値は曲線ＲＢで示すよ
うに変化することになる。

本発明においては、上述したように構成した磁気センサ
の配列方向を第６図に示すように磁化パターンを記録し
た記録媒体Ｍの変位方向りと直交する方向に対して角度
θだけ傾斜させる。この傾４角度θは２組の磁気抵抗素
子Ｒａ、　、　Ｒａ、およびＲｂ１１Ｒｂ、が磁化パタ
ーンの同期に対してほぼ１８０°の位相差が得られるよ
うなものとする。

このように構成すると、一方の磁気センサの磁気抵抗素
子Ｒ，’Ｈに加えられる磁化パターンａｌ　ａ２ による磁界と、他方の磁気センサの磁気抵抗素子Ｒｂ□
ｒ　Ｒｂ２に加えられる磁化パターンによる磁界とは常
に反対方向となる。これに対し、一般にノイズ磁界は両
磁気センサの磁気抵抗素子に同じ方向で加えられること
になる。したがって、ノイズ磁界による成分は相殺除去
され、差動増幅器ＤＥＦ’からは磁化パターンに−よる
信号成分だけが出力されることになり、信号磁界と雑音
磁界との選択能が高くなり、Ｓ／Ｎの高い出力信号が得
られ、変位量の検出精度が著しく高くなる。

次に本例の磁気センサにおける不平衡電圧を考察してみ
る。今、第１および第２の素子Ｒａ１ｑよびＲｂ□を構
成する第１の磁気抵抗膜の温度係数をもった比抵抗をρ
□（Ｔ）、膜厚をｔ□とし、第３および第４の素子Ｒａ
２およびＲｂ２を構成する第２の磁気抵抗膜の比抵抗を
ρ２（Ｔ）、膜厚をｔ、とし、第１および第３の素子Ｒ
ａ□およびＲａ２のパターン形状係数（丁なわち長さ７
幅）をに０、第２および第３の素子ＲｂｘおよびＲｂｚ
のパターン形状係数をに２とすると、第１〜第４の磁気
抵抗素子Ｒａ工ｙＲｂｘ＋Ｒａｚ　ｅ　Ｒｂ２の抵抗値
Ｒ０〜Ｒ２は次のようになる。

Ｒ１＝ρ、（Ｔ）　ｋ□／１゜ Ｒ，＝ρ、（Ｔ）ｋ２／１０ Ｒ８＝ρ２　（Ｔ）　Ｉ’−１／　ｔ　２Ｒ４＝ρ２．
（Ｔ）　ｋ、／１２ したがって被検出磁界がない場合の不平衡電圧Δ■は、
電源Ｅの電圧を■８とすると、 ΔＶ　＝　Ｖ、−Ｖ２ となる。すなわち、ρ、（Ｔ）＋ρ２（Ｔ）　ｅ　ｔ□
＋ｔ２あるいはに、＋に２であっても不平衡電圧ΔＶは
常に零となり、オフセットや温度ドリフトもなく、正確
な磁気検出を行なうことができる。

第７図は本発明の変位量検出器に用いる磁気センサの他
の例を示すものであり、それぞれ２個の磁気抵抗素子Ｒ
ａｌ　ｌ　Ｒａ２およびＲｂｌ　ｌ　Ｒｂ２　”’積層
した２組の磁気センサを共通基板上に並べて配置し、こ
の共通基板を磁化パターンの変位方向と直交する方向に
対して角度θだけ傾斜させて配置ａ、する点は上述した
実施例と同じである。本例では磁接続し、これら素子の
他端を素子Ｒａ□およびＲｂ２の一端にそれぞれ接続し
、電源Ｅの負側端子を素子Ｒａ２およびＲｂ、、の他端
に接続し、素子Ｒａ１の他端と素子Ｒａ２の一端との接
続点を差動増幅器ＤＥＦの正入力端子に接続し、素子Ｒ
ｂ工の他端と素子Ｒｂ２の一端との接続点を差動増幅器
ＤＥＦの負入力端子に接続する。本例でも各素子には矢
印で示す方向に電流が流れ、各素子は二次相互ノくイア
ス効果によって第７図に示すように磁気）くイアスされ
る。この磁気バイアスは第４図に示したものと同一であ
り、本例でも各素子に同相で与えられるノイズ磁界によ
る出力は相殺除去され、差動増幅ｕ　Ｄ　Ｅ　Ｆ　カら
は磁化パターンによる出力信号だけが出力されることに
なる。また、本例の不平衡電圧Δ■は、 ＝　０ となり、上述した実施例と全く同じ効果が得られる。

