JPS6011848A - 静電潜像坦持体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はアモルファスシリコンを主成分とする少なくと
も２種類の光導電層が積層いれた靜゛醒潜像担持体に関
するものである。

（ロ）　従来技術 アモルファスシリコンを主成分とする静電潜像担持体は
、セレンや硫化カドミウムを正成分とするものに比較し
て、耐熱性や耐１９耗性に富み、無害であるとともに高
光感度であること等の種々の長所を有している。

また、長波長光に対しても充分な感度を壱するので、複
写機やレーデプリンタを用いたインテリジェントコピア
にも使用できる特長を有している。

しかしながら、静電潜像相持体の特性上、帯電を繰り返
すことによって、表面が劣化し、その結果静電潜像が流
れるという現象が生しる。

その原因は明確ではないが、元来光導電層【こはその暗
抵抗を高めるため酸素や硼素等の添カＵ物が著干ドーピ
ングされており、この添加物が帯Ｔを繰り返すことによ
り発生する窒素イオン等と結合し、その結果暗抵抗が低
下するために像が流れると考えられる。

そのため、表面硬度の高いアモルファスシリコンを静電
潜像担持体として使用する場合、複写プロセスを数千回
動作させる毎に、その表面を研削し低抵抗化した部分を
削り落とす必要があった・コノ点、静電潜像担持体がセ
レンや硫化カドミウムにて形成されているものは、表面
硬度が低いので、複写プロセスを繰返すうちに、クリー
ニング手段等によりその表面が徐々に研＃Ｉされ、あら
ためて研削する必要はない。

（ハ）発明の目的 本発明は上記従来技術の難点に鑑みてなされたもので、
複写プロセスを多数回実行させても、劣化しない静電潜
担持体を実現せんとするものである。

（ニ）発明の構成 本発明は導電性の支持体上に、アモルファスシリコンを
主成分とし、いずれも酸素および硼素がドーピングきれ
た少なくとも２種類の光導電物質が積層された静電潜像
担持体において、前記支持体の表面に近い側の光導電層
にドーピングされた単位重量当りの酸素および硼素の量
が、前記支持体の表面から遠い側の光導を層にドーピン
グされた酸素および硼素の量より少ないことを特徴とす
るものである、 （ホ）　実施例 第１図および第２図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図は静電潜像担持体の斜視図、第２図は部分拡大断
面図である。また、第３ＤＩＪおよび第４図はこの静電
潜像担持体を製造するためのプラズマＣＶＤ装置を示す
もので、第３図は部分断面図、第４図は模式図である。

第１図、第２図において、（１）は表面が超仕上げされ
たアルミニウム製の円筒状の支持体である。この支持体
（１）の表面には、厚さが２０μｍ程度のアモルファス
シリコンに一定量の酸素および硼素がドーピングされた
第１の光導電層（２〉が形成されている。そしてこの第
１の光導電層〈２ンの上部には、アモルファスシリコン
に、より多くの酸素および硼素がドーピングされた第２
の光導電層が積層きれている。

