JPS60182196A - Method of producing multilayer board - Google Patents
Method of producing multilayer boardInfo
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- JPS60182196A JPS60182196A JP3646284A JP3646284A JPS60182196A JP S60182196 A JPS60182196 A JP S60182196A JP 3646284 A JP3646284 A JP 3646284A JP 3646284 A JP3646284 A JP 3646284A JP S60182196 A JPS60182196 A JP S60182196A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 21
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、多層基板の製造方法に係り、特に、層間絶縁
膜の形成に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer substrate, and particularly to the formation of an interlayer insulating film.
従来、厚膜あるいは薄膜からなる混成集積回路用の多層
基板の製造に際しては、7オトリンエツチングエ程等を
含む通常の厚膜あるいは薄膜プロセスによって形成され
た導体パターン上に、層間接続用のスルホールとなる部
分を除いて、層間絶縁膜を形成し、更に、導体パターン
を形成するという工程が用いられていた。Conventionally, when manufacturing multilayer substrates for hybrid integrated circuits made of thick or thin films, through-holes for interlayer connections are formed on conductor patterns formed by a normal thick-film or thin-film process including a 7-layer etching process. The process used was to form an interlayer insulating film and then form a conductor pattern, except for the parts where .
ところで、この眉間絶縁膜の形成にあたっては、7オト
リソエツチングエ程等を含むことなく製造が容易で、製
造コストも安価であることから、厚膜法を用いる場合が
ほとんどであった。By the way, in forming this glabellar insulating film, a thick film method has been used in most cases because it is easy to manufacture without including any etching process, and the manufacturing cost is low.
しかしながら、層間絶縁膜は、スルーホール部分を除い
て#1は全面に塗布されるため、材料コストが大きなウ
ェイトを占めていた。However, since the interlayer insulating film #1 is coated on the entire surface except for the through-hole portion, the material cost is a large factor.
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、製造コス
トの低い多層基板を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a multilayer substrate with low manufacturing cost.
上記目的を達成するため、本発明は、スルーホールとな
る部分を除いて、下地の導体パターンとほぼ同じパター
ン形状をもつ層間絶縁膜を形成し、不要部への形成を省
略しようとするものである。In order to achieve the above object, the present invention aims to form an interlayer insulating film having almost the same pattern shape as the underlying conductor pattern except for the portions that will become through holes, thereby omitting the formation in unnecessary parts. be.
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明す
る。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
まず、第1図に示す如く、絶縁性のセラミック基板1上
にスクリーン印刷法によって、金を全面塗布した後、乾
燥および焼成を行ない金層2を形成する。First, as shown in FIG. 1, gold is coated on the entire surface of an insulating ceramic substrate 1 by screen printing, followed by drying and firing to form a gold layer 2.
次いで、フォトリソ法によって、第2図に示す如く、該
金層2を所望のパターン形状となす。Next, the gold layer 2 is formed into a desired pattern shape by photolithography, as shown in FIG.
このようにして形成された第1の金パターン3上に、前
記金パターン3とほぼ同形でやや大きな/4’ターンを
もつスクリーンを使用し、スクリーン印刷法によって、
酸化アルミニウムを主成分とする絶縁体層を形成し、乾
燥および焼成工程を経て、第3図に示す如く、層間絶縁
膜4を形成する。On the first gold pattern 3 formed in this way, a screen having a slightly larger /4' turn that is approximately the same shape as the gold pattern 3 is used, and by a screen printing method,
An insulating layer containing aluminum oxide as a main component is formed, and through a drying and baking process, an interlayer insulating film 4 is formed as shown in FIG. 3.
そして、更に、前記第1の金パターンと同様に、印刷、
焼成、およびフォトリソ工程を経て、第4図に示す如く
第2の金パターン5を形成する。Further, similarly to the first gold pattern, printing,
After firing and a photolithography process, a second gold pattern 5 is formed as shown in FIG.
このようにして形成された多層基板は、層間絶縁膜形成
用の絶縁ペーストが少量ですみ、製造コストが安価であ
る。The multilayer substrate formed in this manner requires only a small amount of insulating paste for forming an interlayer insulating film, and the manufacturing cost is low.
