JPS622467B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS622467B2 JPS622467B2 JP56006311A JP631181A JPS622467B2 JP S622467 B2 JPS622467 B2 JP S622467B2 JP 56006311 A JP56006311 A JP 56006311A JP 631181 A JP631181 A JP 631181A JP S622467 B2 JPS622467 B2 JP S622467B2
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- photoconductor
- sensor element
- transparent
- optical reading
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電形光学読取センサにおいて、
光学系を簡易化することができ、またセンサ部と
原稿間スペースを小さくすることを可能にするセ
ンサ素子に関するものである。
光学系を簡易化することができ、またセンサ部と
原稿間スペースを小さくすることを可能にするセ
ンサ素子に関するものである。
従来の光導電形光学読取センサ素子を第１図に
示す。第１図においてａは平面形センサ素子、ｂ
はサンドイツチ形センサ素子であり、ａでは、１
−１は光導電体部、１−２，１−３は電極、１−
４は基板の如く、またｂでは１−５は光導電体
部、１−６は上部透明電極、１−７は下部電極、
１−８は基板の如く構成され、矢印Ｙは光の照射
を示す。
示す。第１図においてａは平面形センサ素子、ｂ
はサンドイツチ形センサ素子であり、ａでは、１
−１は光導電体部、１−２，１−３は電極、１−
４は基板の如く、またｂでは１−５は光導電体
部、１−６は上部透明電極、１−７は下部電極、
１−８は基板の如く構成され、矢印Ｙは光の照射
を示す。
第１図の構成で、光Ｙによつて照射された光導
電体部は照射されない部分に比べ導電率が極端に
大きくなり、照射された光導電体部が両電極に達
すれば両電極において光を検出することができ
る。
電体部は照射されない部分に比べ導電率が極端に
大きくなり、照射された光導電体部が両電極に達
すれば両電極において光を検出することができ
る。
次に上述の光導電形光学読取センサ素子を用い
た光電変換系の構成を第２図に示す。第２図にお
いて、２−１はセンサ素子、２−２はLED、２
−３は集束性光フアイバ、２−４は原稿を示し、
光源であるLEDの光は、読み取るべき原稿に照
射され、その反射光が集束フアイバにより集束さ
れて、破線で示した如くセンサ素子へ届く。
た光電変換系の構成を第２図に示す。第２図にお
いて、２−１はセンサ素子、２−２はLED、２
−３は集束性光フアイバ、２−４は原稿を示し、
光源であるLEDの光は、読み取るべき原稿に照
射され、その反射光が集束フアイバにより集束さ
れて、破線で示した如くセンサ素子へ届く。
以上説明したように、従来の光学読取センサで
は、センサ素子と読み取るべき原稿との間に光源
を配置しなければならず、密着形光学センサと言
えどもセンサ素子と原稿間にスペースの制限が生
じる。また、光源を配置するスペースがあり、原
稿で反射された光は、そのままでは分散して、セ
ンサ素子の光導電体部へ正確に照射することがで
きないので、集束フアイバを設ける必要がある。
は、センサ素子と読み取るべき原稿との間に光源
を配置しなければならず、密着形光学センサと言
えどもセンサ素子と原稿間にスペースの制限が生
じる。また、光源を配置するスペースがあり、原
稿で反射された光は、そのままでは分散して、セ
ンサ素子の光導電体部へ正確に照射することがで
きないので、集束フアイバを設ける必要がある。
すなわち、従来の密着形光学読取センサは、光
学系のスペースの制限および光学系の複雑さとい
う欠点があつた。
学系のスペースの制限および光学系の複雑さとい
う欠点があつた。
従つて本発明は従来の技術の上記欠点を改善す
るもので、その目的は密着形光学読取センサの光
学系を簡易化すると共に光学系のスペースを小さ
くすることにあり、その特徴は、 基板と、その上にもうけられる光導電体と、該
光導電体に結合する１対の電極とを有する光学読
取センサにおいて、前記基板が透明な板と、その
上に前記光導電体に対向してもうけられる遮光膜
とから構成され、前記電極が透明導電体膜で形成
されるごとき光学読取センサにある。
るもので、その目的は密着形光学読取センサの光
学系を簡易化すると共に光学系のスペースを小さ
くすることにあり、その特徴は、 基板と、その上にもうけられる光導電体と、該
光導電体に結合する１対の電極とを有する光学読
取センサにおいて、前記基板が透明な板と、その
上に前記光導電体に対向してもうけられる遮光膜
