JPS60161647A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS60161647A JPS60161647A JP59016034A JP1603484A JPS60161647A JP S60161647 A JPS60161647 A JP S60161647A JP 59016034 A JP59016034 A JP 59016034A JP 1603484 A JP1603484 A JP 1603484A JP S60161647 A JPS60161647 A JP S60161647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- cut groove
- groove
- cut
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/461—Leadframes specially adapted for cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は半導体装置用リードフレームに関し、特に封
止樹脂とリードフレームとの結合力が高い樹脂封止型半
導体装置を形成するのに好適な、改良されたリードフレ
ームに関するものである。
止樹脂とリードフレームとの結合力が高い樹脂封止型半
導体装置を形成するのに好適な、改良されたリードフレ
ームに関するものである。
［発明の技術的背景］
第１図乃至第４図に、この発明に特に関連する異形銅条
の従来のリードフレーム及びその従来のリードフレーム
を用いて構成した樹脂封止型半導体装置の要部構造を示
す。
の従来のリードフレーム及びその従来のリードフレーム
を用いて構成した樹脂封止型半導体装置の要部構造を示
す。
第１図乃至第３図は、異形銅条リードフレームの板厚の
厚い部分に放熱板部分くと−１−シンク）とチップマウ
ント部とが形成され、板厚の薄い部分にリード部分と搬
送用リール係合部分とが形成されている型式の公知の樹
脂封止型半導体装置の概略構造を示したものである。
第１図は樹脂封止型半導体装置の製造工程においてトラ
ンスファーモールド工程終了直後の状態を示ず平面図、
第２図は第１図の■−■矢祝前祝断面図３図は封止樹脂
を取除いて示した未完成の半導体装置の平面図である。
厚い部分に放熱板部分くと−１−シンク）とチップマウ
ント部とが形成され、板厚の薄い部分にリード部分と搬
送用リール係合部分とが形成されている型式の公知の樹
脂封止型半導体装置の概略構造を示したものである。
第１図は樹脂封止型半導体装置の製造工程においてトラ
ンスファーモールド工程終了直後の状態を示ず平面図、
第２図は第１図の■−■矢祝前祝断面図３図は封止樹脂
を取除いて示した未完成の半導体装置の平面図である。
第１図乃至第３図において、２はリードフレーム１の放
熱板部分、３はリードフレーム１の搬送用リール係合部
分であり、搬送用リール係合部分３には半導体装置の接
続用リード４が形成されている。 ５は放熱板部分２と
一体に形成されたチップマウント部分であり、該チップ
マウント部分５上にはチップ接着用はんだ層６を介して
半導体チップ７が搭載され、該半導体チップ７の上には
該チップマウント部分５の全部と接続用リード４の一部
とを被覆して封止樹脂成形体８が形成されている。 個
々の半導体装置毎に分割する前の時点ではリードフレー
ム１が第１図の矢印ｆ方向に送られ、その際、リードフ
レーム１の搬送用リール係合部分３に設置ノられたリー
ル係合孔３ａが搬送用リール（図示せず）の突起に係合
して譲りがかけられる。 第１図のように封止樹脂成形
体８が完成した後はリードフレーム１がその長手方向と
直角方向に切断分割されるとともに搬送用リール係合部
分３が切り落されＣ個別の半導体装置となる。 第３図
は搬送用リール係合部分３を切除する前の状態の平面図
（封止樹脂成形体を取除いて示したもの）である。
熱板部分、３はリードフレーム１の搬送用リール係合部
分であり、搬送用リール係合部分３には半導体装置の接
続用リード４が形成されている。 ５は放熱板部分２と
一体に形成されたチップマウント部分であり、該チップ
マウント部分５上にはチップ接着用はんだ層６を介して
半導体チップ７が搭載され、該半導体チップ７の上には
該チップマウント部分５の全部と接続用リード４の一部
とを被覆して封止樹脂成形体８が形成されている。 個
々の半導体装置毎に分割する前の時点ではリードフレー
ム１が第１図の矢印ｆ方向に送られ、その際、リードフ
レーム１の搬送用リール係合部分３に設置ノられたリー
ル係合孔３ａが搬送用リール（図示せず）の突起に係合
して譲りがかけられる。 第１図のように封止樹脂成形
体８が完成した後はリードフレーム１がその長手方向と
直角方向に切断分割されるとともに搬送用リール係合部
分３が切り落されＣ個別の半導体装置となる。 第３図
は搬送用リール係合部分３を切除する前の状態の平面図
