JPS60175431A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPS60175431A JPS60175431A JP59030934A JP3093484A JPS60175431A JP S60175431 A JPS60175431 A JP S60175431A JP 59030934 A JP59030934 A JP 59030934A JP 3093484 A JP3093484 A JP 3093484A JP S60175431 A JPS60175431 A JP S60175431A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- wafer
- heat treatment
- reflector
- treatment apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/90—Thermal treatments, e.g. annealing or sintering
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体基板(以下ウェハという)等の被熱処
理体を、その表裏両面から光照射しで熱処理を行うよう
にする熱処理装置に関する。
理体を、その表裏両面から光照射しで熱処理を行うよう
にする熱処理装置に関する。
一般にウェハの熱処理プロ十′又は、イオン注入やイオ
ン蒸着の後処理とし′CCイン層を活性化して均一な組
成きするための熱処理に限らず、その他シリコン膜を安
定化させるための熱処理、オーE =Iクコンタクトを
とるための熱処理等非常に広範囲にわたって用いられて
いる。これらの熱処理のいずれにおいても、ウェハの表
裏面を含む全面に対して均一に加熱する必要があるが、
熱処理の迅速化のための加熱手段とじてハロゲンランプ
等の光照射による場合には、ウェハに対する加熱先師か
らの光照射の均一化を正確に行う必要がある。
ン蒸着の後処理とし′CCイン層を活性化して均一な組
成きするための熱処理に限らず、その他シリコン膜を安
定化させるための熱処理、オーE =Iクコンタクトを
とるための熱処理等非常に広範囲にわたって用いられて
いる。これらの熱処理のいずれにおいても、ウェハの表
裏面を含む全面に対して均一に加熱する必要があるが、
熱処理の迅速化のための加熱手段とじてハロゲンランプ
等の光照射による場合には、ウェハに対する加熱先師か
らの光照射の均一化を正確に行う必要がある。
ウェハ全面に対する照度分布の均一化を図るため、従来
例えば特開昭57−147237号公報に開示されてい
るように、加熱炉内に収容したウェハを光源に対して水
平方向に移動させ、あるいはウェハを所定の振幅をもっ
で水平方向に揺動させるようにしている。
例えば特開昭57−147237号公報に開示されてい
るように、加熱炉内に収容したウェハを光源に対して水
平方向に移動させ、あるいはウェハを所定の振幅をもっ
で水平方向に揺動させるようにしている。
しかし、かかる従来装置においては、光源を予めウェハ
の表頁各面に対して、所定の間隔を介した位置に固設す
ることにより、ウェハ表裏面間の照度分布の均一を図る
ようにしているが、それでもなおウェハ表裏面間の照度
バランスが正確になされていない場合が少くない。この
ようにウェハの表裏面間の照度バランスが不均衡である
場合には、ウェハ全面に対する均一な加熱処理ができな
いばかりでなく、照度バランスの不均衡が甚しい場合に
は、ウェハ表面にクラプクを生じるなどつ蔓ハ自体を損
うこともある。
の表頁各面に対して、所定の間隔を介した位置に固設す
ることにより、ウェハ表裏面間の照度分布の均一を図る
ようにしているが、それでもなおウェハ表裏面間の照度
バランスが正確になされていない場合が少くない。この
ようにウェハの表裏面間の照度バランスが不均衡である
場合には、ウェハ全面に対する均一な加熱処理ができな
いばかりでなく、照度バランスの不均衡が甚しい場合に
は、ウェハ表面にクラプクを生じるなどつ蔓ハ自体を損
うこともある。
また従来装置においては、ウェハ自体を水平方向に移動
・揺動・回動等させるようにしでいるため、これに伴っ
てウェハを損偽する虞れがあり。
・揺動・回動等させるようにしでいるため、これに伴っ
てウェハを損偽する虞れがあり。
殊に光源からの光照射による熱処理にあっては。
10秒ないし数10秒の短時間に熱処理を完了するよう
にしているため、ウェハ自体に対しては相当高速の運動
が加えられることとなり、やはりウェハを損う虞れがあ
る。
にしているため、ウェハ自体に対しては相当高速の運動
が加えられることとなり、やはりウェハを損う虞れがあ
る。
かようにウェハ自体に何らかの運動を与えて該ウェハ表
裏面に光を照射するようにした従来装置においては、上
述のような理由によって、ウェハの表裏全面への加熱処
理は必ずしも満足のいくものではなく、また歩留りの低
下の一因ともなっている。
裏面に光を照射するようにした従来装置においては、上
述のような理由によって、ウェハの表裏全面への加熱処
理は必ずしも満足のいくものではなく、また歩留りの低
下の一因ともなっている。
本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、その
第1の目的はウェハ自体に揺動・回転等を加えることな
く、光源からの光照射をウェハ表面全面に対して均一に
行うことのできる熱処理装置を提供することにある。本
発明の第2の目的は。
第1の目的はウェハ自体に揺動・回転等を加えることな
く、光源からの光照射をウェハ表面全面に対して均一に
行うことのできる熱処理装置を提供することにある。本
発明の第2の目的は。
ウェハ表裏各面における照度分布の調整を該ウェハの両
面にわたって簡易な構造で容易に行うことノテキル熱処
理装置を提供することにある。
面にわたって簡易な構造で容易に行うことノテキル熱処
理装置を提供することにある。
上述の諸口的は下記の構成を有する熱処理装置を提供す
ることにより果たされたものである。
ることにより果たされたものである。
即ち9本発明は加熱炉と、被熱処理体を前記加熱炉内で
支持する支持器と、前記加熱炉内で支持された被熱処理
