JPS6164132A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6164132A JPS6164132A JP59185909A JP18590984A JPS6164132A JP S6164132 A JPS6164132 A JP S6164132A JP 59185909 A JP59185909 A JP 59185909A JP 18590984 A JP18590984 A JP 18590984A JP S6164132 A JPS6164132 A JP S6164132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- groove
- island
- solder
- sieve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
- H10W72/01308—Manufacture or treatment of die-attach connectors using permanent auxiliary members, e.g. using alignment marks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
- H10W72/07353—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/331—Shapes of die-attach connectors
- H10W72/334—Cross-sectional shape, i.e. in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
- H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/381—Auxiliary members
- H10W72/387—Flow barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プレーナ又は、メサ型半導体装置の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
従来、樹脂封止型半導体装置は、一般に次のように製造
されていた。
されていた。
即ち、先ず第2図四、 tBl、 tc)及び第3図四
、 tBl。
、 tBl。
(qに示す如く、平坦な金属板を所定の形状に加工した
リードフレーム1のアイランド部1′に半田3を載せ、
その上方から半導体チップ2t−あて、半導体チップ2
に適当な荷重を与えることによって半導体チップ2を半
田3にてアイランド部1′に固定させ、半導体チップ2
上の電極とリードフレーム1のリードとの間に金細線4
等によシ必要な電気接続を行なう。しかる後に第4図に
示す如く樹R8で半導体チップ2および金細線4等を封
止し、リードフレーム固定板9を所定位置で切断し、第
5図に示す如き独立した製品の樹脂封止型半導体装置に
分離する。
リードフレーム1のアイランド部1′に半田3を載せ、
その上方から半導体チップ2t−あて、半導体チップ2
に適当な荷重を与えることによって半導体チップ2を半
田3にてアイランド部1′に固定させ、半導体チップ2
上の電極とリードフレーム1のリードとの間に金細線4
等によシ必要な電気接続を行なう。しかる後に第4図に
示す如く樹R8で半導体チップ2および金細線4等を封
止し、リードフレーム固定板9を所定位置で切断し、第
5図に示す如き独立した製品の樹脂封止型半導体装置に
分離する。
しかしながら、このような従来の半導体装置では、半導
体チップ2t−リードフレーム1に半田3を用い固定さ
せる際、第2図(B1.(C)及び第3図(均。
体チップ2t−リードフレーム1に半田3を用い固定さ
せる際、第2図(B1.(C)及び第3図(均。
(qに示すようにある程度の荷重を半導体チップ2に加
える為、半導体チップ2の断面5への半田3の盛シ上)
は避けられないことであった。第3図の半導体チップ2
0メ?溝部はガラス6によシ保護がなされているが、半
田3の量のバラツキ及び半導体チップ2並びに半田3の
半導体チップ2の中心からのズレによりメサ溝部のガラ
ス保餓膜6を通υ越し、半導体チップ2のシリコン基板
露出断面5にまで半田3が付着し特性歩留を低下させて
いた。又アイランド部1′が平面である為、半導体チッ
プ2の接着強度が弱く、樹脂封止後も耐湿性に問題がち
9信頼性を著しく低下させる原因になっている。
える為、半導体チップ2の断面5への半田3の盛シ上)
は避けられないことであった。第3図の半導体チップ2
0メ?溝部はガラス6によシ保護がなされているが、半
田3の量のバラツキ及び半導体チップ2並びに半田3の
半導体チップ2の中心からのズレによりメサ溝部のガラ
ス保餓膜6を通υ越し、半導体チップ2のシリコン基板
露出断面5にまで半田3が付着し特性歩留を低下させて
いた。又アイランド部1′が平面である為、半導体チッ
プ2の接着強度が弱く、樹脂封止後も耐湿性に問題がち
9信頼性を著しく低下させる原因になっている。
従って1本発明の目的は、半導体チップのシリコン基板
露出断面部への半田盛上りを防止させ、なおかつ樹脂封
止後の耐湿性も向上させ、特性。
露出断面部への半田盛上りを防止させ、なおかつ樹脂封
止後の耐湿性も向上させ、特性。
歩留及び信頼性を大幅に改善した半導体装置を提供する
ことにある。
ことにある。
本発明によれば、リードフレームの半導体素子載置部に
は、半導体素子の接触する部分とその外周に網目状の溝
を有し、この溝の網の目のほぼ中央部に半導体素子を半
田もしくはロー材で取)付けた半導体装置を得る。
は、半導体素子の接触する部分とその外周に網目状の溝
を有し、この溝の網の目のほぼ中央部に半導体素子を半
田もしくはロー材で取)付けた半導体装置を得る。
以下、本発明について図面を参照してよシ詳細に説明す
る。
る。
第1図四、 (Bl、 tc)および第4図、第5図は
本発明の一実施例の製造工程を示したもので、まず、リ
ードフレーム11が作られる。リードフレーム11は、
金楓板を打ち抜いて外部へ電極を導出するリードと半導
体チップ12を取シ付けるアイランド11’との組を復
数組固定板19で一体化するように形成される。アイラ
ンド11′では半導体チップ12が接触する面とその外
側に半田逃げのためと樹脂封止の際に樹脂のくいつき向
上のための1$17が網の目状に形成されている。そし
て第1図TB)に示すように半田13を417の網の目
の中央部に載せ、その上にメサタイプあるいはプレーナ
タイプの半導体チップ12を載せる。次に、第1図(C
)に示すように、半導体チップ12の上方から適当な荷
重を与えることによって、半導体チップ12を1l11
7を有するアイランド11に取り付ける。この時、半田
13は半導体チップ12の下から外側に逃げるが、溝1
7内に吸収される。
