JPS60170136A - 含浸形陰極 - Google Patents
含浸形陰極Info
- Publication number
- JPS60170136A JPS60170136A JP59025026A JP2502684A JPS60170136A JP S60170136 A JPS60170136 A JP S60170136A JP 59025026 A JP59025026 A JP 59025026A JP 2502684 A JP2502684 A JP 2502684A JP S60170136 A JPS60170136 A JP S60170136A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- impregnated
- impregnated cathode
- operating temperature
- electron
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
- H01J1/28—Dispenser-type cathodes, e.g. L-cathode
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ブラウン管、撮像管等の電子管に用いる含浸
層陰極に関するものである。
層陰極に関するものである。
含浸層陰極は高電流密度陰極で、電子管の高性能化を計
るための陰極と有望視されている。
るための陰極と有望視されている。
含浸層陰極は多孔質基体にＢａ化合物からなる電子放出
物質を含浸した構造を採っている。含浸層陰極は高い電
子放出能を有する反面、動作温度が高いという欠点を有
する。その動作温度は、現在一般的に使用されている塗
布形酸化物陰極に比べて４００℃以上も高い。動作温度
が高いために管球に実装する場合、電極を高融点金属材
料に変更しなければならない上に、陰極からＢａ。
物質を含浸した構造を採っている。含浸層陰極は高い電
子放出能を有する反面、動作温度が高いという欠点を有
する。その動作温度は、現在一般的に使用されている塗
布形酸化物陰極に比べて４００℃以上も高い。動作温度
が高いために管球に実装する場合、電極を高融点金属材
料に変更しなければならない上に、陰極からＢａ。
ＢａＯが多量に蒸発し、電極に付着し、グリッド・エミ
ッションの原因となり管球特性に悪影響を与える。また
、含浸層陰極を長時間加熱に耐えるヒータの設計が非常
に困難である。含浸層陰極の研究・開発に当って、動作
温度を低くすることが最重要課題である。動作温度を低
くする方法として、陰極表面に仕事関数の高いＯｓ、Ｉ
ｒ、Ｒｕなどの金属を被覆することによって電子放出能
を高めて動作温度を下げる方法が一般的である。この方
法によれば、含浸層陰極の動作温度は約１００℃下げる
ことが可能である。しかし、塗布形酸化物陰極に比べて
、まだ３００℃以上も高く、実用化への障害になってい
る。
ッションの原因となり管球特性に悪影響を与える。また
、含浸層陰極を長時間加熱に耐えるヒータの設計が非常
に困難である。含浸層陰極の研究・開発に当って、動作
温度を低くすることが最重要課題である。動作温度を低
くする方法として、陰極表面に仕事関数の高いＯｓ、Ｉ
ｒ、Ｒｕなどの金属を被覆することによって電子放出能
を高めて動作温度を下げる方法が一般的である。この方
法によれば、含浸層陰極の動作温度は約１００℃下げる
ことが可能である。しかし、塗布形酸化物陰極に比べて
、まだ３００℃以上も高く、実用化への障害になってい
る。
本発明の目的は、含浸形陰極の動作温度を下げ、実用化
に耐え得るような含浸形陰極を提供することにある。
に耐え得るような含浸形陰極を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明による含浸形陰極は
、陰極表面にＳ。を被覆と同時あるいは後に非常に薄い
（Ｂ ａ、ｓＣ＝ Ｏ）複合化合物層を形成した含浸形
陰極である。
、陰極表面にＳ。を被覆と同時あるいは後に非常に薄い
（Ｂ ａ、ｓＣ＝ Ｏ）複合化合物層を形成した含浸形
陰極である。
含浸形陰極は、多孔質耐熱基体内に電子放出物質を含浸
した構造を採っている。多孔質耐熱基体としてＷが一般
的であるが、Ｍｏ、Ｒｅその他に高融点金属が単体２合
金あるいは２種以上の混合状態で用いられている。電子
放出物質としては一般にＢａ３ ＡＱ ２０６化合物を
基体として、Ｃａｂ、 ＳｒＯ。
した構造を採っている。多孔質耐熱基体としてＷが一般
的であるが、Ｍｏ、Ｒｅその他に高融点金属が単体２合
金あるいは２種以上の混合状態で用いられている。電子
