JPS60169855A - 静電潜像担持体 - Google Patents
静電潜像担持体Info
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- JPS60169855A JPS60169855A JP2625584A JP2625584A JPS60169855A JP S60169855 A JPS60169855 A JP S60169855A JP 2625584 A JP2625584 A JP 2625584A JP 2625584 A JP2625584 A JP 2625584A JP S60169855 A JPS60169855 A JP S60169855A
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- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は、アモルファスシリコンを主成分とする光導電
層が形成された静電潜像担持体（：関するものである。
層が形成された静電潜像担持体（：関するものである。
（口］ 従来技術
アモルファスシリコンを主成分とする静電潜像担持体（
り、セレンや硫化力ドミクムを主成分とするもの１＝比
較して、耐熱性や耐摩耗性に冨み、無害であるとともに
高光感度であること等の種々の長所を有している。
り、セレンや硫化力ドミクムを主成分とするもの１＝比
較して、耐熱性や耐摩耗性に冨み、無害であるとともに
高光感度であること等の種々の長所を有している。
また、長波長光（二対しても充分な感度を有するので、
複写機やレーザプリンタ金剛いたインテリジェントコピ
アＣ二も使用できる特長２有している。
複写機やレーザプリンタ金剛いたインテリジェントコピ
アＣ二も使用できる特長２有している。
このアモルファスシリコンを静電潜像担持体として用い
る場合、支持体上のアモルファスシリコンの高抵抗化を
図るとともに、現像プロセスＣ二必要なだけの帯゛辺量
を得るため（二十分な厚さ？有させる必要がある。そし
て支持体から光導電層に流れ込む注入電荷を阻止するこ
とにより、コロナ放電により担持体表面に付与された電
荷の保持時間を延長するため（二、り侍体と光導電ｊ―
との間Ｃ二。
る場合、支持体上のアモルファスシリコンの高抵抗化を
図るとともに、現像プロセスＣ二必要なだけの帯゛辺量
を得るため（二十分な厚さ？有させる必要がある。そし
て支持体から光導電層に流れ込む注入電荷を阻止するこ
とにより、コロナ放電により担持体表面に付与された電
荷の保持時間を延長するため（二、り侍体と光導電ｊ―
との間Ｃ二。
支持体から光導電層へのキャリア（正帯電では電子、負
帯電では正孔）の流入を阻止し、且つ電磁波照射（：よ
って光導電層中に生じたキャリアの支持体への通過を許
容する機能ケ仁する阻止層が設けられている。
帯電では正孔）の流入を阻止し、且つ電磁波照射（：よ
って光導電層中に生じたキャリアの支持体への通過を許
容する機能ケ仁する阻止層が設けられている。
この従来の静電潜像担持体では、正帯電の場合、前記阻
止層はアモルファスシリコンとニボロン？添加すること
によって形成され、負帯電の場合はリンを添加すること
（二よって形成されていたが、このボロンやリンの添加
率は阻止層の厚さ方向に均一であった。
止層はアモルファスシリコンとニボロン？添加すること
によって形成され、負帯電の場合はリンを添加すること
（二よって形成されていたが、このボロンやリンの添加
率は阻止層の厚さ方向に均一であった。
従って、そのエネルギー準位は、第１図（二実線で示す
ように平担となっていた。なお、第１図（ＡＪは正帯電
の場合のエネルギー準位を示し、第１図［Ｂｌは負帯電
のエネルギー準位を示す。ここで、Ｅｅｒｒ、電導帯、
Ｅｆはフェルミ−帯、Ｅｖは価電子帯？示す。
ように平担となっていた。なお、第１図（ＡＪは正帯電
の場合のエネルギー準位を示し、第１図［Ｂｌは負帯電
のエネルギー準位を示す。ここで、Ｅｅｒｒ、電導帯、
Ｅｆはフェルミ−帯、Ｅｖは価電子帯？示す。
また、阻止層の添加物の添加率が高い程、支持体力１ら
のキャリアの注入の阻止力は向上するが。
のキャリアの注入の阻止力は向上するが。
光導電層からのキャリアの注入もある程度阻止され、光
感度の低−下を招く。そこで、阻止層の捷加物の添加重
分低くすると、今度は前述のよう（二支持体刀）らキャ
リアが注入され帯電電荷の保持時間が短縮される。
感度の低−下を招く。そこで、阻止層の捷加物の添加重
分低くすると、今度は前述のよう（二支持体刀）らキャ
リアが注入され帯電電荷の保持時間が短縮される。
このように、阻止層のエネルギー準位が平担であると、
二律背反的性質を百する一帯亀電荷の保持時間の長時間
化および高光感度化を実現することができなかった。
二律背反的性質を百する一帯亀電荷の保持時間の長時間