体の表裏各面に対向して配設された光源とを備えてなり
、前記光源からの光照射により被熱処理体を加熱処理す
るようにした熱処理装置において、光源の背後に設けら
れ、該光源を実質的に中心として回転自在に支持された
反射板と、この反射板を、光源を実質的な中心として所
定回転角度で正逆回転せしめる回転機構とを設けたこと
を特徴とする熱処理装置に係るものである。
支持する支持器と、前記加熱炉内で支持された被熱処理
体の表裏各面に対向して配設された光源とを備えてなり
、前記光源からの光照射により被熱処理体を加熱処理す
るようにした熱処理装置において、光源の背後に設けら
れ、該光源を実質的に中心として回転自在に支持された
反射板と、この反射板を、光源を実質的な中心として所
定回転角度で正逆回転せしめる回転機構とを設けたこと
を特徴とする熱処理装置に係るものである。
この発明に係る熱処理装置の特徴の1つは、被熱処理体
を加熱炉内で安定した状態に維持したまま9反射板を所
定回転角度で正逆回転させることにより、被熱処理体の
表裏缶表面に対して均一な熱処理を施すことができるこ
とである。
を加熱炉内で安定した状態に維持したまま9反射板を所
定回転角度で正逆回転させることにより、被熱処理体の
表裏缶表面に対して均一な熱処理を施すことができるこ
とである。
更にこの発明に係る熱処理装置の別の特徴の1つは、加
熱炉内の被熱処理体に対する光源及び反射板の距離の調
整を自在に行うことができることである。
熱炉内の被熱処理体に対する光源及び反射板の距離の調
整を自在に行うことができることである。
次に本発明に係る熱処理装置をウェハのアニール処理装
置に適用した実施例について、添付図面を参照しながら
説明する。
置に適用した実施例について、添付図面を参照しながら
説明する。
〔第1実施例〕
第1図は本発明の第1実施例である熱処理装置の概略を
示す縦断面図であり、ウェハ(1)は石英ガラスからな
る加熱炉(3)内に配置した支持器(5)上に位置決め
載置されている。この支持器(5)は9石英カラスを環
状に成形するとともに、該環状体上に複数の石英ガラス
製支持ピン(7)を植設したものであり、該支持ビン(
7)上にウェハ(1)が位置決め載置されている。
示す縦断面図であり、ウェハ(1)は石英ガラスからな
る加熱炉(3)内に配置した支持器(5)上に位置決め
載置されている。この支持器(5)は9石英カラスを環
状に成形するとともに、該環状体上に複数の石英ガラス
製支持ピン(7)を植設したものであり、該支持ビン(
7)上にウェハ(1)が位置決め載置されている。
支持器(5)は、その基部においてシール部材(9)を
介して加熱炉(3)を密閉するための密閉板(11)に
固定されており、該密閉板0旧よ更に操作桿αJに支持
されており9図示しない駆動装置により水平方向に移動
可能とされている。この機構により熱処理すべきウェハ
(1)を加熱炉(3)内に収容し、及び熱処理済みのウ
ェハ(1)を加熱炉(31から搬出するようにしている
。
介して加熱炉(3)を密閉するための密閉板(11)に
固定されており、該密閉板0旧よ更に操作桿αJに支持
されており9図示しない駆動装置により水平方向に移動
可能とされている。この機構により熱処理すべきウェハ
(1)を加熱炉(3)内に収容し、及び熱処理済みのウ
ェハ(1)を加熱炉(31から搬出するようにしている
。
加熱炉(3)の上下対向位置には、所定ピッチで配設し
たハロゲンランプ等の光源(21+が配設されており、
各光源c!1)は紙面に対して垂直方向に延びた線状の
もので、その後方には断面が略放物線状をなす鏡面を有
する放物線鏡からなる反射板のが配置され、光源+2]
)は前記放物線鏡の焦点位置から若干反射板(至)側に
ずらして配置している。これらの反射板(2)は各々後
述する反射板回転機構により、光源ff1l+を実質的
な回転中心として所定角度で正逆回転できるように構成
されている。
たハロゲンランプ等の光源(21+が配設されており、
各光源c!1)は紙面に対して垂直方向に延びた線状の
もので、その後方には断面が略放物線状をなす鏡面を有
する放物線鏡からなる反射板のが配置され、光源+2]
)は前記放物線鏡の焦点位置から若干反射板(至)側に
ずらして配置している。これらの反射板(2)は各々後
述する反射板回転機構により、光源ff1l+を実質的
な回転中心として所定角度で正逆回転できるように構成
されている。
第2図及び第3図は上述の反射板回転機溝の概要を示す
正面一部断画図及び第1図のn+−n+断面図である。
正面一部断画図及び第1図のn+−n+断面図である。
これらの図においては加熱炉(3)の上方に配設した反
射板回転機構のみを示しているが。
射板回転機構のみを示しているが。
加熱炉(3)の下方に配設した反射板回転機構について
も同様であるので図示は省略する。
も同様であるので図示は省略する。
これらの図において、放物線鏡からなる反射板@は、そ
の基部に支持フレーム(ハ)が突設されており、該支持
フレーム(至)の所定位置には軸(5)が固着されてい
る。更に軸面は1反射板(ハ)の上方に延びる摺動桿■
上に突設されたU字形の摺動フレームclll内で上下
方向に摺動自在に支持されており、その摺動の上限は摺
動枠■により、またその下限はフレーム(311のU字
下端部により各々規制されている。従って軸端は、摺動
フレーム(3])内で自在に摺動できること乏なるが、
そのストロークは後述するように反射板(2)の回転角
(θ)に応じて決定される。
の基部に支持フレーム(ハ)が突設されており、該支持
フレーム(至)の所定位置には軸(5)が固着されてい
る。更に軸面は1反射板(ハ)の上方に延びる摺動桿■
上に突設されたU字形の摺動フレームclll内で上下
方向に摺動自在に支持されており、その摺動の上限は摺
動枠■により、またその下限はフレーム(311のU字
下端部により各々規制されている。従って軸端は、摺動
フレーム(3])内で自在に摺動できること乏なるが、
そのストロークは後述するように反射板(2)の回転角
(θ)に応じて決定される。
尚、第2図においては説明の便宜上9回転角(θ)をか
なり誇張しである。
なり誇張しである。
摺動枠(至)は1弾性手段+331 (第1図口こより
、その長さ方向に常時付勢されており、その付勢方向側
の摺動桿■端部は偏心カム(351の外固面に当接して
