JPS60157231A - ウエ−ハロ−ダ - Google Patents

ウエ−ハロ−ダ

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JPS60157231A
JPS60157231A JP59011044A JP1104484A JPS60157231A JP S60157231 A JPS60157231 A JP S60157231A JP 59011044 A JP59011044 A JP 59011044A JP 1104484 A JP1104484 A JP 1104484A JP S60157231 A JPS60157231 A JP S60157231A
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JP
Japan
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wafer
vacuum
arrow
sheet
urethane sheet
Prior art date
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Application number
JP59011044A
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English (en)
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JPH0129063B2 (ja
Inventor
Takayuki Minamiyama
南山 隆幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS60157231A publication Critical patent/JPS60157231A/ja
Publication of JPH0129063B2 publication Critical patent/JPH0129063B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/78Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/50Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Manipulator (AREA)
  • Feeding Of Articles By Means Other Than Belts Or Rollers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、ウェーハを研磨装置の保持部に装着するだめ
のウェーハローダに関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
一般に1例えば単結晶シリコンなどのウェーハを研磨加
工する場合のウェーハ保持方法として、ウェーハをワッ
クスなどを介して保持部に接着する方法と、ワックスを
用いずウェーハを保持部に密着させる方法とがある。後
者の方法における保持部は、保持基板に発泡ウレタンシ
ートを貼着し。
この発泡ウレタンシート上にウェーハが加工中飛散する
のを防止するためのキャリヤが固着されている。このキ
ャリヤには、ウェーハを保持するだめの丸穴が穿設され
ている。しかして、ウェーハは、発泡ウレタンシートに
水を介して押圧されることにより密着固定される。
しかるに、上記のような発泡ウレタンシートにウェーハ
を押圧することによりウェーハを保持させる方法を単純
に機械化した場合、ウェーハ表面を傷付けてしまう虞が
あった。
〔発明の目的〕
本発明は、上記事情を参酌してなされたもので。
ウェーハ表面を傷つけることなくウェーハ研磨装置の保
持部に接着するウェーハローダを提供するととを目的と
する。
〔発明の概要〕
ウェーハを真空吸着部により着脱自在に保持するととも
に、この真空吸着部により吸着され位置決め機構により
例えば発泡ウレタンシート上、に整載されたウェーハに
圧縮空気を噴射して押圧することにより、ウェーハを上
記発泡ウレタンシートに接着するようにしたものである
〔発明の実施例〕
以下1本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
第1図は、本実施例のウェーッ・ローダの斜視図であっ
て、このウェーハローダは1位置決め機構(1)と、こ
の位置決め機構(1)に取着されたウェーハ着脱機構(
2)と、図示せぬ真空源と、同じく図示せぬ圧縮空気源
とからなっている。上記位置決め機構(1)は、回転軸
(3)と、この回転軸(3)を矢印(4a)。
(4b)方向に回転駆動する回転駆動機構(図示せず)
と1回転軸(3)を軸方向である矢印(5a)、 (5
b)方向に昇降駆動する昇降駆動機構(図示せず)と1
回転軸(3)の上端部横方向に連結された平板棒状の支
持体(6)とからなっている。この位置決め機構(1)
は。
ウェーハを研磨加工する研磨装置の一部をなすチャック
部(力に近接して設置されている。一方、ウェーハ着脱
機構(2)は、第2図及び第3図に示すように、支持体
(6)の先端下面に上下方向に固定された基軸(8)と
、この基軸(8)の下端部に同軸かつ開口側が下側とな
るように重設された椀状の保持体(9)と、この保持体
(9)の中空部(9a)に等配して収納される3個の真
空ビンセットαO)・・・とからなっている。
これら3個の真空ピンセラ) (LO)・・・は、同一
構造であるので、このうちの一つについて説明すると。
真空ピンセラ) (10)は、保持体(9)の中空部(
9a)底部に気密かつ摺動自在に貫装された排気管(1
1)と、この排気管(11)の中空部(9a)側端部に
連結されたゴムなどの弾性体からなる吸着片(l々と、