次に、静電潜像担持体の製造方法について説明する。第
３図、および第４図において、（４）は静電潜像担持体
（５）および各種のガスを封入する中空円筒状の容器で
ある。この容器（４）には内部の気体を吸引するための
、ロータリーポンプ（６）およびメカニカルブースター
ポンプ（７〉が直列接続されている。容器（４）の内部
には、円柱状でがっ断面がコ字状のプラズマシールド部
材（８）が備えられ工いる。そしてこのプラズマシール
ド部材（８）の内部には、円柱状で中空環状の電極（９
ンが備えられ、この電極（９）の内部には、静電潜像担
持体（５〉が回転自在に内挿され−Ｃいる。この静電潜
像担持体（５）は容器＜４＞ｏ）ト部に設（ｊられたモ
ータ（１０）の回転軸（１１）に固着されたホルダ（１
２）上に載置され、その上端には、開口を閉本するカバ
ー（１３〉が装着されている。（１４）は、容器（４）
、プラズマシールド部材（８）および電極（９）の外側
壁を、軸線と直交方向に貫通−４るカス供給用パイプで
ある。そして、このガス供給用バイブ（１４〉の内部に
は、電極（９）に高周波電力を印加するための電導線（
１５）が挿通されている。また、電極（９）の内側壁に
は、ガスを噴出するための複数個の貫通孔（９ａ）・・
・が、軸線と平行して連続的に開設されている。（１６
）は電極く９）に高周波電力を印加するための高周波電
源である。（１７）は酸素（０）カスボンベ、（１８）
は水素（Ｈ２）ガスボンベ、＜１９ンはンラン（３ｉＨ
４＞ガスボンベ、モして（２０）はジホラン（ｓｚＨ・
）ガスポンへである。（２１〉ないしく２４）は、各ボ
ンベ（１７，）＜１８）（１９）（２０）からのガスの
流鼠をコントロールするマスフローコントローラである
。

（２５）ないしく３２）は各ガスの通路を開閉するバル
ブであり、（３３）はメインバルブである。

上記のようなプラズマＣＶＤ装置にて、静電潜像担持体
を製造するには、次のような工程にて、これを行なえば
よい。

先ず、静電潜像担持体（５）の支持体となる、アルミニ
ウム製の円筒体（１）をホルダ（１２）上に載置する。

なお、この円筒体（１）の外側壁は超仕上げがされてい
るものとする。次いで、カバー（１３）で閉蓋した後、
容器〈４）内の空気を２種類のポンプ（６）（７）でｌ
Ｘｌ０−’気圧程度まで排気する。そして、この円筒体
（１）を回転させつつ、図示せぬヒータ（円筒体（１）
の内部に挿入されている）にて２５０°Ｃ程度まで昇温
する。次いで容器（４）にＳｉＨ。

ガス、ＨｔガスをベースとするＢｔＨｓガス、およびＯ
ｔガスを導入する一方、前記ポンプ（６）（７）にて排
気しつつガス圧をｌＸｌ０−’気圧に保持する。なお、
この際のｏｔガスとＳｉＨ，ガスとの重量混合比は、ｏ
ｔ／　Ｓ　ＩＨ４−１，ｓｘ　１０−”となるように制
御し、ＢｚＨｓガスとＳｉＨ，ガスとの重量混合比は、
Ｂ、Ｈ，／Ｓ　ｉＬ　−５０Ｘ　１０−’となるように
制御する。この状態にて、電極（９）と円筒体（１）と
の間に周波数が１３、５６Ｍ　Ｈｚ電圧が５ｇＶの高周
波電力を印加し、２時間程度プラズマ放電を生起さ七る
と、円蝕体（１）の表面に厚さが２０μｍの第１の光導
電層（２）が形成される。次いで、再度容器（４）内び
Ｊ気体を排気した後、前述と同じガスを導入する。ただ
し、０２ガスおよびＢ２凡ガスの量を増加せしめ、Ｏ２
／　Ｓ　＋’Ｈ，＝＝１０　Ｘ　１０−１％　Ｂ□Ｈａ
／　Ｓ　ＩＨ４＝　３００Ｘ　１０−＠となるように制
御する。この状態にて再度１ｉｉｔ記と同様な高周波電
力を印加し、１０分間ブラスマ放電を生起させると、＠
工ｅ第１の光導電層（２）の表面に、厚さが１μｍの第
２の光４電層〈３）が形成される。

叙トのように、支持体（１）の表面から遠い側の第２の
光導電層（３）にドーピングされた酸素および硼素の含
有率を、支持体（１）の表面に近い側の第１の光導電層
（２）にドーピングされた酸素および硼素の含有率より
も大きくすると、複写ブリセスを多数回実効しても静電
潜像担持体表面が劣化し難い、それは、光導電層（２）
の表１ｉｊに多量の酸素や硼素がドーピングされている
ので、それらと窒素イオン等とが多少結合しても、低抵
抗化しないからであると考えられる。なお、両光導電層
（１）（２）共に多量の酸素や硼素がドーピングされて
いると、今度は全体の抵抗が大きくなり過ぎ、光導電性
が低下する。

