JPS60167123A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS60167123A JPS60167123A JP2357084A JP2357084A JPS60167123A JP S60167123 A JPS60167123 A JP S60167123A JP 2357084 A JP2357084 A JP 2357084A JP 2357084 A JP2357084 A JP 2357084A JP S60167123 A JPS60167123 A JP S60167123A
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- slit
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
この発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法、特に垂直磁
性膜の配向性を向上させるための製造方法に関するもの
である。
性膜の配向性を向上させるための製造方法に関するもの
である。
［ｂｌ 従来技術と問題点
最近、磁気記憶装置の分野では垂直記録方式が短波長記
録特性の優れていることから注目されている。この方式
においては磁化容易軸が膜面に垂直方向にある磁性膜を
持った垂直磁気記録媒体が必要であり、既に種々のもの
が提案されている。
録特性の優れていることから注目されている。この方式
においては磁化容易軸が膜面に垂直方向にある磁性膜を
持った垂直磁気記録媒体が必要であり、既に種々のもの
が提案されている。
例えばその一つに非磁性材料よりなる基板上に、膜面内
に磁化容易軸を有するＮｉ−Ｆｅ膜を形成し、さらにそ
の上に膜面に垂直方向の磁化容易軸を有するＣｏ−Ｃｒ
１Ｑ （垂直磁性膜）を形成した二層膜構造の垂直磁気
記録媒体が知られている。Ｃ０−Ｃｒ垂直磁性膜を得る
ためには、稠密六方構造のＣ軸を膜°面に垂直方向に配
向させる必要があり、前記二層膜構造の垂直磁気記録媒
体ではＣｏ −Ｃｒ膜の垂直方向のＣ軸配向性が下地の
Ｎｉ−Ｆｅ膜の配向性に影響される。その原因としては
Ｇｏ −Ｃｒ膜形成時のエピタキシー的効果が考えられ
る。旧−Ｆｅ膜上にＣ軸配向性の良いＣｏ −Ｃｒ膜を
形成するためには、Ｎｉ−Ｆｅ膜の（１，１，１）面が
膜面に平行になるように結晶を成長させることが必要で
ある。そして、このＮｉ−Ｆｅ膜の（１，１，１）面を
膜面に平行に配向させるには、膜形成初期における蒸発
原子の前記基板面への入射方向を出来るだけ垂直にする
必要があり、この蒸発原子の垂直方向の入射はＣ０−Ｃ
ｒ膜自身の垂直配向性を向上するためにも有意である。
に磁化容易軸を有するＮｉ−Ｆｅ膜を形成し、さらにそ
の上に膜面に垂直方向の磁化容易軸を有するＣｏ−Ｃｒ
１Ｑ （垂直磁性膜）を形成した二層膜構造の垂直磁気
記録媒体が知られている。Ｃ０−Ｃｒ垂直磁性膜を得る
ためには、稠密六方構造のＣ軸を膜°面に垂直方向に配
向させる必要があり、前記二層膜構造の垂直磁気記録媒
体ではＣｏ −Ｃｒ膜の垂直方向のＣ軸配向性が下地の
Ｎｉ−Ｆｅ膜の配向性に影響される。その原因としては
Ｇｏ −Ｃｒ膜形成時のエピタキシー的効果が考えられ
る。旧−Ｆｅ膜上にＣ軸配向性の良いＣｏ −Ｃｒ膜を
形成するためには、Ｎｉ−Ｆｅ膜の（１，１，１）面が
膜面に平行になるように結晶を成長させることが必要で
ある。そして、このＮｉ−Ｆｅ膜の（１，１，１）面を
膜面に平行に配向させるには、膜形成初期における蒸発
原子の前記基板面への入射方向を出来るだけ垂直にする
必要があり、この蒸発原子の垂直方向の入射はＣ０−Ｃ
ｒ膜自身の垂直配向性を向上するためにも有意である。
しかし、第１図に示す従来の代表的な垂直磁気記録媒体
の製造方法では、所望どおりの良好な配向性を示す垂直
磁性膜が得られないのが実情であった。この従来方法を
図に従って簡単に述べると、供給ロール１から繰り出さ
れたテープ状基板２は円筒状−キ、ヤン３に密着されて
矢印Ａ方向に走行し、巻取りロール４に巻き取られる。
の製造方法では、所望どおりの良好な配向性を示す垂直
磁性膜が得られないのが実情であった。この従来方法を
