JPS60151932A - ビ−ムインデツクス型カラ−陰極線管のマスクパタ−ン製造方法 - Google Patents
ビ−ムインデツクス型カラ−陰極線管のマスクパタ−ン製造方法Info
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- JPS60151932A JPS60151932A JP889084A JP889084A JPS60151932A JP S60151932 A JPS60151932 A JP S60151932A JP 889084 A JP889084 A JP 889084A JP 889084 A JP889084 A JP 889084A JP S60151932 A JPS60151932 A JP S60151932A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2271—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines by photographic processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本劣明はビームインデ噌りス型カラー陰極線管のマスク
パターン製造方法に関する。
パターン製造方法に関する。
(ロ)従来技術
まず1本兄明の説明荀分りやすくするため(二。
7シヤドウマスク型陰極線管の露光方法ζ;ついて。
説明する。尚、このことは、特公昭57−18659号
公報にも従来技術として記載さオtている。
公報にも従来技術として記載さオtている。
第1図はシャドウマスク型の露光装置であり、(11は
パネル、(21はシャドウマスク、(3)は光源(4)
からの光の軌道を電子ビームの軌道に二近似さセるため
の補正レンズ、(5)は中心と周辺の光量を調整する調
光フィルタ、 (4tf4’lは他の2色の螢光体を露
光する時の光源の位置を表わしている。第2図は、シャ
ドウマスク型陰極線當の一部の断面図であり。
パネル、(21はシャドウマスク、(3)は光源(4)
からの光の軌道を電子ビームの軌道に二近似さセるため
の補正レンズ、(5)は中心と周辺の光量を調整する調
光フィルタ、 (4tf4’lは他の2色の螢光体を露
光する時の光源の位置を表わしている。第2図は、シャ
ドウマスク型陰極線當の一部の断面図であり。
fblfylir)i、j:3本の電子ビーム、(2a
)はシャドウマスク(2)に設けられ磁子ビーム(b)
(ハirlが通過する孔、 1ll(HGHBIは孔(
2a )i通過した電子ビーム1blfyHr1.を二
対応する色の原色螢光体、(7)はプラークストライプ
である。そして、 #3iJ記第1図の露光装置は、第
2図の磁子ビーム1blly)(rlと、光源(布41
(47からの光の軌道を、近似させて螢光面を露光する
ものである。すなわち、3本の電子ビームの(至)向中
心≦二対応する位置に夫々設置された光源(4)からの
光は、電子ビーム軌道と近似させるための補正しンズ(
3)及び調光フィルタ(51及びシャドウマスク(2)
の孔(2a)を介してパネル(11の内面の所定の位置
を照らし、その部分を露光する。
)はシャドウマスク(2)に設けられ磁子ビーム(b)
(ハirlが通過する孔、 1ll(HGHBIは孔(
2a )i通過した電子ビーム1blfyHr1.を二
対応する色の原色螢光体、(7)はプラークストライプ
である。そして、 #3iJ記第1図の露光装置は、第
2図の磁子ビーム1blly)(rlと、光源(布41
(47からの光の軌道を、近似させて螢光面を露光する
ものである。すなわち、3本の電子ビームの(至)向中
心≦二対応する位置に夫々設置された光源(4)からの
光は、電子ビーム軌道と近似させるための補正しンズ(
3)及び調光フィルタ(51及びシャドウマスク(2)
の孔(2a)を介してパネル(11の内面の所定の位置
を照らし、その部分を露光する。
このように、シャドウマスク型陰極線管の場合は、シャ
ドウマスク(2)の1つの孔(2a)を3本の電子ビー
ムfbl(a)lrlが通過した後に、この電子ビーム
が夫々に対応した螢光体(B)fc+l fRlに面画
