JPS60180103A - 金属酸化物磁性体及び磁性膜 - Google Patents
金属酸化物磁性体及び磁性膜Info
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- JPS60180103A JPS60180103A JP3536284A JP3536284A JPS60180103A JP S60180103 A JPS60180103 A JP S60180103A JP 3536284 A JP3536284 A JP 3536284A JP 3536284 A JP3536284 A JP 3536284A JP S60180103 A JPS60180103 A JP S60180103A
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- metal oxide
- film
- magneto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
致米分団
本発明は新規な金属酸化物磁性体及びそれよりなる磁性
膜に関する。
膜に関する。
蕨】０１権
近年、半導体レーザー光により磁気記録を行なう光磁気
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、例
えばＴｂ−Ｆｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の方
法で厚さ０．１〜１μｍ程度に付着させて磁性膜を形成
している。こうして得られる光磁気記録媒体への記録、
再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は磁性膜の
キュリ一温度又は補償温度近傍における温度変化に対応
した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信号で変調
されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の向きを
反転させることにより行なわれる。また再生はこうして
反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読
出すことにより行なわれる。前述のような非晶質合金磁
性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高ｊいため、
半導体レーザー光によって高速度（周波数Ｌ Ｍ Ｈｚ
において）で記録できるという利点はあるが、非晶質合
金磁性体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受け易いの
で、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという
大きな欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性膜
上にＳｉｎ、５ｉｎ２等の保護膜を設ける（形成法は磁
性膜の場合と同様、真空蒸着、スパッタリング等による
）ことも知られているが、磁性膜或いは保護膜の形成時
、真空中に残存する。２、基板面に吸着された０２．Ｈ
，Ｏ等及び合金磁性体のターゲット中に含まれる０２，
８２０等により経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、
記録時の光及び熱により更にこの酸化腐食は促進される
。また非結晶質磁性体は熱によって結晶化され易く、そ
のために磁気特性の劣化を来たし易いという欠点を有す
る。更に再生出力を向上するための再生方式として磁性
膜をできるだけ厚くし、その上にＣｕ、ＡＱ、Ｐｔ、Ａ
ｕ。
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、例
えばＴｂ−Ｆｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の方
法で厚さ０．１〜１μｍ程度に付着させて磁性膜を形成
している。こうして得られる光磁気記録媒体への記録、
再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は磁性膜の
キュリ一温度又は補償温度近傍における温度変化に対応
した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信号で変調
されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の向きを
反転させることにより行なわれる。また再生はこうして
反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読
出すことにより行なわれる。前述のような非晶質合金磁
性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高ｊいため、
半導体レーザー光によって高速度（周波数Ｌ Ｍ Ｈｚ
において）で記録できるという利点はあるが、非晶質合
金磁性体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受け易いの
で、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという
大きな欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性膜
上にＳｉｎ、５ｉｎ２等の保護膜を設ける（形成法は磁
性膜の場合と同様、真空蒸着、スパッタリング等による
）ことも知られているが、磁性膜或いは保護膜の形成時
、真空中に残存する。２、基板面に吸着された０２．Ｈ
，Ｏ等及び合金磁性体のターゲット中に含まれる０２，
８２０等により経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、
記録時の光及び熱により更にこの酸化腐食は促進される
。また非結晶質磁性体は熱によって結晶化され易く、そ
のために磁気特性の劣化を来たし易いという欠点を有す
る。更に再生出力を向上するための再生方式として磁性
膜をできるだけ厚くし、その上にＣｕ、ＡＱ、Ｐｔ、Ａ
ｕ。
Ａｇ等の反射膜を設け、レーザー光を磁性膜に照射透過
させた後、反射膜で反射させ、この反射光を検出する反
射型ファラデ一方式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという
点で有利であるが、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠け
るため、この方式に用いることができないものであった
。
させた後、反射膜で反射させ、この反射光を検出する反
射型ファラデ一方式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという
点で有利であるが、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠け
るため、この方式に用いることができないものであった
。
■−−剪
本発明の目的は記録感度が高く、しかも耐酸化腐食性及
び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属酸化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体
よりなる磁性膜を提供することである。
び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属酸化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体
よりなる磁性膜を提供することである。
１−一部
本発明の金属酸化物磁性体は一般式（１）％式％）
夫々ＭＬ９Ｍ１のイオン価数を示す。）で示されるもの
であり、また磁性膜は前記一般式の金属酸化物磁性体よ
りなるものである。
であり、また磁性膜は前記一般式の金属酸化物磁性体よ
りなるものである。
・ −３−
光磁気記録媒体に用いられる磁性体又は磁性膜には半導
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
Ｔｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持する
ために保磁力Ｈｃが適度に高いことが必要である。一般
にこのＴｃ及びＨｅの適正範囲はＴｃについては１００
〜３５０℃、 Ｈｅについては３００〜３０００エルス
テツドと考えられる。これはＴｃが１．００°Ｃ以下で
は記録したメモリーが再生時のレーザー光によって不安
定になって再生特性の劣化原因となり、 また、３５０
℃以上では半導体レーザー光による記録が困難であり、
一方、Ｈｅが３００エルステツド以下ではメモリーが不
安定となって消失する可能性があり、また３０００工ル
ステツド以上では記録時の磁化反転に必要なレーザー出