なお、上記実施例においては、導体パターンの形成にあ
た′って、パターン精度を上けるという目的のために、
フォトリソ法を用いたが、所望のパターンを担持するス
クリーンを用いることによシ、印刷時にi9ターン形成
を行なっても良い。この場合、層間絶縁膜の形成にも同
一のスクリーンを使用し、・やや粘度の低い絶縁ペース
トを用いて、故意にグツを生じさせる方法も、スクリー
ンを特別に用意する必要がなく、コストの低減に有効で
ある。この場合、スルーホールが必要な場合には該眉間
絶縁膜に対して、フォ) IJソ工程を実行すればよい
。In addition, in the above embodiment, in order to improve the pattern accuracy when forming the conductor pattern,
Although the photolithography method was used, the i9 turn formation may be performed during printing by using a screen carrying a desired pattern. In this case, the same screen is used to form the interlayer insulating film, and an insulating paste with a slightly lower viscosity is used to intentionally create a lump, which eliminates the need to prepare a special screen and reduces costs. It is effective for In this case, if a through hole is required, the glabellar insulating film may be subjected to an IJ process.
また、本発明の方法は、コストの低減に加えて、配線パ
ターンの高密度化に伴う、ショートの発生を防止する際
にも有効である。その例として長尺読み取り素子におけ
る例を以下に示す。In addition to reducing costs, the method of the present invention is also effective in preventing the occurrence of short circuits due to increased density of wiring patterns. As an example, an example of a long reading element is shown below.
長尺読み塩9素子の駆動回路は、通常セラミック基板上
に多数個の集積回路(IC)チップを搭載してなる混成
集積回路(ハイブリッドIC)から構成されているが、
解像度の増大のためにビット数の増大が必要とされる結
果、回路も複雑となってきている。例えば、近年では、
搭載されている1個のICチ、プに対して150個もの
ボンディング箇所を必要とするようなものまで用いられ
るようになってきている。この場合、1個のグイボンデ
ィングノeッドに対し、この周りに150個のポンディ
ングパッドが形成され、夫々ボンディングが行なわれる
訳であるが、配線層はライン幅50μm1ライン間隔5
0〜70μm程度と高密度になるため、ライン間のショ
ートの発生あるいは、ボンディングの際における圧着ワ
イヤのはみ出しKよるショートの発生等により、1個の
ICチップに対して10箇所程度のショートの発生は訪
れ得す、信頼性の向上をはばむ原因となっている。The drive circuit for the long-length 9-element salt is usually composed of a hybrid integrated circuit (hybrid IC), which has a large number of integrated circuit (IC) chips mounted on a ceramic substrate.
As a result of the increased number of bits required for increased resolution, circuits have also become more complex. For example, in recent years,
Devices that require as many as 150 bonding points for one mounted IC chip are now being used. In this case, 150 bonding pads are formed around one Gui bonding node, and bonding is performed on each bonding pad, but the wiring layer has a line width of 50 μm and a line spacing of 5
Due to the high density of about 0 to 70 μm, shorts occur in about 10 places on one IC chip due to shorts between lines or shorts due to protrusion of the crimp wire during bonding. This is a cause that hinders the improvement of reliability.
そこで、例えば第5図にその要部拡大図、第6図に第5
図のA−A断面図を示す如く、グイポンディングパッド
11の周囲に千鳥状に配設される第1のy+/ンディン
グノjッド12、第2のポンディングパッド13、第3
のポンディングパッド14、第4のビンディングパッド
15、第5のポンプイングツやラド16、およびこれら
のポンディングパッド12〜16に、夫々連設される第
1のライン17、第2のライン18、第3のライン19
、第4のライン20、第5のライン2.1のうち、第1
のポンプイングツ9ツド12、第3のポンプイングツ9
ツド14、第5のビンディングパッド16および第1の
ライン17、M3のライン19、第5のライン21およ
びグイビンディング/4’ツド11は、第2のビンディ
ングパッド13、第4のビンディングパッド15および
第2のライン18、第4のライン20の形成に先立ち、
第1層目の厚膜導体パターンとして、セラミック基板1
上に形成されておシ、該パターン上は、該パターンとほ
ぼ同じ形状の層間絶縁v22で被覆されている。(この
層間絶縁膜も厚膜パターンから形成されている。)また
、第2のポンプイングツぐラド、第4のボンディングノ
ヤツドおよび第2のライン、第4のラインは、第2層目
の厚膜導体パターンとして形成されている。Therefore, for example, Fig. 5 is an enlarged view of the main part, and Fig. 6 is an enlarged view of the main part.