して色再生がイテなわR7J。そし℃、パネル(1)の
内面の螢光面も、成子ビームに対比、する露)シ用の光
が、シャドウマスク(2)の孔(2a)を介して照らし
た部分を総光することにより形成される。このようじシ
ャドIクマスク(2)は螢光面tU)“Cするためのマ
スクパターンとしても使用されるため、パネル(1)と
シャドウマスク(21はβる一定の11隔だけ離さnて
設置されている。
ドウマスク(2)の1つの孔(2a)を3本の電子ビー
ムfbl(a)lrlが通過した後に、この電子ビーム
が夫々に対応した螢光体(B)fc+l fRlに面画
して色再生がイテなわR7J。そし℃、パネル(1)の
内面の螢光面も、成子ビームに対比、する露)シ用の光
が、シャドウマスク(2)の孔(2a)を介して照らし
た部分を総光することにより形成される。このようじシ
ャドIクマスク(2)は螢光面tU)“Cするためのマ
スクパターンとしても使用されるため、パネル(1)と
シャドウマスク(21はβる一定の11隔だけ離さnて
設置されている。
ところで、第6図乃至第5図(二示すようなビームイン
デ叩りス型陰極線せでは、単−手続(8)より放射さr
した一本の電子ビーム(9)が螢光面の3原色螢元体f
R11()l (Bl k励起すると共にインチ9クス
螢光体f11も励起する。そして、このインデ雫りス螢
光体tI)からの光ntNは光検出器(1,1)Cより
元電笈換された後≦ニインデックス処理回路(121に
入力される。インデ噌りス処理回路(121では1元検
出器圓からの信号により1電子ビーム(91の掃引位置
を検出し、電子銃(8)C二供給する色信号を切り換え
ている。このように、ビームインデ・ψクス型陰極線當
C二於いては、単・成子ビーム(9)により色再生を行
な・】ているので、シャドウマスクが必要ではい。尚、
第4因及び第5図に於いて、 (1:(iは水l容性有
機物實、141はメタルバ噌り膜である。
デ叩りス型陰極線せでは、単−手続(8)より放射さr
した一本の電子ビーム(9)が螢光面の3原色螢元体f
R11()l (Bl k励起すると共にインチ9クス
螢光体f11も励起する。そして、このインデ雫りス螢
光体tI)からの光ntNは光検出器(1,1)Cより
元電笈換された後≦ニインデックス処理回路(121に
入力される。インデ噌りス処理回路(121では1元検
出器圓からの信号により1電子ビーム(91の掃引位置
を検出し、電子銃(8)C二供給する色信号を切り換え
ている。このように、ビームインデ・ψクス型陰極線當
C二於いては、単・成子ビーム(9)により色再生を行
な・】ているので、シャドウマスクが必要ではい。尚、
第4因及び第5図に於いて、 (1:(iは水l容性有
機物實、141はメタルバ噌り膜である。
ところで、螢光111i3(f:精度よく露光形成する
ためと二は、パネル内面とマスクパタンの間隔は小さい
方が艮い。このことを第6図及び第7図1c番照しつつ
説明する。ある有効な径をもった光源(4)からの光を
マスクパターン(2謄介してパネル内面i:照射して一
元する場合、第6図(二示すよう(二、ツクネル内面と
マスクパターンX2fとの曲に距離があると。
ためと二は、パネル内面とマスクパタンの間隔は小さい
方が艮い。このことを第6図及び第7図1c番照しつつ
説明する。ある有効な径をもった光源(4)からの光を
マスクパターン(2謄介してパネル内面i:照射して一
元する場合、第6図(二示すよう(二、ツクネル内面と
マスクパターンX2fとの曲に距離があると。
パネル内面の真影部(F−G)と半影部(E−F。
G−H)で光強度の差が生じる。尚、第6図第7図(=
於いて+Diは露光量の分布状態をボすものである。こ
のため半影部(E−F、G−H)での螢光体の形成が直
値(:出来ない。一方第7図に示すようC、パネル内面
とマスクパターン(21と〕間1fM’に小さくすると
、半影部が生じることがなく螢光体を精度よく形成でき
る。
於いて+Diは露光量の分布状態をボすものである。こ
のため半影部(E−F、G−H)での螢光体の形成が直
値(:出来ない。一方第7図に示すようC、パネル内面
とマスクパターン(21と〕間1fM’に小さくすると