力や外部磁界が大きくなり、好ましくないからである。
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
Ｔｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持する
ために保磁力Ｈｃが適度に高いことが必要である。一般
にこのＴｃ及びＨｅの適正範囲はＴｃについては１００
〜３５０℃、 Ｈｅについては３００〜３０００エルス
テツドと考えられる。これはＴｃが１．００°Ｃ以下で
は記録したメモリーが再生時のレーザー光によって不安
定になって再生特性の劣化原因となり、 また、３５０
℃以上では半導体レーザー光による記録が困難であり、
一方、Ｈｅが３００エルステツド以下ではメモリーが不
安定となって消失する可能性があり、また３０００工ル
ステツド以上では記録時の磁化反転に必要なレーザー出
力や外部磁界が大きくなり、好ましくないからである。
一方、従来より磁気バブル材料として六方晶４−
系及びスピネル形の金属酸化物磁性体が研究されている
。このうち六方晶系のものでは例えば一般式（２） ％式％：１ （但しＭｅ、Ａは一般式（１）に同じ）で示されるもの
が知られている。本発明者らはこの種の磁性体がそれ自
体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れがなく、 しか
も膜厚ｌＯμｍとしても透光性を備えていることに注目
した。しかしこれらはキュリ一温度Ｔｃが４５０℃以上
と高いため、前述のように半導体レーザー光による記録
は困難であり、そのままでは光磁気記録媒体用材料とし
て適用できない。そこで本発明者らは種々検討したとこ
ろ、一般式（２）の中のＦｅ原子の一部をＧａ、Ａ Ｑ
、Ｍｎ、Ｔａ、Ｇａで置換するといずれもＴｃが低下
することを見出した。このうちＧａ、ＡＱ、Ｍｎ″Ｃ−
置換した場合はＴｃの低下はそれほど大きくないが、Ｈ
ｅは増大する。Ｔａ。
。このうち六方晶系のものでは例えば一般式（２） ％式％：１ （但しＭｅ、Ａは一般式（１）に同じ）で示されるもの
が知られている。本発明者らはこの種の磁性体がそれ自
体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れがなく、 しか
も膜厚ｌＯμｍとしても透光性を備えていることに注目
した。しかしこれらはキュリ一温度Ｔｃが４５０℃以上
と高いため、前述のように半導体レーザー光による記録
は困難であり、そのままでは光磁気記録媒体用材料とし
て適用できない。そこで本発明者らは種々検討したとこ
ろ、一般式（２）の中のＦｅ原子の一部をＧａ、Ａ Ｑ
、Ｍｎ、Ｔａ、Ｇａで置換するといずれもＴｃが低下
することを見出した。このうちＧａ、ＡＱ、Ｍｎ″Ｃ−
置換した場合はＴｃの低下はそれほど大きくないが、Ｈ
ｅは増大する。Ｔａ。
Ｇｅで置換した場合はＴｃの低下は著しく大きいが、Ｈ
ｃも著しく低下しメモリーには適さない。
ｃも著しく低下しメモリーには適さない。
こうしたことから、本発明は、特にキュリ一温度が高い
ため、光磁気記録媒体用材料として顧みられなかった一
般式（２）の金属酸化物中のＦｅ原子の一部をＧａ、
Ａｆｌ 、 Ｍｎのうちの一つとＴａ、Ｇｅのうちの一
つとで置換することによって、メモリーに要求される適
度に高い保磁力を維持しながら、キュリ一温度を低下せ
しめて半導体レーザー光による記録、再生を可能にし、
光磁気記録媒体用材料として適用できるようにした。な
お、置換原子量が多いと磁性膜作製時の基板温度が上昇
するため、一般式（２）においてｎ（２−ムＸ−ムｙ）
≦５であることが望ましい。
ため、光磁気記録媒体用材料として顧みられなかった一
般式（２）の金属酸化物中のＦｅ原子の一部をＧａ、
Ａｆｌ 、 Ｍｎのうちの一つとＴａ、Ｇｅのうちの一
つとで置換することによって、メモリーに要求される適
度に高い保磁力を維持しながら、キュリ一温度を低下せ
しめて半導体レーザー光による記録、再生を可能にし、
光磁気記録媒体用材料として適用できるようにした。な
お、置換原子量が多いと磁性膜作製時の基板温度が上昇
するため、一般式（２）においてｎ（２−ムＸ−ムｙ）
≦５であることが望ましい。
本発明の金属酸化物磁性体を作るには、Ｂ ａ ＣＯ３
，Ｓ ｒ ＣＯ９又はＰｂＣ０，とＦｅ２Ｃｏ３゜更に
Ｇａ２Ｏ３，ＡＱ、０３．Ｍｎ２０．のいずれか一つと
ＴａＯ２又はＧｅＯ２を混合粉砕し、これを１０００〜
１１００℃にて可焼する。次にこれを粉砕し適当な形状
の金型に入れプレス成型後１２００〜１４００℃にて焼
