JPS6314460Y2 - - Google Patents
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- JPS6314460Y2 JPS6314460Y2 JP3878485U JP3878485U JPS6314460Y2 JP S6314460 Y2 JPS6314460 Y2 JP S6314460Y2 JP 3878485 U JP3878485 U JP 3878485U JP 3878485 U JP3878485 U JP 3878485U JP S6314460 Y2 JPS6314460 Y2 JP S6314460Y2
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- main electrode
- metal base
- semiconductor substrate
- electrode
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- Expired
Links
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は平型サイリスタの固定、特に半導体基
体の平面移動および回転移動を防止する構造に関
する。
体の平面移動および回転移動を防止する構造に関
する。
従来の平型サイリスタの構成は第１図に示すよ
うに、サイリスタ構造の半導体基体１にろう付に
より低抵抗接着され、半導体基体１と熱膨張係数
の近い値をもつＷあるいはMoから成るアノード
電極６、これに滑動接触した金属ベース３、半導
体基体１の他面に低抵抗接着したカソード電極５
およびゲートリード線４、カソード電極５に滑動
接触した金属カバー２から成る。また半導体基体
１の端部は所望の耐圧を信頼性良く得るため、接
合表面安定材７で覆われており、半導体基体１全
体は気密性および絶縁性の高いシール８、金属カ
バー２および金属ベース３からなる気密容器内に
納められている。かかる構成において金属ベース
３とアノード電極６の接触面１０、および金属カ
バー２とカソード電極５の接触面１１がろう付さ
れておらず金属カバー２と金属ベース３に加わる
圧力によりアノード電極６と金属ベース３を低抵
抗接触させる構造の場合、接触面と水平な方向に
強い外力が半導体基体１に加わると、半導体基体
１は横へずれしてしまう。これにより、加圧して
接触している位置がずれて接触が悪くなつたり、
ゲートリード線４が断線したり、極端な場合は半
導体基体端部に傷がついたりする等、装置の信頼
性が著しく低下する恐れがある。このためこれら
欠点を排除する一方法として第１図内に示すよう
に平面移動防止用のガイド９を設けることが提案
されている。これによつて確かに強い外力に対
し、横方向への半導体基体の移動は防止できる。
しかし実際に装置をオン・オフ動作させる場合、
何回となく導通状態において温度上昇し、非導通
状態において温度が低下する。このため半導体基
体１は、ごく僅かではあるが膨張、収縮を繰返し
半導体基体１が面内において自転してしまう懸念
が生ずる。このような場合ゲートリード線４を半
導体基体１に固定した構成において固定位置が側
方にある場合はゲートリード線４の断線、固定位
置が中央にある場合はゲートリード線４のねじれ
という問題が生じる。
うに、サイリスタ構造の半導体基体１にろう付に
より低抵抗接着され、半導体基体１と熱膨張係数
の近い値をもつＷあるいはMoから成るアノード
電極６、これに滑動接触した金属ベース３、半導
体基体１の他面に低抵抗接着したカソード電極５
およびゲートリード線４、カソード電極５に滑動
接触した金属カバー２から成る。また半導体基体
１の端部は所望の耐圧を信頼性良く得るため、接
合表面安定材７で覆われており、半導体基体１全
体は気密性および絶縁性の高いシール８、金属カ
バー２および金属ベース３からなる気密容器内に
納められている。かかる構成において金属ベース
３とアノード電極６の接触面１０、および金属カ
バー２とカソード電極５の接触面１１がろう付さ
れておらず金属カバー２と金属ベース３に加わる
圧力によりアノード電極６と金属ベース３を低抵
抗接触させる構造の場合、接触面と水平な方向に
強い外力が半導体基体１に加わると、半導体基体
１は横へずれしてしまう。これにより、加圧して
接触している位置がずれて接触が悪くなつたり、
ゲートリード線４が断線したり、極端な場合は半
導体基体端部に傷がついたりする等、装置の信頼