いる。また摺動枠□□□に沿った所定位置をこfよ、ガ
イド部材(371が配設されており、該ガイド部材@に
より摺動枠(至)の移動方向を規制、している。
、その長さ方向に常時付勢されており、その付勢方向側
の摺動桿■端部は偏心カム(351の外固面に当接して
いる。また摺動枠□□□に沿った所定位置をこfよ、ガ
イド部材(371が配設されており、該ガイド部材@に
より摺動枠(至)の移動方向を規制、している。
柱状の光源Cυは、前述のように放物線鏡からなる反射
板図)の焦点位置から若干反射板(至)側書こすらして
配設されており、第3図に示すよう薯と、この光源(2
1)はその両端で光源支持部材(3’llによって固定
されている。この支持部材(3glは反射板のの両側面
に設けた開口(41)に貫挿されており、更に該支持部
材(至)は図示しない固定部に固定されてもする。この
支持部材(391は反射板のの回転軸として機能してお
り、従って反射板内は該支持部相国を回転軸として自在
に回転される。
板図)の焦点位置から若干反射板(至)側書こすらして
配設されており、第3図に示すよう薯と、この光源(2
1)はその両端で光源支持部材(3’llによって固定
されている。この支持部材(3glは反射板のの両側面
に設けた開口(41)に貫挿されており、更に該支持部
材(至)は図示しない固定部に固定されてもする。この
支持部材(391は反射板のの回転軸として機能してお
り、従って反射板内は該支持部相国を回転軸として自在
に回転される。
反射板回転機構は上述のように構成されており。
従って図示しない駆動モータによりカム軸(0を回転せ
しめると、カムの偏心に応じて摺動桿■力iその長さ方
向に水平に所セ′ピッ千で往復移動する。
しめると、カムの偏心に応じて摺動桿■力iその長さ方
向に水平に所セ′ピッ千で往復移動する。
この摺動枠c!俤の移動に伴い、該摺動枠(篩上に突設
された摺動フレーム(31旨該摺動フレーム(31)内
に摺動自在に支持された軸端及び支持フレーム(イ)は
。
された摺動フレーム(31旨該摺動フレーム(31)内
に摺動自在に支持された軸端及び支持フレーム(イ)は
。
所定ピッチで水平方向に往復移動する。他方、支持フレ
ーム(5)に固設された反射板(財)は、支持部材c1
glにより回転自在に軸装されているため、該反射板の
は放物焦点位置から反射板内側に若干ずれた回転軸を中
心として、摺動環外の往復移動に伴って回転することと
なる。従って1反射板(至)の回転角(0)は、偏心カ
ム(35)を適宜選択することにより制御でき、また該
回転角(θ)に応じて軸(4)の摺動フレーム(311
内におけるストロークは決定される。従つ゛C9前述し
た摺動フレーム(311の上限及び下限は。
ーム(5)に固設された反射板(財)は、支持部材c1
glにより回転自在に軸装されているため、該反射板の
は放物焦点位置から反射板内側に若干ずれた回転軸を中
心として、摺動環外の往復移動に伴って回転することと
なる。従って1反射板(至)の回転角(0)は、偏心カ
ム(35)を適宜選択することにより制御でき、また該
回転角(θ)に応じて軸(4)の摺動フレーム(311
内におけるストロークは決定される。従つ゛C9前述し
た摺動フレーム(311の上限及び下限は。
上述のストロークを許容できる範囲に定めてお(必要が
ある。
ある。
ところで一般に、放物線鏡からなる反射板(至)の焦点
から該反射板(2)側に若干ずらした位置に配設された
光源Cυからウェハ(11の表面に照射される光は、光
源(2!lから直接放射される放射光と1反射板(至)
から反射される反射光との和となる。ウェハ(1)上に
おける照度分布は、光源(21)、反射板内及びウェハ
(1)の各々の間の距離に応じて変化するが、上記各位
置関係を適宜選択することにより、ウェハfi+の表面
においては、第4図に示すような照度分布とすることが
できる。
から該反射板(2)側に若干ずらした位置に配設された
光源Cυからウェハ(11の表面に照射される光は、光
源(2!lから直接放射される放射光と1反射板(至)
から反射される反射光との和となる。ウェハ(1)上に
おける照度分布は、光源(21)、反射板内及びウェハ
(1)の各々の間の距離に応じて変化するが、上記各位
置関係を適宜選択することにより、ウェハfi+の表面
においては、第4図に示すような照度分布とすることが
できる。
図において、 (451は光源Qυから直接ウェハ(1
)上に照射される光の照度分布を示し、光源(21)と
ウェハ(1)との距離を変化させるに伴って照度分布曲
線151はその傾斜が変化する。(句は反射板(2)か
ら反射された反射光のウェハ(1)上における照度分布
を示し。
)上に照射される光の照度分布を示し、光源(21)と
ウェハ(1)との距離を変化させるに伴って照度分布曲
線151はその傾斜が変化する。(句は反射板(2)か
ら反射された反射光のウェハ(1)上における照度分布
を示し。
ウェハ(1)の中央部では光源Qυの影となるため、該
中央部での反射光による照度はゼロとなる。前述のよう
に光源121)は反射板■の焦点から該反射板■側に若
干ずらした位置に配設するようにしているため、前記反
射光のウェハ(1)上での照度分布は。
中央部での反射光による照度はゼロとなる。前述のよう
に光源121)は反射板■の焦点から該反射板■側に若
干ずらした位置に配設するようにしているため、前記反
射光のウェハ(1)上での照度分布は。
ウェハ固縁部で大きくなっている。従って前記放射光と
前記反射光との和として与えられるウェハ(1)上での
照度分布は、光源I21)とウェハ(1)との距離を調
整することにより+4!iに示す如入フラーIトなもの
とすることができる。
前記反射光との和として与えられるウェハ(1)上での
照度分布は、光源I21)とウェハ(1)との距離を調
整することにより+4!iに示す如入フラーIトなもの
とすることができる。
しかし、実用上は第1図に示したように、実際サイズの
ウェハ(1)に対して充分な照度を与えるために、加熱
炉(3)の上下方向に各々複数の光源(2Dを配置する
ことが望ましく、この場合、定面させたままでは隣接す
る光源(2)及び反射板(2)からの干渉のため、ウェ
ハ(1)上における照度分布は、全面ににわたっては均
一とならない。
ウェハ(1)に対して充分な照度を与えるために、加熱
