JPS60181610A - 膜厚測定方法 - Google Patents

膜厚測定方法

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Publication number
JPS60181610A
JPS60181610A JP3830584A JP3830584A JPS60181610A JP S60181610 A JPS60181610 A JP S60181610A JP 3830584 A JP3830584 A JP 3830584A JP 3830584 A JP3830584 A JP 3830584A JP S60181610 A JPS60181610 A JP S60181610A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film thickness
deposited
substrate
film
entire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3830584A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuyuki Iwatani
岩谷 靖之
Eisaku Mori
森 栄作
Yoshifumi Minowa
美濃和 芳文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3830584A priority Critical patent/JPS60181610A/ja
Publication of JPS60181610A publication Critical patent/JPS60181610A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/545Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G01B21/02Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
    • G01B21/08Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness for measuring thickness

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発141け、金属の蒸着膜の膜厚全測定する方法に
関するものである。
〔従来技術〕
従来の膜厚測定方法ケ第1図に示す。図において、+I
+は囃空答器、(211/′i金属蒸肴のf質出口(2
a)?!するるつぼ、+31け++a +#測定センサ
で、水晶振IWj式等を使用する。(4)け蒸着膜を形
成する基板である。第1図において、真空容器(1)の
内部全真空にしだ状態で、るつは(2)をIJII熱す
ることにより、るつぼ(2)内の蒸着金属の蒸気を基板
14)に向けて噴出させる。クラスターイオンビームの
場合vcけ、金属蒸気全イオン化して加速することで蒸
着特性を良くしている。基板゛4)には金属蒸気の蒸光
噛に応じて蒸着膜が形成される。この時、蒸気の噴出領
域内に設置された膜厚計には、蒸着mに応じた出力が得
られ、基板:4)に形成さtlる膜厚が測定できる。し
かし、膜厚計による測定は基板′41の蒸着面の一端の
みの蒸着速度を測定するの与であり、蒸着面全体の評価
ができないことと、基板(4)内Vコ蒸看さtlない而
ができる欠点があった。
〔発明の概要〕
\ この発明は基板に蒸着ざ力た蒸着膜の膜厚を、蒸着面全
域で蒸着速度の測定が0」能としたd艶厚センサを用い
ることで、蒸着面全体について膜厚の測定が可能なぺσ
厚測定方法を提供するものである。
〔発明の婁篩例〕
以下、笑施例を第2図で説明する。図において、Ojか
ら+41t′i肩1図と同様であh 、 (5+け膜厚
測定センサ(3)の出カケ真空容器+11から導出する
ためのケ−プル及び同センサf3+の冷却用バイブのフ
レキシブルチューブ、(6)にHQ膜厚センサよるt1
゛測中に基板(4)に金属が蒸着するの全防止するため
のシャッター、(7)は膜厚センサ(31の駆!#機構
で、支持棒(y8)−を介して膜厚センサ13ンを支持
している。
次に作用について説明する。纂2図において、JK空容
器(1)内を真空状態にして、るつぼ(21を加熱し金
属蒸気全噴出させ基板(4)に蒸楔膜全形成する場合に
、基板(4)の蒸右面のniJ而にシャッター(6)全
位置させた状態で膜厚センサ(3;と支持棒(7a)を
介して躯11rlJ1幾構(71に工す蒸着面の任意の
位置にセットし、蒸着膜jWを測定することにより、蒸
着面金IR1の蒸着速度を測定し、その後、シャッター
 を移+1νIさせ、基板141に金属全蒸着させるこ
とKLす、蒸着面全体の蒸着膜厚音測定する。
〔発り]の効果〕
この発明によるさ、従来は蒸気の唄出饋域σ)一端にお
ける蒸着速度から基板の蒸着膜厚をめていたものが、蒸
着面の全面の蒸着速度から蒸着膜厚がめらねる工うにな
ったという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の膜厚測定方法の構成図、第2図はこの発
明の一4!確例による構成図である。 図K k イて、fl+は真空容器、(2)はるつぼ、
13)は膜厚測定センサ、゛4]ハ基板、(51ハフレ
キシブルチユーブ、(61けシャッター、17)fd駆
割前機構示す。 なお、各図中、同−符JPjt/′i同−又は相当部分
倉ボす。 代理人 大岩増雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. il+ 真空中で金属蒸気ゲイオン比して、金属の蒸着
    膜を形成する方法において、且記蒸看膜の膜厚を3)測
    するセンサを蒸看面内で移# i’J能な構造にして蒸
    眉面全体の膜厚を測定するようにした膜厚測定方法。
JP3830584A 1984-02-28 1984-02-28 膜厚測定方法 Pending JPS60181610A (ja)

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JP3830584A JPS60181610A (ja) 1984-02-28 1984-02-28 膜厚測定方法

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JPS60181610A true JPS60181610A (ja) 1985-09-17

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6808566B2 (en) * 2001-09-19 2004-10-26 Tokyo Electron Limited Reduced-pressure drying unit and coating film forming method
CN102373434A (zh) * 2010-08-20 2012-03-14 日立造船株式会社 蒸镀装置
CN103160798A (zh) * 2013-02-26 2013-06-19 上海和辉光电有限公司 侦测蒸发源的装置及方法
CN103789732A (zh) * 2014-02-13 2014-05-14 上海和辉光电有限公司 蒸镀机以及蒸镀方法

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US6808566B2 (en) * 2001-09-19 2004-10-26 Tokyo Electron Limited Reduced-pressure drying unit and coating film forming method
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