JPS60159855A - 電子写真感光体の製造装置 - Google Patents

電子写真感光体の製造装置

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Publication number
JPS60159855A
JPS60159855A JP1559284A JP1559284A JPS60159855A JP S60159855 A JPS60159855 A JP S60159855A JP 1559284 A JP1559284 A JP 1559284A JP 1559284 A JP1559284 A JP 1559284A JP S60159855 A JPS60159855 A JP S60159855A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
closed
manufacturing
drums
electrophotographic photoreceptor
Prior art date
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Pending
Application number
JP1559284A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayasu Yamaguchi
山口 雅靖
Hideo Takei
日出夫 竹井
Koichi Terunuma
幸一 照沼
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
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Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工 発明の背景 技術分野 本発明は、グロー放電分解法により支持体ドラムの表面
にアモルファスシリコンからなる光導電体層を形成する
ための電子写真感光体の製造装置に関する。
先行技術とその問題点 複写機やレーザープリンター用等の電子写真感光体とし
て、シラン系ガスのグロー放電分解法(プラズマCVD
法)によって形成されるアモルファスシリコン(以下a
−3iと略t) を光導電体層とするものが提案され(
特開昭54−78135号)、近年、従来のセレンやC
dSにかわるものとして注目を浴び、実用化が進んでい
る。
これは、a−3iが、無公害性、耐熱性1表面硬度、耐
摩耗性等にすぐれているからである。
しかし、このプラズマCVD法は、a−3t膜の成長速
度が10人/秒程度と遅い欠点がある。 例えば、電子
写真感光体を作る場合、a−3i膜の厚さは15〜20
ルm程度必要であり、この膜厚にまで形成するのに要す
る時間は約5時間となり、生産性が悪いという難点を有
している。
ところで、この原料ガスは、かなり高価なものであり、
反応室内に導入される原料ガスの何パーセントが有効に
基体上に膜として形成されるかということが、プラズマ
CVD装置の効率を決める重要な要素となっている。
従来、電子写真感光体の円筒状支持体に成膜するプラズ
マCVD装置として、二重円筒状の槽内に、複数の支持
体ドラムをドラムの径方向が槽径方向と一致するように
して連続的に配置し、槽周方向にドラムを公転させつつ
、ドラムを自転させて成膜を行うものが知られている(
特開昭58−811943号、同5B−132755号
)。
このようなCVD装置を用いれば、ドラム間およびドラ
ム上の位置による膜厚のバラツキが小さい。
しかし、このような装置では、原料ガスは二重円筒の内
周壁から送入され、外周壁から排出されるか、あるいは
この逆の送人参排出を行うように構成される。 すなわ
ち、ガスの流れは、円筒の内側より外側へ、または外側
より内側へ流れる形式であり、ガスの滞留時間は短く、
効率が悪い。
II 発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、原料ガスの滞留時間を大きくし、
ガス効率を高め生産性を向上するとともに、製品ごとの
、あるいは場所による電子写真特性のバラツキをきわめ
て少なくし、安定な特性を有する電子写真感光体の製造
装置を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち第1の発明は。
シリコン水素化物を含むガスを槽内にてグo−放i分m
して、アモルファスシリコン光導電体層を支持体ドラム
上に形成する電子写真感光体の製造装置であって、前記
槽は、内周壁と外周壁に挟まれた閉路空間を有し、この
閉路空間内に複数のドラムを連続的に収納し、この閉路
空間内にて自、公転させながら成膜する電子写真感光体
の製造装置において、 前記閉路空間内に、連続的に収納したドラムの連続方向
にガス流が生じるように、ガス送入口とガス排出口を設
けたことを特徴とする電子写真感光体の製造装置である
また、第2の発明は、 シリコン水素化物を含むガスを槽内にてグロー放電分解
して、アモルファスシリコン光導電体層を支持体ドラム
上に形成する電子写真感光体の製造装置であって、前記
槽は、内周壁と外周壁に挟まれた閉路空間を有し、この
閉路空間内に複数のドラムを連続的に収納し、前記閉路
空間。内にて自、公転させながら成膜する電子写真感光