本発明の一実施例の製造工程を示したもので、まず、リ
ードフレーム11が作られる。リードフレーム11は、
金楓板を打ち抜いて外部へ電極を導出するリードと半導
体チップ12を取シ付けるアイランド11’との組を復
数組固定板19で一体化するように形成される。アイラ
ンド11′では半導体チップ12が接触する面とその外
側に半田逃げのためと樹脂封止の際に樹脂のくいつき向
上のための1$17が網の目状に形成されている。そし
て第1図TB)に示すように半田13を417の網の目
の中央部に載せ、その上にメサタイプあるいはプレーナ
タイプの半導体チップ12を載せる。次に、第1図(C
)に示すように、半導体チップ12の上方から適当な荷
重を与えることによって、半導体チップ12を1l11
7を有するアイランド11に取り付ける。この時、半田
13は半導体チップ12の下から外側に逃げるが、溝1
7内に吸収される。
このため、半田17が半導体チップ12の側面にはい上
ることはない。その後、第1図(5)に示すように、半
導体チップ12表面の電極リード間が金細線14等によ
って配線がなされる。更に、第4図に示すように、半導
体チップ12と金側a14とを少なくとも封止するよう
に樹脂8がモールド等で被覆せられ、第5図に示すよう
に、リードフレーム1工の固定板19が切断除去されて
、個々の半導体装置10に分離される。
ることはない。その後、第1図(5)に示すように、半
導体チップ12表面の電極リード間が金細線14等によ
って配線がなされる。更に、第4図に示すように、半導
体チップ12と金側a14とを少なくとも封止するよう
に樹脂8がモールド等で被覆せられ、第5図に示すよう
に、リードフレーム1工の固定板19が切断除去されて
、個々の半導体装置10に分離される。
このように、本発明によれば、半導体チップ12を取シ
付ける半田13は溝17内に逃げるので、半導体チップ
12の側面にはい上ることはない。又、半導体チップ1
2の外周の溝17へは、モールド樹脂8がくいつき耐湿
性を向上させるため、素子特性の劣化がなく信頼性の高
い半導体装置を得ることができる。
付ける半田13は溝17内に逃げるので、半導体チップ
12の側面にはい上ることはない。又、半導体チップ1
2の外周の溝17へは、モールド樹脂8がくいつき耐湿
性を向上させるため、素子特性の劣化がなく信頼性の高
い半導体装置を得ることができる。
第1図向は本発明の一実施例によって半導体チップをリ
ードフレームのアイランドに取シ付けた工程の平面図、
第1図(均および(qは本発明の一実施例によって半導
体チップをリードフレームのアイランドに取り付ける工
程の断面図である。第2回内は、従来のプレーナ型半導
体装置の平面図、第2図(B)および(C)はプレーナ
型半導体チップを従来のリードフレームのアイランドに
取シ付ける工程の断面図、第3回内は従来のメサ型半導
体装置の平面図、第3図向および(c)は従来のメサ型
半導体チップを従来のリードフレームのアイランドに取
シ付ける工程を示す断面図である。第4図は、樹脂封止
工程後を示す平面図、第5図は、固定板切断後を示す平
面図である。 1.11・・・・・・リードフレーム、1’、11’
・・・・・・アイランド、2.12・・・・・・半導体
チップ、3゜13・・・・・・半田、4,14・・・・
・・金m線、5・・・・・・半導体チップ側面、6・・
・・・・ガラス保護膜、17・・・・・・溝、8・・・
・・・樹脂、9.19・・・・・・フレーム固定板、1
0・・・・・・半導体装置。
ードフレームのアイランドに取シ付けた工程の平面図、
第1図(均および(qは本発明の一実施例によって半導
体チップをリードフレームのアイランドに取り付ける工
程の断面図である。第2回内は、従来のプレーナ型半導
体装置の平面図、第2図(B)および(C)はプレーナ
型半導体チップを従来のリードフレームのアイランドに
取シ付ける工程の断面図、第3回内は従来のメサ型半導
体装置の平面図、第3図向および(c)は従来のメサ型
半導体チップを従来のリードフレームのアイランドに取
シ付ける工程を示す断面図である。第4図は、樹脂封止
工程後を示す平面図、第5図は、固定板切断後を示す平
面図である。 1.11・・・・・・リードフレーム、1’、11’
・・・・・・アイランド、2.12・・・・・・半導体
チップ、3゜13・・・・・・半田、4,14・・・・
・・金m線、5・・・・・・半導体チップ側面、6・・
・・・・ガラス保護膜、17・・・・・・溝、8・・・
・・・樹脂、9.19・・・・・・フレーム固定板、1
0・・・・・・半導体装置。
Claims (1)
- 半導体素子載置部には、半導体素子の接触する部分と
その外周に複数の溝を有し、この溝内の中央部に半導体
素子を半田もしくはロー材で取り付けたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59185909A JPS6164132A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59185909A JPS6164132A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164132A true JPS6164132A (ja) | 1986-04-02 |
Family
ID=16178998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59185909A Pending JPS6164132A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6164132A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2849533A1 (fr) * | 2002-12-27 | 2004-07-02 | St Microelectronics Sa | Assemblage d'un composant semiconducteur |
| DE102004058878A1 (de) * | 2004-12-06 | 2006-06-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements |
| CN104112728A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-10-22 | 广东美的制冷设备有限公司 | 器件安装结构和集成电路模块 |
