JPS60154430A - 酸化物陰極 - Google Patents
酸化物陰極Info
- Publication number
- JPS60154430A JPS60154430A JP59266515A JP26651584A JPS60154430A JP S60154430 A JPS60154430 A JP S60154430A JP 59266515 A JP59266515 A JP 59266515A JP 26651584 A JP26651584 A JP 26651584A JP S60154430 A JPS60154430 A JP S60154430A
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- JP
- Japan
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- titanium
- oxide
- layer
- aluminum oxide
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
- H01J1/26—Supports for the emissive material
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、少なくとも実質的にチタニウムより成るベー
スとこのベースを加熱する酸化アルミニウム被覆ヒータ
素子とを有し、アルカリ土類金属酸化物を有する多孔性
層が前記ベース上に設けられた酸化物陰極に関するもの
である。
スとこのベースを加熱する酸化アルミニウム被覆ヒータ
素子とを有し、アルカリ土類金属酸化物を有する多孔性
層が前記ベース上に設けられた酸化物陰極に関するもの
である。
このような酸化物陰極は、出願公開された欧州特許出願
第００５９４９１号より知られている。
第００５９４９１号より知られている。
この欧州特許出願には、多くの場合酸化アルミニウムが
ヒータ素子とベース間の電気絶縁のために用いられるが
、酸化アルミニウムはチタニウムと接触すると化学的に
安定でなくこの結果陰極の寿命中に絶縁問題が起きるこ
とがあるということが述べられている。安定およびその
他の熱的ならびに電気的特性からすれば、酸化ベリリウ
ムが極めて適当な絶縁物である。けれどもその欠点は、
非常に毒性があるということである。別の適当な絶縁物
は酸化イツトリウムであるが、これをタングステンヒー
タ電子上に設けることは酸化アルミニウムよりも遥かに
鑓かしい。
ヒータ素子とベース間の電気絶縁のために用いられるが
、酸化アルミニウムはチタニウムと接触すると化学的に
安定でなくこの結果陰極の寿命中に絶縁問題が起きるこ
とがあるということが述べられている。安定およびその
他の熱的ならびに電気的特性からすれば、酸化ベリリウ
ムが極めて適当な絶縁物である。けれどもその欠点は、
非常に毒性があるということである。別の適当な絶縁物
は酸化イツトリウムであるが、これをタングステンヒー
タ電子上に設けることは酸化アルミニウムよりも遥かに
鑓かしい。
、本発明は、酸化アルミニウムがチタニウムと反応する
ことのない、少なくとも実質的にチタニウムより成るベ
ースと酸化アルミニウム被覆ヒータ素子とを有する酸化
物陰極を供することを目的とする。
ことのない、少なくとも実質的にチタニウムより成るベ
ースと酸化アルミニウム被覆ヒータ素子とを有する酸化
物陰極を供することを目的とする。
オランダ国特許第１５８，０１８号明細書には、酸化ア
ルミニウム被覆ヒータ素子と、少なくともこのヒータ素
子に面する側がモリブデンより成るベースとを有する間
接加熱陰極が開示されている。
ルミニウム被覆ヒータ素子と、少なくともこのヒータ素
子に面する側がモリブデンより成るベースとを有する間
接加熱陰極が開示されている。
特にベースとヒータ素子間に４００ｖ以上の電位差が生
じた時にモリブデンが酸化アルミニウム内に拡、散して
絶縁問題が起きるのを防ぐために、ベースはヒータ素子
に対して正にされ、白金群の金属の少なくとも１つの少
なくとも３μｍｌｌの層がベースのモリブデン上に設け
られている。けれども、このオランダ国特許は、チタニ
ウムベースに関するものではないというだけでなく、そ
の解決も全く別の問題即ち酸化アルミニウム内へのモリ
ブデンの拡散に対してなされたものである。
じた時にモリブデンが酸化アルミニウム内に拡、散して
絶縁問題が起きるのを防ぐために、ベースはヒータ素子
に対して正にされ、白金群の金属の少なくとも１つの少
なくとも３μｍｌｌの層がベースのモリブデン上に設け
られている。けれども、このオランダ国特許は、チタニ
ウムベースに関するものではないというだけでなく、そ
の解決も全く別の問題即ち酸化アルミニウム内へのモリ
ブデンの拡散に対してなされたものである。
本発明は、少なくとも実質的にチタニウムより、成るベ
ースと、このベースを加熱する酸化アルミニウム被覆ヒ
ータ素子と、前記ベース」二のアルカリ土類金属酸化物
の多孔性放射層とを有する酸化物′電極において、ヒー
タ素子と対向するベース面を金属Ｐｔ 、 Ｎｏ 、
ＴａおよびＷの少なくとも１つより成る金属層で被覆す
るようにしたものである。
ースと、このベースを加熱する酸化アルミニウム被覆ヒ
ータ素子と、前記ベース」二のアルカリ土類金属酸化物
の多孔性放射層とを有する酸化物′電極において、ヒー
タ素子と対向するベース面を金属Ｐｔ 、 Ｎｏ 、
ＴａおよびＷの少なくとも１つより成る金属層で被覆す
るようにしたものである。
