JPH06324A - 基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法及び装置 - Google Patents
基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法及び装置Info
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- JPH06324A JPH06324A JP4180538A JP18053892A JPH06324A JP H06324 A JPH06324 A JP H06324A JP 4180538 A JP4180538 A JP 4180538A JP 18053892 A JP18053892 A JP 18053892A JP H06324 A JPH06324 A JP H06324A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 24
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 18
- 239000002585 base Substances 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 5
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 3
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003421 catalytic decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
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- Central Air Conditioning (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製品の生産性を低下させる原因となる
接触角を増加する汚染物質を効果的に除去できる接触角
の増加防止方法を提供する。 【構成】 基材又は基盤表面の接触角の増加を防止する
方法において、該基材又は基盤と接触する気体を、ガラ
ス及び/又はフッ素樹脂を含有する除去手段により、該
気体中の有害物質を除去して、前記基材又は基盤と接触
させることとしたものであり、また、その装置は該基材
又は基盤と接触する気体を通す、有害物質を除去するた
めのガラス4−1及び/又はフッ素樹脂4−2を充填し
た除去装置4を備えたこととした。
接触角を増加する汚染物質を効果的に除去できる接触角
の増加防止方法を提供する。 【構成】 基材又は基盤表面の接触角の増加を防止する
方法において、該基材又は基盤と接触する気体を、ガラ
ス及び/又はフッ素樹脂を含有する除去手段により、該
気体中の有害物質を除去して、前記基材又は基盤と接触
させることとしたものであり、また、その装置は該基材
又は基盤と接触する気体を通す、有害物質を除去するた
めのガラス4−1及び/又はフッ素樹脂4−2を充填し
た除去装置4を備えたこととした。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基材又は基盤表面の接
触角の増加を防止する方法及び装置に係り、特に半導体
や液晶などの先端産業における原材料、半製品、製品の
基材や基盤表面の接触角の増加防止に関する。本発明の
適用分野の例を以下に示す。 (1)半導体工場におけるウエハの接触角増加防止。 (2)液晶工場におけるガラス基盤の接触角増加防止。 (3)精密機械工場における基盤の接触角増加防止。
触角の増加を防止する方法及び装置に係り、特に半導体
や液晶などの先端産業における原材料、半製品、製品の
基材や基盤表面の接触角の増加防止に関する。本発明の
適用分野の例を以下に示す。 (1)半導体工場におけるウエハの接触角増加防止。 (2)液晶工場におけるガラス基盤の接触角増加防止。 (3)精密機械工場における基盤の接触角増加防止。
【0002】
【従来の技術】従来の技術に関して、半導体工場におけ
るクリーンルームの空気清浄を例に説明する。従来のク
リーンルームの空気清浄方法あるいはその装置を大別す
ると、 (1)機械的ろ過方法(例えばHEPAフィルター) (2)静電的に微粒子の捕集を行う高電圧による荷電及
び導電性フィルターによるろ過方式(例えばHESAフ
ィルター) であるが、これらの方式は、いずれも微粒子(粒子状物
質)除去を目的としており、炭化水素(H.C),SO
x,NOx,HCl,NH3 のような接触角を増加させ
るガス状の汚染物(有害成分)の除去には効果がない欠
点があった。ガス状の汚染物(有害成分)であるH.
C.の除去法としては、燃焼分解法、触媒分解法、O3
分解法などが知られている。しかし、これらの方法はク
リーンルームへの導入空気に含有する極低濃度H.C.
除去には効果がない。
るクリーンルームの空気清浄を例に説明する。従来のク
リーンルームの空気清浄方法あるいはその装置を大別す
ると、 (1)機械的ろ過方法(例えばHEPAフィルター) (2)静電的に微粒子の捕集を行う高電圧による荷電及
び導電性フィルターによるろ過方式(例えばHESAフ
ィルター) であるが、これらの方式は、いずれも微粒子(粒子状物
質)除去を目的としており、炭化水素(H.C),SO
x,NOx,HCl,NH3 のような接触角を増加させ
るガス状の汚染物(有害成分)の除去には効果がない欠
点があった。ガス状の汚染物(有害成分)であるH.
C.の除去法としては、燃焼分解法、触媒分解法、O3
分解法などが知られている。しかし、これらの方法はク
リーンルームへの導入空気に含有する極低濃度H.C.