化および高光感度化を実現することができなかった。
し４ 発明の目的
本発明は、前記従来技術の有する難点に鑞みてなされた
もので一阻止層のエネルギー準位を傾斜させることによ
り、帯戊′屯荷の保持時間の長時間化および尚光感度化
？図らんとするものである。
もので一阻止層のエネルギー準位を傾斜させることによ
り、帯戊′屯荷の保持時間の長時間化および尚光感度化
？図らんとするものである。
（ロ）発明の構成
本発明は、阻止層Ｃ二、アモルファスシリコンと結合す
ること（二よって、支持体から光導Ｅｌ−へのキャリア
の流入を阻止する物質全生成するための添加物が添加さ
れ、この添加物のわ加重は、ｉ力記支持体側は大で１表
面【二近い・、則でｔユ小であることを特徴とする静電
潜像担持体である。
ること（二よって、支持体から光導Ｅｌ−へのキャリア
の流入を阻止する物質全生成するための添加物が添加さ
れ、この添加物のわ加重は、ｉ力記支持体側は大で１表
面【二近い・、則でｔユ小であることを特徴とする静電
潜像担持体である。
（弱実施例
薦２図は１本発明の−′、）冬施倒？示すもので、静電
潜像担持体の部分拡大曲面図を示ｔ６また記６図はこの
静電潜像担持坏會袈造するためのプラズマａｖｐ装置の
硬式図？示す。
潜像担持体の部分拡大曲面図を示ｔ６また記６図はこの
静電潜像担持坏會袈造するためのプラズマａｖｐ装置の
硬式図？示す。
これらの図（：おいて−（１）は表面’ｆｅｔｉｄ仕上
げしたアルミニウム裏の円筒状支持体である。この支持
体（１）の表面Ｃ二、ボロンが添加された厚さが０．０
５〜１μｍのアモルファスシリコンＬ：てｔ（−る阻止
層（２）が形成される。そして、この阻止層（２）の上
部に。
げしたアルミニウム裏の円筒状支持体である。この支持
体（１）の表面Ｃ二、ボロンが添加された厚さが０．０
５〜１μｍのアモルファスシリコンＬ：てｔ（−る阻止
層（２）が形成される。そして、この阻止層（２）の上
部に。
アモルファスシリコンに一定量の酸素及びポロンが６加
された厚さ２０μｍ程度の光導電層（３）が積層される
。
された厚さ２０μｍ程度の光導電層（３）が積層される
。
なお、前記阻止Ｊｍｔ２）のほう素の添加率は、支持体
（１）側でＶｉ １００００ ｐ ｐ ｍで、表ｉ＋＝
近イ側カ１０ｐｐｍ程度であって、支持体（１）側から
表面Ｃ二近いＯｉｌ＋＝かけて、その添加率は漸次減少
している。
（１）側でＶｉ １００００ ｐ ｐ ｍで、表ｉ＋＝
近イ側カ１０ｐｐｍ程度であって、支持体（１）側から
表面Ｃ二近いＯｉｌ＋＝かけて、その添加率は漸次減少
している。
次（二、靜ｔｌ替倣担持体の製造方法について説明する
。第６図において、中空円筒状の密閉容器（４）イ王ｇ
二内挿する。
。第６図において、中空円筒状の密閉容器（４）イ王ｇ
二内挿する。
この８（−−ＩＦＪ体（１１を装填した後、ロータリー
ポンプ［６１皮ぴメカニカルブースターポンプ（７）で
１ｘｉｏ−６気圧程度まで排気した後−この支持不ｉｌ
＋會回転しつつ図示せぬヒータＣ支持体ｆｉｌの内部≦
二挿入されている）にて昇温する。この際、密閉容器（
４）ＣＳ ｉ Ｈ４ガス及び１（２ガスをベースとする
Ｂ２Ｈ６ガスを導入してガス圧ｐ １ ｘ １０−’気
圧程度【二保持する。なお、この場合Ｂ ２ Ｈ６ガス
のＳ ｉ Ｈａガスに対する混合比を数千ｐｐｍになる
よう制御する。この状態Ｃ二て周波数が１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を高周波電源（８）（二て印加し、プラ
ズマ放心全生起させ、マスフローコントローラ（９）全
制御することＣ二より１時間とともＣＢ２Ｈ６ガスのＳ
ｉ Ｈ４ガス（二対する混合比ｉａ＋ ｐ ｐ ｍ程
度まで連続温少させてい（と、支持体＋１＋の表面Ｃ二
所望の阻止Ｉ！（２＋が形成される。
ポンプ［６１皮ぴメカニカルブースターポンプ（７）で
１ｘｉｏ−６気圧程度まで排気した後−この支持不ｉｌ
＋會回転しつつ図示せぬヒータＣ支持体ｆｉｌの内部≦
二挿入されている）にて昇温する。この際、密閉容器（
４）ＣＳ ｉ Ｈ４ガス及び１（２ガスをベースとする
Ｂ２Ｈ６ガスを導入してガス圧ｐ １ ｘ １０−’気
圧程度【二保持する。なお、この場合Ｂ ２ Ｈ６ガス
のＳ ｉ Ｈａガスに対する混合比を数千ｐｐｍになる
よう制御する。この状態Ｃ二て周波数が１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を高周波電源（８）（二て印加し、プラ
ズマ放心全生起させ、マスフローコントローラ（９）全
制御することＣ二より１時間とともＣＢ２Ｈ６ガスのＳ
ｉ Ｈ４ガス（二対する混合比ｉａ＋ ｐ ｐ ｍ程
度まで連続温少させてい（と、支持体＋１＋の表面Ｃ二
所望の阻止Ｉ！（２＋が形成される。
次いぞ再度−密閉ｇ器（４）内の気体を排気し１こ１夛
−密閉容器（４）内【二、前記のガスｆ二加え０２ガス