本発明は、チタニウムは酸化アルミニウムと接触すると
化学的に安定でないという点でチタニウム陰極に生じる
問題を解決したものである。８００℃またはそれ以上の
代りに７００℃の比較的低いチタニウム陰極の作動温度
では、高温度では絶縁問題を生じるかも知れないモリブ
デンは、酸化Ｙルミニウムとチタニウム間の金属層とし
ての役をするのに適している。金属をチタニウムベース
と酸化アルミニウム間の中間層として用いる利点は、例
えばスパッタリングによる蒸着または電気メツヤ、簡単
に設けるユと力＜−Ｃきるという。と、ある。 （前記
の金属は酸化アルミニウム（ＡＪ、Ｏ，ｌに対して安定
であり、したがって酸化アルミニウムフイラメン、トの
絶縁の低下を阻止するためのチタニウ、ムとフィラメン
ト間のスペーサとして適しているｄ普通はスリーブ状で
ある陰極ベースのチタニウム内への金属の拡散は、寿命
を考えると、一方においてはチタニウムとアルカリ土類
金属酸化物間の放射を減少するバリヤ層を生じ、また他
方においてはチタニウムとフィラメント絶縁物間のスペ
ーサ層の消失を生じるかも知れない。チタニウム内への
タングステンの低い拡散率のために、タングステンを金
属層に用いるのが特に好ましい。金属層はチタニウム陰
極の内側に化学蒸着（ＯＶＤＩによって簡単に設けるこ
とができる。このＯＶＤ被愼の別の利点は、略々１０μ
ｍの比較的大きな層厚迄、加熱による膨張差（チタニウ
ムとタングステン間）による何等の有害な影慟が認めら
れないということである。得られた、多少とも多孔性の
付着層は、この膨張差を相殺するのに十分に可撓性なの
で、剥離が防がれる。この構造の利点は勿論タングステ
ンに限られるものでないことに留慈すべきである。
化学的に安定でないという点でチタニウム陰極に生じる
問題を解決したものである。８００℃またはそれ以上の
代りに７００℃の比較的低いチタニウム陰極の作動温度
では、高温度では絶縁問題を生じるかも知れないモリブ
デンは、酸化Ｙルミニウムとチタニウム間の金属層とし
ての役をするのに適している。金属をチタニウムベース
と酸化アルミニウム間の中間層として用いる利点は、例
えばスパッタリングによる蒸着または電気メツヤ、簡単
に設けるユと力＜−Ｃきるという。と、ある。 （前記
の金属は酸化アルミニウム（ＡＪ、Ｏ，ｌに対して安定
であり、したがって酸化アルミニウムフイラメン、トの
絶縁の低下を阻止するためのチタニウ、ムとフィラメン
ト間のスペーサとして適しているｄ普通はスリーブ状で
ある陰極ベースのチタニウム内への金属の拡散は、寿命
を考えると、一方においてはチタニウムとアルカリ土類
金属酸化物間の放射を減少するバリヤ層を生じ、また他
方においてはチタニウムとフィラメント絶縁物間のスペ
ーサ層の消失を生じるかも知れない。チタニウム内への
タングステンの低い拡散率のために、タングステンを金
属層に用いるのが特に好ましい。金属層はチタニウム陰
極の内側に化学蒸着（ＯＶＤＩによって簡単に設けるこ
とができる。このＯＶＤ被愼の別の利点は、略々１０μ
ｍの比較的大きな層厚迄、加熱による膨張差（チタニウ
ムとタングステン間）による何等の有害な影慟が認めら
れないということである。得られた、多少とも多孔性の
付着層は、この膨張差を相殺するのに十分に可撓性なの
で、剥離が防がれる。この構造の利点は勿論タングステ
ンに限られるものでないことに留慈すべきである。
前に述べたように、このような金属層を有する、あらゆ
る陰極を得ることが可能である。別のやり方は、Ｐｔ
、 Ｔａ 、 ＮｏおよびＷのうちの１つの金属または
その２つ若しくはそれ以上の金属の合金の層で被覆され
たチタニウムのシート材ヨリベースをつくることである
。例えば、このシート材から深絞りによってカップ状の
ベースをつくることが可能である。けれども、チタニウ
ムのカップ状ベースの内側をＯＶＤによって被覆するこ
とも可能であり、この結果として傷のつく可能性が少な
くなる。１から１０μｍの厚さを有する金属層が特に好
ましいことがわかった。
る陰極を得ることが可能である。別のやり方は、Ｐｔ
、 Ｔａ 、 ＮｏおよびＷのうちの１つの金属または
その２つ若しくはそれ以上の金属の合金の層で被覆され
たチタニウムのシート材ヨリベースをつくることである
。例えば、このシート材から深絞りによってカップ状の
ベースをつくることが可能である。けれども、チタニウ
ムのカップ状ベースの内側をＯＶＤによって被覆するこ
とも可能であり、この結果として傷のつく可能性が少な
くなる。１から１０μｍの厚さを有する金属層が特に好
ましいことがわかった。
以下に本発明を２つの実施例と添附の図面を参照して説
明する。
明する。
例 １
この陰極は、高さ２．２調で直往１．８簡のカップ状の
チタニウムベース１を有する。このカップ壁２の厚さは
４０μｍで、底の厚さは４０μｍである０ベースｌの底
の外側には、酸化バリウム（ＢａＯ１゛と酸化ストリン
チウム（ＳｒＯｌと場合によっては酸化カルシウム（Ｏ
ａＯ］より成る多孔性の放射層、が、これに対応した炭
酸塩を有する被覆をベース１の底８に施して焼成し真空
中で活性化した後にできる。酸化アルミニウム６で被覆
されたタングステンのヒータワイヤ５がカップ状のベー
ス１内に設けられる。このベースの内側には２μｍの厚
さのタングステン層７がＯＶＤによって被覆され、この
ためベースのチタニウムが酸化アルミニウムを還元する
ことがない。ベース１のチタニウム内へのタングステン
の拡散は極めて僅かなので、陰極の寿命のある間にカッ
プ状ベースｌの層４と底３の間にバリヤ層が形成される
ことはない。