除去には効果がない。
【0003】クリーンルームにおいては、自動車排ガス
に起因するような導入空気中の低濃度のH.C.も汚染
質として問題となる。また、クリーンルームにおける作
業で生じた各種の溶剤(例えば、アルコール、ケトン類
等)も汚染質として問題となる。また、H.C.以外の
有害成分としては、SOx,NOx,HCl,NH3 な
どがあり、これらの除去法としては適宜のアルカリ性物
質や酸性物質を用いた中和反応や酸化反応に基づく方法
などが知られている。しかし、これらの方法も、成分濃
度がクリーンルームへの導入空気に含有するような極低
濃度の場合には効果が少ない。更に、微粒子とガス状汚
染物の中間体であるミストやクラスターのような物質
も、従来のフィルタでは除去できなかった。
に起因するような導入空気中の低濃度のH.C.も汚染
質として問題となる。また、クリーンルームにおける作
業で生じた各種の溶剤(例えば、アルコール、ケトン類
等)も汚染質として問題となる。また、H.C.以外の
有害成分としては、SOx,NOx,HCl,NH3 な
どがあり、これらの除去法としては適宜のアルカリ性物
質や酸性物質を用いた中和反応や酸化反応に基づく方法
などが知られている。しかし、これらの方法も、成分濃
度がクリーンルームへの導入空気に含有するような極低
濃度の場合には効果が少ない。更に、微粒子とガス状汚
染物の中間体であるミストやクラスターのような物質
も、従来のフィルタでは除去できなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】クリーンルームにおけ
る汚染物(粒子状物質及び接触角を増加させるガス状有
害物質)は、半導体製品の生産性(歩留り)を低下させ
る原因、すなわち、ウエハ、半製品、製品の基盤表面へ
の汚染物の沈着による破損となるため、これらの除去が
必要となってきている。即ち、ウエハ、半製品、製品の
基盤が、粒子状物質や接触角を増加させる有害成分に汚
染されると、基盤表面の接触角が増加する。
る汚染物(粒子状物質及び接触角を増加させるガス状有
害物質)は、半導体製品の生産性(歩留り)を低下させ
る原因、すなわち、ウエハ、半製品、製品の基盤表面へ
の汚染物の沈着による破損となるため、これらの除去が
必要となってきている。即ち、ウエハ、半製品、製品の
基盤が、粒子状物質や接触角を増加させる有害成分に汚
染されると、基盤表面の接触角が増加する。
【0005】接触角とは、表面の汚染の程度を示すもの
であり、表面のぬれ性を表わす角度で表現され、接触角
が高いと汚染されており、逆に接触角が低いと汚染され
ていない。このため、半導体製品の生産性向上のため、
接触角の増加を防止する方法や装置が要求されている。
そこで、本発明は、上記した問題点に対応するための、
接触角を増加する汚染物質を効果的に除去できる接触角
の増加防止方法及びその装置を提供することを課題とす
る。
であり、表面のぬれ性を表わす角度で表現され、接触角
が高いと汚染されており、逆に接触角が低いと汚染され
ていない。このため、半導体製品の生産性向上のため、
接触角の増加を防止する方法や装置が要求されている。
そこで、本発明は、上記した問題点に対応するための、
接触角を増加する汚染物質を効果的に除去できる接触角
の増加防止方法及びその装置を提供することを課題とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、基材又は基盤表面の接触角の増加を防
止する方法において、該基材又は基盤と接触する気体
を、ガラス及び/又はフッ素樹脂を含有する除去手段に
より、該気体中の有害物質を除去して、前記基材又は基
盤と接触させることとしたものである。また、本発明で
は、基材又は基盤表面の接触角の増加を防止する装置に
おいて、該基材又は基盤と接触する気体を通す、有害物
質を除去するためのガラス及び/又はフッ素樹脂を充填
した除去装置を備えたこととしたものである。
に、本発明では、基材又は基盤表面の接触角の増加を防
止する方法において、該基材又は基盤と接触する気体
を、ガラス及び/又はフッ素樹脂を含有する除去手段に
より、該気体中の有害物質を除去して、前記基材又は基
盤と接触させることとしたものである。また、本発明で
は、基材又は基盤表面の接触角の増加を防止する装置に
おいて、該基材又は基盤と接触する気体を通す、有害物
質を除去するためのガラス及び/又はフッ素樹脂を充填
した除去装置を備えたこととしたものである。
【0007】次に、本発明を接触する気体が空気である
場合を例として詳細に説明する。なお、接触する気体は
空気以外に不純物の少ないガスが好ましく、N2 ガス等
の不活性ガスでもよい。有害成分除去手段に用いる基材
は、空気中に存在する極低濃度の接触角を増加させる有
害成分が高効率に長時間安定して除去できるガラス又は
フッ素樹脂であり、これらは単独で又は、組合せて用い
ることができる。通常、ガラスとフッ素樹脂を組合せて
用いると効果的であることから好ましい。例えば、ガラ
スを繊維状とし、これにフッ素樹脂をバインダとして適
当な形状に成形することで、充填密度の高い有害ガスと
の接触表面積の広い有害成分除去フィルタができる。