変位量検出器として変位量だけでなく、変位方向も検出
する場合もあるが、このためには互ｌ／Ａ＆こ９０°の
位相差を有する２相の信号が必要である。

第８図は上述した２組の磁気センサを有するユニットを
２個共通基板Ｓ上に並べて配置し、この共通基板を磁化
パターンを記録した記録媒体Ｍの変位方向りに対して角
度θだけ傾斜させて配置ｉ’ｉ　シた本発明の変位量検
出器の一実施例を示す。本例では基板Ｓ上に４個の磁気
センサＵａ−Ｕｄが並べて配置され、ＵａおよびＵ。が
−組の磁気ユニットを購成し、ＵｂおよびＵｄが一組の
磁気ユニットを構成している。したがって、傾斜角度θ
は、磁気センサＵ　およびＵ。がほぼ１８０°の位相差
を有し、磁気センサＵｂおよびＵｄが同じく、はぼ１８
０°の位相差を有するような値となっている。これら４
個の磁気センサは互いに等間隔だけ離間されているので
、２個の磁気ユニットは互いＧこ９０°の位相差を有す
ることになる。

第９図は上述した４個の磁気センサＵａ−Ｕｄの磁気抵
抗素子Ｒａ１ｒ　Ｒａｚ　’　Ｒｂ１ｙ　Ｒｂ２’　Ｒ
ａｘ　＋Ｒｅ１ｌ　’　Ｒｄｔ　ｒ　Ｒｄｚの結線の一
例を示すものである。

電源Ｅの正側端子を各磁気センサの第１の素子Ｒａよ、
Ｒｂ□＋　Ｒａｔ　ｗ　Ｒｄｉの一端に接続し・この第
１の素子の他端を第２の素子Ｒａｚ　ｔ　Ｒｂ２ｔ　Ｒ
０２１Ｒｄ２の一端に接続し、これら第２素子の他端を
電源Ｅの負側端子に接続する。これによって各素子には
第９図に矢印で示すように同一方向に電流が流れ、素子
Ｒａｌ　ｔ　Ｒｂｌ　、ｅ　ＲＯｌ　＃　Ｒｄｌには紙
面の上から下へ向うバイアス磁界中Ｈｂが、素子Ｒａ２
ｔＲｂ２＊　Ｒａ２＊　Ｒｄｓには下から上へ向うバイ
アス磁・界−Ｈｂが二次相互バーイアスの作用により印
加されることになる。したがって素子ＲおよびＲａ２１ の接続点を第１差動増幅器ＤＥＦＡの正側入力端子に、
素子Ｒ８、とＲ６，との接続点を負側入力部１子にそれ
ぞれ接続することにより第１差動増幅器ＤＥＦＡからは
ノイズ磁界に影響されない磁気パターンのみによる人相
の出力信号が得られる。同様にｚ子ＲｂｔとＲｂｇとの
接続点および素子Ｒｄ□とＲａ２との接続点をそれぞれ
正および負側入力端子に接続した第２差動増幅器ＤＥＦ
Ｂからもノイズ磁界を相殺・除去したＢ相の出力信号が
得られる。これらＡ相およびＢ相の出力信号は９００位
相がずれたものとなるので変位量だけでなく、変位方向
をも知ることができる。本例においても８個の磁気抵抗
素子は２層の磁気抵抗膜を同時にパターニングして形成
することができるので、膜厚、温度特性、形状係数にバ
ラツキがあっても不平衡電圧ΔＶは牛じない。