性が著しく低下する恐れがある。このためこれら
欠点を排除する一方法として第１図内に示すよう
に平面移動防止用のガイド９を設けることが提案
されている。これによつて確かに強い外力に対
し、横方向への半導体基体の移動は防止できる。
しかし実際に装置をオン・オフ動作させる場合、
何回となく導通状態において温度上昇し、非導通
状態において温度が低下する。このため半導体基
体１は、ごく僅かではあるが膨張、収縮を繰返し
半導体基体１が面内において自転してしまう懸念
が生ずる。このような場合ゲートリード線４を半
導体基体１に固定した構成において固定位置が側
方にある場合はゲートリード線４の断線、固定位
置が中央にある場合はゲートリード線４のねじれ
という問題が生じる。
本考案の目的は上記した従来技術の欠点をなく
し、半導体基体の平面移動、回転移動を防止し、
信頼性の高い加圧接触平型半導体装置を提供する
ことにある。
し、半導体基体の平面移動、回転移動を防止し、
信頼性の高い加圧接触平型半導体装置を提供する
ことにある。
本考案は上記目的を達成するため、アノード電
極と金属ベースに互に対向する周側端部を非真円
形とする欠損部をそれぞれ設け、両欠損部に移動
防止体を嵌合させている。
極と金属ベースに互に対向する周側端部を非真円
形とする欠損部をそれぞれ設け、両欠損部に移動
防止体を嵌合させている。
本考案の構成および作用効果を第２図に示す実
施例に基づき説明する。
施例に基づき説明する。
本実施例で第１図に示す従来例と異なる点は、
アノード電極６の周端部の一部に欠損部１２を設
けていること、金属ベース３の端部全周に欠損部
１５を設けており、その一部は比較的大きな欠損
部１３を形成していることである。そしてこれら
欠損部にちようど嵌まり合い、アノード電極６の
平面方向のずれを防ぐことができる様にアノード
電極６の端部全周を囲む様なｂ図に示す形状の移
動防止体９をアノード電極６と金属ベース３の間
に嵌め合つていることである。すなわち、ｄ図に
示す様に半導体基体１にろう付されたアノード電
極６は一部に設けた欠損部１２に対しては移動防
止体９の一部突出部１６が、金属ベース３の一部
に設けた比較的大きな欠損部１３に対しては移動
防止体９の一部突出部１７がちようど嵌り合い、
これによつて位置合わせができ、さらに半導体基
体１の回転を防止できる。なお移動防止体９は
Al，Cu等の加工が容易な金属でも良く、また耐
熱性が良く、加工できるふつ素系樹脂等の無機物
でもかまわない。かかる構成により半導体基体１
の平面移動、さらに回転移動を防止でき、ゲート
リード線４の断線、よじれがなくなるので装置の
信頼性の向上が期待できる。金属ベース３とアノ
ード電極６はその接触面が平坦であるため、両者
間における熱、電気の良好な伝導を確保すること
ができ、平面移動と回転移動を防止したことによ
る特性劣化を伴うことはない。
アノード電極６の周端部の一部に欠損部１２を設
けていること、金属ベース３の端部全周に欠損部
１５を設けており、その一部は比較的大きな欠損
部１３を形成していることである。そしてこれら
欠損部にちようど嵌まり合い、アノード電極６の
平面方向のずれを防ぐことができる様にアノード
電極６の端部全周を囲む様なｂ図に示す形状の移
動防止体９をアノード電極６と金属ベース３の間
に嵌め合つていることである。すなわち、ｄ図に
示す様に半導体基体１にろう付されたアノード電
極６は一部に設けた欠損部１２に対しては移動防
止体９の一部突出部１６が、金属ベース３の一部
に設けた比較的大きな欠損部１３に対しては移動
防止体９の一部突出部１７がちようど嵌り合い、
これによつて位置合わせができ、さらに半導体基
体１の回転を防止できる。なお移動防止体９は
Al，Cu等の加工が容易な金属でも良く、また耐
熱性が良く、加工できるふつ素系樹脂等の無機物
でもかまわない。かかる構成により半導体基体１
の平面移動、さらに回転移動を防止でき、ゲート
リード線４の断線、よじれがなくなるので装置の
信頼性の向上が期待できる。金属ベース３とアノ
ード電極６はその接触面が平坦であるため、両者
間における熱、電気の良好な伝導を確保すること
ができ、平面移動と回転移動を防止したことによ
る特性劣化を伴うことはない。
なお、移動防止体９の位置合わせ用一部突出部
１６，１７は同一方向に設ける必要性は特にな
く、反応方向にあつてもよい。
１６，１７は同一方向に設ける必要性は特にな
く、反応方向にあつてもよい。
またゲートリード線４を固定している位置は第
２図のような半導体基体の側方にある場合に限ら
ず半導体基体１の中央に設けたいわゆるセンタゲ