場合を例として詳細に説明する。なお、接触する気体は
空気以外に不純物の少ないガスが好ましく、N2 ガス等
の不活性ガスでもよい。有害成分除去手段に用いる基材
は、空気中に存在する極低濃度の接触角を増加させる有
害成分が高効率に長時間安定して除去できるガラス又は
フッ素樹脂であり、これらは単独で又は、組合せて用い
ることができる。通常、ガラスとフッ素樹脂を組合せて
用いると効果的であることから好ましい。例えば、ガラ
スを繊維状とし、これにフッ素樹脂をバインダとして適
当な形状に成形することで、充填密度の高い有害ガスと
の接触表面積の広い有害成分除去フィルタができる。
【0008】使用するガラスとしては、酸化物ガラス
系、例えばケイ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス、ホウ酸塩
ガラスが一般的である。この内、ケイ酸塩ガラスの一種
であるホウケイ酸ガラス(主要成分:N2 O−B2 O3
−SiO2 )が成形が容易で、効果が高く、かつ安価で
あることから好ましい。また、フッ素樹脂としては、四
フッ化樹脂、四−六フッ化樹脂、PFA樹脂、三フッ化
エチレン樹脂、四フッ化エチレン−エチレン共重合体、
フッ化ビニリデン樹脂、フッ化ビニル樹脂等が使用でき
る。
系、例えばケイ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス、ホウ酸塩
ガラスが一般的である。この内、ケイ酸塩ガラスの一種
であるホウケイ酸ガラス(主要成分:N2 O−B2 O3
−SiO2 )が成形が容易で、効果が高く、かつ安価で
あることから好ましい。また、フッ素樹脂としては、四
フッ化樹脂、四−六フッ化樹脂、PFA樹脂、三フッ化
エチレン樹脂、四フッ化エチレン−エチレン共重合体、
フッ化ビニリデン樹脂、フッ化ビニル樹脂等が使用でき
る。
【0009】これらの材料の使用形状は、フィルタ状、
網状、球状、ペレット状、格子状、棒状、プリーツ状な
どがある。一般にフィルタ状が効果が大きいことから好
ましい。フィルタ状で用いる場合の成形法の例として、
フッ素樹脂をバインダとして用い繊維状のガラス材をフ
ィルタ状に固めて用いる方法がある。有害成分除去フィ
ルタにおけるガラス及び/又はフッ素樹脂の充填密度
は、使用形状や要求性能などにより決めることができ
る。
網状、球状、ペレット状、格子状、棒状、プリーツ状な
どがある。一般にフィルタ状が効果が大きいことから好
ましい。フィルタ状で用いる場合の成形法の例として、
フッ素樹脂をバインダとして用い繊維状のガラス材をフ
ィルタ状に固めて用いる方法がある。有害成分除去フィ
ルタにおけるガラス及び/又はフッ素樹脂の充填密度
は、使用形状や要求性能などにより決めることができ
る。
【0010】有害成分除去フィルタによる被処理空気の
処理速度は、通常SV(空間速度、h-1)で100〜1
0万、一般的には数千〜数万で用いる。これら材料の材
質や形状、組合せ、充填密度、処理速度の選択は、本装
置の利用分野、接触角を増加させる有害成分の種類や濃
度、装置規模、構造、効果、再生利用の有無、経済性な
どにより適宜予備試験を行い、決めることができる。
処理速度は、通常SV(空間速度、h-1)で100〜1
0万、一般的には数千〜数万で用いる。これら材料の材
質や形状、組合せ、充填密度、処理速度の選択は、本装
置の利用分野、接触角を増加させる有害成分の種類や濃
度、装置規模、構造、効果、再生利用の有無、経済性な
どにより適宜予備試験を行い、決めることができる。
【0011】
【作用】ガラスあるいはフッ素樹脂による接触角を増加
させる有害成分の除去機構は、例えば空気中の有害成分
が数百種又は数千種以上の成分の混合物と言われている
ことから詳細は不明な点が多いが次のように考えられ
る。接触角の増加は、空気中有害成分の内特に分子量の
大きい物質や活性の高い物質の影響が大きいと推定さ
れ、これらの物質がガラスやフッ素樹脂により効果的に
吸着・捕集されることにより除去される。すなわち、多
種類の空気中の有害成分の内、接触角増加にどの成分が
どの程度関与するか不明な点が多いが、該有害成分除去
フィルタに通すことにより、接触角を増加する成分が除
去された気体が得られる。また、接触角を増加させる有
害成分は基材の種類(例えば、ウエハ、ガラス材等)や
基板上の薄膜の種類やその状態により様々である。
させる有害成分の除去機構は、例えば空気中の有害成分
が数百種又は数千種以上の成分の混合物と言われている
ことから詳細は不明な点が多いが次のように考えられ
る。接触角の増加は、空気中有害成分の内特に分子量の
大きい物質や活性の高い物質の影響が大きいと推定さ
れ、これらの物質がガラスやフッ素樹脂により効果的に
吸着・捕集されることにより除去される。すなわち、多
種類の空気中の有害成分の内、接触角増加にどの成分が
どの程度関与するか不明な点が多いが、該有害成分除去
フィルタに通すことにより、接触角を増加する成分が除
去された気体が得られる。また、接触角を増加させる有
害成分は基材の種類(例えば、ウエハ、ガラス材等)や
基板上の薄膜の種類やその状態により様々である。
【0012】接触角の増加原因は、(1)、H.C.、