結して金属酸化物磁性体を得る。
，Ｓ ｒ ＣＯ９又はＰｂＣ０，とＦｅ２Ｃｏ３゜更に
Ｇａ２Ｏ３，ＡＱ、０３．Ｍｎ２０．のいずれか一つと
ＴａＯ２又はＧｅＯ２を混合粉砕し、これを１０００〜
１１００℃にて可焼する。次にこれを粉砕し適当な形状
の金型に入れプレス成型後１２００〜１４００℃にて焼
結して金属酸化物磁性体を得る。
以上のようにして得られる本発明の金属酸化物磁性体の
具体例は次の通りである。
具体例は次の通りである。
Ｂ ａ Ｏ・６ （Ｇ ａ、、、Ｇ ｅａＪ、Ｆ ｅ
、４２ ０ ｓ ）Ｂ ａ ０ ・６ ［Ｇ Ｃ７，ｓ
Ｇ ８．、／ Ｆ ｅ、、、Ｏ，ｌ］Ｂａ０・６ ［
Ｇａ、、ｚ Ｇｅ、、、ＦＢ＜ｔｙ Ｏｓ ］Ｂａ０・
６ （Ｇａ、、、Ｇｅ、、Ｆ Ｆｅ、、、Ｏｓ ）Ｂ
ａ Ｏ’ ６ ［Ｇ ａ、、？ Ｇ ｅ、、／ Ｆｅ７
ＪＪ ○３］Ｂａ０・６ ［Ｇａ、、、、Ｇｅ、、、、
Ｆｅ、／Ａ ０９）Ｂ ａ ０ ・６ （Ａ Ｑ、、ｓ
Ｇ ｅｉ＋、Ｊ／ Ｆ ｅｚＫＪ Ｏｓ ）Ｂ ａ
０ ・６ （Ａ ｕ、、Ｔ ａａ、ｕ Ｆ ｅ、ｓａ
Ｏｓ ）Ｂ ａｏ ・ｂ ＣＡＱｚ、ｙ Ｔａａｙａ
Ｆ ｅｔｖｙ Ｏｓ ）Ｐ ｂ ０ ・６ （Ｇ ａ、
３Ｇ ｅ、ａ／ Ｆ ｅｘｅ、ｒ ｏｓ ）Ｐｂ０・６
（Ａ（１，、、Ｔａ、、Ｆｅ、、、、０３ ）Ｐ ｂ
０ ・６ ［Ｍ ｎ、、Ｔ ”、、、１／ Ｆ ｅ、
、２０９〕ＢａＯ−５，５［Ｇａ、、 Ｔａ、、Ｃ７Ｆ
ｅ、ｙ ｏ、１）Ｂａ０・６ ［Ｇａ、ｖ Ｔａ、、Ｆ
ｅ、、、、Ｏａ ］Ｂａ０・６ ［Ｇａ Ｔａ Ｆｅ
Ｏ３］／ｖ、＋λツノ、！２ Ｂａ０・６ （Ｇａ Ｔａ Ｆｅ Ｏ，）７Ｊ Ｌ／Ｊ
／ぐＶ Ｂａｏ・６ ［Ｇａ Ｔａ Ｆｅ Ｏ，）Ｉ／λ １ｌ
ｖ −’／ − Ｂａ０・６ ＣＧａ Ｔａ Ｆｅ、１．．０８］ＢａＯ
−６（Ｍｎ、Ｆ Ｔａ、、ＦｅＡ、、０３３Ｂａ０・６
［Ｍｎ７．） Ｑｅ、１＋ Ｆｅ、２ ｏ、］Ｓ ｒ
ｏ ・６ ＣＡＱ、、Ｔａ、、、Ｆｅ、、、、Ｏ，）Ｓ
ｒｏ ・６ （Ｇ ａ、、、Ｔａ、、７ Ｆ Ｃ７，
ｌｘ Ｏｎ ）Ｓ ｒｏ ・６ （Ｍｎ、、Ｔａ、２．
Ｆ ｅ、、、、Ｏｓ ）Ｂ ａ ０ ・５−８ （Ｇ
ａ−、ｔＴ ａ ｐ、、ｚ Ｆ ｅ 、、、Ｏｓ ）
Ｓｒ０・５．８（ＡＱ、ｖ Ｔａ、、、Ｆｅｚ、ｊＪ
ｏ、）Ｐ ｂ ０ ・５．５ （Ｍ ｎ、、Ｔ ａ、、
、Ｆ ｅ、、ｊＪ”）上記金属酸化物磁性体のファラデ
ー回転角を更に増大して磁気光学特性を改善するために
Ｃｏ ｇ Ｂ ｉ ＨＶ ｒ Ｌ ａ ＨＹ ＨＹ ｂ
ｇ Ｓ ｍ ＨＴ ｂ ＨＤｙ、Ｇｄ等の金属を添加
することができる。
、４２ ０ ｓ ）Ｂ ａ ０ ・６ ［Ｇ Ｃ７，ｓ
Ｇ ８．、／ Ｆ ｅ、、、Ｏ，ｌ］Ｂａ０・６ ［
Ｇａ、、ｚ Ｇｅ、、、ＦＢ＜ｔｙ Ｏｓ ］Ｂａ０・
６ （Ｇａ、、、Ｇｅ、、Ｆ Ｆｅ、、、Ｏｓ ）Ｂ
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Ｇ ｅｉ＋、Ｊ／ Ｆ ｅｚＫＪ Ｏｓ ）Ｂ ａ
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３Ｇ ｅ、ａ／ Ｆ ｅｘｅ、ｒ ｏｓ ）Ｐｂ０・６
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［Ｍｎ７．） Ｑｅ、１＋ Ｆｅ、２ ｏ、］Ｓ ｒ
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ｒｏ ・６ （Ｇ ａ、、、Ｔａ、、７ Ｆ Ｃ７，
ｌｘ Ｏｎ ）Ｓ ｒｏ ・６ （Ｍｎ、、Ｔａ、２．
Ｆ ｅ、、、、Ｏｓ ）Ｂ ａ ０ ・５−８ （Ｇ
ａ−、ｔＴ ａ ｐ、、ｚ Ｆ ｅ 、、、Ｏｓ ）
Ｓｒ０・５．８（ＡＱ、ｖ Ｔａ、、、Ｆｅｚ、ｊＪ
ｏ、）Ｐ ｂ ０ ・５．５ （Ｍ ｎ、、Ｔ ａ、、
、Ｆ ｅ、、ｊＪ”）上記金属酸化物磁性体のファラデ
ー回転角を更に増大して磁気光学特性を改善するために
Ｃｏ ｇ Ｂ ｉ ＨＶ ｒ Ｌ ａ ＨＹ ＨＹ ｂ
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することができる。
本発明の金属酸化物磁性体を用いて磁性膜を作るには、
基板の種類にもよるが、一般に基板上にこの磁性体をタ
ーゲットとして基板温度５００〜７００℃で真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で膜厚
０．１〜ｌＯμｍ程度に付着させればよい。こうして第
５図に示すように基板１上に、垂直磁化された磁性膜２