を導入し、同様に高周波電力を印加しプラズマ放心全生
起させると、前記１阻止層１２１の表面（二元導電層（
３）が形成される。
−密閉容器（４）内【二、前記のガスｆ二加え０２ガス
を導入し、同様に高周波電力を印加しプラズマ放心全生
起させると、前記１阻止層１２１の表面（二元導電層（
３）が形成される。
本実施例は、正帯電のものであるが負帯電の場合につい
ても、、Ｂ２Ｈ６ガスの代オっり（二ＰＨ５ガスを用い
ること（二より、同様の構造が得られる。
ても、、Ｂ２Ｈ６ガスの代オっり（二ＰＨ５ガスを用い
ること（二より、同様の構造が得られる。
叙上のようにして製造さｎた静電潜像担持体でＦｉ−阻
止層の、添加物の添加率が支持体側から表面に近い側Ｉ
：力λけて漸仄小となっているので、そのエネルギー準
位は１、第１図１二破線で示すよう１ニ傾斜する。従っ
て、光導電層からのキャリアの注入は阻止さｔないが、
逆方向へのキャリアの注入は阻止されること【二なる。
止層の、添加物の添加率が支持体側から表面に近い側Ｉ
：力λけて漸仄小となっているので、そのエネルギー準
位は１、第１図１二破線で示すよう１ニ傾斜する。従っ
て、光導電層からのキャリアの注入は阻止さｔないが、
逆方向へのキャリアの注入は阻止されること【二なる。
−発明の効果
本発明では、阻止層に、アモルファスシリコンと結合す
ることＣ二よって、支持体から光導電層へのキャリアの
流入を阻止する物質全生成するための添加物が添加され
、この添加物の添加率は、前記支持体側は大で１表面に
近い側では小であるので、前記阻止層【二おけるエネル
ギー準位Ｃ二勾配がつけられ、帯亀電倚の保持時間の長
時間化および高光感度化を実現することができる。
ることＣ二よって、支持体から光導電層へのキャリアの
流入を阻止する物質全生成するための添加物が添加され
、この添加物の添加率は、前記支持体側は大で１表面に
近い側では小であるので、前記阻止層【二おけるエネル
ギー準位Ｃ二勾配がつけられ、帯亀電倚の保持時間の長
時間化および高光感度化を実現することができる。
第１図ｆＡ、１（Ｅｌｌはエネルギー準位を示すグラフ
、第２図は本発明の一実施例を示す部分拡大断面図。 第６図はプラズマ０ＶＤ装置の模式図である。 （１）・・・支持体、（２）・・・阻止層、（３）・・
・光導電層。 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図 第２図 第３図 手 続 補 正 書（自発） 昭和５９年８月７日 特許庁長官殿 蟲 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２６２５５ 号 ２、発明の名称 静電潜像担持体 ６、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１８８）三洋電機株式会社 ４、代 理 人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 連結先：電話（東京） ８３５−１１１１特許センター
駐在中川５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 ６、補正の内容 明細書の第６ページの第１行ないし第２行に「インテリ
ジェント複写機」とあるのを、「インテリジェント複写
機」と補正する。 以上
、第２図は本発明の一実施例を示す部分拡大断面図。 第６図はプラズマ０ＶＤ装置の模式図である。 （１）・・・支持体、（２）・・・阻止層、（３）・・
・光導電層。 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図 第２図 第３図 手 続 補 正 書（自発） 昭和５９年８月７日 特許庁長官殿 蟲 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２６２５５ 号 ２、発明の名称 静電潜像担持体 ６、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１８８）三洋電機株式会社 ４、代 理 人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 連結先：電話（東京） ８３５−１１１１特許センター
駐在中川５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 ６、補正の内容 明細書の第６ページの第１行ないし第２行に「インテリ
ジェント複写機」とあるのを、「インテリジェント複写
機」と補正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性を有する支持体上に二、少なくとも。 アモルファスシリコンを主成分とする阻止層および元４
電層がこの順序で積層されている静電潜像担持体におい
て。 前記阻止層Ｃ二は、アモルファスシリコンと結合するこ