炉(3)の上下方向に各々複数の光源(2Dを配置する
ことが望ましく、この場合、定面させたままでは隣接す
る光源(2)及び反射板(2)からの干渉のため、ウェ
ハ(1)上における照度分布は、全面ににわたっては均
一とならない。
本発明に係る熱処理装置は、加熱炉(3)の上方及び下
方に各々光源Qυ及び反射板(2)を配設するとともに
9反射板回転機構により、光源C!υを実質的な中心と
して反射板(至)を所定角度で正逆回転するようにして
いるため、第10図に示すように、ウェハ(1)上にお
け・る照度分布を均一化することができる。図においで
1曲線(451471はそれぞれ、ウェハ(1)に対向
する各光源(211及び反射板(至)からの光の照度分
布を示し1曲線四は前記曲線1451 (4ηで示され
る照度分布の和としての、ウェハ(1)上での実際の照
度分布を示す。また曲線(51)は、各反射板(ハ)を
前述の反射板回転機構により時計方向に所定角度(θ)
だけ回転したときの反射光の照度分布を示し9曲線(5
3)はそのときの曲線+451 (51)の和としての
ウェハ(1)上での実際の照度分布を示す。また逆に光
源(21)を中心として反射板器を反時計方向に所定角
度(θ)だけ回転させた場合の照度分布は曲線(53’
)となりこのように反射板(2)を所定角度(θ)だけ
正逆回転させることにより2曲線+a (s3)(53
′)は各曲線の山の部分と谷の部分とを相互に補い合う
ように、その照度分布が変化することになる。従って、
ウェハ(1)を加熱炉(3)内に収容し、熱処理を行う
間、所定速度で反射板のを連続的に所定角度(θ)だけ
正逆回転せしめることにより、ウェハ(1)の全面に対
して均一な光照射を行うことができる。
方に各々光源Qυ及び反射板(2)を配設するとともに
9反射板回転機構により、光源C!υを実質的な中心と
して反射板(至)を所定角度で正逆回転するようにして
いるため、第10図に示すように、ウェハ(1)上にお
け・る照度分布を均一化することができる。図においで
1曲線(451471はそれぞれ、ウェハ(1)に対向
する各光源(211及び反射板(至)からの光の照度分
布を示し1曲線四は前記曲線1451 (4ηで示され
る照度分布の和としての、ウェハ(1)上での実際の照
度分布を示す。また曲線(51)は、各反射板(ハ)を
前述の反射板回転機構により時計方向に所定角度(θ)
だけ回転したときの反射光の照度分布を示し9曲線(5
3)はそのときの曲線+451 (51)の和としての
ウェハ(1)上での実際の照度分布を示す。また逆に光
源(21)を中心として反射板器を反時計方向に所定角
度(θ)だけ回転させた場合の照度分布は曲線(53’
)となりこのように反射板(2)を所定角度(θ)だけ
正逆回転させることにより2曲線+a (s3)(53
′)は各曲線の山の部分と谷の部分とを相互に補い合う
ように、その照度分布が変化することになる。従って、
ウェハ(1)を加熱炉(3)内に収容し、熱処理を行う
間、所定速度で反射板のを連続的に所定角度(θ)だけ
正逆回転せしめることにより、ウェハ(1)の全面に対
して均一な光照射を行うことができる。
尚、上述の説明は説明の便宜上、ウェハ(1)の表面に
対する光照射について述べたが、ウェハ(1)の裏面に
ついても同様であることは云うまでもない。
対する光照射について述べたが、ウェハ(1)の裏面に
ついても同様であることは云うまでもない。
また、上述の実施例においては1反射板のからの反射光
の8縁部における照度を大とするため。
の8縁部における照度を大とするため。
放物線鏡からなる反射板(至)の焦点から該反射板側に
若干ずらした位置に光源Qυを配設するようにしている
が、上記実施例の他にも1例えば放物線鏡の焦点に光源
を配設するとともに、該放物線鏡の端部付近を若干広げ
て反射板を形成するようにすることも可能である(次記
の第2実施例についても同様である)。
若干ずらした位置に光源Qυを配設するようにしている
が、上記実施例の他にも1例えば放物線鏡の焦点に光源
を配設するとともに、該放物線鏡の端部付近を若干広げ
て反射板を形成するようにすることも可能である(次記
の第2実施例についても同様である)。
〔第2実施例〕
第5図は、第1実施例として示した熱処理装置に、各光
源Qυ及び反射板(2)のウェハ(1)表面に対する距
離を調整するための調整手段を設けた実施例を示す図で
ある。
源Qυ及び反射板(2)のウェハ(1)表面に対する距
離を調整するための調整手段を設けた実施例を示す図で
ある。
この実施例においては、熱処理装置の基本構成は、第1
実施例と同様であるから、ここでは調整手段についての
み説明する。
実施例と同様であるから、ここでは調整手段についての
み説明する。
第1実施例と第2実施例との差異は、第3図と第5図と
を比較することにより明瞭となろう。第1実施例におい
ては、光源t2υの支持部材c1glは図示しない固定
部に固定されていたが、この第2実施例においては 光
源(2Dの支持部材−は、調整桿(55)の下端部に支
持され、該調整桿(55)はその上部にねじ溝を有して
おり、該ねじ溝と螺合するナット(57) (59’)
により固定部(61)に対して上下方向に(即ちウェハ
(1)に対して)調整できるようにしている。従って光
源(2I)及び反射板のとウェハ(1)との間、の距離
を調整するに際しては、調整桿(55)に螺合するナツ
ト(57) (59)を操作するだけでよい。このよう
に調整手段は構成されるが、該調整手段は加熱炉(3)
の下方に配置した光源(211及び反射板−にも配設さ
れ、ウェハ(1)の表裏面の照度を等しく維持すること
ができる。
を比較することにより明瞭となろう。第1実施例におい
ては、光源t2υの支持部材c1glは図示しない固定
部に固定されていたが、この第2実施例においては 光
源(2Dの支持部材−は、調整桿(55)の下端部に支
持され、該調整桿(55)はその上部にねじ溝を有して
おり、該ねじ溝と螺合するナット(57) (59’)
により固定部(61)に対して上下方向に(即ちウェハ
(1)に対して)調整できるようにしている。従って光
源(2I)及び反射板のとウェハ(1)との間、の距離
を調整するに際しては、調整桿(55)に螺合するナツ
ト(57) (59)を操作するだけでよい。このよう