を８− 有する光磁気記録媒体が得られる。なお場合によっては
磁性膜の形成は基板温度５００℃未満で行なうこともで
きる。但しこの場合は磁性膜形成後、これに５００〜８
００℃の熱処理を、場合により磁界を印加しながら、行
なって垂直磁化させる必要がある。ここで基板の材料と
しては一般にアルミニウムのような耐熱性金属；石英ガ
ラス； ＧＧＧ ；サファイヤ；リチウムタンタレート
；結晶化透明ガラス；パイレックスガラス；バイコール
ガラス；表面を酸化処理し又は処理しない単結晶シリコ
ン；ＡＱ２０．。
基板の種類にもよるが、一般に基板上にこの磁性体をタ
ーゲットとして基板温度５００〜７００℃で真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で膜厚
０．１〜ｌＯμｍ程度に付着させればよい。こうして第
５図に示すように基板１上に、垂直磁化された磁性膜２
を８− 有する光磁気記録媒体が得られる。なお場合によっては
磁性膜の形成は基板温度５００℃未満で行なうこともで
きる。但しこの場合は磁性膜形成後、これに５００〜８
００℃の熱処理を、場合により磁界を印加しながら、行
なって垂直磁化させる必要がある。ここで基板の材料と
しては一般にアルミニウムのような耐熱性金属；石英ガ
ラス； ＧＧＧ ；サファイヤ；リチウムタンタレート
；結晶化透明ガラス；パイレックスガラス；バイコール
ガラス；表面を酸化処理し又は処理しない単結晶シリコ
ン；ＡＱ２０．。
ＡＱ２０３・ＭｇＯ，Ｍｇ０−Ｌ ｉ Ｆ、Ｙ２Ｏ５・
ＬｉＦ、Ｂｅｄ、Ｚｒ０２−Ｙ２Ｏ３，Ｔｈｅ２・Ｃａ
Ｏ等の透明セラミック材；無機シリコン材（例えば東芝
シリコン社製トスガード、住人化学社製スミセラムＰ）
等の無機材料が使用できる。
ＬｉＦ、Ｂｅｄ、Ｚｒ０２−Ｙ２Ｏ３，Ｔｈｅ２・Ｃａ
Ｏ等の透明セラミック材；無機シリコン材（例えば東芝
シリコン社製トスガード、住人化学社製スミセラムＰ）
等の無機材料が使用できる。
本発明の磁性膜は第１図のような単層型光磁気記録媒体
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第２〜５図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ド１〜ラック付き基板、３は反射膜、４は透明誘電層、
５はガイドトラック層、６は保護膜、７は透明接着層、
８は耐熱層である。ここでガイドトラック付き基板１′
は前述のような有機材料を射出成型、押出成型、フｙＰ
トエッチング法等により加工して作られる。なお基板
のガイド１−ラックは記録、再生時のレーザー光を案内
するものである。反射膜３はＣｕ 、 Ａ Ｑ 、 Ａ
ｇ 、 Ａ ｕ 。
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第２〜５図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ド１〜ラック付き基板、３は反射膜、４は透明誘電層、
５はガイドトラック層、６は保護膜、７は透明接着層、
８は耐熱層である。ここでガイドトラック付き基板１′
は前述のような有機材料を射出成型、押出成型、フｙＰ
トエッチング法等により加工して作られる。なお基板
のガイド１−ラックは記録、再生時のレーザー光を案内
するものである。反射膜３はＣｕ 、 Ａ Ｑ 、 Ａ
ｇ 、 Ａ ｕ 。
Ｐ ｔ 、 ’ｒｅ Ｏｘ 、 Ｔ ｅ Ｃ、Ｓ ｅ
Ａ ｓ 、 Ｔ ｅ Ａ ｓ 。
Ａ ｓ 、 Ｔ ｅ Ａ ｓ 。
ＴｉＮ、ＴａＮ、ＣｒＮ、シアニン染料、フタロシアニ
ン染料等を真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーテ
ィング等の方法で対象面に膜厚５００〜１００００人程
度に付着させることにより形成される。なおこの反射膜
は、磁性膜を透過したレーザー光を反射し、再び磁性膜
を透過することによるファラデー効果を増大させる目的
で設けられる。透明誘電層４はＳ ｔｏ２．Ｓ ｔｏ。
ン染料等を真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーテ
ィング等の方法で対象面に膜厚５００〜１００００人程
度に付着させることにより形成される。なおこの反射膜
は、磁性膜を透過したレーザー光を反射し、再び磁性膜
を透過することによるファラデー効果を増大させる目的
で設けられる。透明誘電層４はＳ ｔｏ２．Ｓ ｔｏ。
Ｔｉｅ２．Ｔｉｅ、ＣａＣ２１ＨｆＯ，、Ｂｅｄ。
Ｔｈｅ２．Ｓ ｉ３Ｎ４等を前記と同様な方法で対象面