放出物質としては一般にＢａ３ ＡＱ ２０６化合物を
基体として、Ｃａｂ、 ＳｒＯ。
ＭｇＯ，ＺｒＯ２、Ｙ２０３などの酸化物が添加され用
いられる。電子放出物質は多孔質基体の細孔部に加熱溶
融含浸される。含浸はＨ２雰囲気中、真空中など非酸化
性雰囲気中で加熱溶融することによって実施され、含浸
形陰極が作られる。含浸形陰極ｌはカップ状の障壁層２
．スリーブ３及び加熱用ヒータ４と組み合され、管球に
実装される（第１図）。しかし、この状態では、あまり
にも動作温度が高いので、一般には動作温度を下げる、
すなわち電子放出特性を向上させるために、陰極表面に
仕事関数の高いＯｓ、Ｉ ｒ、Ｒｕ、Ｒｅあるいはこれ
らを含む合金膜を約５０００人被覆して用いる。
いられる。電子放出物質は多孔質基体の細孔部に加熱溶
融含浸される。含浸はＨ２雰囲気中、真空中など非酸化
性雰囲気中で加熱溶融することによって実施され、含浸
形陰極が作られる。含浸形陰極ｌはカップ状の障壁層２
．スリーブ３及び加熱用ヒータ４と組み合され、管球に
実装される（第１図）。しかし、この状態では、あまり
にも動作温度が高いので、一般には動作温度を下げる、
すなわち電子放出特性を向上させるために、陰極表面に
仕事関数の高いＯｓ、Ｉ ｒ、Ｒｕ、Ｒｅあるいはこれ
らを含む合金膜を約５０００人被覆して用いる。
このような金属を被覆することによって動作温度は約１
００℃低下し、約１０００℃で使用できる。また、仕事
関数の高い、すなわち上述した金属を多孔質基体に混合
しても同様な効果を持つ。上述の動作温度を下げた含浸
形陰極を用いて、実用化試験が盛んに実施されている現
状である。
００℃低下し、約１０００℃で使用できる。また、仕事
関数の高い、すなわち上述した金属を多孔質基体に混合
しても同様な効果を持つ。上述の動作温度を下げた含浸
形陰極を用いて、実用化試験が盛んに実施されている現
状である。
含浸形陰極の動作温度を低下させるために、上記以外に
各種金属を被覆して電子放出特性を測定した。その中で
、Ｓｃについて詳しく実験しているうちに、陰極表面に
Ｓｃを非常に薄く被覆した場合に電子放出特性を大巾に
向上できることが分った。以下、本発明の含浸形陰極に
ついて詳しく述べる。Ｓｃを被覆して電子放出特性が向
上するためには多少の制約が存在した。含浸形陰極の多
孔質基体としては、Ｗ粉あるいはＷを主成分とした合金
粉・混合粉から作製することが必要である。
各種金属を被覆して電子放出特性を測定した。その中で
、Ｓｃについて詳しく実験しているうちに、陰極表面に
Ｓｃを非常に薄く被覆した場合に電子放出特性を大巾に
向上できることが分った。以下、本発明の含浸形陰極に
ついて詳しく述べる。Ｓｃを被覆して電子放出特性が向
上するためには多少の制約が存在した。含浸形陰極の多
孔質基体としては、Ｗ粉あるいはＷを主成分とした合金
粉・混合粉から作製することが必要である。
また、多孔質基体の細孔部に含浸される電子放出物質は
、従来からの含浸形陰極に用いられているもので良い。
、従来からの含浸形陰極に用いられているもので良い。
すなわち、ｎａｏとＡＱ ２０３． Ｃａｂ。
ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＺｒＯ２、Ｙ２０３から選ばれた一種
以上の酸化物との化合物あるいは混合物で良い。最も一
般的な組成は、４ＢａＯ−Ａ Ｑ ２０３ ・ＣａＯ及
び５Ｂａ０・２Ａ１２２０３ ・３ＣａＯである。電子
放出物質の含浸は、Ｆ■７雰囲気中、真空中など非酸化
性雰囲気で加熱溶融して行う。含浸後は、余分な電子放
出物質を除去し・て含浸形陰極が製造される。本発明の
含浸形陰極は更に、陰極表面に（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合
化合物層を形成して得られる。（Ｂａ、５ｃ＝０）ＩＩ
Ｊｔ合化合物層の形成は、陰極表面に真空中でＳｃを蒸
着し、次に８６０℃以上に含浸形陰極を加熱することに
よって、電子放出に適した（Ｂａ。
以上の酸化物との化合物あるいは混合物で良い。最も一
般的な組成は、４ＢａＯ−Ａ Ｑ ２０３ ・ＣａＯ及
び５Ｂａ０・２Ａ１２２０３ ・３ＣａＯである。電子
放出物質の含浸は、Ｆ■７雰囲気中、真空中など非酸化
性雰囲気で加熱溶融して行う。含浸後は、余分な電子放
出物質を除去し・て含浸形陰極が製造される。本発明の
含浸形陰極は更に、陰極表面に（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合
化合物層を形成して得られる。（Ｂａ、５ｃ＝０）ＩＩ
Ｊｔ合化合物層の形成は、陰極表面に真空中でＳｃを蒸
着し、次に８６０℃以上に含浸形陰極を加熱することに
