JPS60157035A - 環境の清浄度評価方法 - Google Patents
環境の清浄度評価方法Info
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- JPS60157035A JPS60157035A JP1187984A JP1187984A JPS60157035A JP S60157035 A JPS60157035 A JP S60157035A JP 1187984 A JP1187984 A JP 1187984A JP 1187984 A JP1187984 A JP 1187984A JP S60157035 A JPS60157035 A JP S60157035A
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- JP
- Japan
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- environment
- substrate
- contact angle
- measured
- pollution
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N13/00—Investigating surface or boundary effects, e.g. wetting power; Investigating diffusion effects; Analysing materials by determining surface, boundary, or diffusion effects
-
- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N13/00—Investigating surface or boundary effects, e.g. wetting power; Investigating diffusion effects; Analysing materials by determining surface, boundary, or diffusion effects
- G01N13/02—Investigating surface tension of liquids
- G01N2013/0208—Investigating surface tension of liquids by measuring contact angle
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は環境の清浄度評価方法に関するもので。
特に半導体を中心とする電子部品、Ｂ密機器、医薬品な
どを製造する作業環境の清浄度評価に使用されるもので
ある。
どを製造する作業環境の清浄度評価に使用されるもので
ある。
環境中の汚染物は粒子状のものとガス状のものとに大別
され、それぞれについて従来よりいくつかの汚染量評価
法が採用されている。
され、それぞれについて従来よりいくつかの汚染量評価
法が採用されている。
粒子状汚染評価法の代表的なものは吸引法によるもので
ある。この方法においては吸引ポンプによシ吸引された
試料空気に、ランプやレーザーを光源とする強い光を当
てて、空気中の微粒子からの散乱光を計測する。
ある。この方法においては吸引ポンプによシ吸引された
試料空気に、ランプやレーザーを光源とする強い光を当
てて、空気中の微粒子からの散乱光を計測する。
またガス状汚染評価法ではインビンジャーによる捕集中
検知管による測定などが代表的なものである。
検知管による測定などが代表的なものである。
しかしながら、半導体製品等の製造工程にみられるよう
なりリーンルーム内では、前述のような評価方法では検
知不可能な超微量汚染が問題となることがある。すなわ
ち、これら超微量汚染物が半導体基板表面等に付着し、
それらの特性を劣化させることがある。またこれは製品
の歩留低下の原因の一つにもなっている。
なりリーンルーム内では、前述のような評価方法では検
知不可能な超微量汚染が問題となることがある。すなわ
ち、これら超微量汚染物が半導体基板表面等に付着し、
それらの特性を劣化させることがある。またこれは製品
の歩留低下の原因の一つにもなっている。
この発明の目的は、従来技術では検出できなかった超微
量汚染を、容易に検出することのできる。
量汚染を、容易に検出することのできる。
環境の清浄度評価方法を提供することである。
この発明は、洗浄済みの基板を被測定環境に所定時間放
置して、環境中の異物を基板に付着させた後、この基板
表面の液体に対する接触角を測定することによって、環
境の清浄度を評価する方法であって、従来技術では検出
できなかった超微量汚染を、容易に検出することのでき
るものである。
置して、環境中の異物を基板に付着させた後、この基板
表面の液体に対する接触角を測定することによって、環
境の清浄度を評価する方法であって、従来技術では検出
できなかった超微量汚染を、容易に検出することのでき
るものである。
以下１本発明を実施例（より図面を用いながら説明する
。第１図は本発明の一実施例に係わる環境の清浄度評価
方法を示す概略図である。この実施例では環境の清浄度
を、汚染量だけでなく、汚染物質までもおおよそ知るこ
とができた。す彦わち清浄な基板１例えば紫外線、オゾ
ン洗浄の施されたシリコン基板（１）を準備して、この
基板に液体（２）を少量滴下する。このとき、液体（２
）は基板（１）に対して強い化学反応をせず、揮発性が
それほど大きくないものが望ましく、ここでは蒸留水を
使用し、その量は５マイクロリツトルであった。まず。
。第１図は本発明の一実施例に係わる環境の清浄度評価
方法を示す概略図である。この実施例では環境の清浄度
を、汚染量だけでなく、汚染物質までもおおよそ知るこ
とができた。す彦わち清浄な基板１例えば紫外線、オゾ
ン洗浄の施されたシリコン基板（１）を準備して、この
基板に液体（２）を少量滴下する。このとき、液体（２
）は基板（１）に対して強い化学反応をせず、揮発性が
それほど大きくないものが望ましく、ここでは蒸留水を
使用し、その量は５マイクロリツトルであった。まず。
このときの基板（１）に対する液体（２）の接触角θを
接触角測定機により測定する。次にこの基板（１）を環
境を評価したい場所、すなわち被測定環境に所定時間１
例えば６０時間放置して、環境中の汚染物を基板（１）
に付着させる。ここで再度、基板（１）に蒸留水（２）
を５マイクロリツトル滴下して、基板（１）との接触角
θを接触角測定機により測定する。発明者らは、このと
き、環境に放置する前後で接触角θが大巾に違うことを
発見し、これが基板（１）の放置された環境の汚染量に
よるものであることを見出した。詳しく説明すると、清
浄な環境で測定した場合、基板（１）を環境中に放置す
る前後で、液体の接触角θはそれほど変化しないが、汚
染された環境で測定すると、接触角θは環境に放置した
後は放置前と比較すると急激に増大することがわかった
。
接触角測定機により測定する。次にこの基板（１）を環
境を評価したい場所、すなわち被測定環境に所定時間１
例えば６０時間放置して、環境中の汚染物を基板（１）
