JPS60173014A - 高分子の脱ド−プ方法 - Google Patents
高分子の脱ド−プ方法Info
- Publication number
- JPS60173014A JPS60173014A JP59028934A JP2893484A JPS60173014A JP S60173014 A JPS60173014 A JP S60173014A JP 59028934 A JP59028934 A JP 59028934A JP 2893484 A JP2893484 A JP 2893484A JP S60173014 A JPS60173014 A JP S60173014A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- impurities
- dedoping
- ions
- heat
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- Granted
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子デバイスの分野に利用される高分子の製
造法に関する。
造法に関する。
従来例の構成とその問題点
高分子重合体から、不純物を除く方法として、電解法が
知られている（ Ｇ、Ｂ、５ｔｒｅｅｔ ｅｔ、ａｌ、
。
知られている（ Ｇ、Ｂ、５ｔｒｅｅｔ ｅｔ、ａｌ、
。
Ｍｏ１．０ｒ７Ｂｔ、 Ｌｉｑ、 Ｃｒｙｓｔ、、 ８
３．２５３（１９８２：これは、ビロールを過塩素酸銀
の存在下、アセトニトリル中で電解酸化重合して、白金
電極上にポリピロールフィルムをつりり、引き続き別の
容器に、過塩素酸テトラブチルアンモニウム塩ヲ含んだ
アセトニトリル溶液を用意し、この容器にポリピロール
フィルムを移しかえて、電解還元により、不純物として
取シ込まれた過塩素酸イオンを除くという方法である。
３．２５３（１９８２：これは、ビロールを過塩素酸銀
の存在下、アセトニトリル中で電解酸化重合して、白金
電極上にポリピロールフィルムをつりり、引き続き別の
容器に、過塩素酸テトラブチルアンモニウム塩ヲ含んだ
アセトニトリル溶液を用意し、この容器にポリピロール
フィルムを移しかえて、電解還元により、不純物として
取シ込まれた過塩素酸イオンを除くという方法である。
しかしながら、この方法は湿式である点、脱ドープのコ
ントロールが難しい点、電極が常に必要な点等に問題を
持っている。
ントロールが難しい点、電極が常に必要な点等に問題を
持っている。
発明の目的
本発明は、重合体から乾式で不純物を除く方法を提供す
ることを目的とする。
ることを目的とする。
発明の構成
本発明の高分子脱ドープ方法は、重合体を熱処理するこ
とにより、不純物を除くことを特徴とするものであるっ
高分子中の不純物は、高分子とファンデアワールスによ
る分子間結合、イオン結合、１′３ｏ あるいは配位結
合で結びついている。そのため、これらの結合を切るの
に十分な熱エネルギーを加えることによって、重合体か
ら不純物を除くことができる。
とにより、不純物を除くことを特徴とするものであるっ
高分子中の不純物は、高分子とファンデアワールスによ
る分子間結合、イオン結合、１′３ｏ あるいは配位結
合で結びついている。そのため、これらの結合を切るの
に十分な熱エネルギーを加えることによって、重合体か
ら不純物を除くことができる。
不純物としては、重合体を構成する化合物以外の化合物
が考えられる。その中でも、重合体の電気物性等に影響
を与えるものとして、メタノール。
が考えられる。その中でも、重合体の電気物性等に影響
を与えるものとして、メタノール。
アセトン、ニトロベンゼン等の有機溶媒、五フ、ツ化ヒ
素、三フプ化ホウ素、ＳＯ，等のルイス酸。
素、三フプ化ホウ素、ＳＯ，等のルイス酸。
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン、バーハロゲネートイ
オン、バーハロゲノボレートイオン、サルフェートイオ
ン等のイオン、リチウム、すＩ・リウム、カリウム等の
金属があげられる。本発明の脱ドープ方法はこれらの不
純物を除くのに有効である。
オン、バーハロゲノボレートイオン、サルフェートイオ
ン等のイオン、リチウム、すＩ・リウム、カリウム等の
金属があげられる。本発明の脱ドープ方法はこれらの不
純物を除くのに有効である。
本発明の熱処理は、不活性雰囲気中で行なうととくによ