ート構造においても本考案を適用でき、同様の効
果が得られる。
２図のような半導体基体の側方にある場合に限ら
ず半導体基体１の中央に設けたいわゆるセンタゲ
ート構造においても本考案を適用でき、同様の効
果が得られる。
更に、アノード電極を他方の主電極として説明
したが、アノードゲートの場合は、ゲートリード
線とアノード電極が一方の主面に設けられ、カソ
ード電極は他方の主面に設けられることになる。
この場合、カソード電極が他方の主電極として金
属ベースと滑動接触されることになるが、このよ
うな場合でも、カソード電極と金属ベースに欠損
部を設けて移動防止体を嵌合させれば、同様な効
果が得られる。
したが、アノードゲートの場合は、ゲートリード
線とアノード電極が一方の主面に設けられ、カソ
ード電極は他方の主面に設けられることになる。
この場合、カソード電極が他方の主電極として金
属ベースと滑動接触されることになるが、このよ
うな場合でも、カソード電極と金属ベースに欠損
部を設けて移動防止体を嵌合させれば、同様な効
果が得られる。
第１図は従来の加圧接触型平型サイリスタの断
面略図、第２図は本考案の一実施例を示してお
り、ａは加工したアノード電極および金属ベース
の断面図、ｂは移動防止体の上面図、ｃはｂに示
す移動防止体のＡ−Ａ切断線に沿つた断面図、ｄ
はアノード電極、移動防止体、金属ベースを結合
させた時の断面図である。
面略図、第２図は本考案の一実施例を示してお
り、ａは加工したアノード電極および金属ベース
の断面図、ｂは移動防止体の上面図、ｃはｂに示
す移動防止体のＡ−Ａ切断線に沿つた断面図、ｄ
はアノード電極、移動防止体、金属ベースを結合
させた時の断面図である。
Claims (1)
- サイリスタ構造の半導体基体の一主面にゲート
電極と一方の主電極が低抵抗接着され、他方の主
面には、他方の主電極が低抵抗接続され、上記一
方および他方の主電極に金属カバーおよび金属ベ
ースが滑動接触している平型サイリスタにおい
て、上記他方の主電極および金属ベースは互いに
対向する周側端部を非真円形とする欠損部がそれ
ぞれ設けられており、上記欠損部に嵌合する金属
ベースに対する他方の主電極の移動防止体を備え
ていることを特徴とする平型サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3878485U JPS60163760U (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 平型サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3878485U JPS60163760U (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 平型サイリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163760U JPS60163760U (ja) | 1985-10-30 |
| JPS6314460Y2 true JPS6314460Y2 (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=30546110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3878485U Granted JPS60163760U (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 平型サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163760U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1322376A (zh) * | 1998-08-07 | 2001-11-14 | 株式会社日立制作所 | 扁平型半导体装置、其制造方法及使用该装置的变换器 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP3878485U patent/JPS60163760U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60163760U (ja) | 1985-10-30 |
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