JPS60161390A - 化合物半導体単結晶の引上げ方法 - Google Patents
化合物半導体単結晶の引上げ方法Info
- Publication number
- JPS60161390A JPS60161390A JP59011855A JP1185584A JPS60161390A JP S60161390 A JPS60161390 A JP S60161390A JP 59011855 A JP59011855 A JP 59011855A JP 1185584 A JP1185584 A JP 1185584A JP S60161390 A JPS60161390 A JP S60161390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- crucible
- liquid
- melt
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は高純度な化合物半導体単結晶を安定して製造す
る方法、特に液体カプセル剤の不純物ゲクタリング効果
を利用して高純度な化合物半導体単結晶を引上げる方法
に関する。
る方法、特に液体カプセル剤の不純物ゲクタリング効果
を利用して高純度な化合物半導体単結晶を引上げる方法
に関する。
ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰなどの高分解圧化合物半導体
の単結晶の製造方法の一つとして、液体カプセル引上げ
ｆＥ、（ＬＥＣ法）がよく知られている。この方法は高
圧容器内に配設された加熱体例えばカーボン抵抗体から
なる加熱体で、例えば石英もしくは熱分解窒化硼素から
なるるつぼ内に充填された前記高分解モ化合物の原料を
、不活性液体カプセル剤例えばＢ、Ｏ，融液で覆いなが
ら加熱・加圧融解し、形成されたＢ！０．融液でその表
面が覆われた原料融液に種結晶を接触させ、回転しなが
ら引上げることにより単結晶を成長させる方法である。
の単結晶の製造方法の一つとして、液体カプセル引上げ
ｆＥ、（ＬＥＣ法）がよく知られている。この方法は高
圧容器内に配設された加熱体例えばカーボン抵抗体から
なる加熱体で、例えば石英もしくは熱分解窒化硼素から
なるるつぼ内に充填された前記高分解モ化合物の原料を
、不活性液体カプセル剤例えばＢ、Ｏ，融液で覆いなが
ら加熱・加圧融解し、形成されたＢ！０．融液でその表
面が覆われた原料融液に種結晶を接触させ、回転しなが
ら引上げることにより単結晶を成長させる方法である。
これらの化合物単結晶成長において、該化合物原料融液
中の不純物Ｓｉ、あるいはるつばからのＳｔの混入によ
り作成結晶中のＳｔを主とする残留不純物レベルが高く
、該結晶基板を用いた各種電子デバイスの特性に悪影響
を生じさせている。特に近年注目を浴びている高速ＩＣ
用の半絶縁性ＧａＡｓあるいはＩｎＰ 結晶基板におい
ては、上記残留不純物レベルを出来る限り減少せしめる
事がポイントになっている。これに対する方法の一つと
して最近、出発原料として前記化合物ではなく、その化
合物を構成する元素原料を用いて、引上げ炉内で化合物
合成を行い、その化合物融液からの単結晶引上げを連続
して行う、いわゆる直接合成引上げ法が有効であること
が知られている。しかしこの方法でも残留不純物レベル
にバラツキがあり。
中の不純物Ｓｉ、あるいはるつばからのＳｔの混入によ
り作成結晶中のＳｔを主とする残留不純物レベルが高く
、該結晶基板を用いた各種電子デバイスの特性に悪影響
を生じさせている。特に近年注目を浴びている高速ＩＣ
用の半絶縁性ＧａＡｓあるいはＩｎＰ 結晶基板におい
ては、上記残留不純物レベルを出来る限り減少せしめる
事がポイントになっている。これに対する方法の一つと
して最近、出発原料として前記化合物ではなく、その化
合物を構成する元素原料を用いて、引上げ炉内で化合物
合成を行い、その化合物融液からの単結晶引上げを連続
して行う、いわゆる直接合成引上げ法が有効であること
が知られている。しかしこの方法でも残留不純物レベル