SOx、NOx、HCl、NH3 などのようなガス状の
有害成分、(2)、微粒子のような粒子状物質、
(3)、(1)と(2)の中間物質の有害成分(例、ミ
スト、クラスター)、に大別できるが、通常の空気(通
常のクリーンルームにおける環境大気)中の濃度に対す
る影響では、(1)、微粒子のような粒子状物質、
(2)、H.C.のようなガス状の有害物質の関与が大
きい。一般に、通常の基材や基盤に介しては、SOx、
NOx、HCl、NH3 は、夫々単一成分では、通常の
空気中の濃度レベルでは、接触角の増加に対し影響は少
ない。
SOx、NOx、HCl、NH3 などのようなガス状の
有害成分、(2)、微粒子のような粒子状物質、
(3)、(1)と(2)の中間物質の有害成分(例、ミ
スト、クラスター)、に大別できるが、通常の空気(通
常のクリーンルームにおける環境大気)中の濃度に対す
る影響では、(1)、微粒子のような粒子状物質、
(2)、H.C.のようなガス状の有害物質の関与が大
きい。一般に、通常の基材や基盤に介しては、SOx、
NOx、HCl、NH3 は、夫々単一成分では、通常の
空気中の濃度レベルでは、接触角の増加に対し影響は少
ない。
【0013】しかし、SOx、NOx、HCl、NH3
などの濃度が高い場合や、これら成分が複数共存する場
合、また基材や基盤が敏感な場合や特殊な場合(例え
ば、基材表面に特殊な薄膜を被覆した場合)、通常では
影響しない有害成分や濃度でも影響を受ける場合があ
る。クリーンルームにおいて、H.C.、SOx、NO
x、HCl、NH3 のような有害ガスの発生があり、こ
れら成分の気体中の濃度が高い場合、あるいは基材や基
盤が特殊な処理をされ敏感な状態で取扱う場合は、本発
明がすでに提案した紫外線及び/又は放射線を有害ガス
に照射して、有害ガスを微粒子化し、該微粒子を捕集す
る方法(装置)(特願平3−22,686号)を適宜に
組合せて用いることができる。
などの濃度が高い場合や、これら成分が複数共存する場
合、また基材や基盤が敏感な場合や特殊な場合(例え
ば、基材表面に特殊な薄膜を被覆した場合)、通常では
影響しない有害成分や濃度でも影響を受ける場合があ
る。クリーンルームにおいて、H.C.、SOx、NO
x、HCl、NH3 のような有害ガスの発生があり、こ
れら成分の気体中の濃度が高い場合、あるいは基材や基
盤が特殊な処理をされ敏感な状態で取扱う場合は、本発
明がすでに提案した紫外線及び/又は放射線を有害ガス
に照射して、有害ガスを微粒子化し、該微粒子を捕集す
る方法(装置)(特願平3−22,686号)を適宜に
組合せて用いることができる。
【0014】また、このような場合は別の周知の有害ガ
ス除去材例えば活性炭、イオン交換繊維などを適宜組合
せて用いることができる。活性炭は、酸やアルカリなど
を添着したり、適宜の周知の方法により改質したものを
用いることができる。H.C.の除去においては、本発
明者がすでに提案した紫外線照射及び/又は放射線照射
によりH.C.を微粒子化して捕集する方法(特願平3
−105,092号)を併せて用いることができる。ま
た、本発明者が接触角の増加防止のためにすでに提案し
た別の発明(特願平3−341,802号)を適宜組合
せて用いることもできる。適用分野によっては、本発明
の捕集材(ガラス材及び/又はフッ素樹脂)に、この別
の発明の有害物質捕集材(例、シリカゲル、合成ゼオラ
イト、高分子化合物)を組合せて用いると、有害成分の
捕集性が顕著に向上するので好ましい。
ス除去材例えば活性炭、イオン交換繊維などを適宜組合
せて用いることができる。活性炭は、酸やアルカリなど
を添着したり、適宜の周知の方法により改質したものを
用いることができる。H.C.の除去においては、本発
明者がすでに提案した紫外線照射及び/又は放射線照射
によりH.C.を微粒子化して捕集する方法(特願平3
−105,092号)を併せて用いることができる。ま
た、本発明者が接触角の増加防止のためにすでに提案し
た別の発明(特願平3−341,802号)を適宜組合
せて用いることもできる。適用分野によっては、本発明
の捕集材(ガラス材及び/又はフッ素樹脂)に、この別
の発明の有害物質捕集材(例、シリカゲル、合成ゼオラ
イト、高分子化合物)を組合せて用いると、有害成分の
捕集性が顕著に向上するので好ましい。
【0015】なお、本発明においては、除塵フィルタと
有害成分除去フィルタを個別に設置しても良いが、適用
分野、装置の形状・構造、規模、微粒子濃度、効果、経
済性などによっては、除塵フィルタと有害成分除去フィ
ルタを一体化しても良く、適宜に選択することができ
る。一体化して行う場合は、ガラス材で成るHEPAあ
るいはULPAフィルタのような除塵フィルタにフッ素
樹脂を適宜被覆あるいは含浸することにより達成でき
る。個別で用いるか、あるいは一体化して用いるかの判
断は通常次のように行う。
有害成分除去フィルタを個別に設置しても良いが、適用
分野、装置の形状・構造、規模、微粒子濃度、効果、経
済性などによっては、除塵フィルタと有害成分除去フィ
ルタを一体化しても良く、適宜に選択することができ
る。一体化して行う場合は、ガラス材で成るHEPAあ
るいはULPAフィルタのような除塵フィルタにフッ素