体の製造装置において、 前記閉路空間内に、連続的に収納したドラムの連続方向
にガス流が生じるように、ガス送入口とガス排出口を設
け、ガス送入口の直前に高周波またはマイクロ波による
プラズマ室を設けたことを特徴とする電子写真感光体の
製造装置である。
また、第3の発明は、 シリコン水素化物を含むガスを槽内にてグロー放電分解
して、アモルファスシリコン光導電体層を支持体ドラム
上に形成する電子写真感光体の製造装置であって、前記
槽は、内周壁と外周壁に挟まれた閉路空間を有し、この
閉路空間内に複数のドラムを連続的に収納し、前記閉路
空間内にて自、公転させながら成膜する電子写真感光体
の製造装置において、 前記閉路空間内に、連続的に収納したドラムの連続方向
にガス流が生じるように、ガス送入口とガス排出口を設
け、ガス送入口とガス排出口との間に、未反応ガスの回
収再利用バイパスを設けたことを特徴とする電子写真感
光体の製造装置である。
■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。
第1図には、本発明の実施例が示される。
第1図において、グロー放電分解を行う槽lは、二重円
筒状をなしている。 この場合、槽lは必ずしも二重円
筒状でなくてもよく、周面が長円状、矩形状をなしてい
てもよい。
すなわち、槽1は、内周壁11と外周壁12に挟まれた
閉路空間15を有していればよい。
一方、この閉路空間15内には、支持体ドラム3,3・
・・が連続的に収納される。
支持体ドラムの収納は、通常、図示のようにドラムの径
方向が檜の周面の径方向と一致するようにされる。
そして、各ドラムは、図示のように、公知のカム・プー
リー等を用いて、閉路空間15内にて、閉路空間15の
周方向を公転しつつ、それ自体自転するように構成され
ている。
また、槽1の内周壁11および外周壁12は、グロー放
電用の電極とされる。
この場合、内周壁11を一方の電極、また外周壁12を
他方の電極としてもよい。
あるいは、内周壁11および外周壁12を一方の電極と
し、ドラム3自体を他方の電極としてもよい。 この後
者の場合には、原料ガスが不必要な部分に被着すること
が防がれるので、ガス効率が向上する。
このような前提の下において、本発明では、ドラムの連
続方向に原料ガスのガス流が生じるようにされる。
すなわち、ガス送入口16およびガス排出口17は、ド
ラム3の静止状態にて、全てのドラム3をガス流が通過
するように槽内周方向を一方向に進むか、あるいは二方
向にわかれて進むようにされる。
このようにガス流を生じさせるには種々の態様が可能で
あるが、槽内にて、より均一なガス流が生じる点では、
図示のように、閉路空間15のほぼ径方向の両端に位置
する槽周面(通常外周壁12)に、ガス送入口16およ
びガス排出口17を設けるのが好ましい。
本発明では、このようにドラム連続方向にガス流を生じ
させる結果、原料ガスの滞留時間が長くなり、ガス効率
が格段と向上するものである。
さらに、送入口16の直前には、高周波またはマイクロ
波によるプラズマ室5を設け、原料ガスをあらかじめ励
起して送入し、これにより成膜速度を高め、ガス効率を
高めることが好゛ましい。
用いる高周波は3 KHz〜4501[Hz程度、投入
電力lOWNloow程度、また用いるマイクロ波は1
.27GHz〜数十GHz程度、投入電力10W〜10
0W程度とすればよい。
加えて、ガス送入口16とガス排出口17の間には、未
反応ガスの回収再利用用のバイパス6を設けることが好
ましい。 これにより、原料ガスの利用効率はきわめて
高いものとなる。
なお、二重円筒状等の閉路空間15内の多数のドラムは
一段でもよく、また設置段数を2段としてもよい。 本
発明者の実験によれば、ドラムの設置段数か2段であっ
たとし工も、原料ガス流の円周方向の流れにより、高さ
方向の感光体の膜厚は、実質的に一定に保たれることが
確かめられている。
用いる原料ガスとしては、a−3t膜を形成するために
用いる公知のすべてのものが使用可能である。
また、反応を行う槽内は、通常、0.5〜2Torr程
度の動作圧力とし、通常のグロー放電分解法に従い、共
振振動コイルに10’OW〜数KW程度で、1−10 
MHz程度の電力を投入し、グロー放電分解を行えばよ
い。
この場合、a−3i層を被着する支持体は、50〜35
0℃程度の温度に保持することが好ましい。
そして、通常、lO〜2000人/■in程度の成膜速
度にて、a−3i層を形成する Si層の厚さは、一般に、5〜60μm、特ニlO〜3
0μ脂程度とする。
なお、ドラムの材質は一般に、アルミニウム等とされる
さらに、ドラムの公転速度は0.1〜5 rpm程度、
自転速度は5〜30 rpm程度とすればよい。
また、a−3i層は、異なる不純物濃度や、不純物の種
類をもつ複数の層を積層して形成されたものであっても
よい。
なお、第1図において、Pは真空ポンプであり、Vl、
V2はバルブである。 この場合、真空ポンプPは、ガ
ス回収を行うときには、オイルフリーポンプを用いる。
このようにして製造される電子写真感光体は、通常の複
写機や、レーザープリンター等に用いられる。
■ 発明の具体的作用効果 本発明によれば、原料ガスは周方向に流れるので、ガス
の滞留時間は大きくなり、a−3t感光体を一度に多量
に作業効率よく製造することができる。
さらに支持体がガス流の中で自公転するので、均一の感
光層の層厚を有して製造することができる。