にバラツキがあり。
再現性、安定性に問題がある。又、この直接合成では高
分解圧元素Ａｓの飛散が多（、再現性の良い融液組成を
形成するのが難しく、再現性よく。
分解圧元素Ａｓの飛散が多（、再現性の良い融液組成を
形成するのが難しく、再現性よく。
高品質の半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ単結晶を作成下るのが
難しいという問題点がある。さらに又この直接合成する
には約１００気圧の耐圧を有する高圧ガス容器が必要で
あるという難点もある。
難しいという問題点がある。さらに又この直接合成する
には約１００気圧の耐圧を有する高圧ガス容器が必要で
あるという難点もある。
この発明は上述の問題点を考慮してなされたもので、そ
の目的上するところは高純度の化合物単結晶を安定して
製造でへる引上げ方法を提供することにある。
の目的上するところは高純度の化合物単結晶を安定して
製造でへる引上げ方法を提供することにある。
この発明は、不活性ガスで加圧された高圧ガス容器内に
るつほを配役して、該るつは内に散体カプセル剤Ｂ２０
．と引上げ結晶原料を充填し、高温・加圧下でＩ、ＥＣ
法または直接合成ＬＥＣ法により化合物単結晶例えば半
絶縁性ＧａＡｓ単結晶を引上げ成長きせる際に、実、験
および分析の結果明らかになった該結晶原料融液を覆っ
た液体カプセル剤Ｂ、０．融液のＳｔを主とする不純物
ゲッタリング効果を利用して、引上げ結晶原料融液の純
化を行い、それにより作成結晶中の残留不純物レベルの
低減化を図り、高品質、高純度の単結晶を安冗して再現
性よく作成しようとするものである。表１に８！ Ｏｎ
液によるＳＩ不純物がツタリング効果を示す化学分析結
果の−ψ１１を示す。
るつほを配役して、該るつは内に散体カプセル剤Ｂ２０
．と引上げ結晶原料を充填し、高温・加圧下でＩ、ＥＣ
法または直接合成ＬＥＣ法により化合物単結晶例えば半
絶縁性ＧａＡｓ単結晶を引上げ成長きせる際に、実、験
および分析の結果明らかになった該結晶原料融液を覆っ
た液体カプセル剤Ｂ、０．融液のＳｔを主とする不純物
ゲッタリング効果を利用して、引上げ結晶原料融液の純
化を行い、それにより作成結晶中の残留不純物レベルの
低減化を図り、高品質、高純度の単結晶を安冗して再現
性よく作成しようとするものである。表１に８！ Ｏｎ
液によるＳＩ不純物がツタリング効果を示す化学分析結
果の−ψ１１を示す。
表 １
表１から明らかなように、多結晶原料中に残留していた
Ｓｉおよび、るつは材より原料融液に混入した８１が、
該原料融液を覆った液体カプセル剤Ｂ、０．液中に大巾
にゲッタリングされていた。
Ｓｉおよび、るつは材より原料融液に混入した８１が、
該原料融液を覆った液体カプセル剤Ｂ、０．液中に大巾
にゲッタリングされていた。
本発明は１以上述べた液体カプセル剤Ｂ！０．液による
Ｓｉ不純物ゲッタリング効果をより効果的に利用するた
め引上げ直前に８１不純物ゲツタリングを行った汚染Ｂ
、０８ 液を高純度Ｂ２０．と交換した後、通常のＬＥ
ＣＥＣ法げ、又は直接合成引上げを行うようにしたもの
である。すなわち、該高圧ガス容器内に高温融液をすい
とる治具と追加充填するための液体カプセル剤Ｂ、０３
の所定量を高温・高圧下でるつぼ内に丙光、１真する手
段とを備え、単結晶引上げ開始直前に液体カプセル剤Ｂ
２０゜融液の一部を抜きとり、しかる後抜きとったＢ、
０゜融液量と同量もしくはその一部に相当するＢ、０゜
をるつぼ内に充填した後結晶引上げを行うことにより、
Ｓｉを主とした残留不純物の少ない化合物単結晶を作成
することを特数とする液体カプセル引上げ方法である。
Ｓｉ不純物ゲッタリング効果をより効果的に利用するた
め引上げ直前に８１不純物ゲツタリングを行った汚染Ｂ
、０８ 液を高純度Ｂ２０．と交換した後、通常のＬＥ
ＣＥＣ法げ、又は直接合成引上げを行うようにしたもの
である。すなわち、該高圧ガス容器内に高温融液をすい
とる治具と追加充填するための液体カプセル剤Ｂ、０３
の所定量を高温・高圧下でるつぼ内に丙光、１真する手
