JPS60181059U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60181059U
JPS60181059U JP6885984U JP6885984U JPS60181059U JP S60181059 U JPS60181059 U JP S60181059U JP 6885984 U JP6885984 U JP 6885984U JP 6885984 U JP6885984 U JP 6885984U JP S60181059 U JPS60181059 U JP S60181059U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
polycrystalline silicon
silicon layer
emitter
oxide film
Prior art date
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Pending
Application number
JP6885984U
Other languages
English (en)
Inventor
史朗 佐藤
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Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Original Assignee
Clarion Co Ltd
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Publication date
Application filed by Clarion Co Ltd filed Critical Clarion Co Ltd
Priority to JP6885984U priority Critical patent/JPS60181059U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａからｄまでは本考案による半導体装置の製造工
程を示す断面図、第２図ａおよびｂは本考案による薄い
酸化膜を形成した場合およびしない場合におけるバイポ
ーラ・トランジスタのコレクタ電流Ｉｃとエミッタ接地
電流増幅率ＨＦＥの関係を測定した結果を示す図、第３
図ａからｄまでは従来の方法による半導体装置の製造工
程を示す断面図である。 １．１０１・・・Ｐ−型シリコン基板、２，１０２・・
・ｎ＋型埋込み層、３，１０３・・・ｎ−型エピタキシ
ャル層、４，１０４・・・Ｐ＋型不活性ベース、５゜１
０５・・・ｐ型活性ベース、６，１０６・・・シリコン
酸化膜、７，１０７・・・エミッタ用開口部、８，１０
８・・・多結晶シリコン層、９，１０９・・・多結晶シ
リコン・エミッタ［Ｌ　　１０，１１Ｇ・・・エミッタ
、１１１，１１２・・・薄いシリコン酸化膜、１３．１
１３・・・コレクタ’［極、１４．　１１４−・・コレ
クタ電極取出し口、１５，１１５・・・コレクタ用開口
部、１６．　１１６−・・アイソレーション。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 単結晶半導体基板と、該基板上に設けられた絶縁膜を含
    み、上記基板の表面部分のエミッタ形成部に対応して上
    記絶縁膜に窓が設けられており、上記窓を通して露出し
    ている基板表面に１，５乃至５ｎｍの厚さの薄い酸化膜
    を形成し、さらにその上に強く不純物でドープされた多
    結晶シリコン層を設け、該多結晶シリコン層を拡散源と
    して上記酸化膜を通して不純物を上記基板の表面部分に
    拡散して形成された高不純物濃度領域を有し、該高不純
    物濃度領域がエミッタの役をし、上記多結晶シリコン層
    がエミッタ電極の役をすることを特徴とする半導体装置
    。
JP6885984U 1984-05-11 1984-05-11 半導体装置 Pending JPS60181059U (ja)

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