チタニウムベース１を有する。このカップ壁２の厚さは
４０μｍで、底の厚さは４０μｍである０ベースｌの底
の外側には、酸化バリウム（ＢａＯ１゛と酸化ストリン
チウム（ＳｒＯｌと場合によっては酸化カルシウム（Ｏ
ａＯ］より成る多孔性の放射層、が、これに対応した炭
酸塩を有する被覆をベース１の底８に施して焼成し真空
中で活性化した後にできる。酸化アルミニウム６で被覆
されたタングステンのヒータワイヤ５がカップ状のベー
ス１内に設けられる。このベースの内側には２μｍの厚
さのタングステン層７がＯＶＤによって被覆され、この
ためベースのチタニウムが酸化アルミニウムを還元する
ことがない。ベース１のチタニウム内へのタングステン
の拡散は極めて僅かなので、陰極の寿命のある間にカッ
プ状ベースｌの層４と底３の間にバリヤ層が形成される
ことはない。
例 ２
図の陰棒のカップ状ベース１は、好ましくは電気メッキ
により５μｍの厚さのプラチナ層で被覆されたチタニウ
ムのシ「ト材からつくられる。この被覆されたシート材
からカップ状ベースを深絞りした後、放射層４と酸化ア
ルミニウム６で被覆されたヒータワイヤとを設けること
により陰極が得られる。プラチナ層はベースｌのチタニ
ウムが酸化アルミニウム６を還元するのを阻止する。
により５μｍの厚さのプラチナ層で被覆されたチタニウ
ムのシ「ト材からつくられる。この被覆されたシート材
からカップ状ベースを深絞りした後、放射層４と酸化ア
ルミニウム６で被覆されたヒータワイヤとを設けること
により陰極が得られる。プラチナ層はベースｌのチタニ
ウムが酸化アルミニウム６を還元するのを阻止する。
、４、図面の簡単な説明
図は本発明の酸化物陰極の側断面図を示す。
１・・・カップ状ベース ２・・・カップ壁３・・・底
４・・・多孔性放射層 ５・・・ヒータワイヤ ６・・・酸化アルミニウム□□
−フＺり７ オへ
４・・・多孔性放射層 ５・・・ヒータワイヤ ６・・・酸化アルミニウム□□
−フＺり７ オへ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 少なくとも実質的にチタニウムより成るベースと、
このベースを加熱する酸化アルミニウム被覆ヒータ１子
と、前記ベース上のアルカリ土類金Ｍ＃Ｉ化物の多孔性
放射層とを有する酸化物陰極において、ヒータ素子と対
向するベース面が金７７（ｐｔ 、 １０ 、 Ｔａお
よびＷの少なくとも１つより成る金属層で被着されたこ
とを特徴とする酸化物陰極。 ｉ 金属層は純タングステンより成る特許請求の範囲第
ｘＪ１ｊ記載の酸化物陰極。 ＆ 金属層は化学的な蒸着によって形成された特許請求
の範囲第１項または第２項記載の酸化物陰極。 ４ 金属層は１〜１０μｍの厚さである特許請求の範囲
第１壇、第２項または第３項記載の１化物陰極。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8304401A NL8304401A (nl) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | Oxydkathode. |
| NL8304401 | 1983-12-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154430A true JPS60154430A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=19842909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59266515A Pending JPS60154430A (ja) | 1983-12-22 | 1984-12-19 | 酸化物陰極 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4904897A (ja) |
| JP (1) | JPS60154430A (ja) |
| DD (1) | DD228393A5 (ja) |
| DE (1) | DE3444333A1 (ja) |
| ES (1) | ES8608731A1 (ja) |
| FR (1) | FR2557356A1 (ja) |
| GB (1) | GB2151842B (ja) |
| IT (1) | IT1177459B (ja) |
| NL (1) | NL8304401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04217199A (ja) * | 1990-02-28 | 1992-08-07 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 指向性マイクロホンアセンブリ |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5208508A (en) * | 1991-09-16 | 1993-05-04 | Raytheon Company | Cathode heater potting assembly |
| DE4414196C2 (de) * | 1994-04-22 | 2001-05-17 | Himolla Hierl Gmbh C | Massagesessel |
| KR960025915A (ko) * | 1994-12-28 | 1996-07-20 | 윤종용 | 열전자 방출성 산화물 음극 및 그 제조방법 |