に膜厚約０．０５〜０．５μｍ程度に４１着させること
により形成される。なおこの透明誘電層はファラデー回
転角を増大させて再生出力を向上する目的で設けられる
。ガイドトラック層５は対象面に紫外線硬化性樹脂を塗
布した後、ガイド溝を有する金型を圧着しながら、紫外
線を照射して前記樹脂を硬化させることにより形成され
る。保護膜６はアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリア
ミド樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ、Ｓ ｉ３Ｎ４．Ｔａ
Ｎ、Ｓ ｔｏ２．Ｓ ｉ。
に膜厚約０．０５〜０．５μｍ程度に４１着させること
により形成される。なおこの透明誘電層はファラデー回
転角を増大させて再生出力を向上する目的で設けられる
。ガイドトラック層５は対象面に紫外線硬化性樹脂を塗
布した後、ガイド溝を有する金型を圧着しながら、紫外
線を照射して前記樹脂を硬化させることにより形成され
る。保護膜６はアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリア
ミド樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ、Ｓ ｉ３Ｎ４．Ｔａ
Ｎ、Ｓ ｔｏ２．Ｓ ｉ。
等を樹脂の場合は塗布法で、その他の場合は真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で対象
面に膜厚約０．１〜１０μｍ程度に付着させることによ
り形成される。なおこの保護膜は反射膜３を保護する目
的で設けられる。
スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で対象
面に膜厚約０．１〜１０μｍ程度に付着させることによ
り形成される。なおこの保護膜は反射膜３を保護する目
的で設けられる。
透明接着層７は、反射膜３を設けたガイド１−ラック付
き基板１′の反射膜と磁性膜２を設けた耐熱層８（この
層は前記無機材料よりなるので、−１１− 「磁性膜を設けた耐熱層Ｊとは前記単層型光磁気記録材
料のことである。）の磁性膜とをエポキシ樹脂、ポリウ
レタン、ポリアミド等の樹脂で約２〜１００μｍ厚程度
に接着することにより形成される。即ちこの透明接着層
は単に基板ビ上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の磁
性膜２とを接合するための層である。なお耐熱層８は前
述のような無機材料よりなるので、基、板１に相当する
が、ここでは磁性膜２の耐熱性向上の目的で設けられる
。厚さは約１０〜５００μｍ程度が適当である。
き基板１′の反射膜と磁性膜２を設けた耐熱層８（この
層は前記無機材料よりなるので、−１１− 「磁性膜を設けた耐熱層Ｊとは前記単層型光磁気記録材
料のことである。）の磁性膜とをエポキシ樹脂、ポリウ
レタン、ポリアミド等の樹脂で約２〜１００μｍ厚程度
に接着することにより形成される。即ちこの透明接着層
は単に基板ビ上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の磁
性膜２とを接合するための層である。なお耐熱層８は前
述のような無機材料よりなるので、基、板１に相当する
が、ここでは磁性膜２の耐熱性向上の目的で設けられる
。厚さは約１０〜５００μｍ程度が適当である。
本発明の磁性膜を用いた以上のような光磁気記録媒体へ
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
効 果
本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は光磁気記録媒体
用材料として適正なＴｃ及びＨｃを有し、記録感度が高
いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食性及び
透明性を備えてい１２− るので、磁気光学特性の経時劣化がなく、且つ再生時に
透過光も利用でき、このため再生出力の高いファラデー
回転角を利用して再生することができる。
用材料として適正なＴｃ及びＨｃを有し、記録感度が高
いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食性及び
透明性を備えてい１２− るので、磁気光学特性の経時劣化がなく、且つ再生時に
透過光も利用でき、このため再生出力の高いファラデー