とから構成され、前記電極が透明導電体膜で形成
されるごとき光学読取センサにある。
例えば遮光膜はアルミニウムのごとき金属で構
成され、その上が透明絶縁膜でおゝわれる。又例
えば透明導電体膜はＳoO2で形成され、透明絶縁
膜はＳiO2で形成される。以下図面により実施例
を説明する。
成され、その上が透明絶縁膜でおゝわれる。又例
えば透明導電体膜はＳoO2で形成され、透明絶縁
膜はＳiO2で形成される。以下図面により実施例
を説明する。
第３図は本発明の第１の実施例であつて、３−
１は光導電体部、３−２と３−３は透明導電体の
電極、３−４は透明絶縁体膜、３−５は遮光部、
３−６は透明な基板の如く構成されている光学セ
ンサ素子である。
１は光導電体部、３−２と３−３は透明導電体の
電極、３−４は透明絶縁体膜、３−５は遮光部、
３−６は透明な基板の如く構成されている光学セ
ンサ素子である。
第４図は上述の光学センサ素子の動作方法を示
したものであつて、４−１は光導電体部、４−２
と４−３は透明電極、４−４は透明絶縁膜、４−
５は遮光部、４−６は透明な基板、４−７は読み
取るべき原稿、４−８は光源、X1，Y1は発光、
X2は反射光、ｌはセンサ素子〜原稿間距離を示
す。
したものであつて、４−１は光導電体部、４−２
と４−３は透明電極、４−４は透明絶縁膜、４−
５は遮光部、４−６は透明な基板、４−７は読み
取るべき原稿、４−８は光源、X1，Y1は発光、
X2は反射光、ｌはセンサ素子〜原稿間距離を示
す。
第４図においては光源から発した光X1は透明
基板、透明絶縁膜、透明電極を透過して原稿まで
達し、原稿によつて反射された光X2がセンサ素
子の光導電体部を露光し、露光された光導電体の
範囲が両電極に達したとき光学情報を得ることが
できる。次に光Y1は、遮光膜により透過でき
ず、光源からの光で直接光導電体部を露光するこ
とを妨げている。
基板、透明絶縁膜、透明電極を透過して原稿まで
達し、原稿によつて反射された光X2がセンサ素
子の光導電体部を露光し、露光された光導電体の
範囲が両電極に達したとき光学情報を得ることが
できる。次に光Y1は、遮光膜により透過でき
ず、光源からの光で直接光導電体部を露光するこ
とを妨げている。
以上説明したように、第１の実施例では、第４
図の如く光源をセンサ素子の裏側に配置できるの
で、原稿〜センサ素子間距離ｌを小さくすること
ができ、このため、原稿での反射光は効率よく光
導電体部を露光することができる様になり、従来
の密着センサで必要であつた集束性フアイバは用
いる必要がなくなる。
図の如く光源をセンサ素子の裏側に配置できるの
で、原稿〜センサ素子間距離ｌを小さくすること
ができ、このため、原稿での反射光は効率よく光
導電体部を露光することができる様になり、従来
の密着センサで必要であつた集束性フアイバは用
いる必要がなくなる。
このように第１の実施例によつて、光学系のス
ペースの縮少、および、光学系の簡易化を可能に
する利点がある。
ペースの縮少、および、光学系の簡易化を可能に
する利点がある。
第１の実施例は、平面形センサ素子として説明
したが、第５図に示す如くサンドイツチ形センサ
素子の構造においても第１の実施例と同様の効果
が生じる。第５図において、５−１は光導電体、
５−２は上部透明電極、５−３は下部不透明電
極、５−４は透明絶縁膜、５−５は遮光部、５−
６は透明な基板、５−７は読み取るべき原稿、矢
印Ｘは光源からの光を示す。動作原理は第１の実
施例と同様であり、光源からの光は直接光導電体
部を露光することなく、透明基板、透明絶縁膜、
上部透明電極を透過し原稿に照射し、その反射光
が光導電体部を露光することができる。
したが、第５図に示す如くサンドイツチ形センサ
素子の構造においても第１の実施例と同様の効果
が生じる。第５図において、５−１は光導電体、
５−２は上部透明電極、５−３は下部不透明電
極、５−４は透明絶縁膜、５−５は遮光部、５−
６は透明な基板、５−７は読み取るべき原稿、矢
印Ｘは光源からの光を示す。動作原理は第１の実
施例と同様であり、光源からの光は直接光導電体
部を露光することなく、透明基板、透明絶縁膜、
上部透明電極を透過し原稿に照射し、その反射光
が光導電体部を露光することができる。
本発明は、光学系スペースの縮少、光学系の簡
易化を可能にできる利点があるので、フアクシミ
リ、OCRなどの密着形光学読取センサの小形
化、簡易化に利用することができる。
易化を可能にできる利点があるので、フアクシミ
リ、OCRなどの密着形光学読取センサの小形
化、簡易化に利用することができる。
第１図は従来の光導電形センサ素子、第２図は
従来の光導電形センサ素子を用いた光電変換系、
第３図は本発明の第１の実施例の光導電形光学セ
ンサ素子、第４図は第１の実施例の動作方法を示
す図、第５図は本発明の第２の実施例の光導電形
光学センサ素子を示している。 ａ……平面形センサ素子、ｂ……サンドイツチ
