JPS60155595A - 結晶の成長方法 - Google Patents
結晶の成長方法Info
- Publication number
- JPS60155595A JPS60155595A JP16465284A JP16465284A JPS60155595A JP S60155595 A JPS60155595 A JP S60155595A JP 16465284 A JP16465284 A JP 16465284A JP 16465284 A JP16465284 A JP 16465284A JP S60155595 A JPS60155595 A JP S60155595A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- melt
- magnetic field
- heating means
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、結晶の成長方法に係わる。
例えば半導体単結晶を育成させるに、チョクラルスキー
法による場合、その半導体融液面の振動や熱対流等が成
長される単結晶の品質に大きな影響を与える。例えば、
融液面の振動や熱対流が大きいと、−且成長した結晶が
部分的に再溶解し、これが結晶欠陥発生やその発生の原
因となったり、スワール（Ｓｗｉｒｌ ）状の欠陥や、
成長縞を発生させる。
法による場合、その半導体融液面の振動や熱対流等が成
長される単結晶の品質に大きな影響を与える。例えば、
融液面の振動や熱対流が大きいと、−且成長した結晶が
部分的に再溶解し、これが結晶欠陥発生やその発生の原
因となったり、スワール（Ｓｗｉｒｌ ）状の欠陥や、
成長縞を発生させる。
このようなチョクラルスキー法において、その単結晶の
育成を磁場中で行うことが提案され、これによってスワ
ールや成長縞等の欠陥を軽減できることが知られている
。これは、電気伝導性の融液が、磁場がかけられること
によって実効的粘性が高められ、熱対流と融液面の振動
が抑制されることによると思われる。尚、この単結晶の
育成を磁場中で行うことについては、例えばジャーナル
オブ アプライド フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ） Ｖｏｌ、３７
．Ｎｏ ５． Ｐ ２０２１ （１９６Ｂ） 。
育成を磁場中で行うことが提案され、これによってスワ
ールや成長縞等の欠陥を軽減できることが知られている
。これは、電気伝導性の融液が、磁場がかけられること
によって実効的粘性が高められ、熱対流と融液面の振動
が抑制されることによると思われる。尚、この単結晶の
育成を磁場中で行うことについては、例えばジャーナル
オブ アプライド フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ） Ｖｏｌ、３７
．Ｎｏ ５． Ｐ ２０２１ （１９６Ｂ） 。
及びジャーナル オブ マテリアルズ サイエンス（Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ５ｃｉｅ、
ｎｃｅ＞ ５ （１９７０） ｐ８Ｂ２゜シンポジウム
“ガリウム アルセナイド”分冊５トムスク（Ｓｙｍｐ
ｏｓｉｕａ＋ ” Ｇａ１ｉｕ＋ｌｌＡｒ５ｅｎｉｄｅ
″ｆａｓｃ５、 Ｔｏｍｓｋ ） Ｐ３４等に記載され
ている。
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ５ｃｉｅ、
ｎｃｅ＞ ５ （１９７０） ｐ８Ｂ２゜シンポジウム
“ガリウム アルセナイド”分冊５トムスク（Ｓｙｍｐ
ｏｓｉｕａ＋ ” Ｇａ１ｉｕ＋ｌｌＡｒ５ｅｎｉｄｅ
″ｆａｓｃ５、 Ｔｏｍｓｋ ） Ｐ３４等に記載され
ている。
ところが、このように単結晶の育成を磁場中で行う方法
を採っても、上述した各種欠陥の発生を十分満足できる
程度に抑制することができない。
を採っても、上述した各種欠陥の発生を十分満足できる
程度に抑制することができない。
本発明においては、このように、半導体単結晶を磁場中
で成長させる場合、その加熱手段が磁場との作用で、不
要の振動をもたらし、これが、上−述の欠陥を発生ずる
ことを究明し、これに基づいて、その改善をはかったも
のである。
で成長させる場合、その加熱手段が磁場との作用で、不
要の振動をもたらし、これが、上−述の欠陥を発生ずる
ことを究明し、これに基づいて、その改善をはかったも
のである。
第１図を参照して本発明の詳細な説明する。図中（１）
は本発明方法を実施するに用い得る単結晶成長装置を全
体として示す。（２）は半導体融液、例えばシリコン融
液（３）が収容された容器、例えば石英るつぼを示す。
は本発明方法を実施するに用い得る単結晶成長装置を全
体として示す。（２）は半導体融液、例えばシリコン融