As shown in the AA cross-sectional view of the figure, the first y+/nding node 12, the second y+/nding node 12, the second y+/nding pad 13, and the third
14, a fourth binding pad 15, a fifth pumping pad 16, and a first line 17, a second line 18, and a second line connected to these bonding pads 12 to 16, respectively. 3 line 19
, the fourth line 20, and the fifth line 2.1.
9 pumpings 12, 3rd pumping 9
The binding pad 14, the fifth binding pad 16 and the first line 17, the M3 line 19, the fifth line 21 and the binding/4' binding pad 11 are connected to the second binding pad 13, the fourth binding pad 15 and Prior to forming the second line 18 and the fourth line 20,
A ceramic substrate 1 is used as the first layer thick film conductor pattern.
The pattern is covered with an interlayer insulation layer V22 having approximately the same shape as the pattern. (This interlayer insulating film is also formed from a thick film pattern.) In addition, the second pumping layer, the fourth bonding node, the second line, and the fourth line are connected to the thick film of the second layer. It is formed as a conductive pattern.
ところで、これらの第1層目の導体パターン、層間絶縁
膜、第2層目の導体パターンは、夫々このハイブリッド
基板上の他の配線層の形成と同一工程で形成されるため
、工数を増加せしめることけない。By the way, the first layer conductor pattern, interlayer insulating film, and second layer conductor pattern are formed in the same process as the formation of other wiring layers on this hybrid board, which increases the number of man-hours. I can't stand it.
また第1.第3.第5のポンプイングツ9 ラド上には
眉間絶縁膜がボンディング部にスルーホール23を有す
るように形成されている。Also number 1. Third. A glabellar insulating film is formed on the fifth pumping unit 9rad so as to have a through hole 23 at the bonding portion.
このように、密接状態で隣接するデンディングノヤッド
及びラインを形成するにあたシ、1つおきに第1層目の
導体/4’ターンとして形成し、この上をこれとは#丁
同じ形状の絶縁体ノやターンで被覆した後に、第2#目
の導体・ぞターンとして、前記ボンディング・Pウド及
びラインの開に、又残Qのゾンデイングツjッド及びラ
インを配設せしめることによシ・隣接ライン間のショー
トの発生はもとよシ、ワイヤボンディングに際して、圧
着ワイヤがポンディングパッドからはみ出した場合にも
隣り合うラインは層間絶縁膜で被覆されているため、シ
ョートの発生はほとんど皆無となり、駆動回動すなわち
、ハイブリッドICの不良率は大幅に低下する。In this way, when forming closely adjacent dending nodes and lines, every other conductor is formed as a first layer conductor/4' turn, and the top layer is separated from this one by #1. After covering with insulators and turns of the same shape, as the second conductor and turn, arrange the remaining Q bonding rod and line at the opening of the bonding pad and line. In addition to short circuits between adjacent lines, short circuits can occur even if the crimp wire protrudes from the bonding pad during wire bonding because the adjacent lines are covered with an interlayer insulating film. is almost completely eliminated, and the drive rotation, that is, the defective rate of hybrid ICs is significantly reduced.