に調整手段は構成されるが、該調整手段は加熱炉(3)
の下方に配置した光源(211及び反射板−にも配設さ
れ、ウェハ(1)の表裏面の照度を等しく維持すること
ができる。
殊に、従来からウェハ(1)の周縁部における照度不足
が問題となっていたが、この実施例に示した調整手段に
より、ウェハ(1)の周縁部に対向する光源(21)及
び反射板(至)とウェハ(1)との間を接近させてウェ
ハ(1)の周縁部に対しても充分な光照射をすることが
できる。
が問題となっていたが、この実施例に示した調整手段に
より、ウェハ(1)の周縁部に対向する光源(21)及
び反射板(至)とウェハ(1)との間を接近させてウェ
ハ(1)の周縁部に対しても充分な光照射をすることが
できる。
尚、この実施例においては、光源c21)及び反射板の
のウェハ(1)に対する距離調整に伴い、軸(5)の摺
動フレームG旧こおける位置関係が変動するので。
のウェハ(1)に対する距離調整に伴い、軸(5)の摺
動フレームG旧こおける位置関係が変動するので。
距離調整後も軸(5)が反射板(至)の回転に応じて自
在に移動できるように摺動フレーム011のストローク
を選択しておく必要がある。
在に移動できるように摺動フレーム011のストローク
を選択しておく必要がある。
第2実施例における反射板■の回転移動等については、
第1実施例と同様であり説明を省略する。
第1実施例と同様であり説明を省略する。
〔第3実施例〕
第6図は本発明に係る熱処理装置の第3実施例を示すも
のであり、加熱炉(3)部分の構成は、第1実施例と同
様でめるが、この実施例においては。
のであり、加熱炉(3)部分の構成は、第1実施例と同
様でめるが、この実施例においては。
円柱状のハロゲンランプからなる光源(71)の約半周
面にセラミック等でコーティングを施した反射面(73
)を使用している(第3図参照)。即ち、この実施例に
おいでは、光源と反射板とが一体化されたものと考える
ことができる(従って以下この反射面(73)を反射板
という)。
面にセラミック等でコーティングを施した反射面(73
)を使用している(第3図参照)。即ち、この実施例に
おいでは、光源と反射板とが一体化されたものと考える
ことができる(従って以下この反射面(73)を反射板
という)。
この実施例においては、加熱炉(3)の上下刀身に所定
距離を介して上述の光源(71)を所定ピッチで配設し
ており、前述の第1実施例及び第2実施例における場合
に比べて、各光源(71)間の配設ピッチを小さくする
ことができ、ウェハ(1)を熱処理するに際して迅速化
することができるという利点がある。
距離を介して上述の光源(71)を所定ピッチで配設し
ており、前述の第1実施例及び第2実施例における場合
に比べて、各光源(71)間の配設ピッチを小さくする
ことができ、ウェハ(1)を熱処理するに際して迅速化
することができるという利点がある。
各光源(71)は、上述の第1実施例及び第2実施例に
おけると同様に、後述する回転機構によって所定の回転
角で正逆回転するように構成されている。
おけると同様に、後述する回転機構によって所定の回転
角で正逆回転するように構成されている。
第7図は、上記回転機構の概要を示す側断面図であり、
柱状管面の約半周面をセラE−tり・コーティングして
形成した反射板(73)を有する光源(71)は、その
両端で樹脂製の支持部材(75)に挿嵌されており、該
支持部材(75)の支持外局面はテーパ状となっており
、該テーパ部に係合するテーパの内壁を有する締付部材
(77)を支持部材(75)に装着する。支持部材(7
5)と締付部材(77)とは、支持部材(75)のテー
パ基部に設けたねじ溝と、締付部材(77)のテーパ前
部に設けたねじ溝とによって螺合し。
柱状管面の約半周面をセラE−tり・コーティングして
形成した反射板(73)を有する光源(71)は、その
両端で樹脂製の支持部材(75)に挿嵌されており、該
支持部材(75)の支持外局面はテーパ状となっており
、該テーパ部に係合するテーパの内壁を有する締付部材
(77)を支持部材(75)に装着する。支持部材(7
5)と締付部材(77)とは、支持部材(75)のテー
パ基部に設けたねじ溝と、締付部材(77)のテーパ前
部に設けたねじ溝とによって螺合し。
光源(71)をその両端で、支持部材(75)に対して
一体的に固定している。支持部材(75)の他端は、固
定軸(79)を挿嵌するためのすべり軸受となっており
、光源(71)を一体的に支持する支持部材(75)は
。
一体的に固定している。支持部材(75)の他端は、固
定軸(79)を挿嵌するためのすべり軸受となっており
、光源(71)を一体的に支持する支持部材(75)は
。
軸(79)を回転中心として自在に回転できるよう構成
されている。支持部材(75)の所定部には、フレーA
(81)が突設されており、フレーム(81)にハ摺
動軸(83)を挿入するための開口が穿設さねている。
されている。支持部材(75)の所定部には、フレーA
(81)が突設されており、フレーム(81)にハ摺
動軸(83)を挿入するための開口が穿設さねている。
該開口に挿貫される摺動軸(83)は、摺動桿四に固定
された枠体(85)の両側端部に突設した逆U字形の摺
動フレーム(87)内にまで延びており、該摺動フレー
ム(87)内において摺動軸(83)は上下方向に摺動
自在とされている。図示したように摺動軸(83)の上
下方向への移動は、逆U字形の摺動フレーム(87)に
よって規制されている。
された枠体(85)の両側端部に突設した逆U字形の摺
動フレーム(87)内にまで延びており、該摺動フレー
ム(87)内において摺動軸(83)は上下方向に摺動
自在とされている。図示したように摺動軸(83)の上
下方向への移動は、逆U字形の摺動フレーム(87)に
よって規制されている。
摺動枠のは、第1実施例及び第2実施例におけると同様
の梠造であるため、ここでは説明を省略する。
の梠造であるため、ここでは説明を省略する。
この実施例における回転機構は、上述の如き構成を有し
ており、この回転機構により9反射板(73)と一体化
された光源(71)は所定回転角で正逆回転することが
できる。すなわち、第1実施例及び第2実施例と同様に
摺動枠■を、その長さ方向に所定ピプチで揺動せしめる
と、該摺動枠Q!llに固定された枠体(85) 、該