液（３）が収容された容器、例えば石英るつぼを示す。
この容器（２）の外周には、加熱手段（４）が配置され
る。この加熱手段（４）は、通電ヒーター（５）が、例
えばジグザグパターンに容器（２）の外周面に沿う円筒
面状をなすように配置される。この加熱手段（４）の外
側には必要に応じて例えば円筒状の熱遮蔽体、或いは水
冷等によっ”ζ冷却されるジャケット（６）が配置され
、その外側に磁場発生手段（７）例えば磁石又は直流磁
場を発生ずる電磁石が配置される。（８）は単結晶シー
ドで、（９）はその引上げチャックである。
る。この加熱手段（４）は、通電ヒーター（５）が、例
えばジグザグパターンに容器（２）の外周面に沿う円筒
面状をなすように配置される。この加熱手段（４）の外
側には必要に応じて例えば円筒状の熱遮蔽体、或いは水
冷等によっ”ζ冷却されるジャケット（６）が配置され
、その外側に磁場発生手段（７）例えば磁石又は直流磁
場を発生ずる電磁石が配置される。（８）は単結晶シー
ドで、（９）はその引上げチャックである。
本発明においては、特に加熱手段に対し、リップル分が
４％以−トに抑えられたほぼ直流の電流を通電すること
によって加熱する。
４％以−トに抑えられたほぼ直流の電流を通電すること
によって加熱する。
例えば磁場発生手段（７）によって得た４１００Ｇ （
ガウス）の磁場中で、加熱手段（４）のヒーター（５）
にリップルが３％の直流電流を通じてその加熱を行った
ところ、半導体融液、例えばＳｔ融液（３）の融液面は
、明確にその輪郭を観察することができ、融液面に殆ど
振動が生じていないことが確認され、また、引上げ成長
された単結晶も、冒頭に述べた種々の欠陥が著しく減少
していることが確められた。面、この場合において、磁
場を与えない状態では、融液面の振動が激しく、その輪
郭は明確に観察することができなかった。また、因みに
従来方法においては、加熱手段（４）のヒーター（５）
には、交流が与えられるものであり、この場合において
、上述した磁場を与えても融液面に振動が生ずる。これ
は、磁場中において交流の流れるヒーター（５）が振動
し、これが容器（２）に伝達されることによる。又、磁
場が強いときにはこの振動によってヒーター（５）が破
損される。
ガウス）の磁場中で、加熱手段（４）のヒーター（５）
にリップルが３％の直流電流を通じてその加熱を行った
ところ、半導体融液、例えばＳｔ融液（３）の融液面は
、明確にその輪郭を観察することができ、融液面に殆ど
振動が生じていないことが確認され、また、引上げ成長
された単結晶も、冒頭に述べた種々の欠陥が著しく減少
していることが確められた。面、この場合において、磁
場を与えない状態では、融液面の振動が激しく、その輪
郭は明確に観察することができなかった。また、因みに
従来方法においては、加熱手段（４）のヒーター（５）
には、交流が与えられるものであり、この場合において
、上述した磁場を与えても融液面に振動が生ずる。これ
は、磁場中において交流の流れるヒーター（５）が振動
し、これが容器（２）に伝達されることによる。又、磁
場が強いときにはこの振動によってヒーター（５）が破
損される。
本発明においては、上述したように、加熱手段（４）の
ヒーター（５）に、はぼ直流の電流を与え、且つ単結晶
育成部に磁界をかけるものであって、このようにするこ
とによって融液面に振動がなく、欠陥の殆どない良質の
単結晶を安定に成長させることができるものである。そ
して、この場合、ヒーター（５）への通電電流は、その
リップル分が４％以下の直流電流であれば良いこ、とが
確められた。
ヒーター（５）に、はぼ直流の電流を与え、且つ単結晶
育成部に磁界をかけるものであって、このようにするこ
とによって融液面に振動がなく、欠陥の殆どない良質の
単結晶を安定に成長させることができるものである。そ
して、この場合、ヒーター（５）への通電電流は、その
リップル分が４％以下の直流電流であれば良いこ、とが
確められた。
また、上述したように磁場の印加によって安定した良質
の単結晶を成長させることができるのは、導電性を有す
る液に、磁場を与えると、磁気流体効果によってその見
掛けの粘性が高められることにより表面張力が高められ
ると共に融液の対流が減少することによると考えられる
。これらによって単結晶成長部の融液面の温度の変動や
振動が抑制され、更に後述する酸素の含有倉減じ得る。
の単結晶を成長させることができるのは、導電性を有す
る液に、磁場を与えると、磁気流体効果によってその見
掛けの粘性が高められることにより表面張力が高められ
ると共に融液の対流が減少することによると考えられる
。これらによって単結晶成長部の融液面の温度の変動や
振動が抑制され、更に後述する酸素の含有倉減じ得る。
すなわち、磁界中の導電性を有する流体の粘性はレーリ
ー−シェフリーズ（Ｒａｙｌｅｉｇｈ−Ｊｅｆｆｒｅｙ
ｓ）の式による量ηＨに依存する。