い。不活性雰囲気としては、窒素ガス・ヘリウムガス、
ネオンガス、アルゴンガス等の不活性ガスを含む雰囲気
か、あるいは１０ｍｘＨ，ｊ９以下の減圧下が良い。
い。不活性雰囲気としては、窒素ガス・ヘリウムガス、
ネオンガス、アルゴンガス等の不活性ガスを含む雰囲気
か、あるいは１０ｍｘＨ，ｊ９以下の減圧下が良い。
熱処理温度は、熱処理時間と深い関係があり、例えば、
４００°Ｃなら２０分、６００°Ｃなら１分、ｓ ｏ
ｏ ’ｃなら３０秒程度である。熱処理温度が低いほど
、熱処理時間を長くする必要がある。熱処理温度として
は、１００〜１ｏｏｏ’Ｃが有効である。
４００°Ｃなら２０分、６００°Ｃなら１分、ｓ ｏ
ｏ ’ｃなら３０秒程度である。熱処理温度が低いほど
、熱処理時間を長くする必要がある。熱処理温度として
は、１００〜１ｏｏｏ’Ｃが有効である。
実施例の説明
実施例１
電解重合により、過塩素酸イオンをドープ（ントとして
含むポリ−３−メチルチェニレンフィルムを合成する（
Ｓ、Ｈｏｔｔａ ｅｔ Ｊ、 ＳｙｎｔｈｅｔｉｃＭ
ｅｔａｄｓ、６（１９８３）６９）、このフィルムを窒
素ガスで充満したガラス封管に入れ、封管を電気炉で６
００’Ｃに１分間加熱する。
含むポリ−３−メチルチェニレンフィルムを合成する（
Ｓ、Ｈｏｔｔａ ｅｔ Ｊ、 ＳｙｎｔｈｅｔｉｃＭ
ｅｔａｄｓ、６（１９８３）６９）、このフィルムを窒
素ガスで充満したガラス封管に入れ、封管を電気炉で６
００’Ｃに１分間加熱する。
実施例２
実施例１で合成した過塩素酸イオンをドープ（ントとし
て含むポリ−３−メチルチェニレンフィルムを、１ｍｍ
Ｈ９に保ったガラス封管に入れ、電気炉で６００’Ｃ，
１分間加熱する。
て含むポリ−３−メチルチェニレンフィルムを、１ｍｍ
Ｈ９に保ったガラス封管に入れ、電気炉で６００’Ｃ，
１分間加熱する。
比較例１
実施例１で合成した過塩素酸イオンをドーノ々ントトシ
て含むポリ−３−メチルチェニレンフィルムを、Ｇ、Ｂ
、５ｔｒｅｅｔ らの方法で電解還元により脱ドープす
る。
て含むポリ−３−メチルチェニレンフィルムを、Ｇ、Ｂ
、５ｔｒｅｅｔ らの方法で電解還元により脱ドープす
る。
実施例１〜２．比較例１及び、脱ドープする前のポリ−
３−メチルチェ・ニレンフィルム中の過塩素酸イオン濃
度を元素分析により測定し、また、各々の試料の電気伝
導度を測定した。その結果を次表に示す。
３−メチルチェ・ニレンフィルム中の過塩素酸イオン濃
度を元素分析により測定し、また、各々の試料の電気伝
導度を測定した。その結果を次表に示す。
表に示すように、電解還元法では、不純物イオンが１モ
ル％含んだ重合体フィルムしか得られず、その電気伝導
度は１０−８ＳＣＩｎ’ と絶縁体領域にならない。こ
れに対して、熱処理した重合体フィルムは、不純物イオ
ン濃度が、窒素中処理、１朋Ｈ，９中処理で、それぞれ
０．２７モル％、０．１モル％になり、電気伝導度も１
０−１２８ ｃｍ ’ と、絶縁体領域に下げることが
できたつ 実施例では、電解重合により合成した重合体についての
み説明したが、有機合成による重合体でも本発明の方法
で同様に脱ドープできるっ従来法では、試料が電極と接
触する必要があったが、本発明の方法ではその制限がな
く、任意の状態で脱ドープできる。また、乾式であるか
ら、きわめて操作性が良い等の利点がある。
ル％含んだ重合体フィルムしか得られず、その電気伝導
度は１０−８ＳＣＩｎ’ と絶縁体領域にならない。こ
れに対して、熱処理した重合体フィルムは、不純物イオ
ン濃度が、窒素中処理、１朋Ｈ，９中処理で、それぞれ
０．２７モル％、０．１モル％になり、電気伝導度も１
０−１２８ ｃｍ ’ と、絶縁体領域に下げることが
できたつ 実施例では、電解重合により合成した重合体についての
み説明したが、有機合成による重合体でも本発明の方法
で同様に脱ドープできるっ従来法では、試料が電極と接
触する必要があったが、本発明の方法ではその制限がな
く、任意の状態で脱ドープできる。また、乾式であるか
ら、きわめて操作性が良い等の利点がある。
熱処理の熱源は、実施例では、電気炉を用いて説明した
が、試料を加熱できる熱源であればこれに限らない。レ
ーザービームや電子線ビーム等を不純物を含んだ重合体
フィルムに選択的に当てることにより、重合体フィルム
にドープ、非ドープの部分をつくり、電気伝導度や光の
透過性などの物性の違いを利用した記録方法等も本発明
により、容易に実施できるっ 発明の効果 以上のように、本発明によれば、重合体から、乾式で、