よって、電子放出に適した（Ｂａ。
Ｓｃ、０）複合化合物層が形成される。また（Ｂａ、Ｓ
ｃ、Ｏ）複合化合物層は含浸形陰極を８００℃以上に加
熱して置き、Ｓｃを蒸着することによっても形成される
。ＳＣは蒸気圧が高いために抵抗加熱によって蒸着が可
能である。電子線蒸着法などでも良い。蒸着速度は遅い
法が良く、２０人／ｎ＋ｊ、ｎ以下が望ましい。（Ｂａ
、Ｓｃ、Ｏ）複合化合物層の厚さは５〜１００大程度で
非常に大きな効果があった。したがって、Ｓｃ被覆厚は
１００Å以下とすべきである。（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合
化合物層の組成比は決定されていないが、オージェ分析
では、第２図に示すオージェ・スペクトルが得られ、こ
の組成比から大きくずれると電子放出特性も同時に劣化
した。
ｃ、Ｏ）複合化合物層は含浸形陰極を８００℃以上に加
熱して置き、Ｓｃを蒸着することによっても形成される
。ＳＣは蒸気圧が高いために抵抗加熱によって蒸着が可
能である。電子線蒸着法などでも良い。蒸着速度は遅い
法が良く、２０人／ｎ＋ｊ、ｎ以下が望ましい。（Ｂａ
、Ｓｃ、Ｏ）複合化合物層の厚さは５〜１００大程度で
非常に大きな効果があった。したがって、Ｓｃ被覆厚は
１００Å以下とすべきである。（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合
化合物層の組成比は決定されていないが、オージェ分析
では、第２図に示すオージェ・スペクトルが得られ、こ
の組成比から大きくずれると電子放出特性も同時に劣化
した。
第３図は、Ｓｃ蒸着膜厚をパラメータとした時の電子放
出特性８〜１３を見た図で、Ｓｃ蒸着膜厚が１００人を
越えるとＯｓ被覆含浸形陰極特性７を下回る傾向を示し
た。同図に従来の含浸形陰極特性６及び○Ｓ被覆含含浸
形極７の電子放出特性も記載した。含浸形陰極表面に（
１３ａ、Ｓｃ。
出特性８〜１３を見た図で、Ｓｃ蒸着膜厚が１００人を
越えるとＯｓ被覆含浸形陰極特性７を下回る傾向を示し
た。同図に従来の含浸形陰極特性６及び○Ｓ被覆含含浸
形極７の電子放出特性も記載した。含浸形陰極表面に（
１３ａ、Ｓｃ。
Ｏ）複合化合物層を形成した本発明の含浸形陰極は、被
覆なし含浸形陰極に比べて約２００℃、Ｏｓ被被覆含浸
形極に比べて約１００℃低い温度で動作が可能となった
。（Ｂ ａ 、 Ｓ ｃ−、、Ｏ）複合化合物の形成機
構は明確でないがＳｃは非常に活性であることから、蒸
発源から蒸発したＳｃは雰囲気中のＯと結びつき、また
陰極表面のＢａやＢａＯと結合し、電子放出に適した（
Ｂａ、Ｓｃ。
覆なし含浸形陰極に比べて約２００℃、Ｏｓ被被覆含浸
形極に比べて約１００℃低い温度で動作が可能となった
。（Ｂ ａ 、 Ｓ ｃ−、、Ｏ）複合化合物の形成機
構は明確でないがＳｃは非常に活性であることから、蒸
発源から蒸発したＳｃは雰囲気中のＯと結びつき、また
陰極表面のＢａやＢａＯと結合し、電子放出に適した（
Ｂａ、Ｓｃ。
○）複合化合物層が形成されるものと考えられる。
この（Ｂａ、Ｓｃ、０）複合化合物層が高い電子放出特
性を示すためには、下地陰極表面の基体がＷあるいはＷ
を主成分である必要がある。Ｗと（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複
合化合物の相互作用によって高い電子放出能を示すもの
と考える。従来の含浸形陰極よりも約２００°ＣＯｓ被
覆含浸形陰極よりも約１００℃も動作温度を低下でき、
陰極からの余分なりａ、ＢａＯなどの蒸発が減り、加熱
用ヒータが長寿命化になるなど有利であった。
性を示すためには、下地陰極表面の基体がＷあるいはＷ
を主成分である必要がある。Ｗと（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複
合化合物の相互作用によって高い電子放出能を示すもの
と考える。従来の含浸形陰極よりも約２００°ＣＯｓ被
覆含浸形陰極よりも約１００℃も動作温度を低下でき、
陰極からの余分なりａ、ＢａＯなどの蒸発が減り、加熱
用ヒータが長寿命化になるなど有利であった。
本発明によれば、以上説明したように、Ｗを基体とする
陰極表面に（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合化合物層を形成する
ことによって動作温度を大巾に低く出来る。動作温度を
１００〜２００℃低くしたことにより、Ｂａ、ＢａＯの
蒸発速度を約１〜２２桁程度低くできることに対応（Ｂ
ａ、ＢａＯの蒸発エネルギーは〜３．２ ｅＶ）する。
陰極表面に（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合化合物層を形成する