ー−シェフリーズ（Ｒａｙｌｅｉｇｈ−Ｊｅｆｆｒｅｙ
ｓ）の式による量ηＨに依存する。
ηＨ＝ （４／２７Ｘｄ” ／π２）（σμ２ Ｈ’
／、 ７ ）・・・（１） （ここでｄは融液の深さ、σは融液の電気伝導度（Ｓｉ
においては約１２０００Ω−１０−１）、μは透磁率、
Ｈは磁場の強さ） したがって、半導体融液、例えばＳＬ融液に磁界が掛け
られるごとによって、この融液の粘性が増し、加熱手段
（４）を直流駆動にして振動の激減化をはかったことと
相俟って上述した対流及び振動が抑えられ、温度の安定
化がはかられ、これらによって成長単結晶体の、再溶融
等も回避できる。
／、 ７ ）・・・（１） （ここでｄは融液の深さ、σは融液の電気伝導度（Ｓｉ
においては約１２０００Ω−１０−１）、μは透磁率、
Ｈは磁場の強さ） したがって、半導体融液、例えばＳＬ融液に磁界が掛け
られるごとによって、この融液の粘性が増し、加熱手段
（４）を直流駆動にして振動の激減化をはかったことと
相俟って上述した対流及び振動が抑えられ、温度の安定
化がはかられ、これらによって成長単結晶体の、再溶融
等も回避できる。
半導体、例えばシリコンの単結晶体において、＃１素濃
度が高い場合、この単結晶体によって半導体装置を製造
する過程での熱処理において、槓１ｔｍ欠陥や、酸素の
析出物等の欠陥発生を招来し、半導体装置の特性に悪影
響をもたらす。したが、っ−（引上法による単結晶半導
体においては、できるだけ、酸素濃度を低めることが望
まれる。ところが通常の磁場を与えない単結晶の成長方
法では、その酸素濃度は１〜１．５ Ｘ １０” ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ”程度の比較的高い濃度を有する。これは
、通常、半導体融液の容器として石英るつぼを用いるも
のであり、この石英（５ｉ０２）るつぼから酸素が供給
されてこれが結晶中に混入するためである。ところが、
上述した本発明によれば、この酸素濃度を減少させるこ
とができる。これは本発明において対流及び振動の抑制
をはかったごとによって石英るつぼ（２）から融液（３
）への酸素成分の融解と移動とが減少することによると
思われる。
度が高い場合、この単結晶体によって半導体装置を製造
する過程での熱処理において、槓１ｔｍ欠陥や、酸素の
析出物等の欠陥発生を招来し、半導体装置の特性に悪影
響をもたらす。したが、っ−（引上法による単結晶半導
体においては、できるだけ、酸素濃度を低めることが望
まれる。ところが通常の磁場を与えない単結晶の成長方
法では、その酸素濃度は１〜１．５ Ｘ １０” ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ”程度の比較的高い濃度を有する。これは
、通常、半導体融液の容器として石英るつぼを用いるも
のであり、この石英（５ｉ０２）るつぼから酸素が供給
されてこれが結晶中に混入するためである。ところが、
上述した本発明によれば、この酸素濃度を減少させるこ
とができる。これは本発明において対流及び振動の抑制
をはかったごとによって石英るつぼ（２）から融液（３
）への酸素成分の融解と移動とが減少することによると
思われる。
尚、本発明方法においては、容器（２）と、引上単結晶
体（１０） （したがってシード（８））は、回転しな
い状態で行うことも両者は相対的に回転させるようにす
ることもできる。因みに、その回転数と、酸素濃度との
関係は、第２図に示すようにその回転数が大となると濃
度が増す。これは、前述したように回転に伴って石英る
つぼからの酸素のとり込み量が多くなるごとに因ると思
われる。
体（１０） （したがってシード（８））は、回転しな
い状態で行うことも両者は相対的に回転させるようにす
ることもできる。因みに、その回転数と、酸素濃度との
関係は、第２図に示すようにその回転数が大となると濃
度が増す。これは、前述したように回転に伴って石英る
つぼからの酸素のとり込み量が多くなるごとに因ると思
われる。
尚、上述した図示の各側は単結晶体を棒状に引」二げ成
長させた場合であるが、この場合において磁場発生手段
（７）を電磁石によって構成し、結晶の引上げ過程で、
この電磁石に対する通電を一定時間断つ作業を繰返えす
ことによって、引上げ単結晶（１０）の一部にその軸方
向を横切るように酸素濃度が高くその後の熱処理で欠陥
の発生し易い層（１２）を所定間隔を保持するよう形成
することもできる。このように欠陥層（１２）を有する
単結晶は、スライスして、例えば一方の主面又は内部に
欠陥Ｍ（１２）を有するウェファ−（１３）を切り出す
。そして、他方の主面にトランジスタ、ダイオード等の
各種半導体素子（１４）を形成する。このようにすると
きは、熱処理過程を経ることによって酸素濃度の高い欠
陥層（１２）に転位等を発生させることができ、良く知
られているように、ウェファ−（１３）中の素子（１４