第１θ図は第８図に示した実施例の変形例を示すもので
あり、８個の磁気抵抗素子の結線方法が前例とは相違し
ているだけであり、その他の構成は前例と同様である。

本例では、電源Ｅおよび各素子相互を第１θ図に示すよ
うに接続して各素子には矢印で示す方向に電流が流れる
ようにする。

これによって生ずる二次相互バイアス効果により各素子
は第１Ｏ図に示すように磁気バイアスされる。本例の変
位量検出器の動作は前例と同様であり、同相で与えられ
るノイズ磁界による出力成分は相殺除去され、磁化パタ
ーンによる互いに９０゜位相がずれた人相およびＢ相の
出力信号が得られるｄまた不平衡電圧ΔＶも零となり、
正確な変位量検出を行なうことができる。さらに本例で
は基板上で各素子に対して導体パターンを形成するのが
容易となる。

本発明では上述したように基板を変位方向と直交する方
向に対して傾斜させるが、この傾斜角度についてさらに
考察する。第１１［ｆｉは記録媒体）４に記録した磁化
パターンと磁気センサａ、ｂとの関係を線図的に示すも
のであり、２つの磁気センサａおよびｂの配列方向のピ
ッチｋ　ｌ　ｓ各センサの長さ７ｚ！。、磁化パターン
のピッチをＰ１傾斜角１度をθとする。このとき、磁気
センサａおよびｂに加わる磁界の位相差Ｐ（ラジアン）
は、２πノ　。

５１＋　＝　−Ｓｌｎθ　・・・・・・・・・・・・・
・・・・・　（１）となる。以下、角度θの代わりにこ
の位相差Ｔを使って説明を進める。磁気センサを磁化パ
ターンに対して傾斜させたことによる各磁気センサの出
力の影響をｆ　（ｒ）とすると、これは次式で表わされ
る。

また、位相差Ｐが差動出力電圧へ及ぼす影響り（５１’
）は次式で表わされる。

、Ｔ ９　（Ｐ　）　＝　（Ｖｌ　−Ｖ２　）ｐ−ｐ　＝　ｓ
ｌｎ　−ｉ−曲・・−−（ａ）したがって、綜合的に見
た傾斜角と出力電圧との関係は次式で与えられる。

Ｆ＝、ｆ（Ｐ）・ｇ（ＬＰ） 第６図に示したように２つの磁気センサが互いに極く接
近して配置されている場合には１　＝　ｌ。

と着像すことができるので、上式（４）はさらに次のよ
うに表わされる。

この関係をグラフに表わすと、第１２図に示すようにな
る。また、第８図に示すようにｌ　＝　２　ｌｏの場合
には（４）式は次のようになる。

この関係をグラフに表わすと第１３図に示すようになる
。第１２図および第１３図に示すグラフにおいて、横軸
は位相差Ｐとこれに対応する傾斜角度θを表わし、縦軸
は相対出力を表わしている。

１８０°の位相差ψが得られるように傾斜させた場合、
第６図の実施例に比べて第８図の実施例の方が出力は大
きくなっている。したがって’／ｌ　ｏ　の値は大きく
した方が良いが、第６図の実施例でも最大出力値の約９
０％の出力が得られている。傾斜角度θは磁気抵抗素子
の長さｌ。をｌ　、　４　ｔｎｍと山、直径２０鰭の磁
気ドラムの外周縁に１ｏｏｏ個の磁化パターンを記録し
た口〜タリーエンコーダを用いる場合を例に採って計算
した値である。すなゎチ、コの場合には、磁化パターン
のピッチＰは、で与えられる。このピッチＰを（１）式
に代入してｔｐ　＝　”−’　ｓｉｎθ の式によって傾斜角度θを計算した値を第１２図および
第１８図に示した。