（封止樹脂成形体を取除いて示したもの）である。
従来の半導体装置ではリードフレーム製造時に放熱板部
分２とチップマウント部分５との境界近傍に第３図及び
第４図に示ずように横断面形状がＶ形の打刻溝９（刻印
と称している）を形成してｃ１５ぎ、この打刻溝９内に
封止樹脂が入り込むように封止樹脂成形体８を形成して
いた。 この打刻溝９は封止樹脂とリードフレームとの
食いつき（すなわち結合力）をよくして、いわゆる口あ
き（封止樹脂成形体８の表面にまで開口する隙間もしく
は亀裂）が生じないようにＪるためのものである。 口
あきのある半導体装置はセラ１〜に組込まれる時にシャ
ーシと該半導体装置どの間にコートするシリコーングリ
ースが侵入したり、或いは使用中に外部から湿気が侵入
したりしてその結果、電気的特性が劣化したり、もしく
は半導体装置自身の電極のアルミニウムが溶解したり、
ボンディングワイヤが剥離短絡する等の種々の事故を起
づので、封止樹脂とリードフレームとの結合力が高いこ
とは樹脂封止型半導体装置にとって極めて重要な条件で
ある。
分２とチップマウント部分５との境界近傍に第３図及び
第４図に示ずように横断面形状がＶ形の打刻溝９（刻印
と称している）を形成してｃ１５ぎ、この打刻溝９内に
封止樹脂が入り込むように封止樹脂成形体８を形成して
いた。 この打刻溝９は封止樹脂とリードフレームとの
食いつき（すなわち結合力）をよくして、いわゆる口あ
き（封止樹脂成形体８の表面にまで開口する隙間もしく
は亀裂）が生じないようにＪるためのものである。 口
あきのある半導体装置はセラ１〜に組込まれる時にシャ
ーシと該半導体装置どの間にコートするシリコーングリ
ースが侵入したり、或いは使用中に外部から湿気が侵入
したりしてその結果、電気的特性が劣化したり、もしく
は半導体装置自身の電極のアルミニウムが溶解したり、
ボンディングワイヤが剥離短絡する等の種々の事故を起
づので、封止樹脂とリードフレームとの結合力が高いこ
とは樹脂封止型半導体装置にとって極めて重要な条件で
ある。
［背景技術の問題点］
前記のごとき構造の従来のリードフレームを用いて構成
した半導体装置では、封止樹脂成形体く樹脂モールド）
とリードフレームどの結合力が弱く、そのため、口あき
のある半導体装置を皆無にすることは困難であった。
口あきはリードフレームの搬送用リール係合部分を切落
す時と各半導体装置としてリードフレームを分割切断す
る時、特に板厚の厚い部分を分割する時とに生ずること
が多く、これら分割１の工程ではリードフレームに曲げ
モーメントによる上下方向の引張力等が加わるため、従
来の鉛直方向上向きに開いた打刻溝ては樹脂モールドと
リードフレームとの間に前記の力に十分耐えられる強固
な結合力を形成さけることができなかった。
した半導体装置では、封止樹脂成形体く樹脂モールド）
とリードフレームどの結合力が弱く、そのため、口あき
のある半導体装置を皆無にすることは困難であった。
口あきはリードフレームの搬送用リール係合部分を切落
す時と各半導体装置としてリードフレームを分割切断す
る時、特に板厚の厚い部分を分割する時とに生ずること
が多く、これら分割１の工程ではリードフレームに曲げ
モーメントによる上下方向の引張力等が加わるため、従
来の鉛直方向上向きに開いた打刻溝ては樹脂モールドと
リードフレームとの間に前記の力に十分耐えられる強固
な結合力を形成さけることができなかった。
［発明の目的］
この発明の目的は、従来の半導体装置よりも封止樹脂成
形体とリードフレームとの結合力が高く、従って口あき
等の生ずる恐れの少い樹脂封止型半導体装置を形成Ｊる
ことのできる改良されたリードフレームを提供り−るこ
とである。
形体とリードフレームとの結合力が高く、従って口あき
等の生ずる恐れの少い樹脂封止型半導体装置を形成Ｊる
ことのできる改良されたリードフレームを提供り−るこ
とである。
［発明の概要］
本発明者は封止樹脂成形体とリードフレームとの結合力
を高めるために種々の試みを行った結果、本発明のごと
き構造のリードフレームによれば、従来の半導体装置よ
りも密封性の高い半導体装置を実現できることがわかっ
た。
を高めるために種々の試みを行った結果、本発明のごと
き構造のリードフレームによれば、従来の半導体装置よ
りも密封性の高い半導体装置を実現できることがわかっ
た。
本発明のリードフレームにおいては、封止樹脂と密着す
る部分のリードフレームの表面に第一の打刻溝が形成さ
れるとともに該第−の打刻溝よりも所定距離たり離れた
至近位置に該第−の打刻溝に所定の変形を与えるように
第二の打刻溝が形成されていることを特徴とする。 本
発明のリードフレームを用いて形成しｔｃ樹脂刊止型半
導体装置においては、第一の打刻溝の両側面が鉛直線に
関して非対称にかつ一方向に傾いているため、該第−の
打刻１１４中にＪ３いて固化した封止樹脂は鉛直方向の
外力が力１目つっても該第−の４］刻溝の一方の側壁面
によって下向き反ツノを受（プるので該打刻溝から脱出