図に従って簡単に述べると、供給ロール１から繰り出さ
れたテープ状基板２は円筒状−キ、ヤン３に密着されて
矢印Ａ方向に走行し、巻取りロール４に巻き取られる。
円筒状キャン３とＮｉ−Ｆｅ膜＋ Ｃｏ Ｃｒ膜形成用
の蒸発源（ターゲット）５との間にはスリットＳを有す
るマスク６が配置されており、スパツタリングによる蒸
発原子は該スリン）Ｓを通って前記走行中の基板２に付
着する。このようにマスク６によって基板２に対する蒸
発原子の斜め成分を遮蔽して垂直方向性を与えているが
、基板２上の磁性膜に所定の膜厚を得る必要上、前記ス
リン）Ｓの開口幅が比較的大きなものとなることから当
該磁性膜の初期生成過程における蒸発原子の基板面への
斜め成分遮蔽が十分に行えず、磁性膜の配向性がいま一
つ不良であった・ （Ｃ） 発明の目的 この発明は、以上のような従来の状況から基板上に垂直
配向性の良い磁性膜を形成するための新しい垂直磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
の蒸発源（ターゲット）５との間にはスリットＳを有す
るマスク６が配置されており、スパツタリングによる蒸
発原子は該スリン）Ｓを通って前記走行中の基板２に付
着する。このようにマスク６によって基板２に対する蒸
発原子の斜め成分を遮蔽して垂直方向性を与えているが
、基板２上の磁性膜に所定の膜厚を得る必要上、前記ス
リン）Ｓの開口幅が比較的大きなものとなることから当
該磁性膜の初期生成過程における蒸発原子の基板面への
斜め成分遮蔽が十分に行えず、磁性膜の配向性がいま一
つ不良であった・ （Ｃ） 発明の目的 この発明は、以上のような従来の状況から基板上に垂直
配向性の良い磁性膜を形成するための新しい垂直磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
Ｔｄ＋ 発明の構成
簡単に述べると本発明は、同一成分の磁性膜を移゛動中
の基板上にスパッタ法あるいは蒸着法により形成するに
際し、該基板の移動方向においてそれぞれ開口幅の異な
る少なくとも２つの蒸発原子通過用スリットを順次配置
し、開口幅の狭いスリットを通過した蒸発原子により前
記基板上に磁性膜の初期生成を行い、次の開口幅の広い
スリットを通過した蒸発原子により前記初期磁性膜を成
長させて所定の磁性膜を形成するようにしたことを特徴
とするものである。
の基板上にスパッタ法あるいは蒸着法により形成するに
際し、該基板の移動方向においてそれぞれ開口幅の異な
る少なくとも２つの蒸発原子通過用スリットを順次配置
し、開口幅の狭いスリットを通過した蒸発原子により前
記基板上に磁性膜の初期生成を行い、次の開口幅の広い
スリットを通過した蒸発原子により前記初期磁性膜を成
長させて所定の磁性膜を形成するようにしたことを特徴
とするものである。
ｔｅｌ 発明の実施例
以下、この発明を上述したＮｉ−Ｆｅ膜とＣｏ −Ｃｒ
膜の二層膜構造の垂直磁気記録媒体の製造例につき図面
を参照して詳細に説明する。
膜の二層膜構造の垂直磁気記録媒体の製造例につき図面
を参照して詳細に説明する。
第２図はこの発明のスパッタ法による一実施例の概略構
成を示す。この図において、符号１〜５の供給ローラ、
基板１円筒状キャン、巻取りローラおよび蒸発源は前記
従来の製造方法によるものと何ら変わらないが、マスク
１１は図示のように基板２の移動方向Ａにおいて狭い開
口幅（例えば２−−程度０幅）のスリットＳ１と広い開
口幅（例えば５Ｑｍｍ程度の幅）のスリン１−５２とを
順に具備している。ここで、説明の便宜上狭い開口幅の
スリットを幅狭スリット、広い開口幅のスリットを幅広
スリットとそれぞれ呼称する。
成を示す。この図において、符号１〜５の供給ローラ、
基板１円筒状キャン、巻取りローラおよび蒸発源は前記
従来の製造方法によるものと何ら変わらないが、マスク
１１は図示のように基板２の移動方向Ａにおいて狭い開
口幅（例えば２−−程度０幅）のスリットＳ１と広い開
口幅（例えば５Ｑｍｍ程度の幅）のスリン１−５２とを
順に具備している。ここで、説明の便宜上狭い開口幅の
スリットを幅狭スリット、広い開口幅のスリットを幅広
スリットとそれぞれ呼称する。
本発明の特徴に従って設けられた幅狭スリットＳ１の設
