JPS60182012A - 薄膜磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気テープ、磁気シート等に適用して好適なＲ
Ｖ、Ｍ磁気記録媒体に関する。

♂ｒ景技術とその問題点 近年、磁気記録の１１°（ｆ密度化の１−」的０６月（
目１ｔ１．１１１；ｌＬ型の磁気記録媒体即ち非磁性基
体」−に真空蒸着、ヌバソタリング等の方法によりＣｏ
、　Ｆｅ、　Ｎｉ等の＆＋　１！１金属、或いはこれら
の合金による数白へ〜略１μのＩＶさの強磁性金属薄膜
を形成させた磁気記録媒体についての伺究が盛んである
。

しかしながら、この種の薄１１￥型の磁気記録媒体にお
い”ζ、そのＣｏ等の磁性金属を単に非磁性基体−１−
に例えば蒸着しただけＣは、充分ｌｌ］１い抗磁ノ月１
ｃを有する磁性ｊ−を得ることは困難である。このよう
な薄膜型磁気記録媒体において、Ｉ口ｆい抗磁ノ月ＩＣ
を有する磁性１＠をｉυる方法としては、非磁性基体に
対しζ、上述の磁性金属の蒸発粒子を斜めに入射させる
斜め蒸着法が提案され′Ｃいる。とごろがごのような斜
め蒸着法による場合、蒸着効率が低く生産ｆ！Ｉ＋に劣
るという欠点がある。

発明の目的 本発明は、斜め蒸着法によらない場合にＡ６いＣも、非
磁性基体上に商い抗磁力及び角形比を有し、その面内Ｃ
磁気特性が等人的とされた薄膜磁気記録媒体を青ようと
するものである。

発明の４汎要 本発明は、非磁性基体」二にヒスマス系合金のト地層と
金属磁性ＩＨを積層形成してなる磁気記録媒体である。

ヒスマス系合金としＣは、旧とＰｌｙ、　Ｓｎ、　Ｃｄ
、　Ｉｎ。

Ｓｂ、　Ｇａ、　Ｚｎから選ばれた１種以−１−の金属
とから構成され、その旧以外の金属の−）す合は５〜４
５市量％の範囲内に選ばれる。

この発明の磁気記録媒体では、磁気的に面内等力１？ｌ
をイ１し、１１つ高い抗磁力及び角型比が得られる。ま
た製造に際しても：ＩＦｉｉ’ｊ蒸着であるから生産性
も良好である。

実施例′ 本発明においＣは第１図に示すように非磁性基体（１）
上にビスマス系合金の非磁性−ト地Ｊｆ４　（２１と金
属ｌａ４’、Ｉ層を形成してン１シ股磁気記録媒体を得
る。

非磁性基体としζは例えばポリエチレンテレフタレー１
−、ポリアミド、ポリ゛〆ミドイミド、ポリイミド等の
高分子フィルム、ガラス、セラミック、９・ファイア或
いは表面を酸化した金属扱等を用いることができる。

ビスマス系合金の土地層（２）は基体ｆｉｔ−，１：に
スパッタリングによって被着するもので、ＩＩ４と５〜
４５重量％のＰｂ、　Ｓｎ、　Ｃｄ、　Ｉｎ、　Ｓｂ、
　Ｇ８．　Ｚｎから選ばれた１種以上の金属から成る二
元系、三ノじ系或いは四ノじ系合金によって構成され、
そのｊソさは５０〜３００人に選定される。ヒスマス系
合金を選択したのは８ｋが５５重量％以」−のものは凝
固時に通常の金属と異なり体積が膨張する（ＩＩ　＊を
存するためである。

金属磁性層（３）は通１贋の蒸着によ−Ｊ　’ＣＣｏ、
　Ｒｅ、　Ｎｉのいずれか、或いはその合金例えばＣｏ
−Ｎｉ合金等を５０〜６００人好ましくは２００〜３０
０人の厚さに被着するごとによっ°ζＪｊ宅成し得る。

第２図は上地層（２）、金属磁性ｌ＠ｆ３１を形成する
装置の一例Ｃある。図中（４ンは真空容器で、この内部
が４つの室、ずなわら供給ロール（５）が配された供給
室（６八巻き取りロール（力が配された巻き取り室（８
）、スパッタリング室（９）及び蒸着室００１に仕切ら
れ、供給ロール（５）から繰り出された非磁性基体［１
，）が金属キ中ン（１１）及び（！２）を繞っ゛ζスパ
ッタリング室（９）及び蒸着室００１に移送され、これ
より巻き取りロール（７）に巻き取られるようになされ
る。

スパッタリング室（９）の金１ｊＡキャン（１１）に対
向する］・方には金属クーケノ１−（１３）が配置され
、このターゲット（１３）と金属キャン（Ｉｆ）間に１
１１■周波？ｌｉ源よりの高周波が印加されるようにな
される。また蒸着室θ０）の金１７Ｍキャン（１２）に
対向するド方位置には蒸着源（１４）が配置される。８
石綿（１４）は図刀マしないが例えば電子銃からの電子
ビームご加熱される。（１５）は非硼１１１基体を所定
温度に加熱Ｊるための赤外線ランプ、（１６）はＪＪＩ
気目である。

