JPS6016452A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPS6016452A
JPS6016452A JP58124455A JP12445583A JPS6016452A JP S6016452 A JPS6016452 A JP S6016452A JP 58124455 A JP58124455 A JP 58124455A JP 12445583 A JP12445583 A JP 12445583A JP S6016452 A JPS6016452 A JP S6016452A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
film
heat
cap
semiconductor integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58124455A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Tokura
戸倉　隆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6016452A publication Critical patent/JPS6016452A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の属する技術分野 本発明は半導体集積回路の構造に関し、特に発熱量の大
きい集積回路の放熱効果を上げるための構造に関する。
（２）従来技術の説明 従来半導体集積回路（以下チップと呼ぶ）内で発生する
熱？放熱する方法としては、チップのサブストレート側
則ち裏面をセラミックに密着させてこの面からの熱伝導
により熱を逃がす構造又は、チップの表面の端子部を同
様な母材に接続し裏面に放熱用のフィンを付けてこのフ
ィンへの熱伝導により熱を逃がす構造がとられていたた
めいずれもチップの裏面からしか熱伝導の経路がなく、
チップの発熱量の制限もしくは発熱量に応じて放熱フィ
ンの表１釦面積會大きくする必要があるという欠点があ
った。
（３）発明の目的 不発明の目的はチップの裏面からだけではなくチップの
表面からも熱伝導の経路全提供することにより、上記欠
点を解決し放熱効率の良いチップ実装構造を提供するこ
とにある。
（４）　発明の構成 不発明は１通常のチップにおいて端子部を除く表面領域
が絶縁性の保護膜で復われていることに着目し、この膜
の上部にチップ内の回路と電気的に無関係の熱伝導性の
金属膜を設けた構造にすることによル従来裏面だけの熱
伝導路にゆだねていた構造に１表面からも熱伝導路葡提
供するものである。
（５）実施例 次に図面全参照して本発明の実施例について説明する。
第１図は不発明のチップ構造図である。第２図は本発明
の断面図であシ、絶縁性保護膜の上に金属膜全村けた構
造を示している。
従来のチップは第３図の断面図に示すように最上膜は絶
縁性保護膜で覆われておシ１本発明はこの膜の上に熱伝
導性の金属膜を付した構造を特徴としている。
第４図は不発明の効果を明確にする実装構造例を示して
いる。従来技術でチップをセラミック等のケースにマウ
ントし、チップ端子部とケースをボンディングし、キャ
ップで封入する際。
本発明によるチップ表面の金属膜とキャップの間に金属
性のバネを挿入した構造である。不構造にすることによ
り従来チップの熱はチップ裏面と接するセラミックを通
して伝導するのみであったものが、不発明による表面膜
からノ（ネを通してキャップに達する経路が実現できる
ことにより、放熱の効果が従来に比べて倍増するのは明
像である。
（６）発明の効果 不発明は以上説明したように、チップの表面にも熱伝導
路を提供することにより従来の裏面からの熱伝導に比べ
てチップ内の発熱を外に逃がす効果が加速され、チップ
内温度上昇を押える効果もしくは従来発熱のため制限さ
れていたチップ内ｕ路密度全上げうる効果がある。
さらには１表面が金属膜で覆われているため。
化学的処理をしない限りチップ内の回路ノくターンの解
読が出来ず秘密保護の効果並びに外部からの誘４全防止
するシールド効果もあられれる。
【図面の簡単な説明】
第１図は不発明の構造をボす斜視図である。第２図は第
１図Ａ−Ａ’面の１所面図であり、第３図は従来のチッ
プ断面図である。第４図は不発明の実施例を示すもので
あり、該チップをケースにマウントした時の断面図ｔあ
られす。 なお図において、１・・・・・・チップ基板、２・・・
・・・表面保護膜、３・・・・・・端子部、３′・・・
・・・端子部金属膜。 ４・・・・・・表面金属膜、５・・・・・・ケース母材
、６・・・・・キャップ、７・・・・・・ボンディング
ワイヤ、８・・・・・・金属バネ型フィン、矢印は熱の
伝導経路、である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁性表面保譲膜を有する半導体集積回路において、該
    表面膜の上に回路と電気的接続のない熱伝導性金属膜を
    配し該金属膜に熱太導性の放熱媒体ｔ−従接続たこと全
    特徴とする半導体集積回路。
JP58124455A 1983-07-08 1983-07-08 半導体集積回路 Pending JPS6016452A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58124455A JPS6016452A (ja) 1983-07-08 1983-07-08 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58124455A JPS6016452A (ja) 1983-07-08 1983-07-08 半導体集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6016452A true JPS6016452A (ja) 1985-01-28

Family

ID=14885941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58124455A Pending JPS6016452A (ja) 1983-07-08 1983-07-08 半導体集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6016452A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03170525A (ja) * 1989-10-23 1991-07-24 Hoechst Celanese Corp ポリエステルの製造方法
JPH06177288A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Nec Corp 半導体装置
JPH07254668A (ja) * 1994-01-11 1995-10-03 Samsung Electron Co Ltd 高熱放出用の半導体パッケージ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03170525A (ja) * 1989-10-23 1991-07-24 Hoechst Celanese Corp ポリエステルの製造方法
JPH06177288A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Nec Corp 半導体装置
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