づることはなく、その結果、リードフレームと封止樹脂
成形体との分離（口あき）が未然に防止される。
る部分のリードフレームの表面に第一の打刻溝が形成さ
れるとともに該第−の打刻溝よりも所定距離たり離れた
至近位置に該第−の打刻溝に所定の変形を与えるように
第二の打刻溝が形成されていることを特徴とする。 本
発明のリードフレームを用いて形成しｔｃ樹脂刊止型半
導体装置においては、第一の打刻溝の両側面が鉛直線に
関して非対称にかつ一方向に傾いているため、該第−の
打刻１１４中にＪ３いて固化した封止樹脂は鉛直方向の
外力が力１目つっても該第−の４］刻溝の一方の側壁面
によって下向き反ツノを受（プるので該打刻溝から脱出
づることはなく、その結果、リードフレームと封止樹脂
成形体との分離（口あき）が未然に防止される。
［発明の実施例］
第５図及び第６図は本発明によるリードフレームの一実
施例を示す概略図である。 なお、第５図及び第６図に
おいて第３図と同一符号で表示された部分は従来のリー
ドフレームと同一部分を示０ 図示実施例のリードフレーム１０においては、放熱板部
分２との境界線に沿ったデツプマウント部分５の表面に
はＨいに平行な第一の打刻溝９Ａと第二の打刻溝９Ｂと
が形成されている。 第一の打刻溝９Ａは第二の打刻溝
９Ｂよりも先に形成されたものであり、該第−のＩ刻溝
９△は第二の打刻ｉＭ ９ Ｂの形成時に変形されて第
６図に示すようにその両側壁が放熱板部分２の方へ向っ
て倒れた状態となっている。 本実施例では第一の打刻
溝は放熱板部分とチップマウント部分５とのは８′境界
線近傍（更に詳細には封止樹脂成形体８の側縁よりも０
．４〜０ 、６ Ｉｌｌ Ｉｌｌだけチップマウント部
分の側へ寄った位置）に形成され、打刻時の横断面形状
は鉛直面に対称なＶ形であり、形溝９Ａの壁面の打刻時
傾斜角度・（両側壁面間の聞ぎ角度）は６０″、深さは
０．２〜０．３ｍｍである。
施例を示す概略図である。 なお、第５図及び第６図に
おいて第３図と同一符号で表示された部分は従来のリー
ドフレームと同一部分を示０ 図示実施例のリードフレーム１０においては、放熱板部
分２との境界線に沿ったデツプマウント部分５の表面に
はＨいに平行な第一の打刻溝９Ａと第二の打刻溝９Ｂと
が形成されている。 第一の打刻溝９Ａは第二の打刻溝
９Ｂよりも先に形成されたものであり、該第−のＩ刻溝
９△は第二の打刻ｉＭ ９ Ｂの形成時に変形されて第
６図に示すようにその両側壁が放熱板部分２の方へ向っ
て倒れた状態となっている。 本実施例では第一の打刻
溝は放熱板部分とチップマウント部分５とのは８′境界
線近傍（更に詳細には封止樹脂成形体８の側縁よりも０
．４〜０ 、６ Ｉｌｌ Ｉｌｌだけチップマウント部
分の側へ寄った位置）に形成され、打刻時の横断面形状
は鉛直面に対称なＶ形であり、形溝９Ａの壁面の打刻時
傾斜角度・（両側壁面間の聞ぎ角度）は６０″、深さは
０．２〜０．３ｍｍである。
第二の打刻溝９Ｂは第一の打刻溝９Ａよりも０．３ｍｍ
程離れた位置に形成され、その両側壁面間の開き角度は
５０°〜７０°で深さは０．２〜０．３ｍｍである。
程離れた位置に形成され、その両側壁面間の開き角度は
５０°〜７０°で深さは０．２〜０．３ｍｍである。
第一の打刻溝９Ａと第二の打刻溝９Ｂとの形成条件及び
相互間距離を前記のような値に選ぶことにより、他の部
分に有害な変形を起すことなく第一の打刻溝９Ａのみを
第６図のように変形せしめることができる。 本発明者
の実験によれば、リードフレーム素材が銅又は銅合金か
ら成る異形銅条である場合、前記両打刻溝を形成りるに
際し前記のごとき形成条件で溝形成を行えば極めて好ま
しい結果が得られることがわかった。
相互間距離を前記のような値に選ぶことにより、他の部
分に有害な変形を起すことなく第一の打刻溝９Ａのみを
第６図のように変形せしめることができる。 本発明者
の実験によれば、リードフレーム素材が銅又は銅合金か
ら成る異形銅条である場合、前記両打刻溝を形成りるに
際し前記のごとき形成条件で溝形成を行えば極めて好ま
しい結果が得られることがわかった。
前記のごとき二条の打刻溝９Ａ、９Ｂが設置ノられてい
る本発明のリードフレームを用いて公知の製造方法で゛
樹脂封止型半導体装置を多数製作する一方、従来のリー
ドフレームを用いて同じ形式の樹脂封止型半導体装置を
製作し、両者に対してリードフレームと封止樹脂成形体
との接合面の隙間（口あき）の有無を調べるとともにボ
イリング試験及びプレッシャークツカー試験を実施した
。
る本発明のリードフレームを用いて公知の製造方法で゛
樹脂封止型半導体装置を多数製作する一方、従来のリー
ドフレームを用いて同じ形式の樹脂封止型半導体装置を
製作し、両者に対してリードフレームと封止樹脂成形体
との接合面の隙間（口あき）の有無を調べるとともにボ
イリング試験及びプレッシャークツカー試験を実施した
。
以下にその結果を示す。 但し、本発明のリードフレー
ムを使用して製作された半導体装置をＡ１従来のリード