置箇所は、円筒状キャン３の中心点Ｐと、該キャンが蒸
発源５と最短距離になる点りとを通る直線ＰＤ上に設定
する。一方、幅広スリン１−５２は前記従来のスリット
と大差ないものである。これら両スリットを機能的に示
すと、幅狭スリットＳ１は磁性膜の初期生成用、幅広ス
リン）Ｓ２はその初期形成膜の成長用に区別できる。ま
た前記幅狭スリットｓｔには図示のような垂直の遮蔽板
１２が、幅広スリン）３２には若干内側に傾斜した遮蔽
板１３がそれぞれ設けられている。しかしてこれらのス
リットＳｌ、 Ｓ２に対向してＮｊ−Ｆｅｌ！およびＣ
ｏ−Ｃｒ１ｉ形成用の蒸発源５が配置されている。
置箇所は、円筒状キャン３の中心点Ｐと、該キャンが蒸
発源５と最短距離になる点りとを通る直線ＰＤ上に設定
する。一方、幅広スリン１−５２は前記従来のスリット
と大差ないものである。これら両スリットを機能的に示
すと、幅狭スリットＳ１は磁性膜の初期生成用、幅広ス
リン）Ｓ２はその初期形成膜の成長用に区別できる。ま
た前記幅狭スリットｓｔには図示のような垂直の遮蔽板
１２が、幅広スリン）３２には若干内側に傾斜した遮蔽
板１３がそれぞれ設けられている。しかしてこれらのス
リットＳｌ、 Ｓ２に対向してＮｊ−Ｆｅｌ！およびＣ
ｏ−Ｃｒ１ｉ形成用の蒸発源５が配置されている。
さて次にかかる構成において基板２上゛にＮｉ−Ｆｅ膜
とＣｏ −Ｃｒ膜の二層膜を順次に形成する方法を説明
する。すなわち、まず蒸発源５としてＮｉ −Ｆｅ材材
料膜設置、これを周知のスパッタ法によりイオン衝撃す
る。これによって、Ｎｉ−Ｆｅ蒸発源５から矢印に示す
ようにＮｉ−Ｐｅの粒子が飛沫し、この蒸発原子は２つ
のスリットＳｌ、 ３２を通って円筒状キャン３に沿っ
て走行している基板２上に付着する。
とＣｏ −Ｃｒ膜の二層膜を順次に形成する方法を説明
する。すなわち、まず蒸発源５としてＮｉ −Ｆｅ材材
料膜設置、これを周知のスパッタ法によりイオン衝撃す
る。これによって、Ｎｉ−Ｆｅ蒸発源５から矢印に示す
ようにＮｉ−Ｐｅの粒子が飛沫し、この蒸発原子は２つ
のスリットＳｌ、 ３２を通って円筒状キャン３に沿っ
て走行している基板２上に付着する。
この蒸発原子の付着動作をいま少し詳しく述べると、基
板２に対してます幅狭スリ７）ＳＬを通過したＮｉ−Ｆ
ｅの蒸発原子が付着するが、ここでの蒸発原子はスリッ
ト形状と垂直遮蔽板１２の存在により垂直成分のみが基
板２に極短時間入射し、結果として当該基板２上に極薄
（例えば１００〜３００人）のＮｉ−Ｐｅ膜を形成する
。この後、該Ｎｉ−Ｐｅ１ｉ膜上には次の幅広スリン１
−５２を通過した蒸発原子が従来と同程度の比較的長い
時間入射して付着する、つまりここでのＮｉ−Ｆｅ蒸発
原子は、前記初期形成のＮｉ−Ｐｅ薄膜を成長するよう
に基板２上に例えば０．４〜０．５μｍ成膜する。
板２に対してます幅狭スリ７）ＳＬを通過したＮｉ−Ｆ
ｅの蒸発原子が付着するが、ここでの蒸発原子はスリッ
ト形状と垂直遮蔽板１２の存在により垂直成分のみが基
板２に極短時間入射し、結果として当該基板２上に極薄
（例えば１００〜３００人）のＮｉ−Ｐｅ膜を形成する
。この後、該Ｎｉ−Ｐｅ１ｉ膜上には次の幅広スリン１
−５２を通過した蒸発原子が従来と同程度の比較的長い
時間入射して付着する、つまりここでのＮｉ−Ｆｅ蒸発
原子は、前記初期形成のＮｉ−Ｐｅ薄膜を成長するよう
に基板２上に例えば０．４〜０．５μｍ成膜する。
このようにして基板２上に形成されたＮｉ −Ｐｅ膜は
、膜面に対して（１，１，１）面が優れた水平配向性、
ヲ、呈することになる。
、膜面に対して（１，１，１）面が優れた水平配向性、
ヲ、呈することになる。
このＮｉ−Ｆｅ１ｌｉ形成後、蒸発源５をＮｉ−Ｆｅ材
料からＣｏ −Ｃｒ材料に交換して前述したと同様にス
パッタリングし、Ｃｏ −Ｃｒ蒸発源５よりの蒸発原子
を前記基板２のＮｉ−Ｆｅ膜上に蒸着する。Ｎｉ −Ｆ
ｅ膜上に例えば０．２〜０．２５μｍの厚さで形成され
たＧｏ −Ｃｒ膜の垂直配向性は、前記したようにＮｉ
−Ｆｅ膜の水平配向性が良いことにより、その上に形
成されるＣｏ −Ｃｒ膜のエピタキシー的効果によって
非常に優れたものとなる。
料からＣｏ −Ｃｒ材料に交換して前述したと同様にス