）に悪影響を及ばずＦｅ。
長させた場合であるが、この場合において磁場発生手段
（７）を電磁石によって構成し、結晶の引上げ過程で、
この電磁石に対する通電を一定時間断つ作業を繰返えす
ことによって、引上げ単結晶（１０）の一部にその軸方
向を横切るように酸素濃度が高くその後の熱処理で欠陥
の発生し易い層（１２）を所定間隔を保持するよう形成
することもできる。このように欠陥層（１２）を有する
単結晶は、スライスして、例えば一方の主面又は内部に
欠陥Ｍ（１２）を有するウェファ−（１３）を切り出す
。そして、他方の主面にトランジスタ、ダイオード等の
各種半導体素子（１４）を形成する。このようにすると
きは、熱処理過程を経ることによって酸素濃度の高い欠
陥層（１２）に転位等を発生させることができ、良く知
られているように、ウェファ−（１３）中の素子（１４
）に悪影響を及ばずＦｅ。
Ｃｕ、 Ｎｉ等の重金属の吸収、ずなわぢゲッタリング
を行うようにすることができる。
を行うようにすることができる。
また、上述の図示の各側は、棒状の単結晶体（１０）を
引上げる場合を示したものであり、この場合、半導体装
置を得るに当っては、単結晶体（ｌＯ）をスライスして
ウェファ−を得るものであるが、成る場合は、単結晶の
成長時の板状の単結晶体として成長させ、例えば太陽電
池を製造する場合に好適ならしめることができる。
引上げる場合を示したものであり、この場合、半導体装
置を得るに当っては、単結晶体（ｌＯ）をスライスして
ウェファ−を得るものであるが、成る場合は、単結晶の
成長時の板状の単結晶体として成長させ、例えば太陽電
池を製造する場合に好適ならしめることができる。
第３図の例では、融液（３）の液面上にこの液面の移動
に伴って移動できるようにしたガイド板（１３８及び（
１３ｂ ）を設け、板状の単結晶シード（８）を用いて
、ガイド板（１３ａ）及び（１３ｂ）間から板状の単結
晶体（１０）を引上げ成長させるようにした場合である
。第３図において第１図と対応する部分には同一符号を
付して重複説明を省略する。
に伴って移動できるようにしたガイド板（１３８及び（
１３ｂ ）を設け、板状の単結晶シード（８）を用いて
、ガイド板（１３ａ）及び（１３ｂ）間から板状の単結
晶体（１０）を引上げ成長させるようにした場合である
。第３図において第１図と対応する部分には同一符号を
付して重複説明を省略する。
また、第４図に示す例においては、融液（３）の表面か
ら横方向（はぼ水平方向）に単結晶シード（８）を引き
、板状単結晶体（１０）を成長させて行くようにした場
合で、この第４図においても第１図と対応する部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。（１５）はヒー
トシンクである。
ら横方向（はぼ水平方向）に単結晶シード（８）を引き
、板状単結晶体（１０）を成長させて行くようにした場
合で、この第４図においても第１図と対応する部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。（１５）はヒー
トシンクである。
このように板状単結晶体を得る場合においては特に、融
液（３）の表面における液面における振動、温度等は、
単結晶体の特性に大きな影響を及ぼすので、本発明方法
によるときは、前述したように、特に融液面における安
定性を保持でき、良質の板状単結晶体を得ることができ
る。更に、特に、横引きによって単結晶体を得る第４図
に示す例の場合、融液（３）の液面が一定位置に保持さ
せるために容器（２）に対して図示しないが融液材を補
給しつつその成長を行うものであるが、この補給融液の
温度、すなわち融解速度を一定に保つことができるので
、本発明方法の適用は、特に有益となる。
液（３）の表面における液面における振動、温度等は、
単結晶体の特性に大きな影響を及ぼすので、本発明方法
によるときは、前述したように、特に融液面における安
定性を保持でき、良質の板状単結晶体を得ることができ
る。更に、特に、横引きによって単結晶体を得る第４図
に示す例の場合、融液（３）の液面が一定位置に保持さ
せるために容器（２）に対して図示しないが融液材を補
給しつつその成長を行うものであるが、この補給融液の
温度、すなわち融解速度を一定に保つことができるので
、本発明方法の適用は、特に有益となる。
上述したように、本発明方法によれば、安定した半導体
単結晶の成長を行うことができるので、再現性良く特性
の均一な単結晶を能率良く得るこ店ができ工業的利益は
甚大である。
単結晶の成長を行うことができるので、再現性良く特性
の均一な単結晶を能率良く得るこ店ができ工業的利益は
甚大である。
尚、上述した例においては融液がＳｉ融液である場合で
あるが、他のＧｅやｍ−ｖ族化合物半導体、或いは誘電
体、磁性体、各種金属などの、得ようとする結晶に応じ