ことによって動作温度を大巾に低く出来る。動作温度を
１００〜２００℃低くしたことにより、Ｂａ、ＢａＯの
蒸発速度を約１〜２２桁程度低くできることに対応（Ｂ
ａ、ＢａＯの蒸発エネルギーは〜３．２ ｅＶ）する。
本発明による含浸形陰極は、従来型の含浸形陰極、Ｏｓ
被被覆含浸形極よりも優れた特性を有する含浸形陰極と
言える。
被被覆含浸形極よりも優れた特性を有する含浸形陰極と
言える。
以下、本発明を実施例によって説明する。
粒径５μｍのＷ粉を用いて作製した空孔率２３％の多孔
質Ｗ基体に水素雰囲気中で４ＢａＯ・ＡＱ２０３・Ｃａ
Ｏの組成比からなる電子放出物質を溶融含浸した従来型
の含浸形陰極を予め用意した。
質Ｗ基体に水素雰囲気中で４ＢａＯ・ＡＱ２０３・Ｃａ
Ｏの組成比からなる電子放出物質を溶融含浸した従来型
の含浸形陰極を予め用意した。
この含浸形陰極は到達真空度＜ ５ Ｘ １０ ＝Ｔｏ
ｒｒの真空容器中に配置した。真空容器内にはＳＣの蒸
発源と電子放出特性を測定出来るように陽極も同時に配
置した。Ｓｃの蒸着はＷボートを用いた抵抗加熱で実施
した。その時の蒸着速度は５，１０゜２０．５０人／ｗ
ｉｎと変えた。また、電子放出特性の測定は陽極−陰極
からなる２極管型式で実施し、パルス電圧を印加し、そ
の時放出される電流を測定することによった。その評価
は電圧と放出電流の関係から零電界における飽和電流密
度と陰極温度との関係をめて行った。
ｒｒの真空容器中に配置した。真空容器内にはＳＣの蒸
発源と電子放出特性を測定出来るように陽極も同時に配
置した。Ｓｃの蒸着はＷボートを用いた抵抗加熱で実施
した。その時の蒸着速度は５，１０゜２０．５０人／ｗ
ｉｎと変えた。また、電子放出特性の測定は陽極−陰極
からなる２極管型式で実施し、パルス電圧を印加し、そ
の時放出される電流を測定することによった。その評価
は電圧と放出電流の関係から零電界における飽和電流密
度と陰極温度との関係をめて行った。
なお、真空容器内に陰極を配置する時は、第１図に示す
ように、Ｔａカップの障壁層２．Ｔａスリーブ３加熱用
Ｗヒータ４を組み合せたものを使用した。
ように、Ｔａカップの障壁層２．Ｔａスリーブ３加熱用
Ｗヒータ４を組み合せたものを使用した。
Ｓｅ蒸着時は陰極温度を室温と８００℃にした。
室温で蒸着したものは、蒸着後８００℃Ｘ５ｍ１ｎの熱
処理した。また、Ｓｃ蒸着膜は、電子放出特性を検討し
ながら決めた。大体の場合、最大３００人であった。蒸
着速度の速い場合には、形成した（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複
合化合物層の組成は、高い電子放出能を示した組成から
ずれていた。蒸着速度は２０人／ｍｉｎ以下が良かった
。Ｓｃ蒸着時は陰極温度による特性の差は見当らなかっ
た。
処理した。また、Ｓｃ蒸着膜は、電子放出特性を検討し
ながら決めた。大体の場合、最大３００人であった。蒸
着速度の速い場合には、形成した（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複
合化合物層の組成は、高い電子放出能を示した組成から
ずれていた。蒸着速度は２０人／ｍｉｎ以下が良かった
。Ｓｃ蒸着時は陰極温度による特性の差は見当らなかっ
た。
第３図は、Ｓｃ蒸着速度５人／ｍｉｎ陰極温度８００℃
とした時のＳｃ蒸着膜厚の電子放出特性に及ぼす影響を
見たものである。１００Å以下でＯｓ被被覆含浸形極特
性を上回った。動作温度に換算すると従来の含浸形陰極
６よりも約２００℃、Ｏｓ被被覆含浸形極７よりも約１
００℃低くできる。Ｓｃ膜厚が２０人の時に真空容器か
ら取り出し、陰極表面のオージェ分析した時のオージェ
・スペクトルを第２図に示す。他の場合にもほぼ同じス
ペクトルを示し、陰極表面に（Ｂａ、Ｓｃ。
とした時のＳｃ蒸着膜厚の電子放出特性に及ぼす影響を
見たものである。１００Å以下でＯｓ被被覆含浸形極特
性を上回った。動作温度に換算すると従来の含浸形陰極
６よりも約２００℃、Ｏｓ被被覆含浸形極７よりも約１
００℃低くできる。Ｓｃ膜厚が２０人の時に真空容器か
ら取り出し、陰極表面のオージェ分析した時のオージェ
・スペクトルを第２図に示す。他の場合にもほぼ同じス
ペクトルを示し、陰極表面に（Ｂａ、Ｓｃ。
０）複合化合物層が形成したことが分る。
以上、本発明によれば、ＷあるいはＷを主成分とする陰
極表面を有する含浸形陰極表面に、Ｓｃを被覆し、（Ｂ
ａ、Ｓｃ、Ｏ）複合化合物層を形成させることによって
、動作温度を従来型の含浸形陰極よりも約２００℃、Ｏ
ｓ被被覆含浸形極よりも約１００℃低く出来、また、動