パッタリングし、Ｃｏ −Ｃｒ蒸発源５よりの蒸発原子
を前記基板２のＮｉ−Ｆｅ膜上に蒸着する。Ｎｉ −Ｆ
ｅ膜上に例えば０．２〜０．２５μｍの厚さで形成され
たＧｏ −Ｃｒ膜の垂直配向性は、前記したようにＮｉ
−Ｆｅ膜の水平配向性が良いことにより、その上に形
成されるＣｏ −Ｃｒ膜のエピタキシー的効果によって
非常に優れたものとなる。
このように製造されたＮｉ−Ｆｅ膜とＣｏ −Ｃｒ膜と
の二Ｍ膜構造の垂直磁気記録媒体によれば、高感度でか
つ高密度の記録が可能となる。 ′第３図はこの発明の
変形実施例を示す概略構成図であり、この例では幅狭ス
リットＳ１と幅広スリットＳ２との配置関係を図示のよ
うに変更するとともに、両スリットに各々対応して同一
成分の蒸発源５１と５２を配置している。なお、この図
では基板２の供給および巻取りロールを省略している。
の二Ｍ膜構造の垂直磁気記録媒体によれば、高感度でか
つ高密度の記録が可能となる。 ′第３図はこの発明の
変形実施例を示す概略構成図であり、この例では幅狭ス
リットＳ１と幅広スリットＳ２との配置関係を図示のよ
うに変更するとともに、両スリットに各々対応して同一
成分の蒸発源５１と５２を配置している。なお、この図
では基板２の供給および巻取りロールを省略している。
このように構成すると、幅広スリットＳ２の開口幅を図
示のように拡大できるので、成膜速度を向上する′こと
が可能となる。
示のように拡大できるので、成膜速度を向上する′こと
が可能となる。
また第４図はＮｉ−Ｆｅ材料とＣｏ −Ｃｒ材料の蒸発
源を交換せずに基板２上にＮｉ−Ｆｅ膜、Ｃｏ −Ｃｒ
膜を連続的に積層形成できるようにした本発明の変形実
施例による概略構成図を示す。具体的には同図に示すよ
うに、基板２の移動方向においてペアとなる幅狭スリッ
トと幅広スリットの組合せスリ・ノド（ＳｌとＳ２）お
よび（Ｓ３と３４）を２組順次配置するとともに、それ
ら組合せスリットの個々にＮｉ −Ｆｅ蒸発源５Ｌ ５
２およびＣｏ −Ｃｒ蒸発源５３．５４を対向配置して
いる。なお、この図でも基板用供給ロールと巻取りロー
ルを省略している。この構成によれば、前記第３図の例
よりさらに成膜速度を向上できる。
源を交換せずに基板２上にＮｉ−Ｆｅ膜、Ｃｏ −Ｃｒ
膜を連続的に積層形成できるようにした本発明の変形実
施例による概略構成図を示す。具体的には同図に示すよ
うに、基板２の移動方向においてペアとなる幅狭スリッ
トと幅広スリットの組合せスリ・ノド（ＳｌとＳ２）お
よび（Ｓ３と３４）を２組順次配置するとともに、それ
ら組合せスリットの個々にＮｉ −Ｆｅ蒸発源５Ｌ ５
２およびＣｏ −Ｃｒ蒸発源５３．５４を対向配置して
いる。なお、この図でも基板用供給ロールと巻取りロー
ルを省略している。この構成によれば、前記第３図の例
よりさらに成膜速度を向上できる。
本発明はさらに以上の実施例の他、Ｃｏ −Ｃｒ単独の
垂直磁性膜を有する垂直磁気記録媒体の製造およびＧｏ
−Ｃｒ材料とは異なる材料の垂直磁性膜形成にも適用
できる。またスパッタ法に変えて蒸着法の適用時におい
ても上記同様の磁性膜を形成することが・で、きる。
垂直磁性膜を有する垂直磁気記録媒体の製造およびＧｏ
−Ｃｒ材料とは異なる材料の垂直磁性膜形成にも適用
できる。またスパッタ法に変えて蒸着法の適用時におい
ても上記同様の磁性膜を形成することが・で、きる。
ｌｆｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、この発明の製造方法に
よれば、非磁性基板上に垂直配向性の良い垂直磁性膜を
形成することができ、以て高記録特性を有する垂直磁気
記録媒体を提供できる。
よれば、非磁性基板上に垂直配向性の良い垂直磁性膜を
形成することができ、以て高記録特性を有する垂直磁気
記録媒体を提供できる。
第１図は従来の垂直磁気記録媒体の製造方法の一例を説
明するための図、第２図はこの発明に係る垂直磁気記録
媒体の製造方法の一例を説明するだめの図、第３図およ
び第４図はこの発明の変形実施例を説明するための図で
ある。 １：供給ロール、２は非磁性基板、３は円筒状キャン、
４は巻取りロール、５．５Ｌ５２，５３および５４：蒸
発源、６および１１：マスク、ＳｌおよびＳ３：幅狭ス
リット、Ｓ２およびＳ４：幅広スリット。 第１図 第２図 第４図