に付着させる。ここで再度、基板（１）に蒸留水（２）
を５マイクロリツトル滴下して、基板（１）との接触角
θを接触角測定機により測定する。発明者らは、このと
き、環境に放置する前後で接触角θが大巾に違うことを
発見し、これが基板（１）の放置された環境の汚染量に
よるものであることを見出した。詳しく説明すると、清
浄な環境で測定した場合、基板（１）を環境中に放置す
る前後で、液体の接触角θはそれほど変化しないが、汚
染された環境で測定すると、接触角θは環境に放置した
後は放置前と比較すると急激に増大することがわかった
。
第２図の２点鎖線の左側は本実施例による環境の汚染量
の測定結果を表わすグラフである。汚染状況例えば１作
業者の有無９作業種別等の違う３つの環境、Ａ、 Ｂ、
Ｃについて測定した結果がそれぞれ曲線（ｕ）、 （
１２）、 （１３）である。このグラフから、測定環境
Ａ、 Ｂ、 Ｃの順に汚染量が高いことがわかった。
の測定結果を表わすグラフである。汚染状況例えば１作
業者の有無９作業種別等の違う３つの環境、Ａ、 Ｂ、
Ｃについて測定した結果がそれぞれ曲線（ｕ）、 （
１２）、 （１３）である。このグラフから、測定環境
Ａ、 Ｂ、 Ｃの順に汚染量が高いことがわかった。
上述のように１本発明により環境の汚染量が簡単に測定
できるが１本発明では紫外線、オゾン洗浄による洗浄化
手法と組みあわせることにより。
できるが１本発明では紫外線、オゾン洗浄による洗浄化
手法と組みあわせることにより。
環境の汚染物質の性質についても以下に述べるような実
施例によシ簡単に調べることができる。まず、被測定環
境に所定時間１例えば６０時間、前述の基板（１）を放
置する。
施例によシ簡単に調べることができる。まず、被測定環
境に所定時間１例えば６０時間、前述の基板（１）を放
置する。
放置後基板表面の紫外線、オゾン洗浄を行い。
基板表面汚染の清浄化速度を計時することにより。
環境汚染の性質を評価できた。
第２図の２点鎖線の右側は本実施例による環境の汚染物
質の性質の測定結果である。
質の性質の測定結果である。
第２図中曲線（２υ、（２り、（２３は異なる環境Ａ、
Ｂ、 Ｃに放置した基板表面に付着した汚染の紫外線
、オゾン洗浄による清浄化状況を示しておシ、汚染除去
速度（図面中では曲線の傾きに相等する）から判断して
、環境ＡとＢ：／Ｃ間では汚染の質が異なることが判か
った。例えば、除去速度の速い、すなわちグラフの曲線
の傾きの絶対値の大きい環境Ａでは紫外線、オゾン洗浄
による効果の高い汚染物。
Ｂ、 Ｃに放置した基板表面に付着した汚染の紫外線
、オゾン洗浄による清浄化状況を示しておシ、汚染除去
速度（図面中では曲線の傾きに相等する）から判断して
、環境ＡとＢ：／Ｃ間では汚染の質が異なることが判か
った。例えば、除去速度の速い、すなわちグラフの曲線
の傾きの絶対値の大きい環境Ａでは紫外線、オゾン洗浄
による効果の高い汚染物。
例えばフッ素化学物、フロンガス等により環境が汚染さ
れていること１反対に除去速度の遅い、すなわちグラフ
の曲線の傾きの絶対値の小さい環境Ｂ、Ｃでは紫外線、
オゾン洗浄による効果の小さい汚染物１例えば有機物等
により環境が汚染されていることがわかった。
れていること１反対に除去速度の遅い、すなわちグラフ
の曲線の傾きの絶対値の小さい環境Ｂ、Ｃでは紫外線、
オゾン洗浄による効果の小さい汚染物１例えば有機物等
により環境が汚染されていることがわかった。
この発明によると、光散乱法を利用した微粒子測定器や
、インビンジャー吸引法といつた従来のった。
、インビンジャー吸引法といつた従来のった。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を説明する図、第２図は本発
明による環境の清浄度の一測定例を説明する図である。 １・・・半導体基板、 ２・・・蒸留水。 １１．２１・・・環境Ａに放置された基板の測定結果。 １２、．２２・・・環境ＢＫ放装された基板の測定結果
。 １３．２３・・・環境Ｃに放置された基板の測定結果。
明による環境の清浄度の一測定例を説明する図である。 １・・・半導体基板、 ２・・・蒸留水。 １１．２１・・・環境Ａに放置された基板の測定結果。 １２、．２２・・・環境ＢＫ放装された基板の測定結果
。 １３．２３・・・環境Ｃに放置された基板の測定結果。
Claims (1)
- 清浄な基板を被測定環境に所定時間放置して環境中の汚
染物を基板に付着させるステップと、前記基板表面の液
体に対する接触角を測定するステップとを有する環境の
清浄度評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187984A JPS60157035A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 環境の清浄度評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187984A JPS60157035A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 環境の清浄度評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157035A true JPS60157035A (ja) | 1985-08-17 |
Family
ID=11790014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1187984A Pending JPS60157035A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 環境の清浄度評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157035A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06324A (ja) * | 1992-06-16 | 1994-01-11 | Ebara Infilco Co Ltd | 基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法及び装置 |
| JP2006253335A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 測定装置 |
-
1984
- 1984-01-27 JP JP1187984A patent/JPS60157035A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06324A (ja) * | 1992-06-16 | 1994-01-11 | Ebara Infilco Co Ltd | 基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法及び装置 |
| JP2006253335A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 測定装置 |
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