段とを備え、単結晶引上げ開始直前に液体カプセル剤Ｂ
２０゜融液の一部を抜きとり、しかる後抜きとったＢ、
０゜融液量と同量もしくはその一部に相当するＢ、０゜
をるつぼ内に充填した後結晶引上げを行うことにより、
Ｓｉを主とした残留不純物の少ない化合物単結晶を作成
することを特数とする液体カプセル引上げ方法である。
この発明により引上げ単結晶中の８ｉを主とする残留不
純物か大巾に減少し、高純度の化合物単結晶か作成可能
となる。
純物か大巾に減少し、高純度の化合物単結晶か作成可能
となる。
又、直接合成時に使用する液体カプセル剤Ｂ！０゜を引
上げ時に使用可能量より大巾に多量に用いることが可能
なので直接合成時のＡｓΩ飛散を抑制することができ、
安定した融液組成を形成できる。
上げ時に使用可能量より大巾に多量に用いることが可能
なので直接合成時のＡｓΩ飛散を抑制することができ、
安定した融液組成を形成できる。
以下、この発明の実施例を図面を参照しながら説明下る
。
。
この実姉例では第１図に示すような耐圧１０気圧製造装
置度を用いる。すなわち不活（４−ｆス例えばＡｒガス
で７気圧に加圧された高圧ガス容器（１）内に、高温融
体吸引治具（２）をるつぼ（３）上部に配設し、さらに
該吸引治具（２）と対称的な位置に、あらかじめ所定量
例えば１８０ｇの固形Ｂ、 ０． ＋４１を保持した再
充填治具（５）を配設し、熱分慣窒化硼素製るつぼ（３
）内に水平ブリッジマン法により合成したＧａＡｓ多結
晶原料１ ｋｇと液体カプセル（Ｂ、０． ）２００ｇ
を充填し、例えばカーボン抵抗体（１０）で加熱溶融を
行い、安定したＧ ａ Ａ、 ｓ 融液を形成する。し
かる後るつぼ一ヒ下駆動装置（図示せず）でるつは（３
）を上方に移動させ、前記高温融体吸引治具の先端にあ
る例えば石英製ノズル口（６）がＢ、 ０３液層（７）
中例えばＧ ａ Ａ ｓ融液（８）表面直上２ｍｍＩこ
（るようにする。しかる後バルブ（９）の操作により該
塩Ｏｓ融液（７）の約９０％すなわち１８０＃を前記高
温融液吸引治具（２）内に導入する。
置度を用いる。すなわち不活（４−ｆス例えばＡｒガス
で７気圧に加圧された高圧ガス容器（１）内に、高温融
体吸引治具（２）をるつぼ（３）上部に配設し、さらに
該吸引治具（２）と対称的な位置に、あらかじめ所定量
例えば１８０ｇの固形Ｂ、 ０． ＋４１を保持した再
充填治具（５）を配設し、熱分慣窒化硼素製るつぼ（３
）内に水平ブリッジマン法により合成したＧａＡｓ多結
晶原料１ ｋｇと液体カプセル（Ｂ、０． ）２００ｇ
を充填し、例えばカーボン抵抗体（１０）で加熱溶融を
行い、安定したＧ ａ Ａ、 ｓ 融液を形成する。し
かる後るつぼ一ヒ下駆動装置（図示せず）でるつは（３
）を上方に移動させ、前記高温融体吸引治具の先端にあ
る例えば石英製ノズル口（６）がＢ、 ０３液層（７）
中例えばＧ ａ Ａ ｓ融液（８）表面直上２ｍｍＩこ
（るようにする。しかる後バルブ（９）の操作により該
塩Ｏｓ融液（７）の約９０％すなわち１８０＃を前記高
温融液吸引治具（２）内に導入する。
その袋前記再充填治具（５）を外部から操作して融体表
面に近づけ該治具（５）に保持されたＢ、 ０３ｔ４１
をるつぼ（３）内に充填する。るつは内の融体が安定し
た後通常のＬＥＣ法と同様の方法で直径５２φ長さ７Ｑ
ｍｍのＧ ａ Ａ ｓ 単結晶引上げを夷弛する。得ら
れた単結晶は頭部から尾部まで比抵抗１０７Ω・ｃｍ以
上の半絶縁性を示していた。
面に近づけ該治具（５）に保持されたＢ、 ０３ｔ４１
をるつぼ（３）内に充填する。るつは内の融体が安定し
た後通常のＬＥＣ法と同様の方法で直径５２φ長さ７Ｑ
ｍｍのＧ ａ Ａ ｓ 単結晶引上げを夷弛する。得ら
れた単結晶は頭部から尾部まで比抵抗１０７Ω・ｃｍ以
上の半絶縁性を示していた。
又該単結晶中のＳｉ不純物濃度は（５Ｘ １０ ’ ７
ｃｍ”であった。引上げに使用した水平ブリッジマン法
により合成したＧａＡｓ多結晶原料中のＳｉ不純物濃度
は〜３ Ｘ １０ ”／ｃｍ’であったので、本発明に
よる液体カプセル剤Ｂ、 Ｏｓ液によるＳ！ゲッタリン