樹脂を適宜被覆あるいは含浸することにより達成でき
る。個別で用いるか、あるいは一体化して用いるかの判
断は通常次のように行う。
【0016】微粒子濃度が高い場合は、個別に除塵フィ
ルタを設置する。すなわち、微粒子(粒子状物質)も接
触角増加に影響を及ぼすので個別の除塵フィルタで除去
する。また、接触角の増加を防止する装置で用いる有害
成分除塵フィルタに除塵性がない場合も、上記理由より
個別に除塵フィルタを設置する。微粒子濃度が低い場
合、あるいは微粒子濃度が低く、有害成分除去フィルタ
に除塵性がある場合は個別の除塵フィルタの設置は不用
とすることができる。
ルタを設置する。すなわち、微粒子(粒子状物質)も接
触角増加に影響を及ぼすので個別の除塵フィルタで除去
する。また、接触角の増加を防止する装置で用いる有害
成分除塵フィルタに除塵性がない場合も、上記理由より
個別に除塵フィルタを設置する。微粒子濃度が低い場
合、あるいは微粒子濃度が低く、有害成分除去フィルタ
に除塵性がある場合は個別の除塵フィルタの設置は不用
とすることができる。
【0017】上記のように、接触角に影響を及ぼす物
質は多岐にわたっていること、また接触角の増加の防
止を行いたい現場の立地条件(環境により存在する物質
の種類や濃度、更にはクリーンルームの条件)が夫々に
異なることから、夫々の現場に好適な方法、即ち、有害
成分除去フィルタの構成や形状や充填密度SVや更に種
々の方法の組合せを利用するクリーンルームについて、
汚染物(微粒子、H.C.、他の有害成分)の濃度、種
類、適用装置の種類、構造、規模、要求性能・効率、経
済性などで適宜に予備試験を行い決めることが好まし
い。媒体が空気の場合に限らず、窒素やアルゴンなど他
の気体に不純物として微粒子状やガス状あるいはミスト
状の有害物質が含まれる場合も同様に実施できることは
言うまでもない。
質は多岐にわたっていること、また接触角の増加の防
止を行いたい現場の立地条件(環境により存在する物質
の種類や濃度、更にはクリーンルームの条件)が夫々に
異なることから、夫々の現場に好適な方法、即ち、有害
成分除去フィルタの構成や形状や充填密度SVや更に種
々の方法の組合せを利用するクリーンルームについて、
汚染物(微粒子、H.C.、他の有害成分)の濃度、種
類、適用装置の種類、構造、規模、要求性能・効率、経
済性などで適宜に予備試験を行い決めることが好まし
い。媒体が空気の場合に限らず、窒素やアルゴンなど他
の気体に不純物として微粒子状やガス状あるいはミスト
状の有害物質が含まれる場合も同様に実施できることは
言うまでもない。
【0018】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されない。 実施例1 本発明の基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法を、
半導体工場におけるエアーナイフ用の供給空気に適用し
た例を図1に示す。図1において、1はクラス10,0
00のクリーンルームであり、クリーンルーム1ではク
リーンルーム内空気2が主に除塵フィルタ3及びガラス
材4−1とフッ素樹脂4−2より成る接触角の増加を防
止する装置5にて処理される。該装置後の空気6は、除
塵され、かつ接触角を増加させるガス状有害成分が除去
された清浄化空気となり、ウエハ洗浄におけるエアーナ
イフ装置7へ供給される。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されない。 実施例1 本発明の基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法を、
半導体工場におけるエアーナイフ用の供給空気に適用し
た例を図1に示す。図1において、1はクラス10,0
00のクリーンルームであり、クリーンルーム1ではク
リーンルーム内空気2が主に除塵フィルタ3及びガラス
材4−1とフッ素樹脂4−2より成る接触角の増加を防
止する装置5にて処理される。該装置後の空気6は、除
塵され、かつ接触角を増加させるガス状有害成分が除去
された清浄化空気となり、ウエハ洗浄におけるエアーナ
イフ装置7へ供給される。
【0019】クリーンルーム1内の空気2は、外気8を
先ず粗フィルタ9や空気調和器10で処理を行い、次い
で、HEPAフィルタ11により除塵され、クラス1
0,000が保持されているが、外気8中の接触角を増
加させる有害成分(例H.C.、NOx、SOx、NH
3 )は、上記粗フィルタ9、空気調和器10、HEPA
フィルタ11では除去できないため、クリーンルーム1
内に導入されてしまう。12は接触角を増加させる有害
成分が共存する導入空気である。次に接触角の増加を防
止する装置5について詳しく述べる。微粒子と極低濃度
の接触角を増加させる有害成分を含むクリーンルーム1
内の空気2は、先ず、除塵フィルタ3にて微粒子が除去
される。除塵フィルタ3はクラス10,000のクリー
ンルームにおける微粒子を効率良く捕集できるものであ
れば何れでも良い。
先ず粗フィルタ9や空気調和器10で処理を行い、次い
で、HEPAフィルタ11により除塵され、クラス1
0,000が保持されているが、外気8中の接触角を増