フレームを使用して製作された半導体装置をＢと表示す
る。
ムを使用して製作された半導体装置をＡ１従来のリード
フレームを使用して製作された半導体装置をＢと表示す
る。
＜ｉ） 封止樹脂とリードフレームどの接合面に超プる
隙間（口あき）の有無。
隙間（口あき）の有無。
（イ〉倍率１０倍の顕微鏡で検査した場合。
置してから解体調査）
（ｉｉ） ボイリング試験結果（不良品発生率）（ｉｉ
ｉ ） プレッシャークツカー試験結果（不良品発生率
）［発明の効果］ 以上の実施例によって明らかなように、本発明によれば
、従来の半導体装置よりも極めて密封性及び信頼性の高
い樹脂封止型半導体装置を実現でさるどころの改良され
たリードフレームが提供される。 従って本発明のリー
ドフレームによれば、樹脂］り正型半導体装置の歩留り
を大幅に改善り′ることができるとともにその信頼性を
大幅に高めることができる。
ｉ ） プレッシャークツカー試験結果（不良品発生率
）［発明の効果］ 以上の実施例によって明らかなように、本発明によれば
、従来の半導体装置よりも極めて密封性及び信頼性の高
い樹脂封止型半導体装置を実現でさるどころの改良され
たリードフレームが提供される。 従って本発明のリー
ドフレームによれば、樹脂］り正型半導体装置の歩留り
を大幅に改善り′ることができるとともにその信頼性を
大幅に高めることができる。
なお、前記実施例では第−及び第二の打刻溝（すなわち
刻印）をリードフレームの長手方向と平行に形成した場
合のみを示したが、これらの打刻溝をどのような方向及
びどのような位置に設けてもよいことは当然である。
また、打刻溝の数（対の数）、長さなどにも制限はなく
、自由に選定できることは勿論である。
刻印）をリードフレームの長手方向と平行に形成した場
合のみを示したが、これらの打刻溝をどのような方向及
びどのような位置に設けてもよいことは当然である。
また、打刻溝の数（対の数）、長さなどにも制限はなく
、自由に選定できることは勿論である。
第１図は樹脂封止型半導体装置の製造工程にお面図、第
３図は第１図の半導体装置（１個分）の封止樹脂を取除
いて示した平面図、第４図は第３図のＩＶ −ＩＶ矢矢
視大人断面図第５図は本発明の一実施例のリードフレー
ムの平面図、第６図は第５図のＶｌ−Ｖｌｌ矢視大人断
面図ある。 １・・・リードフレーム、 ２・・・・・・放熱板部分
、３・・・搬送用リール係合部分、 ４・・・接続リー
ド、５・・・チップマウント部、 ６・・・接続用Ｅよ
んだ層、７・・・半導体チップ、′ ８・・・封止樹脂
成形体、９・・・打刻溝、 ９Ａ・・・第一の打刻溝（
刻印）、９Ｂ・・・第二の打刻溝、 １０・・・本発明
のリードフレーム。 特許出願人 東京芝浦−電気株式会社 第１図 第２図 ８ 第５図 現 第６図
３図は第１図の半導体装置（１個分）の封止樹脂を取除
いて示した平面図、第４図は第３図のＩＶ −ＩＶ矢矢
視大人断面図第５図は本発明の一実施例のリードフレー
ムの平面図、第６図は第５図のＶｌ−Ｖｌｌ矢視大人断
面図ある。 １・・・リードフレーム、 ２・・・・・・放熱板部分
、３・・・搬送用リール係合部分、 ４・・・接続リー
ド、５・・・チップマウント部、 ６・・・接続用Ｅよ
んだ層、７・・・半導体チップ、′ ８・・・封止樹脂
成形体、９・・・打刻溝、 ９Ａ・・・第一の打刻溝（
刻印）、９Ｂ・・・第二の打刻溝、 １０・・・本発明
のリードフレーム。 特許出願人 東京芝浦−電気株式会社 第１図 第２図 ８ 第５図 現 第６図
Claims (1)
- １ 樹脂封止型半導体装置に使用されるリードフレーム
において、封止樹脂と密着するリードフレームの表面に
第一の打刻溝が形成されるとともに該第−の打刻溝に近
接して第二の打刻溝が該第−の打刻溝に所要の変形を与
える”ように形成されていることを特徴とする半導体装
置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59016034A JPS60161647A (ja) | 1984-02-02 | 1984-02-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59016034A JPS60161647A (ja) | 1984-02-02 | 1984-02-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60161647A true JPS60161647A (ja) | 1985-08-23 |
Family