グ効果が明白にあった事がわかった。従来方法で、Ｂｔ
ｏｎ’／ｆＸを交換しない場合は１作成結晶は半絶縁性
を示さず、残留Ｓｉ不純物濃度は上述より１桁高い５〜
１０ ”７ｍ” であった。
ｃｍ”であった。引上げに使用した水平ブリッジマン法
により合成したＧａＡｓ多結晶原料中のＳｉ不純物濃度
は〜３ Ｘ １０ ”／ｃｍ’であったので、本発明に
よる液体カプセル剤Ｂ、 Ｏｓ液によるＳ！ゲッタリン
グ効果が明白にあった事がわかった。従来方法で、Ｂｔ
ｏｎ’／ｆＸを交換しない場合は１作成結晶は半絶縁性
を示さず、残留Ｓｉ不純物濃度は上述より１桁高い５〜
１０ ”７ｍ” であった。
１００気圧の耐圧を有する高圧ガス容器内に第１図に示
すような高温融体吸引治具（２）をるつぼ（３）上部に
配設し、さらに該吸引治具（２）と対称的な位置に、あ
らかじめ所定量例えば１８０１９＋の固形Ｂ！０． ＋
４１を保持した再充填治具（５）を配設し、石英製るつ
ぼ（３）内に高分解圧化合物結晶の構成元素である例え
ばＧａ（６Ｎ）５００ｇとＡｓ（６Ｎ）５５０Ｉおよび
液体カプセル剤馬０．４００＃を充填し、高圧ガス容６
＋１１内をＡｒガスで６０気圧に加圧し、例えばカー
ボン抵抗体（１０）で加熱し。
すような高温融体吸引治具（２）をるつぼ（３）上部に
配設し、さらに該吸引治具（２）と対称的な位置に、あ
らかじめ所定量例えば１８０１９＋の固形Ｂ！０． ＋
４１を保持した再充填治具（５）を配設し、石英製るつ
ぼ（３）内に高分解圧化合物結晶の構成元素である例え
ばＧａ（６Ｎ）５００ｇとＡｓ（６Ｎ）５５０Ｉおよび
液体カプセル剤馬０．４００＃を充填し、高圧ガス容６
＋１１内をＡｒガスで６０気圧に加圧し、例えばカー
ボン抵抗体（１０）で加熱し。
Ｇ ａ ＋ Ａ Ｓ −＋ ＧａＡ ｓ ノ直接合成を
行い、さらに。
行い、さらに。
加熱し、引上げ用Ｇ ａ Ａ ｓ結晶原料融液を形成す
る。
る。
安定したＧａＡｓ融液が形成された学、るつぼ上下駆動
袈１ｉｆ（図示せず）でるつぼ（３）を上方に移動させ
、前記高温融体吸引治具（２）の先端にある例えば石英
製ノズル口（６）がＢ、０．液層（７）中例えばＧ ａ
Ａ ｓ融液（８）表面直上２ｍｍに（るようにする。
袈１ｉｆ（図示せず）でるつぼ（３）を上方に移動させ
、前記高温融体吸引治具（２）の先端にある例えば石英
製ノズル口（６）がＢ、０．液層（７）中例えばＧ ａ
Ａ ｓ融液（８）表面直上２ｍｍに（るようにする。
しかる後バルブ（９）の操作により該Ｂ、０３融液（７
）の約９０チすなわち３６０ｇを前記高温融体１％、引
治具（２）内に導入下る。その後上記再充填治具（５）
を外部から例えばマグネットを応用して操作して融体表
面に近づけ、該治具に保持さイまたＢ！ ０１ （４１
をるつぼ（３）内に充填する。るつぼ内の融体が安定し
た後通常のＬＥＣ法と同様の方法で直径５２φ長さ７０
ｍｍのＧａＡｓ単結晶引上げを実施する。得られた単結
晶は頭部から尾部まで比抵抗１０’Ｑｃｎ＋以上の半絶
縁性を示していた。従来方法の如く引−ヒげ直前のＢ、
０．交換がない場合は作成した結晶の１１子結晶直下
のみしか半絶縁性を示さなかった。又Ｂ、０゜層が４０
０１１と厚い状態で引上げ成長する場合、結晶形状制御
が困難であり、又多結晶が発生しやすく作成歩留りが良
くなかったが、上述の如く引上げ直前まではＢ、０８層
を厚くし直接合成時のＡｓ飛散着を抑制することが出来
、引上げ時には通常の厚さにするので半絶縁性結晶作成
が再現性よ（できるようになった。
）の約９０チすなわち３６０ｇを前記高温融体１％、引
治具（２）内に導入下る。その後上記再充填治具（５）
を外部から例えばマグネットを応用して操作して融体表
面に近づけ、該治具に保持さイまたＢ！ ０１ （４１
をるつぼ（３）内に充填する。るつぼ内の融体が安定し
た後通常のＬＥＣ法と同様の方法で直径５２φ長さ７０
ｍｍのＧａＡｓ単結晶引上げを実施する。得られた単結
晶は頭部から尾部まで比抵抗１０’Ｑｃｎ＋以上の半絶
縁性を示していた。従来方法の如く引−ヒげ直前のＢ、
