JPS6016868A - 炭化珪素焼結体の製造方法 - Google Patents

炭化珪素焼結体の製造方法

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JPS6016868A
JPS6016868A JP58120766A JP12076683A JPS6016868A JP S6016868 A JPS6016868 A JP S6016868A JP 58120766 A JP58120766 A JP 58120766A JP 12076683 A JP12076683 A JP 12076683A JP S6016868 A JPS6016868 A JP S6016868A
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祐 恩田
八田 篤明
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    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C04B35/573Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は反応焼結による炭化珪素焼結体、特に大型形状
の炭化珪素焼結体の製造方法に関する。
〔従来技術とその問題点〕
反応焼結による炭化珪素焼結体の製造は、炭化珪素粉末
、炭素粉、残炭素性の樹脂、結合剤等からなる成形体に
/8融状又は気相の珪素を侵入させて、成形体中の炭素
を珪化して炭化珪素とし、これに原料としての炭化珪素
を結合するもので、ホットプレス法や常圧焼結法におけ
る焼結温度が1900〜2300℃であるのに対して、
全屈珪素が溶副:状態にある1410〜1700°Cの
範囲でよく、そのため焼結時の寸法変化がほとんどなく
、複雑な形状を持った大型焼結晶を得るのに適した方法
として注目されている。
しかし、従来の反応焼結法は粉末成形体の−i’il(
を溶融珪素に接触させて溶融珪素の毛イ■1管現象によ
り珪素を成形体に取り入れるため、長尺物、肉厚物など
の大型成形体の珪化には非常に長時間を要し、長さの制
限、厚みの制限から、大型成形体への反応焼結法の適用
は工業的に経済性のある生産は不可能とされてきた。
また、従来の反応焼結においては、溶融珪素が、成形体
中へ侵入して炭素と接触すると、ぽとんど同時に反応が
起り、炭素の約2.4倍の体積の炭化珪素を生し、溶融
珪素の侵入径路は狭められ、珪素の成形体中への侵入を
Iq1害することになる。このため、焼結体中に未反応
の炭素を残して製品の強度低下を起したり、珪化反応の
不調和による割れを生じたりする問題点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、かかる従来の反応焼結法における問題
点を解決したもので、製品の強度低下を起したり、割れ
を生じたりすることのない大型焼結体を反応焼結法によ
って短時間で、しかも経済的に製造できる製造方法を提
供することにある。
〔発明の構成〕
本発明は、反応焼結によって、炭化珪素焼結体を製造す
る方法において、焼結原料に、主骨格が珪素と炭素とか
らなる有機珪素ポリマーを添加して、反応速度の制御に
これを用いることによって、短時間で、完全に珪化反応
を行うことができるという知見に基づくものである。
特開昭52−40509号公報、特開昭52−1548
16号公報、特開昭53−94314号公報、特開昭5
4−3815号公報、特開昭58−32070号公報、
特公昭57−38548号公報には、SiCの焼結に有
機珪素ポリマーを用いることが記載されてはいるが、本
発明のように炭化珪素の反応焼結に当って、反応速度の
制御に用いること自体は新規である。
本発明においてばSiC粉末、炭素粉末、樹脂結合剤等
からなる焼結原料に、有機珪素ポリマーを予め混合して
おく。
ここでいう有機珪素ポリマーとは、主骨格が主に珪素と
炭素とから成る有機珪素高分子化合物で、800℃位ま
でに側鎖が殆ど分解し、主としてSi −C結合から成
る非晶質に近い連続体を形成瞳更に1000℃以上でX
線回折で認められる程度の主として微細なβ−3iCが
ら成るものである。
また、この有機珪素ポリマーの分子量は、低すぎると分
解時に大量に気散してしまい、又あまり高いと中に巨大