、半影部が生じることがなく螢光体を精度よく形成でき
る。
以上のことより、インデ曜りス型陰甑線管に於いて、パ
ネル内面とマスクパターンを密、温させて露光全行Iχ
えば、精度良い螢iH面を得ることが出来ることが分る
。このため、パネル内面とマスクパターンを近接して露
光する方法(以丁この方法tプロキシミテイ方l丑と迩
す。)が考えられるが。
ネル内面とマスクパターンを密、温させて露光全行Iχ
えば、精度良い螢iH面を得ることが出来ることが分る
。このため、パネル内面とマスクパターンを近接して露
光する方法(以丁この方法tプロキシミテイ方l丑と迩
す。)が考えられるが。
この方法では、パネル内面とマスクパターンの間隔f
H7i ;fJ +ニ一定としなくてはなしない。この
ため。
H7i ;fJ +ニ一定としなくてはなしない。この
ため。
マスクパターンとパネル内面の形状が一致していな(て
tよ7.Cらな刀1りた。
tよ7.Cらな刀1りた。
し→ 発明の目的
本発明は上記の点C二Mfi 4−(なさλtたもので
あり。
あり。
パネル内面とマスクパターンの114隔を一足にするこ
とが口■能なビームインデ〜クス型カラーr倉(血線管
のマスクパターン製造方法r提供すること金目的とする
。
とが口■能なビームインデ〜クス型カラーr倉(血線管
のマスクパターン製造方法r提供すること金目的とする
。
日 発明の構成
本光明は、パネル内面と同一曲率の而tもつ1181金
型と、押型金型の面と半行な【ωをもつ胴型彼型によっ
て成型することt′浴凛と゛づ−るビーム・fンデイグ
ス型カラー陰極線管のマスクパターン製造方l去°であ
る。
型と、押型金型の面と半行な【ωをもつ胴型彼型によっ
て成型することt′浴凛と゛づ−るビーム・fンデイグ
ス型カラー陰極線管のマスクパターン製造方l去°であ
る。
泳j 冥 h也 列
本釦明によるビーム・fンfヅクス型陰極、体篩ど説明
する。第8図は、パ冬ル(11社成、杉し℃いる金型の
ようすr示すもので、 Ili司型U扮【二硲解したガ
ラスを注入し、押型151とj飼型匡6)でパイ・ルi
llを成形する。ところで、この押型の押面(15a)
のうち外 パネル内面の有効1而CL饋(記9図参照〕4の四隅に
対応する部分(二、凹部(図ボセr)を設けて、パ □
ネル目付C二突出部1i81を形成している(第9図参
照)。以下この突出部(L81t−プロキシミティマー
力と称す。このブロキシミ1イーマーカ化は=蛍>’t
、面蕗光露光、マスクパターンと当接して、マスクパタ
ーン監二よって有効画面内に望1下された螢光体が損傷
すく)のを防止している。ところで、第8図のよう響阿
Jy、稈1L、たパネルi11の内面の曲率は当然押型
(L5)の曲率と同一である。そこで、肌10図(二示
すように、押型(15)と同一曲率の面?持つ押4(ν
位型囚と、押収用2(1)の面を反転した曲、率の面全
持つ胴型金型シ旧二よ−て、パネル(1)の仁1料と1
占1じガラスケ熔解して成ジしたマ・スフパターン祠+
2′fを要運する。
する。第8図は、パ冬ル(11社成、杉し℃いる金型の
ようすr示すもので、 Ili司型U扮【二硲解したガ
ラスを注入し、押型151とj飼型匡6)でパイ・ルi
llを成形する。ところで、この押型の押面(15a)
のうち外 パネル内面の有効1而CL饋(記9図参照〕4の四隅に
対応する部分(二、凹部(図ボセr)を設けて、パ □
ネル目付C二突出部1i81を形成している(第9図参
照)。以下この突出部(L81t−プロキシミティマー
力と称す。このブロキシミ1イーマーカ化は=蛍>’t
、面蕗光露光、マスクパターンと当接して、マスクパタ
ーン監二よって有効画面内に望1下された螢光体が損傷
すく)のを防止している。ところで、第8図のよう響阿
Jy、稈1L、たパネルi11の内面の曲率は当然押型
(L5)の曲率と同一である。そこで、肌10図(二示
すように、押型(15)と同一曲率の面?持つ押4(ν
位型囚と、押収用2(1)の面を反転した曲、率の面全
持つ胴型金型シ旧二よ−て、パネル(1)の仁1料と1
占1じガラスケ熔解して成ジしたマ・スフパターン祠+
2′fを要運する。
このマスクパターン!A12)&’l当然、ノζネル内
面と同一形状である。又−押4!Vl f2tllは押