０．交換がない場合は作成した結晶の１１子結晶直下
のみしか半絶縁性を示さなかった。又Ｂ、０゜層が４０
０１１と厚い状態で引上げ成長する場合、結晶形状制御
が困難であり、又多結晶が発生しやすく作成歩留りが良
くなかったが、上述の如く引上げ直前まではＢ、０８層
を厚くし直接合成時のＡｓ飛散着を抑制することが出来
、引上げ時には通常の厚さにするので半絶縁性結晶作成
が再現性よ（できるようになった。
上述の実施例でのべたＢｖ Ｏｓ 騎、原料充填琢等は
一例であり、各種パリエージ讐ンが考えられるのは当然
である。又上述実ｊ准例では半絶縁性ＧａＡｓ単結晶作
成の場合について述べたが、他のｌｌ［−Ｖ族化合物単
結晶例えばＧ ａ Ｐ”やＩｎＰなどの成長にも効果的
に適用可能であり、その場合引上げ直前に新品のＢ、０
．と交換することにより、該カプセル液層の透明度が向
上し、良質結晶成長に有利となり、多結晶化や双結晶化
が大巾に減少す６Ｌいう二次的な効果も期待されφ。
一例であり、各種パリエージ讐ンが考えられるのは当然
である。又上述実ｊ准例では半絶縁性ＧａＡｓ単結晶作
成の場合について述べたが、他のｌｌ［−Ｖ族化合物単
結晶例えばＧ ａ Ｐ”やＩｎＰなどの成長にも効果的
に適用可能であり、その場合引上げ直前に新品のＢ、０
．と交換することにより、該カプセル液層の透明度が向
上し、良質結晶成長に有利となり、多結晶化や双結晶化
が大巾に減少す６Ｌいう二次的な効果も期待されφ。
又土述実め例で示しｆｃ高高融融体吸引治具よび再充填
治具は図示したものに駆足されるものではな（、基本的
には引上は直前にるつぼ内の液体カプセル剤を交換する
という手段を実現できる治具ならどのような方法でも有
効である。又必要ならば上述液体カプセル剤の交換は１
回以上でもより効果的である事は容易に推足できる。□
治具は図示したものに駆足されるものではな（、基本的
には引上は直前にるつぼ内の液体カプセル剤を交換する
という手段を実現できる治具ならどのような方法でも有
効である。又必要ならば上述液体カプセル剤の交換は１
回以上でもより効果的である事は容易に推足できる。□
図面は本発明の詳細な説明するための概念図である。
、 １・・・高圧ガス容器、２・・・高温融体吸引治具、３
・・・るつぼ、４・・・再充填用液体、カプセル剤、５
°・・再充填用治具、６・・・ノズル口、７・・・液体
カプセル層。 ８・・・原料融液層、９・・・バルブ、１０・・・抵抗
加熱体。
、 １・・・高圧ガス容器、２・・・高温融体吸引治具、３
・・・るつぼ、４・・・再充填用液体、カプセル剤、５
°・・再充填用治具、６・・・ノズル口、７・・・液体
カプセル層。 ８・・・原料融液層、９・・・バルブ、１０・・・抵抗
加熱体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 不活性ガスで加圧した高圧ガス容器内に６つばを配設し
、そのるつぼ内に、引上げ結晶原料と液体カプセル剤を
充填し、そのるつぼを同軸的に敗り囲むように装着され
た加熱体により、るつぼ内の原料体を加熱溶融し、その
結晶原料融液表面に種結晶を接触させて、その種結晶を
回転させながら化合物半導体単結晶を引上げる方法にお
いて。 結晶引上げ直前に液体カプセル剤の一部をるつぼ内から
抜きとり、しかる後抜きとった液体カプセル剤と同臓も
しくはその一部に相当する量をるつぼ内に充填しｆＣ，
後、結晶引上げを行うことを特徴とする化合物半導体単
結晶の引上げ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011855A JPS60161390A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 化合物半導体単結晶の引上げ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011855A JPS60161390A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 化合物半導体単結晶の引上げ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60161390A true JPS60161390A (ja) | 1985-08-23 |
