JPS60180274A - イメ−ジセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はイメージ入力装置に用いられるイメージセンサ
、特に密着読み取りに好適な完全密着形のイメージセン
サに関するものである。

〔発明の背景〕

イメージ入力装置に用いられるイメージセンサは、文書
および画像などのイメージ情報を電気信号に変換するも
のであり、特に原稿面上の画像を読み取るため、密着形
イメージセンサが開発されている。

この密着形イメージセンサには、ロッドレンズアレイを
使用して光学系を構成するものおよび完全密着元系用の
ものがある。後者の完全密着形のイメージセンサ１は第
１図に示すように、ガラス製基板４と、この基板４上に
設けられ、フォトセンサ部６およびフォトセンサ部６に
近接して設けた透光窓７を有する遮光体５と、この遮光
体５と前記基板４に密着する原稿面との間に設けられた
透明保護層８とにより構成されている。

上記の従来例では、イメージセンサ１の基板４に原稿面
２を完全に密着させ、基板４の背面（下方）からの照明
光３が基板４の下部、導光窓７および透明保護層８を通
過して原稿面２に照明される。この照明光３は原稿面２
で反射し、この反斜光３Ａはフォトセンサ部６で受光さ
れて電気信号に変換する。この際、遮光体５は、原稿面
２への照明光３が導光窓７を通過するのを限定する役目
をする。

従来の完全密着形のイメージセンサでは、上記のように
原稿面２からの反射光（光学情報）３Ａを電気信号へ変
換しているが、そのセンサの外部からの静電界などの影
響を受け易いため、センサとしての信号対雑音比は低い
欠点があった。

また、前記遮光体は一般にセンサ電極パターンであるが
、これはセンサ面全体を覆うことができないため、照明
光の洩れ込みを完全に封することは不可能であるので、
センサとしての信号対雑音比は低い欠点があった。

（発明の目的） 本発明は上記にかんがみ、外部静電界からのノイズを受
けにくくすると共に、迷光の洩れ込みを抑制し、センサ
としての信号対雑音比を増大させることを目的とするも
のである。

〔発明の概要〕

本発明は上記目的を達成するために、ガラス製基板と、
この基板上に設けられ、フォトセンサ部およびこのフォ
トセンサ部に近接して設けた導光窓を有する遮光体と、
この遮光体と前記基板に密着する原稿面との間に介設さ
れた透明保護層とからなるイメージセンサにおいて、前
記基板の背面に透光導電膜を形成し、この遮光導電膜の
電位を適宜手段を介して、前記フォトセンサ部の基準電
位と同一に保つようにしたことを特徴とするものである
。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面（第２図〜第６図）につい
て説明する。第２図ないし第６図は各実施例の構成図で
、各図中の符号のうち、第１図に示す符号と同一のもの
は同一または該当する部分を示すものとする。

第２図において、９はガラス製基板４の背面（図は下端
面）に形成した透光導電膜で、照明光３を透過させるの
に充分な透明度を有し、かつ充分に高い導電性を有する
膜である。また、この透光導電膜９は、適宜手段により
フ第１〜センサ部６のアース電位に接続され、フォトセ
ンサ部６に対する静電遮へい膜としての機能を有する。

その他の構造は、第１図に示す従来例と同一であるから
説明を省略する。

上記のような構成からなる第１実施例では、原稿面２に
密着するイメージセンサ１の背面、すなわち基板４の下
方からの照明光３は、透光導電膜９、基板４．導光窓７
および透明保護層８を通過して原稿面２を照明する。こ
の原稿面２における反射光３Ａは、フォトセンサ部６に
受光されて電気信号に変換される。

上述の第１実施例によれば、透光導電膜９の静電遮へい
効果により、イメージセンサ１の下方外部からの電界に
よる影響を受け難くすることができる。

第３図に示す第２実施例は、イメージセンサ１の基板４
の下端部の両側を保持具１０により保持するようにした
点が、第２図に示す第１実施例と異な゛す、その他の構
造は同一であるから説明を省略する。前記保持具１０は
フォトセンサ部６のアース電位に接続されているので、
透光導電膜９の電位をフォトセンサ部６の基準電位と同
一にすることができる。

上記第２実施例によれば、保持具ｌＯによりイメージセ
ンサ１の機械的保持と、透光導電膜９の電気的接続との
二つ役目をさせることができるから、構造を簡単化する
ことが可能である。

第４図に示す第３実施例は、イメージセンサＩの基板４
の下端面に、第１実施例（第２図）の透光導電膜９の代
りに、透光窓１２を有する遮光導電膜１１を形成した点
が第１実施例と異なり、その他の構成は同一であるから
説明を省略する。このように構成した第３実施例によれ
ば、第１実施例と同様な作用および効果をうろことが可
能である。

第５図に示す第４実施例は、」ユ記第３実施例（第４図
）の遮光導電膜１１に設けた透光窓１２に、この透光窓
１２を覆う透光導’Ｆｌ！［１８を装着するようにした
点が第３実施例と異なり、その他の構成は第３実施例と
同一であるから説明を省略する。

このように構成すれば、イメージセンサｌの背面を完全
に同電位に保ち、かつ照明光３をさえぎることなく原稿
面２を照射することができる。したがって、）第１−セ
ンサ部６に対する静電遮へい効果をより完全にすること
ができるため、信号に対する雑音比を増大させる効果が
ある。

第６図に示す第５実施例は、第３実施例（第４図）のイ
メージセンサ１の基板４の下端部面側を保持具１０によ
り保持すると共に、この保持具１０をフォトセンサ部６
のアース電位（基準電位）に接続するようにした点が第
３実施例と異なり、その他の構造は第３実施例と同様で
あるから説明を省略する。

このように構成すれば、保持具１０にイメージセンサ１
の機械的保持と、遮光導電膜１１の電気的接続の二つの
役目をさせることができるから、構造を簡単化すること
が可能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、イメージセンサの
外部電界からのノイズの影響を受けにくくし、かつ迷光
の洩れ込みを抑制することができるので、イメージセン
サとしての信号に対する雑音比を増大させる効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の完全密着形のイメージセンサの構成図、
第２図ないし第６図は本発明に係わる完全密着形のイメ
ージセンサの各実施例を示す構成図である。 １・・・イメージセンサ、２・・・原稿面、４・・・基
板、５・・・遮光体、６・・・フォトセンサ部、７，１
２・・・導光窓、８・・・透明保護層、９，１３・・・
透光導電膜、１０・・・保持具、１１・・・遮光導電膜
。 冨１図 ■　３　図 菓　４　図 ■５図 第　乙　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ガラス製基板と、この基板上に設けられ、フォトセ
   ンサ部およびこのフォトセンサ部に近接して設けた導光
   窓を有する遮光体と、この遮光体と前記基板に密着する
   原稿面との間に介設された透明保護層とからなるイメー
   ジセンサにおいて、前記基板の背面に透光導電膜を形成
   し、この透光導電膜の電位を適宜手段を介して、前記フ
   ォトセンサ部の基準電位と同一に保つようにしたことを
   特徴とするイメージセンサ。 ２、上記適宜手段としては、フォトセンサのアース電位
   に接続され、かつイメージセンサを保持する保持具を用
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメ
   ージセンサ。 ３、上記透光導電膜の代りに遮光導電膜を設け、遮光体
   の導光窓に対応する前記遮光導電膜の位置に導光窓を設
   けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
   項記載のイメージセンサ。 ４、上記遮光導電膜の導光窓に透光導電膜を設けたこと
   を特徴とする特許請求の範囲第３項記載のイメージセン
   サ。