た融液又は溶液である場合もあること−云う迄もない。
あるが、他のＧｅやｍ−ｖ族化合物半導体、或いは誘電
体、磁性体、各種金属などの、得ようとする結晶に応じ
た融液又は溶液である場合もあること−云う迄もない。
また、ヒーターへの印加電流は直流以外に、磁場の作用
によっても振動の発生を殆んど回避できるのは、１ ｋ
Ｈｚ以上の交流又は脈流であることも確められた。
によっても振動の発生を殆んど回避できるのは、１ ｋ
Ｈｚ以上の交流又は脈流であることも確められた。
第１図、第３図、第４図は夫々本発明による半導体単結
晶の成長方法の各側を実施する単結晶成長装置の例を示
ず路線的構成図、第２図は酸素濃度と回転速度との関係
を示す曲線図である。 （１１は単結晶成長装置、（２）は半導体融液（３）を
収容する容器、（４）は加熱手段、（５）はそのヒータ
ー、（６）はジャケット、（７）は磁場発生手段、（８
）は単結晶シードである。 代理人 伊藤 貞 同 松隈秀盛 手続ネ市正書 （方式） ％式％ ３、？ｉｔｉ正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５Ｊ８名称（
２１８）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 − ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数
晶の成長方法の各側を実施する単結晶成長装置の例を示
ず路線的構成図、第２図は酸素濃度と回転速度との関係
を示す曲線図である。 （１１は単結晶成長装置、（２）は半導体融液（３）を
収容する容器、（４）は加熱手段、（５）はそのヒータ
ー、（６）はジャケット、（７）は磁場発生手段、（８
）は単結晶シードである。 代理人 伊藤 貞 同 松隈秀盛 手続ネ市正書 （方式） ％式％ ３、？ｉｔｉ正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５Ｊ８名称（
２１８）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 − ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数
Claims (1)
- 半導体の液状体を収容する容器と、該容器の周囲に配さ
れた電流路を有する加熱手段と、上記液状体に所定方向
の磁場を印加する手段と、上記液状体とこれに接触する
結晶体の力学的な位置変化により上記液状体から結晶を
成長させる手段とを設け、上記電流路は、上記磁場の及
ぶ位置にあり、該電流路にはリップル分が４％以下のほ
ぼ直流の電流を供給することを特徴とする結晶の成長方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16465284A JPS60155595A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 結晶の成長方法 |
| CN 85101043 CN1015187B (zh) | 1984-08-06 | 1985-04-01 | 单晶生长装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16465284A JPS60155595A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 結晶の成長方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12133979A Division JPS5850951B2 (ja) | 1979-09-20 | 1979-09-20 | 結晶の成長方法とこれに用いる結晶成長装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24775085A Division JPS61141694A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 結晶成長方法 |
| JP24775185A Division JPS61141695A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 結晶の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60155595A true JPS60155595A (ja) | 1985-08-15 |
Family