形センサ素子、１−１……光導電体部、１−２，
１−３……電極、１−４……基板、１−５……光
導電体部、１−６……上部透明電極、１−７……
下部電極、１−８……基板、Ｙ……光の照射、２
−１……センサ素子、２−２……LED、２−３
……集束性フアイバ、２−４……原稿、３−１…
…光導電体部、３−２，３−３……透明電極、３
−４……透明絶縁膜、３−５……遮光部、３−６
……透明基板、４−１……光導電体部、４−２，
４−３……透明電極、４−４……透明絶縁膜、４
−５……遮光部、４−６……透明基板、４−７…
…原稿、４−８……発光源、X1，Y1……光源か
らの光、X2……原稿からの反射光、ｌ……セン
サ部と原稿との距離、５−１……光導電体部、５
−２……上部透明電極、５−３……下部不透明電
極、５−４……透明絶縁膜、５−５……遮光部、
５−６……透明基板、５−７……原稿、Ｘ……光
源からの光。
従来の光導電形センサ素子を用いた光電変換系、
第３図は本発明の第１の実施例の光導電形光学セ
ンサ素子、第４図は第１の実施例の動作方法を示
す図、第５図は本発明の第２の実施例の光導電形
光学センサ素子を示している。 ａ……平面形センサ素子、ｂ……サンドイツチ
形センサ素子、１−１……光導電体部、１−２，
１−３……電極、１−４……基板、１−５……光
導電体部、１−６……上部透明電極、１−７……
下部電極、１−８……基板、Ｙ……光の照射、２
−１……センサ素子、２−２……LED、２−３
……集束性フアイバ、２−４……原稿、３−１…
…光導電体部、３−２，３−３……透明電極、３
−４……透明絶縁膜、３−５……遮光部、３−６
……透明基板、４−１……光導電体部、４−２，
４−３……透明電極、４−４……透明絶縁膜、４
−５……遮光部、４−６……透明基板、４−７…
…原稿、４−８……発光源、X1，Y1……光源か
らの光、X2……原稿からの反射光、ｌ……セン
サ部と原稿との距離、５−１……光導電体部、５
−２……上部透明電極、５−３……下部不透明電
極、５−４……透明絶縁膜、５−５……遮光部、
５−６……透明基板、５−７……原稿、Ｘ……光
源からの光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、その上にもうけられる光導電体と、
該光導電体に結合する１対の電極とを有する光学
読取センサにおいて、前記基板が透明な板と、そ
の上に前記光導電体に対向してもうけられる遮光
膜とから構成され、前記電極が透明導電体膜で形
成されることを特徴とする光学読取センサ。 ２ 遮光膜が金属であり、その上が透明絶縁膜で
おおわれるごとき特許請求の範囲第１項の光学読
取センサ。 ３ 透明導電体膜がＳoO2で形成され、透明絶縁
膜がＳiO2で形成されるごとき特許請求の範囲第
１項の光学読取センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56006311A JPS57120813A (en) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | Optical reading sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56006311A JPS57120813A (en) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | Optical reading sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57120813A JPS57120813A (en) | 1982-07-28 |
| JPS622467B2 true JPS622467B2 (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=11634819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56006311A Granted JPS57120813A (en) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | Optical reading sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57120813A (ja) |
-
1981
- 1981-01-21 JP JP56006311A patent/JPS57120813A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57120813A (en) | 1982-07-28 |
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