加させる有害成分(例H.C.、NOx、SOx、NH
3 )は、上記粗フィルタ9、空気調和器10、HEPA
フィルタ11では除去できないため、クリーンルーム1
内に導入されてしまう。12は接触角を増加させる有害
成分が共存する導入空気である。次に接触角の増加を防
止する装置5について詳しく述べる。微粒子と極低濃度
の接触角を増加させる有害成分を含むクリーンルーム1
内の空気2は、先ず、除塵フィルタ3にて微粒子が除去
される。除塵フィルタ3はクラス10,000のクリー
ンルームにおける微粒子を効率良く捕集できるものであ
れば何れでも良い。
【0020】通常、HEPAフィルタやULPAフィル
タが用いられる。本例ではULPAフィルタを使用して
いる。除塵後の空気は、次いで有害成分除去フィルタ4
−1、4−2にて極低濃度の有害成分が効率良く除去さ
れる。このようにして、クリーンルーム1中の微量の微
粒子と接触角を増加させる有害成分が接触角の増加を防
止する装置5にて除去され、清浄空気6となりエアーナ
イフ装置7へ供給される。
タが用いられる。本例ではULPAフィルタを使用して
いる。除塵後の空気は、次いで有害成分除去フィルタ4
−1、4−2にて極低濃度の有害成分が効率良く除去さ
れる。このようにして、クリーンルーム1中の微量の微
粒子と接触角を増加させる有害成分が接触角の増加を防
止する装置5にて除去され、清浄空気6となりエアーナ
イフ装置7へ供給される。
【0021】実施例2 図1に示した接触角の増加を防止する装置でクリーンル
ームの空気中の微粒子及び有害成分の除去を行った洗浄
化空気にガラス基盤を暴露し、接触角の増加について調
べた。 クリーンルーム : クラス100,000 除塵フィルタ : ULPA 有害成分除去フィルタ: 繊維状のホウケイ酸ガラスを
四フッ化樹脂でフィルタ状に成形したもの。 フィルタ部のSV : 10,000(h-1) 接触角の測定 : 接触角計 ガラス基盤の前処理 : 洗剤とアルコールで洗浄後、
O3 発生下で紫外線照射。
ームの空気中の微粒子及び有害成分の除去を行った洗浄
化空気にガラス基盤を暴露し、接触角の増加について調
べた。 クリーンルーム : クラス100,000 除塵フィルタ : ULPA 有害成分除去フィルタ: 繊維状のホウケイ酸ガラスを
四フッ化樹脂でフィルタ状に成形したもの。 フィルタ部のSV : 10,000(h-1) 接触角の測定 : 接触角計 ガラス基盤の前処理 : 洗剤とアルコールで洗浄後、
O3 発生下で紫外線照射。
【0022】結果 150時間暴露した接触角(θ、度)を図2に示す。図
2において、本発明のものは−〇−で示し、また、比較
として、クリーンルームの空気にそのまま暴露したもの
(−●−)、除塵フィルタのみ通した空気(−□−)、
を示す。尚、用いた接触角計の接触角を検出し得る度数
(検出下限の接触角、θ、度)は、3〜4度であり、本
発明の除塵フィルタと有害成分除去フィルタを同時に用
いたものは、検出限界(↓)を示す。
2において、本発明のものは−〇−で示し、また、比較
として、クリーンルームの空気にそのまま暴露したもの
(−●−)、除塵フィルタのみ通した空気(−□−)、
を示す。尚、用いた接触角計の接触角を検出し得る度数
(検出下限の接触角、θ、度)は、3〜4度であり、本
発明の除塵フィルタと有害成分除去フィルタを同時に用
いたものは、検出限界(↓)を示す。
【0023】実施例3 クラス1,000のクリーンルームで実施例2と同様に
試験し、接触角の増加について調べた。 有害成分除去フィルタ:ガラス素材のULPAフィルタ
に四化フッ化樹脂を被覆したもの(除塵フィルタと有害
成分除去フィルタが一体化したもの)。 (実施例2において除塵フィルタ3がないもの) 結果 150時間暴露した接触角を図3に示す。図3におい
て、本発明のものは−〇−で示し、また比較としてクリ
ーンルームの空気にそのまま暴露したもの(−●−)を
示す。
試験し、接触角の増加について調べた。 有害成分除去フィルタ:ガラス素材のULPAフィルタ
に四化フッ化樹脂を被覆したもの(除塵フィルタと有害
成分除去フィルタが一体化したもの)。 (実施例2において除塵フィルタ3がないもの) 結果 150時間暴露した接触角を図3に示す。図3におい
て、本発明のものは−〇−で示し、また比較としてクリ
ーンルームの空気にそのまま暴露したもの(−●−)を
示す。
【0024】実施例4 実施例2における接触角の増加を防止する装置の前に
「酸性ガス吸着材が充填された吸着材充填部」を設置
し、酸洗浄しているクリーンルームで用い、クリーンル
ーム内空気に暴露したウエハの接触角と該装置出口の清
浄化空気に暴露したウエハの接触角を比較した。 クリーンルーム : クラス100,000 除塵フィルタ : ULPA 有害成分除去フィルタ : 実施例2と同じ。
「酸性ガス吸着材が充填された吸着材充填部」を設置
し、酸洗浄しているクリーンルームで用い、クリーンル
ーム内空気に暴露したウエハの接触角と該装置出口の清
浄化空気に暴露したウエハの接触角を比較した。 クリーンルーム : クラス100,000 除塵フィルタ : ULPA 有害成分除去フィルタ : 実施例2と同じ。
【0025】酸性ガス吸着材の充填部の吸着材 :活性