排気管(11)に巻装された圧縮ばね(l■とからなっ
ている。上記排気管aυの吸着片(121と反対側の端
部は、保持体(9)の背部に突出していてストッパとな
る鍔(lla)が形成されている。しかして、圧縮はね
(13)は、外力が付加され々いときは、鍔(lla)
が保持体(9)の背面に描接するまで吸着片(12を矢
印I方向に付勢するようになっている。このときの吸着
片(1りの前面(12a)は、保持体(9)の端面(2
)よりも外方に突出するように設定されている。さらに
、端面(1ツには複数の切欠(15a)・・・が等配し
て設けられ、気体の流通路となるようになっている。ま
た、吸着片αりの内側には、ウェーハα6)を位置決め
するための吸着座(17)が段差状に欠切して形成され
ている。この吸着座(【7)の主面には、排気管(lυ
の端面が面一に開口している。この排気管(11)の鍔
(lla)側の端部には、上記真空源に接続された可撓
性の導管(1枠が接続されている。一方、基軸(8)に
は1貫通孔(1glが同軸に穿設され、その一端部は、
保持体(9)の中空部(9a)に開り 口し、他端部1d、1記圧縮空気源に接続されい可撓性
の導管(20)に法鮭されている。なお、上記チャック
部(7)1は、基体(I!υと、この基体(21)上に
固設された円柱状の支持台(22と、この支持台(22
上面に貼着された円板状の発泡ウレタンシー) Elと
、この発泡ウレタンシート(ハ)上に支持台0渇と同軸
に固着された円環状のキャリヤ(2)とからなっている
。このキャリヤ(241の内径は、ウェーハ(t6)の
外径より大となるように設けられている。さらに、支持
体(6)の長さは1回転軸(3)が回転して、保持体(
9)と支持台(2湯とが同軸となるように設定されてい
る。
上記構成のウェーハローダにおいては、まず真空源を作
動させて、真空ビンセットθ0)・・・により。
ウェーハ(IQをその吸着座aη・・・K保持させる。
すなわち、回転軸(3)を、矢印(4a)方向に回転さ
せるとともに、矢印(5b)方向に下降させ、さらに導
管鱈・・・及び排気管a→・・・を介して排気すること
により、図示せぬ載置台上の所定位置に置がれているウ
ェ−−−Hをウェーハ着脱機構(2)に保持させる。こ
のときウェーハ06)の下面は、端面o9より下方に位
置している。ついで、回転軸(3)を矢印(5a)方向
に−F昇させるとともに、矢印(4b)方向に回転させ
、ウェーハ(t6)を発泡ウレタンシート(23+直上
位Ti“に位置決めする。しかして、保持体(9)を矢
印(5b)方向に下降させて、ウェーハ卸を発泡ウレタ
ンシート(ハ)に、ウェーハ([6)の下面が圧縮ばね
(1りの付勢力に抗して端面a51にキャリヤ(財)が
当接する位置に後退するまで押圧する。したがって、ウ
ェーハ(国は圧縮ばねα四により発泡ウレタンシート(
ハ)に加圧されている。ついで、真空吸着を停止した後
、導管120)及び貫通孔(191を経由して、圧縮空
気源より圧縮空気をウェーハ(fωに噴射し、このウェ
ーハ(t6)を発泡ウレタンシート(ハ)に対して静圧
的に押圧する。かくて、ウェーハ(16)は、発泡つV
タンシー) (23)に固着される。ついで、圧縮空気
の噴射を停止し、保持体(9)を矢印(5a)方向に上
昇させて原位置に復帰させる。
このように、本実施例のウェーハローダは、ウェーハ鱈
の発泡ウレタンシート(2湯への押圧を圧縮空気傾より
行っているので、ウェーッー (l[9表面を傷付ける
ことがない。また、ウェーハaυの着脱を真空チャック
(10)・・・により行っていることもウェーハαeの
表面の保護に役立っている。これら二つの効果が相俟っ
て1発泡ウレタンシート(2階へのウェーハαeへの自
動化された接着作業の信頼性が高まり。
ウェーハα6)の品質向上及び製造価格低減に寄与する
ことができる。
なお、上記実施例における圧縮空気の代りに窒素、アル
ゴン(Ar)、二酸化炭素(CO2)等を用いてもよい
。また、真空ピンセット(jO)・・・の代りに1円環
状吸着板の一端面に真空源に接続された11、空吸着孔
を等配して開口させ、ウェーハを光鋭自在に保持するよ
うにしてもよい。さらにまた、位置決め機構は、上記実
施例に限ることなく5例えばロボットのアームに取付け
てもよい。さらに、圧縮気体は、貫通孔0旬でなく1本
又は複数本のノズルから噴射させるようにしてもよい。
〔発明の効果〕
本が糊のウェーハローダは1例えば発泡ウレタンシート
などに接着されるウェーハの押圧を圧縮気体の噴射によ
り行い、なおかつウェーハの着脱を真空吸着を利用して
行うようにしているので、接着時にウェーハ表面を傷付
けることがない。とのことKより、ウェーハ接着のだめ
の自動化作業の信頼性が高まり、ウェーハの品質向上及
び製造価格低減に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本おり7の一実施例のウェーハロータノ斜視図
、第2図は第1図における保持体の下面図。 第3図は第2図におけるAOA’線断面図である。 (1):位置決め機構。 (2):ウェーハ着脱機構。 a1=真空ビンセット(真空吸着部)。 (te :ウエーハ。 (1俤:貫通孔(噴射加圧部) 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェーハの一方の主面の一部を真空吸着して保持する真
    空吸着部及びこの真空吸着部に近接して設けられ上記ウ
    ェーハの一方の主面に圧縮気体を噴射して加圧する噴射
    加圧部を有するウェーハ着脱機構と、このウェーハ着脱
    機構を保持して所定位置に位置決めする位置決め機構と
    、上記真空吸着部に接続された真空源と、上記噴射加圧
    部に接続された圧縮気体源とを具備することを特徴とす
    るウェーハローダ。
JP59011044A 1984-01-26 1984-01-26 ウエ−ハロ−ダ Granted JPS60157231A (ja)