ID=11905289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59016034A Pending JPS60161647A (ja) | 1984-02-02 | 1984-02-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60161647A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0328746U (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-22 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541022A (en) * | 1978-09-15 | 1980-03-22 | Matsushita Electric Works Ltd | Photo oscillation circuit |
-
1984
- 1984-02-02 JP JP59016034A patent/JPS60161647A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541022A (en) * | 1978-09-15 | 1980-03-22 | Matsushita Electric Works Ltd | Photo oscillation circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0328746U (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5328870A (en) | Method for forming plastic molded package with heat sink for integrated circuit devices | |
| CN1144276C (zh) | 树脂封装型半导体装置的制造方法 | |
| TW409375B (en) | Method of producing semiconductor device and configuration thereof, and lead frame used in said method | |
| US5646829A (en) | Resin sealing type semiconductor device having fixed inner leads | |
| JP2002076228A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US20170288103A1 (en) | Lead frame, package, and light-emitting device, and methods for manufacturing the same | |
| CN108198790B (zh) | 具有引脚侧壁爬锡功能的堆叠封装结构及其制造工艺 | |
| CN208478317U (zh) | 半导体封装件 | |
| CN108198804B (zh) | 具有引脚侧壁爬锡功能的堆叠封装结构及其制造工艺 | |
| US20200227343A1 (en) | Semiconductor device package | |
| CN104517927A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| CN108198761B (zh) | 具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺 | |
| CN101325190A (zh) | 导线架上具有图案的四方扁平无引脚封装结构 | |
| US9911628B2 (en) | Semiconductor device leadframe | |
| CN108074901A (zh) | 具有可湿拐角引线的半导体器件及半导体器件组装方法 | |
| US11121105B2 (en) | Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices | |
| JPS60161647A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| CN100435328C (zh) | 模塑封装件 | |
| JPH0254665B2 (ja) | ||
| US20220302013A1 (en) | Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same | |
| JPS6030144A (ja) | 半導体装置用モ−ルド金型 | |
| JP4570797B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US9190350B2 (en) | Semiconductor device leadframe | |
| KR970010672B1 (ko) | 집적회로장치용 히트싱크를 구비한 플라스틱 몰드 패키지의 형성방법 | |
| JPS6164132A (ja) | 半導体装置 |