枠体(85)上に突設した摺動フレーム(87)及び該
摺動フレーム(87)内で水平方間の移動を規制された
摺動軸(83)は、各々摺動桿■の水平移動に応じて水
平移動し、この水平移動により前記摺動軸(83)によ
り回転自在に軸支された支持フレーム(81)は固定軸
(79)を中心とする回転移動に変換される。従って前
記支持フレーム(81)を固着する支持部材(75)に
より一体的に支持される光源(71)は、固定軸(79
)の軸中心に、摺動桿■の揺動ピッチに応じた回転角で
正逆回転させることができる。尚、支持部材(75)の
回転に伴い、該支持部材(75)上に突設した支持フレ
ーム(81)を回転自在に支承する摺動軸(83)は、
摺動フレーム(87)内で上下方向に摺動する。従って
、既に第1実施例において述べたように、摺動フレーム
(87)は摺動軸(83)の上下移動を充分許容できる
クリアランスをとってお(必要がある。
ており、この回転機構により9反射板(73)と一体化
された光源(71)は所定回転角で正逆回転することが
できる。すなわち、第1実施例及び第2実施例と同様に
摺動枠■を、その長さ方向に所定ピプチで揺動せしめる
と、該摺動枠Q!llに固定された枠体(85) 、該
枠体(85)上に突設した摺動フレーム(87)及び該
摺動フレーム(87)内で水平方間の移動を規制された
摺動軸(83)は、各々摺動桿■の水平移動に応じて水
平移動し、この水平移動により前記摺動軸(83)によ
り回転自在に軸支された支持フレーム(81)は固定軸
(79)を中心とする回転移動に変換される。従って前
記支持フレーム(81)を固着する支持部材(75)に
より一体的に支持される光源(71)は、固定軸(79
)の軸中心に、摺動桿■の揺動ピッチに応じた回転角で
正逆回転させることができる。尚、支持部材(75)の
回転に伴い、該支持部材(75)上に突設した支持フレ
ーム(81)を回転自在に支承する摺動軸(83)は、
摺動フレーム(87)内で上下方向に摺動する。従って
、既に第1実施例において述べたように、摺動フレーム
(87)は摺動軸(83)の上下移動を充分許容できる
クリアランスをとってお(必要がある。
この実施例においては1反射板(73)を光源(71)
の管面上にコーティングすることにより形成しているた
め9反射板(73)の断面形状は略半円形となっており
、ウェハ(1)の表面における照度分布は。
の管面上にコーティングすることにより形成しているた
め9反射板(73)の断面形状は略半円形となっており
、ウェハ(1)の表面における照度分布は。
第8図に示すような規則的な波状となる。
本実施例に係る熱処理装置は、上述のように。
光源(71)の管面に一体化した反射板(73)を、光
源(71)の軸心を中心として所定角度で正逆回転する
ように構成されており1反射板(73)の回転角−即ち
、光源(7り自体の回転角−を適宜選択することにより
、従って摺動桿■の揺動ピッチを適宜選択することによ
り、ウェハ(11上における波状の照度分布の位相をず
らして、ウェハ(1)表面での照度分布を均一化するこ
とができる。
源(71)の軸心を中心として所定角度で正逆回転する
ように構成されており1反射板(73)の回転角−即ち
、光源(7り自体の回転角−を適宜選択することにより
、従って摺動桿■の揺動ピッチを適宜選択することによ
り、ウェハ(11上における波状の照度分布の位相をず
らして、ウェハ(1)表面での照度分布を均一化するこ
とができる。
即ち、第8図に示したように、各光源(71)からの光
照射のウェハ(1)上における照度分布は9曲線(97
)で示すような規則的な波状となるが、これらの各光源
(71)を上述の回転機構により所定角度(θ)だけ回
転させることにより、90°だけ位相をずらした照度分
布曲線(99)を得ることができる。
照射のウェハ(1)上における照度分布は9曲線(97
)で示すような規則的な波状となるが、これらの各光源
(71)を上述の回転機構により所定角度(θ)だけ回
転させることにより、90°だけ位相をずらした照度分
布曲線(99)を得ることができる。
従って、ウェハ(1)を加熱炉(3)内に静止した状態
で支持して熱処理を行う間、所定速度で反射板(73)
をコーティングした光源(71)自体を、連続的に所定
角度(θ)だけ正逆回転せしめることにより、ウェハ(
1)の全面に対して均一な光照射を行うことができる。
で支持して熱処理を行う間、所定速度で反射板(73)
をコーティングした光源(71)自体を、連続的に所定
角度(θ)だけ正逆回転せしめることにより、ウェハ(
1)の全面に対して均一な光照射を行うことができる。
尚、上述の説明では、説明の便宜上、ウニ/1(11の
表面に対する光照射について述べたが、ウェハ(1)の
裏面についても同様であることは云うまでもない。
表面に対する光照射について述べたが、ウェハ(1)の
裏面についても同様であることは云うまでもない。
〔第4実施例〕
第9図は、@3実施例として示した熱処理装置に、光源
(71)−従ってまた反射板(73)−のウェハ(1)
表面に対する距離を調整するための調整手段を設けた実
施例である。
(71)−従ってまた反射板(73)−のウェハ(1)
表面に対する距離を調整するための調整手段を設けた実
施例である。
この実施例においては、熱処理装置の基本構成は、第3
実施例と同様であるからここでは調整手段)こついての
み説明する。
実施例と同様であるからここでは調整手段)こついての
み説明する。
第3実施例においては9反射板(73)を管面の略半局
面に一体的に設けtコ光源(71)の回転軸(79)は
。
面に一体的に設けtコ光源(71)の回転軸(79)は
。
図示しない固定部に固定されていたが、この実施例にお
いては、第9図に示すように回転軸(79’)は。
いては、第9図に示すように回転軸(79’)は。
調整桿(89)の下端部に支持され、該調整桿(89)
はその上部にねじ溝を有しており、該ねじ溝と螺合する
ナツト(91) (93)により固定部(95)に対し
て上下方向に(即ち、ウェハ(1)に対して)調整でき
るようにされている。従って光源(71)−従ってまた
反射板(73)−とウェハ(1)との距離を調整するに
際しては、調整桿(89)に螺合するナツト(91)
(93)を操作するだけでよい。