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JP59011044A JPS60157231A (ja) 1984-01-26 1984-01-26 ウエ−ハロ−ダ

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JPH0129063B2 JPH0129063B2 (ja) 1989-06-07

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6445567A (en) * 1987-08-10 1989-02-20 Sumitomo Electric Industries Semiconductor wafer applying method and device
US5443416A (en) * 1993-09-09 1995-08-22 Cybeq Systems Incorporated Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus
KR100967222B1 (ko) 2008-06-16 2010-07-05 정진황 이송챔버 및 기판이송방법
WO2011033724A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 株式会社Sumco 研磨方法及びその装置
CN104690641A (zh) * 2013-12-04 2015-06-10 台湾积体电路制造股份有限公司 用于弯曲晶圆的传送模块
CN106826510A (zh) * 2016-12-30 2017-06-13 郑州晶润光电技术有限公司 一种晶片扫光工艺

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6445567A (en) * 1987-08-10 1989-02-20 Sumitomo Electric Industries Semiconductor wafer applying method and device
US5443416A (en) * 1993-09-09 1995-08-22 Cybeq Systems Incorporated Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus
US5527209A (en) * 1993-09-09 1996-06-18 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head adapted for easy removal of wafers
KR100967222B1 (ko) 2008-06-16 2010-07-05 정진황 이송챔버 및 기판이송방법
WO2011033724A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 株式会社Sumco 研磨方法及びその装置
JP2011062789A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Sumco Corp 研磨方法及びその装置
US8870627B2 (en) 2009-09-18 2014-10-28 Sumco Corporation Polishing method and polishing apparatus
CN104690641A (zh) * 2013-12-04 2015-06-10 台湾积体电路制造股份有限公司 用于弯曲晶圆的传送模块
CN106826510A (zh) * 2016-12-30 2017-06-13 郑州晶润光电技术有限公司 一种晶片扫光工艺

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JPH0129063B2 (ja) 1989-06-07

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