とによって、支持体から光導電層へのキャリアの流入を
阻止する物質を生成するための添加物が添加され、この
泌加物の添加率は、前記支持体側は大で２表面に近い側
では小であることを特徴とする静電潜像担持体。 ２、添加物の添加率が、支持体側から表面【：近い側Ｃ
二かけて漸次小となっている特許請求の範囲第１項記載
の静電潜像担持体。 ６、 アモルファスシリコンと添加物が結合することに
よって生成される物質は１元導電層から支持体へのキャ
リアの流入？許容する特許請求の範囲第１項ないし第２
項のいずれか（二記載のｎ電層像担持体。 ４、阻止層の厚さが０．０５ないし１ミクロンである特
許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかＣ二記載の
静電潜像担持体。 ５、添加物の一添加率は、支持体側が１００００））
ｐ ｍで１表面（：近い側が１０ｐｐｍである特許請求
の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の静電潜像
担持体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2625584A JPS60169855A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 静電潜像担持体 |
| US06/640,314 US4624905A (en) | 1984-02-14 | 1984-08-13 | Electrophotographic photosensitive member |
| US06/896,617 US4681826A (en) | 1984-02-14 | 1986-08-14 | Electrophotographic photosensitive member |
| US07/075,129 US4786572A (en) | 1984-02-14 | 1987-07-20 | Electrophotographic member with silicide interlayer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2625584A JPS60169855A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 静電潜像担持体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169855A true JPS60169855A (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=12188148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2625584A Pending JPS60169855A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 静電潜像担持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169855A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58111045A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58154849A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-14 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58159538A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Canon Inc | 光導電部材 |
-
1984
- 1984-02-14 JP JP2625584A patent/JPS60169855A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58111045A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58154849A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-14 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58159538A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Canon Inc | 光導電部材 |
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