実施例１ 第２図の装置を使用し、２　Ｘ　１Ｏ−２Ｔｏｒｒの真
空Ｉ・で厚さ５０μのポリイミドフィルムよりなる非磁
性基体＋１＋を走行させ、先ずスパッタリング室（９）
で旧５７．５ｍｊｆ％、５ｎ１７．３ｍ１量％、Ｉｎ２
５．２車量％からなる合金ターゲット（１３）を用い′
Ｃスパッタ条件を適度に調節した１１１１周波スパッタ
リング処理にょっ−（厚さ２００人の旧−５ｎ−Ｉｎ合
金１・地層（２）を被着した。引き続き蒸着室００１に
おい゛Ｃ非磁性基体（１）の基体温度をＢ１−５ｎ−Ｉ
ｎ合金１・地１ｍ　（２１の凝固点７９℃以上の１５０
℃に保持した状態で蒸着源（１４）よりＧｏ−３５％Ｎ
＋合金を２５０人の厚さに蒸着して旧−３ｎ−Ｉｎ合金
１・“地１ｔｉｉ（２１ｊ−にＣｏ−Ｎｉ合金磁性１ｍ
　（３１を被着した。このようにして得られた薄般磁気
記録媒体を実施例１とした。

比較例１ 基体温度をＢ１−５ｎ−Ｉｎ合金ト地Ｉｎ　ｆ２１の凝
固点以上の５０℃とし、その他は実施例１と同じにして
作！Ｉ１１メジた薄膜磁気記録媒体を比較例１とした。

」二記各例の磁気記録媒体の抗研〕月１Ｇ及び角型非Ｒ
ｓを下記表に不ず。

表 この表より明らかなように１−地層のｎ、；４度をその
凝固温度以上に＋ｌ］ｉ　くすると磁気特性の改善が顕
著である。一方、−１−地層の温度がその凝固ｌｉ＋！
１度より低いと上地層の効果がなく好ましくない。

実施例２ 実施例１と同様の方法をとるも、１・地層用物餉とし′
ζ旧５０市量％、Ｐｂ３１．２市９％、５ｎｌｌ＋、８
ｍｌ；ｔ％の合金ターゲット（１３）を用い′ζ基体ｄ
、１４度を１５０　”Ｃとし′ζ旧−３ｎ−Ｉｎ合金１
〜地層（２）を形成した薄ｎＡ磁気記録媒体を実施例２
とした。なおこの旧−３ｎ−Ｉｎ合金１・地層の凝固点
は９４℃である。

比較例２ 基体６１１Ｌ度を５０℃とし、その他は実施例迄と同様
にして作製した薄膜磁気記録媒体を比較例２としＡｍ。

この実ｈ１シ例２及び比較例２の抗磁力及び角型比の結
果はほぼ実施例１及び比較例１と同様ごあっノこ。

面、合金ターゲット（１３）としＣは、例えば第３図に
示すようにビスマス基４１ｉ（２１）上に合金を構成」
る成分基鈑例えば実ｈｉ！］例２の場合にはＰｂ基扱（
２２）とＳｎ基板（２３）を所定の割合となるように、
１１つ各成分、基板（２２）　（２３）が非磁性基体（
１，１の幅方向に延在Ｊ−るように配列し、しかもこの
クーゲノ１−（１３）のリツｉｆ　（ｌ　Ｉが非磁ＩＩ
［基体（１）の’Ｉ’ｆｔｌρ２．１り人（ｊ！２＞ｊ
！１　）となるよ）に構成する。このような合金ターゲ
ットを用いれは、非磁イ１１基体＋１１のｌｌ’ｉｉｉ
方向に膜質の均一化が図れる。

また金属（Ｍ　Ｍ：　ＩＮ　（：（＋は一層に１９１！
られるものではなく上述のト地層を介在さセた多層構造
とすることもできる。

発明の効果 」−述したように本発明によれば、凝固時に体積膨張す
るビスマス系合金の土地層を介して金ｊだ磁性層を形成
することにより、このド地１ｔ４の体積膨張に因る磁性
層の被着面の表向性によってこれの１−に形成する金属
磁（！１゛屓が、はぼ東向方向からの蒸着Ｃも微細化さ
れ、ＪＪｉ＋、）抗磁力１１ｃを２１マし、また１目１
い角型比Ｒｓを示す薄膜磁気記録媒体が１！Ｉられる。

この磁気記録媒体は面内で磁気特性が等人的となされる
ものである。また、製造に際し゛てもほぼ中−直Ｆｉ着
であるから生産性も良好である。

【図面の簡単な説明】

第１し１は本発明によるηシ膜磁気ＩｉＬ！録媒体の断
面し１、第２図は本発明の一ト地層と金属磁性層を形成
する装置の一例をボず路線的構成図、第３図はその合金
クーゲソ１−の例を不ず）Ｖ−面図である。 （１）は非磁性基体、（２）はビスマス系合金のド地１
−１（３）は金属（ククｌ’ｌ　ｌｔ！！ｉ（ある。 代理人　炉層　貞 同　松隈秀盛 第１図 １１３図 ２１　囚 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 非磁性基体上にビスマス系合金の１・地１督と、金属磁
   性層が積層形成され、該ビスマス系合金はビスマスと５
   −４ｓ車量％のＰｂ、　Ｓｎ、　Ｃｄ、　Ｉｎ＋　Ｓｂ
   、　Ｇａ。 Ｚｎから選ばれた１種以上の金属とから構成されてなる
   薄膜磁気記録媒体。