型15+−二比I<押面ば小さく出来ている。このため
−このマスクツくターン材(21によりイ′1:成され
たマスクパターン材2)であれは%然パネル(11の形
状が球面であろうが、ノーネルの長軸側と短軸側の曲率
が異なる非+Ji面でろ・5つと、パネル内面と正確(
二車性(:設置することが61能となり、螢光体の露光
の小旧賃が向上1−る。尚。
面と同一形状である。又−押4!Vl f2tllは押
型15+−二比I<押面ば小さく出来ている。このため
−このマスクツくターン材(21によりイ′1:成され
たマスクパターン材2)であれは%然パネル(11の形
状が球面であろうが、ノーネルの長軸側と短軸側の曲率
が異なる非+Ji面でろ・5つと、パネル内面と正確(
二車性(:設置することが61能となり、螢光体の露光
の小旧賃が向上1−る。尚。
本実施例ではマスクパターン祠(2)4ニガラスで成型
したが、例えばパネル(11の梠料と;整j膨張率が同
一な遜明1iト1脂で成型【、でもよい。え、マスクツ
ーターン材C:所望のパターンを描画する方法としては
。
したが、例えばパネル(11の梠料と;整j膨張率が同
一な遜明1iト1脂で成型【、でもよい。え、マスクツ
ーターン材C:所望のパターンを描画する方法としては
。
レーザー加工法、エ一チング法或いは電着性でも良い。
尚、第11図区二所望のパターンが描口…さ几たマスク
パターン(2謄示す。第10図に於いてのは光通過部分
、ルはパネル側(二設けられた不透明膜部分である。
パターン(2謄示す。第10図に於いてのは光通過部分
、ルはパネル側(二設けられた不透明膜部分である。
次(=露光1二ついて述べる。通゛帛ブラ噌りストライ
プと称せられる3u吸収性細条が形成されたパネル【二
螢元体とフォトレジスト2混合して懸濁したスラリーを
回転墜布等響二より皇イ1デし、乾燥する。
プと称せられる3u吸収性細条が形成されたパネル【二
螢元体とフォトレジスト2混合して懸濁したスラリーを
回転墜布等響二より皇イ1デし、乾燥する。
そして、第12図1al l二示すようC:まず、マス
クパターン(2鐘上下に駆動可能なZ方向ステージcl
!但二設置する。そして、X方向、Y方向(X、Zと垂
直方向)−〇方向(回転方向)に駆動=1能なXYo方
同ステージ(251ζ:パネル(11を設置する。次に
パネル(11とマスクパターン(2)の位置合わせ會ア
ライメントマーカ等C二よりXAYθ方向ステージCか
全駆動して行う。尚、アライメントマーカーとしてプロ
キシミティマーカ(L81ヲ使用してもよい。そして、
この後、2方向ステージt24+ ’にパネル(11方
向に移動してパネル内面のうち螢光体u61が墜布さn
た有効画面の外に設けらnたプロキシミティマーカ酩と
マスクパターン(21を接触させ、パネル内面とマスク
パターン(21の間隔(例えば20μm〜100μm)
を一定に保つ(第12図1al参照)。そしてその後F
A12図(c)に示すようCニジ%’wター機構(図示
せず)等C二より螢う“6面(二紫外線(271=を照
射して一定時曲露光する。その後1品水スプレー等で未
4光iiU分を現1象処理すると螢光体ストライプパタ
ーンがパネル内面に形成される。以上のような(413
調tニフロチャートで示す)工程を例えば緑。
クパターン(2鐘上下に駆動可能なZ方向ステージcl
!但二設置する。そして、X方向、Y方向(X、Zと垂
直方向)−〇方向(回転方向)に駆動=1能なXYo方
同ステージ(251ζ:パネル(11を設置する。次に
パネル(11とマスクパターン(2)の位置合わせ會ア
ライメントマーカ等C二よりXAYθ方向ステージCか
全駆動して行う。尚、アライメントマーカーとしてプロ
キシミティマーカ(L81ヲ使用してもよい。そして、
この後、2方向ステージt24+ ’にパネル(11方
向に移動してパネル内面のうち螢光体u61が墜布さn
た有効画面の外に設けらnたプロキシミティマーカ酩と
マスクパターン(21を接触させ、パネル内面とマスク
パターン(21の間隔(例えば20μm〜100μm)
を一定に保つ(第12図1al参照)。そしてその後F
A12図(c)に示すようCニジ%’wター機構(図示
せず)等C二より螢う“6面(二紫外線(271=を照