はその上部にねじ溝を有しており、該ねじ溝と螺合する
ナツト(91) (93)により固定部(95)に対し
て上下方向に(即ち、ウェハ(1)に対して)調整でき
るようにされている。従って光源(71)−従ってまた
反射板(73)−とウェハ(1)との距離を調整するに
際しては、調整桿(89)に螺合するナツト(91)
(93)を操作するだけでよい。
既に第2実施例の説明において述べたように。
ウェハ(1)の周縁部における照度不足という従来の問
題は、調整桿(89)及びナツト(91) (93)か
らなる調整手段により、ウェハ(1)の周縁部に対向す
る光源(71)−従ってまた光源(71)の管面上に一
体的に設けた反射板(73)−とウェハ(1)との間を
接近させて、ウェハ(1)の周縁部に対しても充分な光
照射を与えるようにすることによって解消できる。
題は、調整桿(89)及びナツト(91) (93)か
らなる調整手段により、ウェハ(1)の周縁部に対向す
る光源(71)−従ってまた光源(71)の管面上に一
体的に設けた反射板(73)−とウェハ(1)との間を
接近させて、ウェハ(1)の周縁部に対しても充分な光
照射を与えるようにすることによって解消できる。
〔第5実施例〕
第11図は本発明に係る更に別の実施例を示す側断面図
であり、光源(2Dと反射板−との距離を調整できるよ
うにしたものである。この実施例においては、熱処理装
置の基本構成は第1実施例と同様であるから、ここでは
調整手段についてのみ説明する。
であり、光源(2Dと反射板−との距離を調整できるよ
うにしたものである。この実施例においては、熱処理装
置の基本構成は第1実施例と同様であるから、ここでは
調整手段についてのみ説明する。
支持部材Oiの各端部には、光源(21)をその内部で
上下方向に移動できる凹部(102)が設けられており
、該凹部(102)には光源Qυの端部をバネ(101
)と共動して保持するとともに、該光源2+1を該凹部
(102)内で移動せしめるボルト(100)が挿貫さ
れている。
上下方向に移動できる凹部(102)が設けられており
、該凹部(102)には光源Qυの端部をバネ(101
)と共動して保持するとともに、該光源2+1を該凹部
(102)内で移動せしめるボルト(100)が挿貫さ
れている。
かかる構造により光源(21)と反射板−との距離を微
調整することができるが、この場合には反射板のを前述
のように回転させたとき、光源(21+がその回転中心
とならない為、第10図に示した照度分布からは若干ず
れを生ずるが、その調整距離は1〜2mm程度に止まる
から実用上支承をきたさない。
調整することができるが、この場合には反射板のを前述
のように回転させたとき、光源(21+がその回転中心
とならない為、第10図に示した照度分布からは若干ず
れを生ずるが、その調整距離は1〜2mm程度に止まる
から実用上支承をきたさない。
上述の第1実施例乃至第5実施例において、ウェハ(1
)を加熱炉(3)内で支持する支持器(5)は、ウェハ
(1)を一枚毎に加熱炉(3)に収容するものを示しで
あるが9本発明を実施するにあたっては加熱炉(3)内
でウェハ(1)を静止させておく必要はなく2例えば熱
処理の迅速化の目的から一ウェハ(1)を保持して安定
した速度で搬送する搬送ベルトを支持器として用いるこ
とができる。更にまた。上述の第2゜第4及び第5実施
例に示した調整手段は各光源(2])(71)毎に別々
に調整できるものであることは云うまでもない。
)を加熱炉(3)内で支持する支持器(5)は、ウェハ
(1)を一枚毎に加熱炉(3)に収容するものを示しで
あるが9本発明を実施するにあたっては加熱炉(3)内
でウェハ(1)を静止させておく必要はなく2例えば熱
処理の迅速化の目的から一ウェハ(1)を保持して安定
した速度で搬送する搬送ベルトを支持器として用いるこ
とができる。更にまた。上述の第2゜第4及び第5実施
例に示した調整手段は各光源(2])(71)毎に別々
に調整できるものであることは云うまでもない。
本発明に係る熱処理装置は、上述のような構成を有して
おり9次のような諸効果を奏する。
おり9次のような諸効果を奏する。
■加熱炉内に収容したウェハを静止させた状態で、ウェ
ハ表面に対する光源からの光照射を所定ピッチで振るよ
うにしているため、ウェハ全面に対して均一に光源から
の光照射を行うことができ、しかもこの際、ウェハ自体
は加熱炉内で安定した状態であるため、ウェハを損う虞
れがない。
ハ表面に対する光源からの光照射を所定ピッチで振るよ
うにしているため、ウェハ全面に対して均一に光源から
の光照射を行うことができ、しかもこの際、ウェハ自体
は加熱炉内で安定した状態であるため、ウェハを損う虞
れがない。
■加熱炉内に収容したウェハお該ウェハの表裏両面に対
向して配設された光源との距離を調整する調整手段を設
けているため、ウェハの表裏面間の照度をバランスさせ
ることができ、しかもウェハ周縁邪に対向する光源をウ
ェハ表裏面に各々接近させることにより、ウェハIi′
il縁部においても充分な照度を得ることができる。
向して配設された光源との距離を調整する調整手段を設
けているため、ウェハの表裏面間の照度をバランスさせ
ることができ、しかもウェハ周縁邪に対向する光源をウ
ェハ表裏面に各々接近させることにより、ウェハIi′
il縁部においても充分な照度を得ることができる。
■調整手段によって、光源とウェハとの間の距離を調整
できるようにしているため、熱処理装置の製作工程にお
いて反射面の製作精度や光源の配設位置をラフにしても
、前記調整手段によってその位置を補正でき、従って製
作工程を簡易・迅速化することができ、更に正確に照度
分布の均一化を図ることができる。
できるようにしているため、熱処理装置の製作工程にお
いて反射面の製作精度や光源の配設位置をラフにしても
、前記調整手段によってその位置を補正でき、従って製
作工程を簡易・迅速化することができ、更に正確に照度
分布の均一化を図ることができる。
■調整手段は、調整桿とこれに螺合するナツトとで構成
されており、極めて簡易な構造でありながら、ウェハに
対して好適な照射条件を正確に得ることができ、しかも
その操作は容易かつ迅速にできる。
されており、極めて簡易な構造でありながら、ウェハに
対して好適な照射条件を正確に得ることができ、しかも
その操作は容易かつ迅速にできる。