不純物を除くことができ、脱ドープの程度を制御できる
ので高分子の物性をもコントロールできるっ
が、試料を加熱できる熱源であればこれに限らない。レ
ーザービームや電子線ビーム等を不純物を含んだ重合体
フィルムに選択的に当てることにより、重合体フィルム
にドープ、非ドープの部分をつくり、電気伝導度や光の
透過性などの物性の違いを利用した記録方法等も本発明
により、容易に実施できるっ 発明の効果 以上のように、本発明によれば、重合体から、乾式で、
不純物を除くことができ、脱ドープの程度を制御できる
ので高分子の物性をもコントロールできるっ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）不純物を含む高分子重合体を熱処理することによ
り、不純物を除くことを特徴とする高分子の脱ドープ方
法。 ＠）不純物が、有機溶媒、ルイス酸、ハロゲン。 イオン、金属の少なくとも１つである特許請求の範囲第
１項記載の゛高分子の脱ドープ方法。 （３）熱処理を不活性雰囲気中で行なう特許請求の範囲
第１項記載の高分子の脱ドープ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59028934A JPS60173014A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 高分子の脱ド−プ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59028934A JPS60173014A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 高分子の脱ド−プ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173014A true JPS60173014A (ja) | 1985-09-06 |
| JPH0344565B2 JPH0344565B2 (ja) | 1991-07-08 |
Family
ID=12262225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59028934A Granted JPS60173014A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 高分子の脱ド−プ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173014A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310621A (ja) * | 1986-03-12 | 1988-01-18 | Katsumi Yoshino | 高導電性物質の製造方法 |
| JPH0488013A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS551324A (en) * | 1978-06-15 | 1980-01-08 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Production of aromatic polyamide fiber |
-
1984
- 1984-02-17 JP JP59028934A patent/JPS60173014A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS551324A (en) * | 1978-06-15 | 1980-01-08 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Production of aromatic polyamide fiber |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310621A (ja) * | 1986-03-12 | 1988-01-18 | Katsumi Yoshino | 高導電性物質の製造方法 |
| JPH0488013A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344565B2 (ja) | 1991-07-08 |
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