射して一定時曲露光する。その後1品水スプレー等で未
4光iiU分を現1象処理すると螢光体ストライプパタ
ーンがパネル内面に形成される。以上のような(413
調tニフロチャートで示す)工程を例えば緑。
爵、赤という順序で、且つその度に、XYθ方向ステー
ジ125) f X方向(二移動した所(二設置して、
露光及び現1逮全行なえば3原色螢光体ストライプが一
4又のマスクパターン(2)で形成出来る。その後。
ジ125) f X方向(二移動した所(二設置して、
露光及び現1逮全行なえば3原色螢光体ストライプが一
4又のマスクパターン(2)で形成出来る。その後。
パネル(11の内面に水溶性有機′jお質を塗布しさら
にこの上にアルミニウム等の光反射性金属換(メタルノ
ぞ・・り膜)勿詠石等の方法C二よって形成する。
にこの上にアルミニウム等の光反射性金属換(メタルノ
ぞ・・り膜)勿詠石等の方法C二よって形成する。
セして−ピームインデヴクス型陰、画線前特有のインデ
ックス螢光体とフォトレジストからなるスラリーヲ三原
色螢)を体ストライプと同様に、塗布。
ックス螢光体とフォトレジストからなるスラリーヲ三原
色螢)を体ストライプと同様に、塗布。
乾燥して所定のマスクパターンを介して露光、現像全す
れば、インデックス型陰極線管の螢光而が形成出来る。
れば、インデックス型陰極線管の螢光而が形成出来る。
尚1本実施例に於いては、プロキシミティマー力をパネ
ル内面(二設けたが、例えばマスクパターンのパネル側
(二設けてもよい。又1本実施例に於いては、マスクパ
ターン材を3原色螢光体ストライブの露光用として用い
たが2例えばプラ噌りストライプ露光用のパターンを描
画す2Lばブラヴクストライプの露光にも使用出来る。
ル内面(二設けたが、例えばマスクパターンのパネル側
(二設けてもよい。又1本実施例に於いては、マスクパ
ターン材を3原色螢光体ストライブの露光用として用い
たが2例えばプラ噌りストライプ露光用のパターンを描
画す2Lばブラヴクストライプの露光にも使用出来る。
又、インデックス螢光体の露光C二ついても同様である
。又、蛍光体露光用のマスクパターンを赤、肖、経用に
3つ用意してもよい。
。又、蛍光体露光用のマスクパターンを赤、肖、経用に
3つ用意してもよい。
N 発明の効果
上記の如く本発明では、パネル内面と同一曲率の面をも
つ押型金型と、押型金型の面と平行な而をもつ胴型金型
によってマスクパターンを成型しているので、パネル内
面とマスクパターンを正確に二平行C二設置することが
出来有用である。
つ押型金型と、押型金型の面と平行な而をもつ胴型金型
によってマスクパターンを成型しているので、パネル内
面とマスクパターンを正確に二平行C二設置することが
出来有用である。
第1図乃至第7図は従来技術に係v、m1図はシャドウ
マスク型カラー陰極線管用の露光装置の図、第2図はシ
ャドウマスク型カラー隘極り管の螢光面部分の拡大曲面
図、第3図はビームインデ〜クス型カラー受1家ムの動
作を説明するための図。 第4図はビームインデヴクス型カラー陰極線管の螢光面
部分の拡大断面図、第5図は第4図の一部拡大図、第6
図及び第7図は露先方法の違い監=よる螢光面の違いを
説明するだめの凶である。第8図乃至第16凶は本発明
の一実施例に係り、第8図Vまパネル成型を説明するた
めの図、第9図はパネルを示す図、 第10dはマスク
パターン材の成型を説明するための図、第11図はマス
クパターンτ表わ1図、第12図及び第13図は露光工
程を説明rるための図である。 (1)・・・パネル、12H2+・・パンスクパターン
、+201・・・押型並型−1,!D・・・胴帯金型。 出願人 圧洋電機株式会社 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第1灰1 第2図 第3図 第4図 第6図 第8図 第9図 (b) 第6図 第7図 エ」 手 続 補 正 書(自発) 昭和59年6゛βj(’6日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第8890 号 2、発明の名称 ビームインデックス型カラー陰極線管