ID=15797245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16465284A Pending JPS60155595A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60155595A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3732250A1 (de) * | 1986-09-25 | 1988-03-31 | Sony Corp | Verfahren zum ziehen von einkristallen |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850951A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 歯列矯正用ブラケツト |
-
1984
- 1984-08-06 JP JP16465284A patent/JPS60155595A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850951A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 歯列矯正用ブラケツト |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3732250A1 (de) * | 1986-09-25 | 1988-03-31 | Sony Corp | Verfahren zum ziehen von einkristallen |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EA017453B1 (ru) | Способ и устройство для получения монокристалла | |
| EP0140565B1 (en) | Method for growing multicomponent compound semiconductor crystals | |
| GB2109267A (en) | Processes for solidifying liquid materials | |
| JPS58206172A (ja) | ３−５族半導体材料を基礎とした半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0412083A (ja) | シリコン単結晶製造方法 | |
| JPS5850951B2 (ja) | 結晶の成長方法とこれに用いる結晶成長装置 | |
| JPH0212920B2 (ja) | ||
| US20030106485A1 (en) | High resistivity silicon wafer and method of producing same using the magnetic field czochralski method | |
| JPS5850953B2 (ja) | 結晶成長法 | |
| JP3644227B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| JPS61141694A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPS61141695A (ja) | 結晶の成長方法 | |
| CN113818085A (zh) | 助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统及方法 | |
| US5817176A (en) | Apparatus for preparing a single crystal of silicon | |
| JPS6236096A (ja) | 単結晶の製造方法およびその装置 | |
| CN117597476A (zh) | 单晶硅的制造方法 | |
| JP3018738B2 (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JP2899692B1 (ja) | 結晶成長方法および装置 | |
| KR970007427B1 (ko) | 결정성장방법 | |
| JPH0351673B2 (ja) | ||
| JP2004269335A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS63144191A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法と装置 | |
| JPS6153188A (ja) | 結晶成長法 | |
| US3223493A (en) | Method of crucible-free zone-melting of semiconductor material | |
| JPS6033297A (ja) | 単結晶半導体引上装置 |