例えば、ライン幅50μmライン間隔70μm1ポンデ
ィングパッド120μm角である場合、従来の如く、す
べてのライン及びポンプイングツ9 ラドを同一層とし
て形成した場合に、直径25μmの金線を用いてワイヤ
がンディングを行なうと、ビンディング時のショート発
生率は−L℃−であったのに対50
し、同様の寸法のパターンを前述の如く、交互に別の層
として層間絶縁膜を介して形成することによシヒンディ
ング時のショート発生率はOである。For example, if the line width is 50 μm, the line spacing is 70 μm, and each pumping pad is 120 μm square, if all the lines and pumping pads are formed in the same layer as in the past, the wire will be bonded using a gold wire with a diameter of 25 μm. Although the short circuit occurrence rate during binding was -L°C-50, it can be improved by forming patterns of similar dimensions alternately as separate layers via an interlayer insulating film as described above. The short circuit occurrence rate during landing is O.
かかる構造は、厚膜法によって、高密度の/4り〜ンを
形成する場合における、印刷後のインクのグツや流れに
よるショート防止に特に有効であるが、薄膜法において
も有効であることは言うまでもない。This structure is particularly effective in preventing short circuits due to ink sag or flow after printing when forming high-density /4 lines by the thick film method, but it is also effective in the thin film method. Needless to say.
以上、説明してきたように、本発明によれば、多層基板
の製造にあたり、層間絶縁膜を下地の導体層とほぼ同一
のパターン形状となるように形成しているため、従来の
如く、全面に層間絶縁膜を形成する場合に比べて、材料
費の大幅な節減が可能となシ、製造コストの低下を実現
し得る。As explained above, according to the present invention, when manufacturing a multilayer board, the interlayer insulating film is formed to have almost the same pattern shape as the underlying conductor layer, so it is not necessary to cover the entire surface as in the conventional method. Compared to the case of forming an interlayer insulating film, material costs can be significantly reduced, and manufacturing costs can be reduced.
第1図乃至第4図は、本発明実施例の多層基板の製造工
程を示す図、第5図は長尺読み取シ素子の駆動回路部に
本発明の方法を採用した場合におけるポンディングパッ
ド周辺の構成例を示す要部拡大図、第6図は第5図のA
−A断面図である。
■・・セラミック基板、2・・・金層、3・・・第1の
金・やターン、4・・・層間絶縁膜、5・・・第2の金
パターン、11・・・ダイ号?ンディングノソツド、1
2・・・第1のゾンデイングツ(ラド、13・・・第2
のポンディングパッド、14・・・第3のポンディング
パッド、15・・・第4のH?ゾンデイングツラド、1
6・・・第5のボンディングノクツド、17・・第1の
ライン、18・・・第2のライン、19・第3のライン
、2o・・・第4のライン、21 第5のライン、22
・層間絶縁膜、23・・・スルーホール。
第1図
第2図
第3図
ム
第4図Figures 1 to 4 are diagrams showing the manufacturing process of a multilayer board according to an embodiment of the present invention, and Figure 5 is a diagram showing the vicinity of the bonding pad when the method of the present invention is adopted in the drive circuit section of a long reading element. Figure 6 is an enlarged view of the main parts showing an example of the configuration of Figure 5.
-A sectional view. ■... Ceramic substrate, 2... Gold layer, 3... First gold layer, 4... Interlayer insulation film, 5... Second gold pattern, 11... Die number? Ending method, 1
2...1st Sondings (rad, 13...2nd
Ponding pad, 14...Third pounding pad, 15...Fourth H? Zondingturad, 1
6... Fifth bonding node, 17... First line, 18... Second line, 19... Third line, 2o... Fourth line, 21... Fifth line, 22
- Interlayer insulating film, 23... through hole. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4
Claims (1)
、層間絶縁膜を下地の導体層とほぼ同一のパターン形状
となるように形成することを特徴とする多層基板の製造
方法。A method for manufacturing a multilayer board, which comprises forming an interlayer insulating film to have almost the same pattern shape as the underlying conductor layer, for manufacturing a multilayer board having two or more conductor layers. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3646284A JPS60182196A (en) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | Method of producing multilayer board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3646284A JPS60182196A (en) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | Method of producing multilayer board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182196A true JPS60182196A (en) | 1985-09-17 |
Family
ID=12470481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3646284A Pending JPS60182196A (en) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | Method of producing multilayer board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182196A (en) |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP3646284A patent/JPS60182196A/en active Pending
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