明するための図、第２図はこの発明に係る垂直磁気記録
媒体の製造方法の一例を説明するだめの図、第３図およ
び第４図はこの発明の変形実施例を説明するための図で
ある。 １：供給ロール、２は非磁性基板、３は円筒状キャン、
４は巻取りロール、５．５Ｌ５２，５３および５４：蒸
発源、６および１１：マスク、ＳｌおよびＳ３：幅狭ス
リット、Ｓ２およびＳ４：幅広スリット。 第１図 第２図 第４図
Claims (1)
- 同一成分の磁性膜を移動中の基板上にスパッタ法あるい
は蒸着法により形成するに際し、該基板の移動方向にお
いてそれぞれ開口幅の異なる少なくとも２つの蒸発原子
通過用スリットを順次配置し、開口幅の狭いスリットを
通過した蒸発原子により前記基板上に磁性膜の初期生成
を行い、次の開口＠ρ弘いスリットを通過した蒸発原子
により前記初期磁性膜を成長させて所定の磁性膜を形成
するようにしたことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2357084A JPS60167123A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2357084A JPS60167123A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167123A true JPS60167123A (ja) | 1985-08-30 |
Family
ID=12114193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2357084A Pending JPS60167123A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60167123A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61283031A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6280832A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62109232A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Sony Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| US5327296A (en) * | 1990-09-10 | 1994-07-05 | Sony Corporation | Duplicating system for video and audio signals using timebase compression and high speed recorders |
-
1984
- 1984-02-09 JP JP2357084A patent/JPS60167123A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61283031A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6280832A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62109232A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Sony Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| US5327296A (en) * | 1990-09-10 | 1994-07-05 | Sony Corporation | Duplicating system for video and audio signals using timebase compression and high speed recorders |
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