炭(添着炭)及びイオン交換繊維(1:1) フィルタ部のSV : 10,000(h-1) 吸着材の充填部のSV : 1,000(h-1) クリーンルームにおける酸処理 : 硝酸と硫酸を使用 クリーンルームにおいて、クリーンルーム空気をウエハ
に暴露した空気中、NOx、SOx、NH3 濃度 :
10〜50ppm 接触角の測定及びガラス基盤の前処理は実施例と同じ。
炭(添着炭)及びイオン交換繊維(1:1) フィルタ部のSV : 10,000(h-1) 吸着材の充填部のSV : 1,000(h-1) クリーンルームにおける酸処理 : 硝酸と硫酸を使用 クリーンルームにおいて、クリーンルーム空気をウエハ
に暴露した空気中、NOx、SOx、NH3 濃度 :
10〜50ppm 接触角の測定及びガラス基盤の前処理は実施例と同じ。
【0026】結果 150時間暴露した接触角を図4に示す。図4におい
て、本発明のものは−〇−で示し、また比較としてクリ
ーンルームの空気にそのまま暴露したもの(−●−)、
また除塵フィルタ及び有害成分除去フィルタのみのもの
(−■−)を示す。
て、本発明のものは−〇−で示し、また比較としてクリ
ーンルームの空気にそのまま暴露したもの(−●−)、
また除塵フィルタ及び有害成分除去フィルタのみのもの
(−■−)を示す。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば以下のような効果を奏す
る。 1)接触角の増加を防止するにあたり、気体をガラス及
び/又はフッ素樹脂を含有する除去手段と接触すること
により、気体中の接触角を増加させる有害成分が除去さ
れる。得られた清浄化気体を、半導体や液晶などの先端
産業における基材や基盤上に暴露しておくことで該基材
や基盤の表面汚染が防止でき、その結果該基材や基盤の
接触角が増加しない効果が生じる。
る。 1)接触角の増加を防止するにあたり、気体をガラス及
び/又はフッ素樹脂を含有する除去手段と接触すること
により、気体中の接触角を増加させる有害成分が除去さ
れる。得られた清浄化気体を、半導体や液晶などの先端
産業における基材や基盤上に暴露しておくことで該基材
や基盤の表面汚染が防止でき、その結果該基材や基盤の
接触角が増加しない効果が生じる。
【0028】2)ガラス及び/又はフッ素樹脂の除去手
段の形状をフィルタ状とすることにより、 (1)気体が広い面積のガラス及び/又はフッ素樹脂と
接触するので気体中の接触角を増加させる有害成分が効
率良く除去できる。 (2)また、フィルタにより、共存する微粒子(粒子状
物質)も除去されるので、接触角を増加させない気体が
更に効果的に得られる。 従って、微粒子が比較的高濃度共存する場合であっても
(2)の清浄気体を、基材や基盤上に暴露しておくこと
で該基材や基盤の表面汚染が防止でき、その該基材や基
盤の接触角が増加しない効果が生じる。
段の形状をフィルタ状とすることにより、 (1)気体が広い面積のガラス及び/又はフッ素樹脂と
接触するので気体中の接触角を増加させる有害成分が効
率良く除去できる。 (2)また、フィルタにより、共存する微粒子(粒子状
物質)も除去されるので、接触角を増加させない気体が
更に効果的に得られる。 従って、微粒子が比較的高濃度共存する場合であっても
(2)の清浄気体を、基材や基盤上に暴露しておくこと
で該基材や基盤の表面汚染が防止でき、その該基材や基
盤の接触角が増加しない効果が生じる。
【0029】3)有害成分が高濃度存在する場合、接触
角の増加を防止するにあたり、本ガラス及び/又はフッ
素樹脂による除去法に該有害成分の任意の除去法(紫外
線照射又は放射線照射、あるいは活性炭やイオン交換繊
維を用いる方法等)を適宜組合せることにより、HC、
SOx、NOx、HCl、NH3 などに対し、真に接触
角を増加させる有害成分、濃度に対応した(現場に対応
した)好適な除去を行うことができる。
角の増加を防止するにあたり、本ガラス及び/又はフッ
素樹脂による除去法に該有害成分の任意の除去法(紫外
線照射又は放射線照射、あるいは活性炭やイオン交換繊
維を用いる方法等)を適宜組合せることにより、HC、
SOx、NOx、HCl、NH3 などに対し、真に接触
角を増加させる有害成分、濃度に対応した(現場に対応
した)好適な除去を行うことができる。
【図1】本発明の接触角の増加防止方法を適用した説明
図。
図。
【図2】実施例2の結果を示すグラフ。
【図3】実施例3の結果を示すグラフ。
【図4】実施例4の結果を示すグラフ。
1:クリーンルーム、2:ルーム内空気、3:除塵フィ
ルタ、4−1:ガラスフィルタ、4−2:フッ素樹脂フ
ィルタ、5:接触角増加防止装置、6:浄化空気、7:
エアーナイフ装置、8:外気、9:粗フィルタ、10:
空気調和器、11:HEPAフィルタ、12:除塵空気
ルタ、4−1:ガラスフィルタ、4−2:フッ素樹脂フ
ィルタ、5:接触角増加防止装置、6:浄化空気、7:
エアーナイフ装置、8:外気、9:粗フィルタ、10:
空気調和器、11:HEPAフィルタ、12:除塵空気
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 作 神奈川県藤沢市本藤沢4丁目2番1号 株 式会社荏原総合研究所内 (72)発明者 坂本 和彦 埼玉県浦和市南元宿2−4−1