のマスクパターン製造方法 ろ、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (188)三洋電機株式会社 4、代 理 人 住所 守口市京阪本通2丁目18番地 連絡先:電話(東京) 835−1111特rrセンタ
ー駐在中川5、捕旧の対象 明細箸の「特許請求の範囲」の1及び1−発明の詳細な
説明」の欄。 6、補正の内容 (1)特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 (2)明細書第6ページ6行目の1−4子ビームtbl
tal(rl Jを「電子ビームtblfgllrl
Jと訂正rる。 (3)明縄暑第6ページ3行目乃至同ページ7行目の記
載をL記の如く補正rる。 記 [本発明は、パネル内面と略同−曲率の曲をもつ胴型金
型と、このII+4型欣型の面と平行2面をもつ押型側
]こよって成型することを特徴とTるビームインデック
ス型カラー陰極線管のマスクパタ〜ン製造方法である。 」 (4)明細書第7ページ5行目乃至同ページ1行目の記
載をL記の如く補正「る。 記 「(廁の押11Ii(15a)の曲率と同一である。そ
こで第10図に示すように、第8図の押面(15a)と
略同−曲率の而(21a)を持つ桐型遮型しDと、この
而(21a)と同心の平行な+1i(20りを侍つ押型
位型□□□によって、パネル(1)の材料と同じ力゛ラ
スを熔」(5) 明、1ml計第7ペー914行目の1
11に平行1(設置することが」を[正11ffiに設
置fることか]と訂正[る。 (6)男イill訃、第10ページ14行目乃至同ペー
ジ18行−の記載をL記の如く補正する。 記 1− L記の・ノロ(本発明では、パネル内面と略同−
曲率のoliをもつ嗣型金型と、この嗣型金型の面と平
tr /J: l田をもつ押型ζI2型にまってンスク
ノマターン、を成型しているので、パネル内面と1スク
tzaターンを正確に設置4−ることが出来1イ用であ
る。」以り 特許請求の範囲 [(1) パネル内面に近接又は奇骨したマスクパター
ンを介して露光用光源からの光を11J記パネル内面に
照射することにより螢光面を形成するビームインデック
ス型カラー陰極i泉αのンスクパターン製造方法に於い
て、前記パネル内面と略同−曲率特徴とするビームイン
デックス盾カラー1;λ極線庁のンスクパターン製造方
法。」
マスク型カラー陰極線管用の露光装置の図、第2図はシ
ャドウマスク型カラー隘極り管の螢光面部分の拡大曲面
図、第3図はビームインデ〜クス型カラー受1家ムの動
作を説明するための図。 第4図はビームインデヴクス型カラー陰極線管の螢光面
部分の拡大断面図、第5図は第4図の一部拡大図、第6
図及び第7図は露先方法の違い監=よる螢光面の違いを
説明するだめの凶である。第8図乃至第16凶は本発明
の一実施例に係り、第8図Vまパネル成型を説明するた
めの図、第9図はパネルを示す図、 第10dはマスク
パターン材の成型を説明するための図、第11図はマス
クパターンτ表わ1図、第12図及び第13図は露光工
程を説明rるための図である。 (1)・・・パネル、12H2+・・パンスクパターン
、+201・・・押型並型−1,!D・・・胴帯金型。 出願人 圧洋電機株式会社 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第1灰1 第2図 第3図 第4図 第6図 第8図 第9図 (b) 第6図 第7図 エ」 手 続 補 正 書(自発) 昭和59年6゛βj(’6日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第8890 号 2、発明の名称 ビームインデックス型カラー陰極線管
のマスクパターン製造方法 ろ、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (188)三洋電機株式会社 4、代 理 人 住所 守口市京阪本通2丁目18番地 連絡先:電話(東京) 835−1111特rrセンタ
ー駐在中川5、捕旧の対象 明細箸の「特許請求の範囲」の1及び1−発明の詳細な
説明」の欄。 6、補正の内容 (1)特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 (2)明細書第6ページ6行目の1−4子ビームtbl