| TW430842B (en) * | 1998-10-28 | 2001-04-21 | Matsushita Electronics Corp | Cathode structure for cathode ray tube |
| JP2017107816A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 株式会社堀場エステック | 熱電子放出用フィラメント、四重極質量分析計、及び残留ガス分析方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE726797C (de) * | 1930-05-29 | 1942-10-21 | Loewe Radio Ag | Mittelbar geheizte Hochemissionskathode |
| NL153018B (nl) * | 1967-02-17 | 1977-04-15 | Philips Nv | Indirect verhitte kathode. |
| US4009409A (en) * | 1975-09-02 | 1977-02-22 | Gte Sylvania Incorporated | Fast warmup cathode and method of making same |
| US4371589A (en) * | 1976-08-24 | 1983-02-01 | Warner London Inc. | Process for depositing protective coating and articles produced |
| FR2390825A1 (fr) * | 1977-05-13 | 1978-12-08 | Thomson Csf | Cathode thermo-ionique a grille incorporee, son procede de fabrication et tube electronique comportant une telle cathode |
| NL8100928A (nl) * | 1981-02-26 | 1982-09-16 | Philips Nv | Oxydkathode. |
| DE3148441A1 (de) * | 1981-12-08 | 1983-07-21 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung einer thermionischen kathode |
-
1983
- 1983-12-22 NL NL8304401A patent/NL8304401A/nl not_active Application Discontinuation
-
1984
- 1984-12-04 US US06/677,948 patent/US4904897A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-05 DE DE19843444333 patent/DE3444333A1/de not_active Withdrawn
- 1984-12-17 GB GB08431843A patent/GB2151842B/en not_active Expired
- 1984-12-19 DD DD84271170A patent/DD228393A5/de unknown
- 1984-12-19 IT IT24131/84A patent/IT1177459B/it active
- 1984-12-19 JP JP59266515A patent/JPS60154430A/ja active Pending
- 1984-12-19 ES ES538796A patent/ES8608731A1/es not_active Expired
- 1984-12-21 FR FR8419654A patent/FR2557356A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04217199A (ja) * | 1990-02-28 | 1992-08-07 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 指向性マイクロホンアセンブリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2151842B (en) | 1987-08-26 |
| ES8608731A1 (es) | 1986-06-16 |
| US4904897A (en) | 1990-02-27 |
| GB8431843D0 (en) | 1985-01-30 |
| NL8304401A (nl) | 1985-07-16 |
| IT8424131A1 (it) | 1986-06-19 |
| FR2557356A1 (fr) | 1985-06-28 |
| IT8424131A0 (it) | 1984-12-19 |
| IT1177459B (it) | 1987-08-26 |
| DD228393A5 (de) | 1985-10-09 |
| DE3444333A1 (de) | 1985-07-04 |
| ES538796A0 (es) | 1986-06-16 |
| GB2151842A (en) | 1985-07-24 |
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