Claims (3)
- 【請求項1】 基材又は基盤表面の接触角の増加を防止
する方法において、該基材又は基盤と接触する気体を、
ガラス及び/又はフッ素樹脂を含有する除去手段によ
り、該気体中の有害物質を除去して、前記基材又は基盤
と接触させることを特徴とする接触角の増加防止方法。 - 【請求項2】 前記ガラス及び/又はフッ素樹脂を含有
する除去手段が、フィルタ状であることを特徴とする請
求項1記載の接触角の増加防止方法。 - 【請求項3】 基材又は基盤表面の接触角の増加を防止
する装置において、該基材又は基盤と接触する気体を通
す、有害物質を除去するためのガラス及び/又はフッ素
樹脂を充填した除去装置を備えたことを特徴とする接触
角の増加防止装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4180538A JP2582706B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法及び装置 |
| US09/620,247 US6340381B1 (en) | 1991-12-02 | 2000-07-20 | Method and apparatus for the preparation of clean gases |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4180538A JP2582706B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06324A true JPH06324A (ja) | 1994-01-11 |
| JP2582706B2 JP2582706B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=16085022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4180538A Expired - Fee Related JP2582706B2 (ja) | 1991-12-02 | 1992-06-16 | 基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582706B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129070A (en) * | 1976-04-22 | 1977-10-29 | Ntn Toyo Bearing Co Ltd | Device for removing minute foreign matter in gas |
| JPS60157035A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-17 | Toshiba Corp | 環境の清浄度評価方法 |
| JPS6312315A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-19 | Ebara Res Co Ltd | 気体浄化装置用フイルタ |
| JPH03119200A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-21 | Ohtsu Tire & Rubber Co Ltd :The | 多孔質ガラスペーパー |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP4180538A patent/JP2582706B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129070A (en) * | 1976-04-22 | 1977-10-29 | Ntn Toyo Bearing Co Ltd | Device for removing minute foreign matter in gas |
| JPS60157035A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-17 | Toshiba Corp | 環境の清浄度評価方法 |
| JPS6312315A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-19 | Ebara Res Co Ltd | 気体浄化装置用フイルタ |
| JPH03119200A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-21 | Ohtsu Tire & Rubber Co Ltd :The | 多孔質ガラスペーパー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2582706B2 (ja) | 1997-02-19 |
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