tal(rl Jを「電子ビームtblfgllrl
Jと訂正rる。 (3)明縄暑第6ページ3行目乃至同ページ7行目の記
載をL記の如く補正rる。 記 [本発明は、パネル内面と略同−曲率の曲をもつ胴型金
型と、このII+4型欣型の面と平行2面をもつ押型側
]こよって成型することを特徴とTるビームインデック
ス型カラー陰極線管のマスクパタ〜ン製造方法である。 」 (4)明細書第7ページ5行目乃至同ページ1行目の記
載をL記の如く補正「る。 記 「(廁の押11Ii(15a)の曲率と同一である。そ
こで第10図に示すように、第8図の押面(15a)と
略同−曲率の而(21a)を持つ桐型遮型しDと、この
而(21a)と同心の平行な+1i(20りを侍つ押型
位型□□□によって、パネル(1)の材料と同じ力゛ラ
スを熔」(5) 明、1ml計第7ペー914行目の1
11に平行1(設置することが」を[正11ffiに設
置fることか]と訂正[る。 (6)男イill訃、第10ページ14行目乃至同ペー
ジ18行−の記載をL記の如く補正する。 記 1− L記の・ノロ(本発明では、パネル内面と略同−
曲率のoliをもつ嗣型金型と、この嗣型金型の面と平
tr /J: l田をもつ押型ζI2型にまってンスク
ノマターン、を成型しているので、パネル内面と1スク
tzaターンを正確に設置4−ることが出来1イ用であ
る。」以り 特許請求の範囲 [(1) パネル内面に近接又は奇骨したマスクパター
ンを介して露光用光源からの光を11J記パネル内面に
照射することにより螢光面を形成するビームインデック
ス型カラー陰極i泉αのンスクパターン製造方法に於い
て、前記パネル内面と略同−曲率特徴とするビームイン
デックス盾カラー1;λ極線庁のンスクパターン製造方
法。」
Claims (1)
- (11ハネル内面に近接又は密看したマスクパターンを
介して露)を用元源からの元を前記パネル内面C二照射
すること(二より螢光面葡形成するビームインデヴクス
型カラー陰極線管のマスクパターン製造方法に於いて、
前記パネル内面と同一曲率の面をもつ押型囲壁と、前記
押型金型の前記面と平行な面をもつ胴壁金型によって成
型することを特徴とするビームインデ噌りス型カラー陰
極線管のマスクパターン製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP889084A JPS60151932A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | ビ−ムインデツクス型カラ−陰極線管のマスクパタ−ン製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP889084A JPS60151932A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | ビ−ムインデツクス型カラ−陰極線管のマスクパタ−ン製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60151932A true JPS60151932A (ja) | 1985-08-10 |
Family
ID=11705268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP889084A Pending JPS60151932A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | ビ−ムインデツクス型カラ−陰極線管のマスクパタ−ン製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60151932A (ja) |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP889084A patent/JPS60151932A/ja active Pending
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