第１２図および第１３図かられかるように、傾斜角度θ
は、第６図に示す実施例では１．２８６°、第８図に示
す実施例では００６４３°ときわめて小さい値である。

実際にこのように小さな傾斜角度θを持つように調整す
ることは非常に困難であり、面倒な調整作業を必要する
と共に精度の高い調整機構を１個１個の変位量検出器に
設けるとコスト高を招くことになる。

このような欠点を除去し、共通基板と磁化パターンとを
所望の角度だけ容易かつ迅速に傾斜させることができ、
しかも各変位が、検出器には高精度で高価な調整機構を
設ける必要がないようにした変位量検出器の製造方法に
ついて以下説明する。

第１４図は、磁気記録媒体として磁気ドラムな用い、そ
の回転方向および回転量を検出するようにした本発明の
変位量検出器の一実施例を示す平面図であり、第１５図
は断面図である。磁気ドラム４］、はほぼ円筒状の保持
体４２に軸受４８によって回転自在に支承した軸４４・
に固着する。保持体４２には、磁気センッを装着した共
通基板４・５を取付板４６を介して数句ける。第１４図
および第１５図においては磁気センサは示していないが
、第１５図において上下方向に並べて共通基板４５に装
着されており、この共通基板４５は取付板４６に固着さ
れており、この取付板はねじにより保持体４２しこ固着
されている。したがって共１ｍ基板４５は保持体４２、
したがって磁気ドラム４・１に対して固定的に取付けら
れている。軸４４はモータ４７に連結され、このモータ
にはロータリエンコーダ４８が連結されている。一方、
磁気ドラム４１に磁化パターンを記録するために磁気ヘ
ッド４＋　９を設け、この磁気ヘッドをアーム５ｏを介
して回転ステージ５１に連結し、磁気ヘット′４．９を
ｆｆ１ｌｌｌ線Ｘ−Ｘｆ中心として回動できるようにす
る。

ロータリエンコーダ４８の出力をパルス発生器５２　ニ
供給して軸４４、したがって回転ドラム４］の回転に完
全に一対一に対応するパルスを発生させ、このパルスを
磁気ヘッド４１９に供給して磁化パターンを記録するよ
うにする。ロークリエンコーダ４８およびパルス発生器
５２２適切に構成し、磁気ドラム４１の円周面に１００
θ個のパルスを等間隔で記録できるようにする。

今、磁気ヘッド４９のギャップが軸４４と平行になって
いると、磁気ドラム４１の表面には変位方向に対して直
交する方向に磁化パターンが記録されることになる。一
方、回転ステージ５１を角度αだけ回転させると、磁気
ヘッド４９のギャップは軸４４に対して角度αだけ傾斜
することになる。したがってこの場合には変位方向と直
交する方向に対して角度αだけ傾いた磁化パターンが記
録されることになる。したがって、第１５図に示すよう
に共通基板４５に装着した２つの磁気センサからの出力
信号をモニタ５３に表示し、これら２つの信号が所望の
位相差Ｔとなるように回転ステージ５１を操作しながら
磁気ドラム４１に磁化パターンを記録すれば、共通基板
４５と磁化パターンとは変位方向と直交する方向におい
て所望の角度θだけ傾斜することになる。この場合、磁
気ヘッド４９により以前に記録した磁化パターンの、上
に新たな磁化パターンを重畳して記録してもよいが、第
１４図において鎖線で示すように消去ヘッドを設けたり
、磁気ヘッド４９を消去ヘッドとして用いて以前に記録
した磁化パターンを消去するようにしてもよい。