作温度を低く出来た結果、陰極からのＢａ、ＢａＯの蒸
発速度を１〜２桁小さく出来るなど優れた特性を有する
含浸形陰極が得られた。
極表面を有する含浸形陰極表面に、Ｓｃを被覆し、（Ｂ
ａ、Ｓｃ、Ｏ）複合化合物層を形成させることによって
、動作温度を従来型の含浸形陰極よりも約２００℃、Ｏ
ｓ被被覆含浸形極よりも約１００℃低く出来、また、動
作温度を低く出来た結果、陰極からのＢａ、ＢａＯの蒸
発速度を１〜２桁小さく出来るなど優れた特性を有する
含浸形陰極が得られた。
第１図は含浸形陰極と障壁層、スリーブ、Ｗヒータを組
み合せた組立図、第２図は本発明の含浸形陰極表面の（
Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合化合物層のオージェ・スペクトル
を示す図、第３図は従来型の含浸形陰極と本発明による
含浸形陰極を比較した図である。 ■・・・含浸形陰極、２・・・障壁層、３・・・スリー
ブ、４・・・ヒータ、６・・・従来の含浸形陰極の特性
、７・・・Ｏ８被覆含浸形陰極の特性、８，９，１０，
１１゜を１目
み合せた組立図、第２図は本発明の含浸形陰極表面の（
Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合化合物層のオージェ・スペクトル
を示す図、第３図は従来型の含浸形陰極と本発明による
含浸形陰極を比較した図である。 ■・・・含浸形陰極、２・・・障壁層、３・・・スリー
ブ、４・・・ヒータ、６・・・従来の含浸形陰極の特性
、７・・・Ｏ８被覆含浸形陰極の特性、８，９，１０，
１１゜を１目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、ＷもしくはＷを主成分とする多孔質基体と該多孔質
基体の細孔部に含浸された電子放出物質とからなる含浸
形陰極表面に（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合化合物層を有する
ことを特徴とする含浸層陰極。 ２、上記（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合化合物層の厚さは、５
〜１００人としたことを特徴とする特許゛請求の範囲第
１項記載の含浸層陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59025026A JPS60170136A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 含浸形陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59025026A JPS60170136A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 含浸形陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170136A true JPS60170136A (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=12154398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59025026A Pending JPS60170136A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 含浸形陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04232252A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-20 | Hughes Aircraft Co | ディスペーサーカソード用のスパッタリングされたスカンジュウム酸化物被覆およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-02-15 JP JP59025026A patent/JPS60170136A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04232252A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-20 | Hughes Aircraft Co | ディスペーサーカソード用のスパッタリングされたスカンジュウム酸化物被覆およびその製造方法 |
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