Family
ID=11789336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59011855A Pending JPS60161390A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 化合物半導体単結晶の引上げ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60161390A (ja) |
-
1984
- 1984-01-27 JP JP59011855A patent/JPS60161390A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4652332A (en) | Method of synthesizing and growing copper-indium-diselenide (CuInSe2) crystals | |
| JPS60161390A (ja) | 化合物半導体単結晶の引上げ方法 | |
| JPS6385100A (ja) | 珪素添加砒化ガリウム単結晶の製造方法 | |
| JPS6217496Y2 (ja) | ||
| JPS60151295A (ja) | 化合物半導体単結晶の引上げ方法 | |
| JPS6168394A (ja) | ３−５族化合物多結晶体の製造方法 | |
| JPS5918191A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPS6065794A (ja) | 高品質ガリウム砒素単結晶の製造方法 | |
| JPS6191093A (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
| JPS6042299A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS54128990A (en) | Growing method for single crystal of gallium phosphide | |
| JP2002167299A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPH05170594A (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JPS60176988A (ja) | 半導体単結晶の製造装置 | |
| JPS59182297A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS6385099A (ja) | リン化インジユウム単結晶の製造方法 | |
| JPH0222200A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS62197397A (ja) | 単結晶の製造法 | |
| JPS5815479B2 (ja) | 炭化硅素単結晶の製造方法 | |
| JPS63303895A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| JPS61209988A (ja) | 化合物半導体単結晶の育成方法 | |
| JPS63182288A (ja) | ３−５族化合物単結晶の製造方法 | |
| JPS58172290A (ja) | 化合物半導体単結晶の引上方法および装置 | |
| JPS63307194A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS60127297A (ja) | ３−５族化合物単結晶の作成方法 |