回転角を利用して再生することができる。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１〜２６
あらかじめ蒸着によってＡｇを膜厚５００人及びこの上
にスパッタリングによって５ｊＯ２を膜厚１０００人被
着６た石英基板上に対し、下記表に示した組成のターゲ
ットを各々、Ａｒ分圧２．０ｍｍＴｏｒｒ、０２分圧０
．３ｍｍＴ ｏ ｒ ｒ、放電々力０；３ＫＷ、基板温
度５５０〜７００℃の条件で２時間スパッタリングして
０．３μｍ厚の磁性膜を形成した。これら磁性膜のキュ
リ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｅを測定した結果を下表に示
す。
にスパッタリングによって５ｊＯ２を膜厚１０００人被
着６た石英基板上に対し、下記表に示した組成のターゲ
ットを各々、Ａｒ分圧２．０ｍｍＴｏｒｒ、０２分圧０
．３ｍｍＴ ｏ ｒ ｒ、放電々力０；３ＫＷ、基板温
度５５０〜７００℃の条件で２時間スパッタリングして
０．３μｍ厚の磁性膜を形成した。これら磁性膜のキュ
リ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｅを測定した結果を下表に示
す。
（以下余白）
次に以上のようにして得られた各光磁気記録媒体を一方
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の５００エルステ
ツドの磁界を印加しながら、出力２０ＩｎｌｌＩの半導
体レーザー光を記録媒体表面での強度１０ｍＷ及び周波
数ＩＭＨｚのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録し
たところ、いずれも微小ビットが形成された。
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の５００エルステ
ツドの磁界を印加しながら、出力２０ＩｎｌｌＩの半導
体レーザー光を記録媒体表面での強度１０ｍＷ及び周波
数ＩＭＨｚのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録し
たところ、いずれも微小ビットが形成された。
第１〜５図は夫々本発明の磁性体又は磁性膜を用いた光
磁気記録媒体の一例の構成図である。 ｌ・・・基 板 １′・・・ガイドトラックイ」き基板 ２・・・磁性膜 ３・・・反射膜 ４ 透明誘電層 ５・・カイトトラック層６・保 護
膜 ７・・透明接着層 ８・・耐熱層 第［１喜■ 第３図 ｍ５５１図 ４）２１：３１ 第４図
磁気記録媒体の一例の構成図である。 ｌ・・・基 板 １′・・・ガイドトラックイ」き基板 ２・・・磁性膜 ３・・・反射膜 ４ 透明誘電層 ５・・カイトトラック層６・保 護
膜 ７・・透明接着層 ８・・耐熱層 第［１喜■ 第３図 ｍ５５１図 ４）２１：３１ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 ％式％］ 夫々Ｍ工９Ｍ□のイオン価数を示す。）で示される金属
酸化物磁性体。 ２、一般式 ％式％］ 夫々Ｍ□＋ Ｍｌのイオン価数を示す。）で示される金
属酸化物磁性体よりなる磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3536284A JPS60180103A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3536284A JPS60180103A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180103A true JPS60180103A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12439776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3536284A Pending JPS60180103A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180103A (ja) |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP3536284A patent/JPS60180103A/ja active Pending
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