| DE102013219642A1 (de) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Diffusionslöten unter Ausbildung einer Diffusionszone als Lötverbindung und elektronische Baugruppe mit einer solchen Lötverbindung |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP59185909A patent/JPS6164132A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2849533A1 (fr) * | 2002-12-27 | 2004-07-02 | St Microelectronics Sa | Assemblage d'un composant semiconducteur |
| DE102004058878A1 (de) * | 2004-12-06 | 2006-06-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements |
| DE102013219642A1 (de) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Diffusionslöten unter Ausbildung einer Diffusionszone als Lötverbindung und elektronische Baugruppe mit einer solchen Lötverbindung |
| WO2015043969A3 (de) * | 2013-09-27 | 2015-07-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum diffusionslöten unter ausbildung einer diffusionszone als lötverbindung und elektronische baugruppe mit einer solchen lötverbindung |
| US10004147B2 (en) | 2013-09-27 | 2018-06-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the diffusion soldering of an electronic component to a substrate |
| CN104112728A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-10-22 | 广东美的制冷设备有限公司 | 器件安装结构和集成电路模块 |
| CN104112728B (zh) * | 2013-11-22 | 2017-10-31 | 广东美的制冷设备有限公司 | 器件安装结构和集成电路模块 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6841414B1 (en) | Saw and etch singulation method for a chip package | |
| US7042068B2 (en) | Leadframe and semiconductor package made using the leadframe | |
| US6890845B2 (en) | Chip scale surface mounted device and process of manufacture | |
| US7008824B2 (en) | Method of fabricating mounted multiple semiconductor dies in a package | |
| US6297547B1 (en) | Mounting multiple semiconductor dies in a package | |
| US4974057A (en) | Semiconductor device package with circuit board and resin | |
| US5286679A (en) | Method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a patterned adhesive layer | |
| US6445060B1 (en) | Coated semiconductor die/leadframe assembly and method for coating the assembly | |
| US20110057298A1 (en) | Partially Patterned Lead Frames and Methods of Making and Using the Same in Semiconductor Packaging | |
| GB2072423A (en) | Hermetic tape packaging semiconductor devices | |
| JP4408475B2 (ja) | ボンディングワイヤを採用しない半導体装置 | |
| JP4803855B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6164132A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10247701A (ja) | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム | |
| US7309910B2 (en) | Micro lead frame packages and methods of manufacturing the same | |
| JPS6050346B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP4528811A1 (en) | Packaged semiconductor device and method of manufacturing | |
| JPS60178636A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2564595B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61285730A (ja) | 半導体装置の製造方法及びこれに用いる樹脂封止部材 | |
| JPS6095927A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61128551A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| KR100201389B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| KR0121171Y1 (ko) | 멀티칩 반도체 패키지 | |
| JPH02303056A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 |