分子が含まれ均一分散性が悪くなるので、数平均分子量
は1000〜10000であることが望ましい。
この有機珪素ポリマーをヘキサン、キシレン、又はT肝
に熔解し、SiC粉末、炭素粉末、樹脂等の混合物に混
合して溶媒を除去後粉砕することによって有機珪素ポリ
マーで結合、被覆された2次粒子粉末を得る。
この、有機珪素ポリマーの添加混合をしていない2次粒
子の表面を有機珪素ポリマーで被覆することも効果的で
ある。
有機珪素ポリマーの添加混合は、出発物質の5iC1炭
素、高炭素残留樹脂100重量部に対して1〜50重量
部の範囲で効果があるが、十分な効果と経済性や生産効
率からすると2〜10重量部であることが望ましい。
1重量部未満では、有機珪素ポリマーがらのβ−3iC
膜が有効に作用しづらく、また50重量部以上では炭素
との量比において十分に緻密な焼結体を得ることはでき
ない。
有機珪素ポリマーの添加混合の態様としては、(1) 
あらゆる原料粉体が有機珪素ポリマーで被覆され連結さ
れている状態。
(2)樹脂等で固められた原料粉末の表面を有機珪素ポ
リマーで被覆している状態。
(3)成形助剤と同時に添加されている状態。
のいずれであってもよい。
このポリマーの膜が、熱処理によって微細なβ−3iC
から成る膜となり、これが珪化の反応速度をコントロー
ルすることに有効に寄与する。ポリマー1漢厚は、1次
粒子、2次粒子の表面積と混合する有機珪素ポリマーの
量によって変えることが可能である。
この超微粒子状β−5fC膜を成形体中の主として炭素
の2次粒子表面に造ることにより、炭素と珪素の急激な
発熱と膨張を伴う反応が任意にコントロールできる。
このため炭素の溶出は少なく、又反応が徐々に進行する
ので急激な発熱反応が抑制され、適当な空隙が確保され
て、珪化による膨張破壊は回避できる。
さらに、有機珪素ポリマーから分解したβ−5iCは骨
材のSiC間に結合力を持たせるため、成形体は一層破
壊を起こしにくくなり成形体の浸漬珪化が可能となる。
こようにして得られた粉体を、冷間静水圧プレス成形、
金型プレス成形、押出成形、射出成形等で成形して成形
体を得る。
例えば射出成形を行う場合には、SiC粉末と炭素粉末
とを高炭素残留樹脂で固め、これを粉砕して有機珪素ポ
リマーの膜を粒子表面に形成したものを原料体とする。
そして、これにポリスチレン、ポリエチレン、アクタチ
ックポリプロピレン等の熱可塑性樹脂とパラフィン、樹
脂酸エステル、ジエチルフタレート、ジブチルツクレー
ト等の可塑剤とを混合して成形する。
この成形体を脱脂した後、1410℃以上、1miHg
以下の減圧下で溶融珪素中に浸漬して珪化する。
珪化終了後焼結体は溶融珪素から引出してから降温する
上記珪化時には、溶融Siの焼結体の気孔内への侵入は
早いが、珪化が徐々に進行するため珪化体の温度は溶融
Siの温度よりそう高くはならない。
そして珪化に要する時間は、成形体全体を/j1漬珪化
するため、形状や大きさには大きく影響されず、主にそ
の肉厚と、珪化時の成形体の気孔率、骨材SiCの粒度
構成、混合炭素量に依存する。
したがって、これらの要件を適正化することによって大
型形状品のものでも非常に短時間で均一な焼結体を得る
ことができる。例えば肉Iy−10′ll11の成形体
を珪化するのに要する時間は、大きさに無関係に1時間
以内である。
〔実施例〕
以下実施例によって、本発明の詳細な説明する。
実施例I G C# 200.0の市販SiC粉末100重量部に
、カーボンブランク50重量部とノボラック型フェノー
ル樹脂15重量部と硬化促進剤としてのへキサメチレン
テトラミン1重量部とを加えて、アセトン中でボールミ
ル混合を行い、得られたスラリーを乾燥粉砕して44μ
以下の2次粒子を得た。
この2次粒子100重量部に、ポリカルボシラン8重量
部を熔かしたキシレンを加えて混合後、70℃で真空加
熱乾燥して、キシレンを除去し粉砕して74μの篩を通
した。
得られた粉末を1200Kg/ cm2の圧力で静水圧
加圧して、25 X 1oox 100’mmの成′形
体を得た。
この成形体を1470℃、lmmHgの減圧下で、溶融
珪素中に浸漬して30分間珪化した。
このようにして得た焼結体は、均一に珪化しており、カ
サ密度3.12g/cJで、室温での3点曲げ強度の平
均は、58kg / +u 2であった。
比較例I G C# 2000の市販SiC粉末100重量部に、