本発明者は、本発明の効果を確認するため、種々実験を
行った。
以下にその一例を示す。
実験例 SiH4をソースとして、H2をキャリヤとして、第1
図の装置を用いて、常法に従いグロー放電分解を行った
すなわち、自転速度はl Orpm 、公転速度は1 
rpm、ドラム温度は250℃とし、動作圧力はI T
orrとし、ドラムを一方の電極として放電を行った。
S 、t H4の送入速度は3000 SCCMにて、
180分間威膜を行ったところ、成膜厚は207zmで
あった。
また、SiH4ガスの効率は18%であった。
これに対し、ガス流を内周壁11から外周壁12に向け
た従来法では、ガス効率は5%であった・ なお、プラズマ室5を設けると、ガス効率はさらに2%
程度向上し、また、バイパス6により、成膜厚はさらに
5%程度向上した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1) シリコン水素化物を含むガスを槽内に ら。 てグロー放電分解して、アモルファスシリコン の光導
    電体層を支持体ドラム上に形成する電子写 直真感光体
    の製造装置であって、前記槽は、内周 (壁と外周壁に
    挟まれた閉路空間を有し、この閉 支路空間内に複数の
    ドラムを連続的に収納し、こ 囲の閉路空間内にて自、
    公転させながら成膜する 写電子写真感光体の製造装置
    において、 (前記閉路空間内に、連続的に収納したド
    ラム ての連続方向にガス流が生じるように、ガス送入
     光40とガス排出口を設けたことを特徴とする電子 
    真j写真感光体の製造装置、 壁 (2) シリコン水素化物が、SiH4である 路・製
    造装置。 3) 楢の閉路空間の内周壁および外周壁を−とする特
    許請求の範囲第1項または第2項記載の電子写真感光体
    の製造装置。 4) ガス送入口およびガス排出口が、はぼ名空間の径
    方向両端に位置する槽周面に設け1ている特許請求の範
    囲第1項ないし第3項いずれかに記載の電子写真感光体
    の製造装5) アモルファスシリコン光導電体層が、与
    体を加熱しながら形成される特許請求の範11項ないし
    第4項のいずれかに記載の電子間感光体の製造装置。 6) シリコン水素化物を含むガスを槽内にグロー放電
    分解して、アモルファスシリコン厚電体層を支持体ドラ
    ム上に形成する電子写盛光体の製造装置であって、前記
    槽は、内周と外周壁に挟まれた閉路空間を有し、この閉
    射間内に複数のドラムを連続的に収納し、前電子写真感
    光体の製造装置において、 前記閉路空間内に、連続的に収納したドラムの連続方向
    にガス流が生じるように、ガス送入口とガス排出口を設
    け、ガス送入口の直前に高周波またはマイクロ波による
    プラズマ室を設けたことを特徴とする電子写真感光体の
    製造装置。 (7) シリコン水素化物を含むガスを槽内にてクロー
    放電分解して、アモルファスシリコン光導電体層を支持
    体ドラム上に形成する電子写真感光体の製造装置であっ
    て、前記槽は、内周壁と外周壁に挟まれた閉路空間を有
    し、この閉路空間内に複数のドラムを連続的に収納し、
    前記閉路空間内にて自、公転させながら成膜する電子写
    真感光体の製造装置において、 前記閉路空間内に、連続的に収納したドラムの連続方向
    にガス流が生じるように、ガス送入口とガス排出口を設
    け、ガス送入口とガス排出ロメの間に、未反応ガスの回
    収再利用バイパスを設けたことを特徴とする電子写真感
    光体の製造装置。
JP1559284A 1984-01-31 1984-01-31 電子写真感光体の製造装置 Pending JPS60159855A (ja)

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JP1559284A JPS60159855A (ja) 1984-01-31 1984-01-31 電子写真感光体の製造装置

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JPS60159855A true JPS60159855A (ja) 1985-08-21

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JP (1) JPS60159855A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02236278A (ja) * 1986-07-14 1990-09-19 Res Dev Corp Of Japan 超微紛体の超薄膜被覆法
JPH11189877A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Sanyo Electric Co Ltd 回転電極を用いた薄膜形成装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02236278A (ja) * 1986-07-14 1990-09-19 Res Dev Corp Of Japan 超微紛体の超薄膜被覆法
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