はこの第２の光導電層（３）の光導電層（３）の存在意
義が失われ、２μｍ以上になると感度が低下するからで
ある。

また、第２の光導電層（３）に含有された酸素の単位重
量当りのドーピング量は、第１の光導電層（２）に含有
きれた酸素の単位重量当りのドーピング量の２倍以上１
０倍以下が適当である。これが２倍未満の場合に（１、
第２の光導電層（３）の存在意義が失われ、１０倍を越
えると感度の低下を招くことになるからである。

更に、第２の光導電Ｊ！ｔ（３）に含有された硼素の単
位重量当りのドーピング量は、第１の光導電層（２）に
含有された硼素の単位重量当りのドーピング量の２倍以
上１００倍以下が適当である。これが２倍未満の場合に
は第２の光導電層（３）の存在意義が失われ、１００倍
を越えると逆に低抵抗化を招くことになるからである。

（へ）　発明の効果 本発明によると、支持体の表面から遠い側の光導電層に
ドーピングされた酸素および硼素の含有率が、近い側の
光導電層のそれよりも高いので、帯電を多数回繰返して
も静電潜像相持体の表面の抵抗は低下しない。従って静
電潜像相持体の表面を耐削するという困難な作業も必要
がない。

実験の結果、従来技術を具体化したものの５倍以上の長
寿命を観測することができた。

【図面の簡単な説明】

図面はいずれも本発明の一実施例を示すもので第１図お
よび第２図は静電潜像相持体の斜視図および部分拡大断
面図である。第３図および第４図はプラズマＣＶＤ装置
を示す部分断面斜視図および模式図である。 （１）・・・支持体（円筒体）、（２）・・・支持体に
近い側の光導電層（第１の光導電層）、（３）・・・支
持体から遠い側の光導電層（第２の光導電層）、（５）
・・・静電潜像担持体、（１７）・・・酸素ガスポンへ
、（２ｏ）・・・ジボランガスポンベ。 出願人　三洋電機株式会社 ヱ」 手　続　補　正　書（自発） 昭和５９年８月７日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第　１１１３１号 ２、発明の名称 静電漕像担持体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名称　（１８８）三洋電機株式会社 ４、代　理　人 住所　守口市京阪本通２丁目１８番地 連絡先：電話（東京）　８３５−１１１１特許センター
駐在中川６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 ６、補正の内容 明細書の第２ページの第１８行ないし第１９行に「イン
テリジェントコピア」とあるのを、［インテリジェント
複写機」と補正する。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性の支持性体上に、アモルファスシリコンを主
   成分とし、いずれにも酸素および硼素がドーピングきれ
   た少なくとも２種類の光導層が、積層きれた静電潜像担
   持体において、 前記支持体の表面から遠い側の光導電層にドーピングさ
   れた酸素および硼素の夫々の含有率が、支持体の表面に
   近い側の光導電層にドーピングされた酸素および硼素の
   含有率よりも大きいことを特徴とする静電潜像担持体。 ２、支持体から遠い側の光導電層の厚きが、０．１μｍ
   以上２．ｉｃｍ以下である特許請求の範囲第１高記載の
   静電潜像担持体。 ３、支持体の表面から遠い側の光導電層にドーピングさ
   れた酸素の含有率が、前記支持体の表面に近い側の酸素
   の含有率の２倍以上ｌＯ倍以下である特許請求の範囲第
   １項若しくは第２項記載の静電潜像担持体。 ４、支持体の表面から遠い側の光４電層にドーピングさ
   れた硼素の含有率が、前記支持体の表面に近い側の硼素
   の含有率の２倍以工ｔｏｏ（ｇ以下である特許請求の範
   囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の静電潜像担持
   体。