第1図は本発明に係る熱処理装置の第1の実施例の概要
を模式的に示す正面図、第2図は第1図に示した上記装
置の反射板回転機構の概要を示す一部断面9部分拡大図
、第3図は第1図ト」断面図、第4図は第1実施例装置
における光源からの照度分布を示すグラフ図、第5図は
第2の実施例を示す側面一部所面図、第6図は第3の実
施例の概要を模式的に示す正面図、第7図は第6図■−
〜′側断面図、第8図は第3実施例装置における照度分
布を示すグラフ図、第9図は第4の実施例を示す側面一
部所面図、第10図は第1実施例装置における照度分布
の変化を示す模式図であり、また第11図は第5実施例
を示す側面一部所面図である。 (1)・・・・・・被熱処理体 (3)・・・・・・加
熱炉 (5)・・・・・・支持器(21)(71)・・
・・・・光源 (23X73)・・・・・・反射板(至
)〜(41)・・・・・・回転機構 (29)、(75
)−(87)・・・・・・回転機構(55)(57)(
59)・・・・・・調整手段 (89X91)(93)
・・・調整手段第1図 第2図 つq 第3図 第4図 0− 第5図 第7図 就 第8図 第9図 第11図
を模式的に示す正面図、第2図は第1図に示した上記装
置の反射板回転機構の概要を示す一部断面9部分拡大図
、第3図は第1図ト」断面図、第4図は第1実施例装置
における光源からの照度分布を示すグラフ図、第5図は
第2の実施例を示す側面一部所面図、第6図は第3の実
施例の概要を模式的に示す正面図、第7図は第6図■−
〜′側断面図、第8図は第3実施例装置における照度分
布を示すグラフ図、第9図は第4の実施例を示す側面一
部所面図、第10図は第1実施例装置における照度分布
の変化を示す模式図であり、また第11図は第5実施例
を示す側面一部所面図である。 (1)・・・・・・被熱処理体 (3)・・・・・・加
熱炉 (5)・・・・・・支持器(21)(71)・・
・・・・光源 (23X73)・・・・・・反射板(至
)〜(41)・・・・・・回転機構 (29)、(75
)−(87)・・・・・・回転機構(55)(57)(
59)・・・・・・調整手段 (89X91)(93)
・・・調整手段第1図 第2図 つq 第3図 第4図 0− 第5図 第7図 就 第8図 第9図 第11図
Claims (7)
- (1)加熱炉と、被熱処理体を前記加熱炉内で支持する
支持器と、前記加熱炉内で支持された被熱処理体の表裏
各面にそれぞれ対向して配設された光源とを備えてなり
、前記光源からの光照射により被熱処理体を加熱処理す
るようにした熱処理装置において、光源の背後に設けら
れ。 該光源を実質的に中心として回転自在に支持された反射
板と、この反射板を、光源を実質的な中心として所定回
転角度で正逆回転せしめる回転機構とを設けたことを特
徴とする熱処理装置。 - (2)反射板は、その断面形状が略放物線状をなした線
状の放物線鏡である特許請求の範囲第1項記載の熱処理
装置。 - (3)光源は、該反射板からの反射光の照度分布が周縁
部で相対的に大となるように1反射板の焦点位置よりも
該反射板側にずらして配設されでなる特許請求の範囲第
2項記載の熱処理装置。 - (4)反射板及び光源は9反射板からの反射光の照度分
布が周縁部で相対的に大となるように。 該反射板の基部を放物線形状とするとともに。 その縁部を外方に広げ、かつ該光源を前記反射板基部の
焦点位置に配設してなる特許請求の範囲第2項記載の熱
処理装置。 - (5) 光源の管面の一部に反射板を一体的に形成しC
なる特許請求の範囲第1項記載の熱処理装置。 - (6)光源の管面の一部にコーティング処理をすること
によって反射板を形成してなる特許請求の範囲第4項記
載の熱処理装置。 - (7) 被熱処理体と光源及び反射板との間の距離を調
整する調整手段を設けてなる特許請求の範囲第1項記載
の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59030934A JPS60175431A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59030934A JPS60175431A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175431A true JPS60175431A (ja) | 1985-09-09 |
Family
ID=12317503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59030934A Pending JPS60175431A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175431A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117097A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Toyota Motor Corp | 輻射加熱装置の均熱性調整構造 |
| JP2009164379A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JP2010010410A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Ulvac Japan Ltd | 熱処理装置 |
| JP2010010409A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Ulvac Japan Ltd | 熱処理装置 |
| WO2015005207A1 (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | 日本碍子株式会社 | 乾燥炉 |
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1984
- 1984-02-20 JP JP59030934A patent/JPS60175431A/ja active Pending
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