JPS60163760U - 平型サイリスタ - Google Patents
平型サイリスタInfo
- Publication number
- JPS60163760U JPS60163760U JP1985038784U JP3878485U JPS60163760U JP S60163760 U JPS60163760 U JP S60163760U JP 1985038784 U JP1985038784 U JP 1985038784U JP 3878485 U JP3878485 U JP 3878485U JP S60163760 U JPS60163760 U JP S60163760U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main electrode
- main
- metal base
- defective portion
- thyristor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の加圧接触型平型サイリスタの断面略図、
第２図は本考案の一実施例を示しており、ａは加工した
アノード電極および金属ベースの断面図、ｂは移動防止
体の上面図、Ｃはｂに示す移動防止体のＡ−Ａ切断線に
沿った断面図、ｄはアノード電極、移動防止体、金属ベ
ースを結合させた時の断面図である。
第２図は本考案の一実施例を示しており、ａは加工した
アノード電極および金属ベースの断面図、ｂは移動防止
体の上面図、Ｃはｂに示す移動防止体のＡ−Ａ切断線に
沿った断面図、ｄはアノード電極、移動防止体、金属ベ
ースを結合させた時の断面図である。
Claims (1)
- サイリスタ構造の半導体基体の一主面にゲート電極と一
方の主電極が低抵抗接着されζ他方の主面には、他方の
主電極が低抵抗接続され、上記一方および他方の主電極
に金属カバーおよび金属ベースが滑動接触している平型
サイリスタにおいて、上記他方の主電極および金属ベー
スは互いに対向する周側端部を非真円形とする欠損部が
それぞれ設けられており、上記欠損部に嵌合する金属ベ
ースに対する他方の主電極の移動防止体を備えているこ
とを特徴とする平型サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985038784U JPS60163760U (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 平型サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985038784U JPS60163760U (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 平型サイリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163760U true JPS60163760U (ja) | 1985-10-30 |
| JPS6314460Y2 JPS6314460Y2 (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=30546110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985038784U Granted JPS60163760U (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 平型サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163760U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000008683A1 (fr) * | 1998-08-07 | 2000-02-17 | Hitachi, Ltd. | Composant plat a semi-conducteur, son procede de fabrication et convertisseur comprenant ce composant |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP1985038784U patent/JPS60163760U/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000008683A1 (fr) * | 1998-08-07 | 2000-02-17 | Hitachi, Ltd. | Composant plat a semi-conducteur, son procede de fabrication et convertisseur comprenant ce composant |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6314460Y2 (ja) | 1988-04-22 |
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