カーボンブランク45重量部とノボラック型フェノール
樹脂15重量部と硬化促進剤としてのへキサメチレンテ
トラミンの1重量部とを加えて、エタノール中でボール
ミル混合を行い、乾燥粉砕した後、実施例1と同様に成
形、焼結した。このようにして得た焼結体には、無数の
亀裂と、割れが発生した。
実施例2 実施例1と同様にして得た焼結粉体を静水圧加圧して、
内径40111Iφ×外径50mφ×長さ1mの円筒状
成形体を得た。この成形体を実施例1と同一条件で20
分間浸漬珪化した。
得られた焼結体は均一に珪化されており、カサ密度3.
10g/dで室温での3点曲げ強度の平均は56 kg
 / mm 2であった。
実施例3 実施例1と同様にして得られた2次粒子にポリカルホシ
ランを0.5〜60重量部加えて混合し、乾燥粉砕した
得られた粉末を1200kg / cn+の圧力で静水
圧加圧して10 X 20 X 50 m++の成形体
を得た。成形体は実施例1と同様の条件で反応焼結した
。その焼結体の外観、カサ密度、3点曲げ強度の平均を
表1に示す。
表1 〔発明の効果〕 上記の実施例の記載から明らかなように、本発明により
製造された焼結体は、大型の焼結体であっても、実質的
に、SiC骨材からなっており、SiC間の結合力は極
めて高くカサ密度1強度の高い炭化珪素焼結体を短時間
で(ηることができる。
特許出願人 黒崎窯業株式会社 代理人 手掘 益(ほか2名)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、炭化珪素粉末、炭素粉末、樹脂結合剤からなる出発
    原料100重量部に、主骨格が珪素と炭素とからなる有
    機珪素ポリマー1〜50重量部を加えてなる混合物を成
    形し反応焼結することを特徴とする炭化珪素焼結体の製
    造方法。 2、反応焼結を、溶融珪素中で行うことを特徴とする特
    許請求の範囲第1項に記載の炭化珪素焼結体の製造方法
JP58120766A 1983-02-07 1983-07-02 炭化珪素焼結体の製造方法 Granted JPS6016868A (ja)

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JP58120766A JPS6016868A (ja) 1983-07-02 1983-07-02 炭化珪素焼結体の製造方法
PCT/JP1984/000341 WO1985000362A1 (fr) 1983-07-02 1984-07-02 Procede de production de carbure de silicium fritte
EP19840902612 EP0157879B1 (en) 1983-07-02 1984-07-02 Process for producing a silicon carbide sintered product
DE8484902612T DE3481909D1 (de) 1983-07-02 1984-07-02 Verfahren zur herstellung eines produktes auf basis von gesintertem siliziumkarbid.
US06/941,853 US4737327A (en) 1983-02-07 1986-12-15 Process for producing silicon carbide sintered product

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02290915A (ja) * 1989-02-20 1990-11-30 Hitachi Metals Ltd 球状黒鉛鋳鉄の薄肉鋳造品の熱処理装置

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JPH0776636B2 (ja) * 1992-02-26 1995-08-16 東京電機工業株式會社 蓄熱式電気給湯装置の給湯温度制御方法

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WO1985000362A1 (fr) 1985-01-31
EP0157879A1 (en) 1985-10-16
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