上述した＠遣方法によれば、磁気センサを装着気ドラム
４１に対して傾斜させるようにしたため、共通基板と磁
化パターンを容易がっ迅速に所定の角度だけ相対的に傾
斜させることができる。しかも、磁気ヘッド４９を回転
自在に保持する回転ステージ５１は多数の変位量検出器
に対して共通に使用することができるので、安価に実施
することができる。第１５図に示す例ではモニタ５３上
に２つの信号を再生表示し、これを見ながら回転ステー
ジ５１を回転させるようにしたが、２つの信号の位相差
が所望の値になるように回転ステージ５１を自動的に回
転させるサーボループを設けてもよい。

本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく
、幾多の変更を加えることができる。例れば上述した例
では二次相互バイアス効果を利用して磁気バイアスした
が、−次相互バイアス効果を利用してもよく、また、相
互バイアス効果を利用しないで、別個に導電膜を設け、
これに電流を流してバイアス磁界を発生させるようにし
てもよい。

また、磁気抵抗素子は、その膜面が磁化パターンを記録
した記録媒体に対して垂直に配置面シたが、記録媒体と
平行に配置することもできる。また、上述した実施例に
おいて１１Ｌ源の極性を反対とすることも勿論可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気抵抗素子を具える変位量検出器の一
例の構成を示す線図、 第２図は本発明の変位量検出器の磁気センサの一例の構
成を示す斜視図、 第３図は同じくその断面図、 第４図は同じくその結線方法を示す線図、第５図は同じ
くその動作特性を示す線図、第６図は磁気センサと磁化
パターンとの配列間。 係を示す線図、 第７図は磁気センサの結線方法の他の例を示す線図、 第８図は本発明の変位量検出器Ｃ３他の例における磁気
センサと磁化パターンとの配列関係を示す線図、 第９図は同じくその磁気センサの結線方法を示す線図、 第１０図は磁気センサの結線方法の他の例を示・す線図
、 第１１図は傾斜角度と出力電圧との関係を説明１−るた
めに磁気センサと、磁化パターンとの配列関係を示す線
図、 第１２図および第１３図は傾斜角度および位相差と出力
電圧との関係を示すグラフ、 第１４図は磁気センサと磁化パターンとを相対的に所望
の角度だけ傾斜させながら組立てをイｊ′なう製造装置
を示す平面図、 第１５＠ｔｔ−１同じくその線図的断面図である。 ・Ｒａ１＋　Ｒａｓ　＋　Ｒｂｘ　ｖ　Ｒｂｇ　ｌ　Ｒ
Ｃｌ　ｙ　Ｒ０２ｔ　Ｒｄｌｔ　Ｒｄｚ　”’磁気抵抗
素子 ＩＮＳ、ＩＮＳ　ｌＮ５２・・・絶縁層１ Ｓ・・・共通基板　ａ、　、　Ｃ２・・・導体Ｅ・・・
電源 ＤＥＦ、ＤＥＦ　ＤＥＦＢ・・・差動増幅器Ｉ Ｍ・・・磁化パターン記録媒体 特許出願人　株式会社コバル 代理人弁理士　杉　村　暁　力 量　弁理士　杉　村　興　作 第３図 第４図 第５図 第９図 Ａオ目出力　Ｂ才目出力 ４才目出力　Ｂオ目出力 φａ塗斗角（θ） 第１３図 ４カ瓦を目り１（９２） 傾塗斗角（θン

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｌ　それぞれ絶縁膜を挟んで積層した少なくとも２層の
   磁気抵抗素子を具え、これら磁気抵抗素子を互いに反対
   方向に磁気バイアスした少なくとも２組の磁気センサを
   共通の基板上に変位方向とほぼ直交する方向に配列して
   装着し、この配列方向と磁化パターンとを、−変位方向
   と直交する方向において相対的に傾斜させてこれら磁気
   センサが磁化パターンに対してほぼ１８０°の位相差を
   有するように配置し、前記少なくとも２組の磁気センサ
   をノイズ磁界が相殺されて磁化パターンによる出力信号
   のみが得られるようにブリッジ結合したことを特徴とす
   る変位量検出器。